JPS6373650A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS6373650A JPS6373650A JP61218301A JP21830186A JPS6373650A JP S6373650 A JPS6373650 A JP S6373650A JP 61218301 A JP61218301 A JP 61218301A JP 21830186 A JP21830186 A JP 21830186A JP S6373650 A JPS6373650 A JP S6373650A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004859 Copal Substances 0.000 abstract 1
- 241000782205 Guibourtia conjugata Species 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は半導体装置において、開口を有する1−ヤップ
により半導体素子の気密封止を可能とし、■つ放熱部材
の半導体素子との接触を可能とし、気密封止は確実とし
つつ小型化を図り放熱効率を向上させるようにしたもの
である。
により半導体素子の気密封止を可能とし、■つ放熱部材
の半導体素子との接触を可能とし、気密封止は確実とし
つつ小型化を図り放熱効率を向上させるようにしたもの
である。
本発明は半導体装置、特にキャップ及びヒートシンクの
取付構造に関する。
取付構造に関する。
半田バンブを有する半導体素子(フリップデツプ)又は
周囲に突き出した微小リードを有する半導体素子は、ワ
イヤを使用せずに、フェイスダウン方式で基板上の多層
配線層に電気的に接続されて基板に固定される。半導体
素子は、周囲を曇根上面に半田付けされたキャップによ
り覆われて気密封止されている。ヒートシンクはキャッ
プ上に固定しである。
周囲に突き出した微小リードを有する半導体素子は、ワ
イヤを使用せずに、フェイスダウン方式で基板上の多層
配線層に電気的に接続されて基板に固定される。半導体
素子は、周囲を曇根上面に半田付けされたキャップによ
り覆われて気密封止されている。ヒートシンクはキャッ
プ上に固定しである。
半導体素子で発生した熱は、一旦キャップの厚さ方向に
伝導した後、ヒートシンクにiリリ、ヒートシンク内を
伝導してこの表面より放熱される。
伝導した後、ヒートシンクにiリリ、ヒートシンク内を
伝導してこの表面より放熱される。
キャップには、熱膨張係数及び加工性の点より、一般に
、コバールが使用されている。コバールの熱伝導率は2
0W/m−Kであり、良くはない。
、コバールが使用されている。コバールの熱伝導率は2
0W/m−Kであり、良くはない。
このため、上記構造の半導体装置では、キャップが熱伝
導に対して抵抗となり、放熱効率を向上させる上で障害
となっているという問題点があった。
導に対して抵抗となり、放熱効率を向上させる上で障害
となっているという問題点があった。
また放熱効率向上のために、ヒートシンクを半導体素子
の上面に直接取り付ける構造も考えられるが、この構造
では半導体素子の気密封止を完全にし、且つ小型化を図
るのが困難であるという問題点があった。
の上面に直接取り付ける構造も考えられるが、この構造
では半導体素子の気密封止を完全にし、且つ小型化を図
るのが困難であるという問題点があった。
本発明は上述の問題点を解消する半導体装置を提供する
ものであり、 配線層が形成された基板と、 該基板上に表面が下向きで搭載され上記配線層に電気的
に接続された少なくとも一つの半導体素子と、 該半導体素子の外形よりも小さい開口を有し、周縁部が
上記基板に、該開口の周囲部が上記半導体素子の上面に
夫々接着され気密封止するヤヤップと、 該キャップの開口に嵌合して上記半導体素子の裏面に固
定された放熱部材を有することを特徴とする。
ものであり、 配線層が形成された基板と、 該基板上に表面が下向きで搭載され上記配線層に電気的
に接続された少なくとも一つの半導体素子と、 該半導体素子の外形よりも小さい開口を有し、周縁部が
上記基板に、該開口の周囲部が上記半導体素子の上面に
夫々接着され気密封止するヤヤップと、 該キャップの開口に嵌合して上記半導体素子の裏面に固
定された放熱部材を有することを特徴とする。
(作用)
放熱部材が半導体素子の上面に直接固定された構成は、
熱伝導に対して抵抗となるキャップを、放熱のための熱
伝導路より除外し、放熱効率を向上させる。
熱伝導に対して抵抗となるキャップを、放熱のための熱
伝導路より除外し、放熱効率を向上させる。
半導体素子の外形より小さい開口を有するキャップは、
半導体素子を支障なく気密封止する。
半導体素子を支障なく気密封止する。
第1図乃至第7図は本発明の第1実施例になる半導体装
置10を示す。
置10を示す。
特に、第1図、第2図及び第6図に示すように、半導体
装置10は、大略、半導体素子11と、基板12と、キ
ャップ13と、放熱部材としてのヒートシンク14とに
より構成される。
装置10は、大略、半導体素子11と、基板12と、キ
ャップ13と、放熱部材としてのヒートシンク14とに
より構成される。
半導体素子11は、第6図に示すように、表面11aの
周囲より外方に0.7wr延出した多数の微小なリード
15を有する。回路素子または回路が形成された表面1
1a上には、第5図に示すように、α線対策のために、
厚さ50〜100μmのポリイミド層16が形成しであ
る。
周囲より外方に0.7wr延出した多数の微小なリード
15を有する。回路素子または回路が形成された表面1
1a上には、第5図に示すように、α線対策のために、
厚さ50〜100μmのポリイミド層16が形成しであ
る。
半導体素子11は、第5図及び第6図に示すように、表
面11bが上、表面11aが下を向いたフェイスダウン
の向きで、基板12の上面の多層配線層17上にワイヤ
を使用せずに実装してあり、多層配線層17と電気的且
つ機械的に接続されている。
面11bが上、表面11aが下を向いたフェイスダウン
の向きで、基板12の上面の多層配線層17上にワイヤ
を使用せずに実装してあり、多層配線層17と電気的且
つ機械的に接続されている。
多層配線層17は、第5図に示すように、配線パターン
が、厚さ10μ顔のポリイミド製の絶縁層を介して3〜
4層に積重された構成である3基板12は例えばA[N
又はSiC,或いはAezOs¥Jであり、厚さは例え
ば0.6111111である。
が、厚さ10μ顔のポリイミド製の絶縁層を介して3〜
4層に積重された構成である3基板12は例えばA[N
又はSiC,或いはAezOs¥Jであり、厚さは例え
ば0.6111111である。
第1図、第5図、第6図に示すように、基板12を貫通
する多数のピアホール18内には、1ylo。
する多数のピアホール18内には、1ylo。
Wなどの金1i!i19が充填されメタライズされてい
る。基板12の下面には、多数のビン20がロー付は又
は半田付けされて、上記各焼結金属19に対応して固定
しである。各ビン20と対応するリード15とが、焼結
金属19及び多層配線層17を介して電気的に接続され
ている。
る。基板12の下面には、多数のビン20がロー付は又
は半田付けされて、上記各焼結金属19に対応して固定
しである。各ビン20と対応するリード15とが、焼結
金属19及び多層配線層17を介して電気的に接続され
ている。
ビン20は、Niメッキされたコバール又は、Niメッ
キされた3e−CLJ、或いはNiメッキされたW製で
ある。またビン20は径が0.1〜0.15m5+、長
さが1.0〜1.5sである。またビン20は、第4図
に示すように、基板12の中央部と外周部とを除いた部
分に、ピッチP+が0、ASm、ピッチP2が0.90
履で並んでいる。
キされた3e−CLJ、或いはNiメッキされたW製で
ある。またビン20は径が0.1〜0.15m5+、長
さが1.0〜1.5sである。またビン20は、第4図
に示すように、基板12の中央部と外周部とを除いた部
分に、ピッチP+が0、ASm、ピッチP2が0.90
履で並んでいる。
キャップ13は、例えば、コバール製であり、第7図に
示すように略四角形状の***部13aを有する逆皿形状
であり、周縁に張り出し部13b、***部13aの中央
に矩形状の開口13cを有する。開口13Cは半導体素
子11の外形より−まわり小さいサイズである。キャッ
プ13は、第1図及び第5図に示すように、張り出し部
13bを基板12上に半田21により半田付けされ、隆
起部13aのうち開口13cの周囲部を半導体素子11
の上面(裏面11b)の周辺部に半田22により半田付
けされて固定しである。これにより、半導体素子11は
気密封止され、且つ小型にパッケージングされる。キャ
ップ13の半導体素子11の上面への半田し3aは0.
5im*である。半導体素子11の周囲の空間23は、
例えば窒素ガス又は水素ガスで満たされている。
示すように略四角形状の***部13aを有する逆皿形状
であり、周縁に張り出し部13b、***部13aの中央
に矩形状の開口13cを有する。開口13Cは半導体素
子11の外形より−まわり小さいサイズである。キャッ
プ13は、第1図及び第5図に示すように、張り出し部
13bを基板12上に半田21により半田付けされ、隆
起部13aのうち開口13cの周囲部を半導体素子11
の上面(裏面11b)の周辺部に半田22により半田付
けされて固定しである。これにより、半導体素子11は
気密封止され、且つ小型にパッケージングされる。キャ
ップ13の半導体素子11の上面への半田し3aは0.
5im*である。半導体素子11の周囲の空間23は、
例えば窒素ガス又は水素ガスで満たされている。
このように、本発明のキャップは開口を有していること
で、この開口部分から内の半導体素子の上面が所定の高
さになってキャップに良好に半田付けできるかどうか確
認できるので、半導体素子とキャップの接続状態を良好
に確実に為すことができ、さらに、十分小型化が図れる
。
で、この開口部分から内の半導体素子の上面が所定の高
さになってキャップに良好に半田付けできるかどうか確
認できるので、半導体素子とキャップの接続状態を良好
に確実に為すことができ、さらに、十分小型化が図れる
。
ヒートシンク14は、特に第2図及び第7図に示すよう
に、基板12と同サイズであり、厚さが0.8謂の矩形
板状であり、下面に偏平凸部14aを有する。偏平凸部
14aは、上記キャップ13の開口13cに対応する形
状を有し、キャップ13の板厚tに略対応する寸法す突
出している。
に、基板12と同サイズであり、厚さが0.8謂の矩形
板状であり、下面に偏平凸部14aを有する。偏平凸部
14aは、上記キャップ13の開口13cに対応する形
状を有し、キャップ13の板厚tに略対応する寸法す突
出している。
このヒートシンク14は、第1図及び第5図に示すよう
に、偏平凸部14aが開口13cと嵌合し、偏平凸部1
4aの頂面14bが半導体素子11の裏面11bに半田
24より半田付けされて、キャップ13を覆って固定し
である。
に、偏平凸部14aが開口13cと嵌合し、偏平凸部1
4aの頂面14bが半導体素子11の裏面11bに半田
24より半田付けされて、キャップ13を覆って固定し
である。
ヒートシンク14は、Mo、Cu、△之。
AEN又はS i CWIJである。熱伝導率はMOが
136W/m −K 、 Cuが394W/m −K
、 A eが239W/m−に、AJ!Nが150〜2
00W/m−K、SiCが170〜270W/m −K
であり、共にコバールの熱伝導率より高い。AEN又は
S i C’Mの場合には、上記頂面14bにNi又は
AUがメタライズされている。
136W/m −K 、 Cuが394W/m −K
、 A eが239W/m−に、AJ!Nが150〜2
00W/m−K、SiCが170〜270W/m −K
であり、共にコバールの熱伝導率より高い。AEN又は
S i C’Mの場合には、上記頂面14bにNi又は
AUがメタライズされている。
上記構成の半導体装置10は、ビン20をプリント基板
(図示せず)の対応する導電パターン上に接続し表面実
装される。半導体装置10が実装されたプリント基板は
例えばコンピュータ装置(図示せず)内に組み込まれ、
ヒートシンク14の上面には伝導冷却手段(図示せず)
が接触する。
(図示せず)の対応する導電パターン上に接続し表面実
装される。半導体装置10が実装されたプリント基板は
例えばコンピュータ装置(図示せず)内に組み込まれ、
ヒートシンク14の上面には伝導冷却手段(図示せず)
が接触する。
コンピュータ装置の動作時に半導体鬼子11より発生し
た熱は、キャップ13を介さずに、直接ヒートシンク1
4に伝導し、ヒートシンク14内を伝導し、ヒートシン
ク14の上面より上記伝導冷却手段に伝導して、放熱さ
れる。叩ら半導体素子11と伝導冷却手段との間には、
熱伝導に対して抵抗となるキャップ13は介在しないた
め、半導体素子11の熱は従来に比べて効率よく放熱さ
れる。
た熱は、キャップ13を介さずに、直接ヒートシンク1
4に伝導し、ヒートシンク14内を伝導し、ヒートシン
ク14の上面より上記伝導冷却手段に伝導して、放熱さ
れる。叩ら半導体素子11と伝導冷却手段との間には、
熱伝導に対して抵抗となるキャップ13は介在しないた
め、半導体素子11の熱は従来に比べて効率よく放熱さ
れる。
次に上記の半導体装置10の製造方法について、第6図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
まず、基板12の製造方法について説明する。
基板12は、グリーンシートにピアホール18を穿設し
、ピアホール18にMo、W等の金属粉末を充填して、
グリーンシートを焼成する。焼成時にピアホール18内
の金属粉末(ま焼結する。これにより、上記基板12を
得る。
、ピアホール18にMo、W等の金属粉末を充填して、
グリーンシートを焼成する。焼成時にピアホール18内
の金属粉末(ま焼結する。これにより、上記基板12を
得る。
次に、基板12の下面に導電性の肋膜または厚膜でビン
用パッドを設はビン12をロー付は又は半田付けする。
用パッドを設はビン12をロー付は又は半田付けする。
次に、基板12の上面に多層配線層17を形成する。
次に、多層配Fit層17上に、半導体素子11を実装
する。
する。
次に、窒素ガス又は水素ガス雰囲気中で、枠状で厚さが
50〜100μmの半田プリフォーム25を基板12上
に載置し、半導体素子11の上面に厚さが100〜20
0μ■の半田プリフォーム26をMfflし、キャップ
13を被せ、ヒートシンク14を中ね、300〜330
℃に加熱する。
50〜100μmの半田プリフォーム25を基板12上
に載置し、半導体素子11の上面に厚さが100〜20
0μ■の半田プリフォーム26をMfflし、キャップ
13を被せ、ヒートシンク14を中ね、300〜330
℃に加熱する。
これにより、半田プリフォーム25.26がリフローし
、キャップ13及びヒートシンク14が同時に半田付は
固定される。これと同時に、半導体素子11がキャップ
13により気密封止される。
、キャップ13及びヒートシンク14が同時に半田付は
固定される。これと同時に、半導体素子11がキャップ
13により気密封止される。
半田プリフォーム25が半田21を形成し、半田プリフ
ォーム26が半田22.24を形成する。
ォーム26が半田22.24を形成する。
キャップ13はプレス成形品であり、***部13aと張
り出し部13bとの間の高さ寸法りは精度が良好である
。また、半導体素子11の上面の高さにばらつきが生じ
てもキャップ13の開口13Gからキャップ13と半田
プリフォーム26の接触状態を確認し、例えば所望の厚
さの半田プリフォーム26を選択できる。このため、キ
ャップ13と基板12及び半導体素子11との位@関係
を高精度に設定でき、キャップ13は、基板12及び半
導体素子11に対して良好に半田付けされる。
り出し部13bとの間の高さ寸法りは精度が良好である
。また、半導体素子11の上面の高さにばらつきが生じ
てもキャップ13の開口13Gからキャップ13と半田
プリフォーム26の接触状態を確認し、例えば所望の厚
さの半田プリフォーム26を選択できる。このため、キ
ャップ13と基板12及び半導体素子11との位@関係
を高精度に設定でき、キャップ13は、基板12及び半
導体素子11に対して良好に半田付けされる。
ヒートシンク14は、偏平凸部14aが開口13cに嵌
合することにより、容易にしかも精度良く重ね合わされ
る。
合することにより、容易にしかも精度良く重ね合わされ
る。
上記の方法によれば、半導体装置10は、簡単な工程で
製造され、ω産性に好適である。
製造され、ω産性に好適である。
この方法では、半田プリフォーム26により半導体素子
11とキャップ13及びヒートシンク14を同時に半田
付けしたが、別の方法としてまず半導体素子11にキャ
ップ13だけ半田付けし、キャップの固着状態を開口1
3Cの部分より確認し、次にヒートシンク14を半田付
けするようにすればより信頼性の高い気密11止がなさ
れた半導体装置が得られる。
11とキャップ13及びヒートシンク14を同時に半田
付けしたが、別の方法としてまず半導体素子11にキャ
ップ13だけ半田付けし、キャップの固着状態を開口1
3Cの部分より確認し、次にヒートシンク14を半田付
けするようにすればより信頼性の高い気密11止がなさ
れた半導体装置が得られる。
尚、本発明の半導体装置では、上記の半導体素子11の
代わりに、ハンダバンブを有するフリップチップを使用
してもよい。
代わりに、ハンダバンブを有するフリップチップを使用
してもよい。
第8図及び第9図は夫々本発明の第2.第3実施例にな
る半導体装置30.40を示す。半導体装ff30.4
0は、ヒートシンク以外は第1図の半導体装fiffl
oと同一構成であり、第8図及び第9図中、第1図に示
す構成部分と同一部分には同一符号を付し、その説明は
省略する。
る半導体装置30.40を示す。半導体装ff30.4
0は、ヒートシンク以外は第1図の半導体装fiffl
oと同一構成であり、第8図及び第9図中、第1図に示
す構成部分と同一部分には同一符号を付し、その説明は
省略する。
第8図の半導体装置30においては、放熱部材としての
フィン31が半導体素子11と直接半田付けされて固定
しである。
フィン31が半導体素子11と直接半田付けされて固定
しである。
第9図の半導体[140においては、放熱部材としての
フィン41が半導体素子11と直接半田付けされて固定
しである。
フィン41が半導体素子11と直接半田付けされて固定
しである。
第8図の半導体装置30は、空冷で冷却され、第9図の
半導体装置40は、フロロカーボン等に浸漬されて冷却
される。
半導体装置40は、フロロカーボン等に浸漬されて冷却
される。
第10図乃至第13図は夫々本発明の第4実施例になる
半導体装置50を示す。この半導体50はキャップ以外
は第1図の半導体装置10と同一構成であり、第10図
乃至第13図中、第1図。
半導体装置50を示す。この半導体50はキャップ以外
は第1図の半導体装置10と同一構成であり、第10図
乃至第13図中、第1図。
第2図及び第5図に示す構成部分と同一部分には同一符
号を付し、その説明は省略する。
号を付し、その説明は省略する。
キャップ51は、第5図中の張り出し部13bの無い構
成であり、開口51aの周囲部が半導体素子11に半田
付けされ、垂立壁51bの下端が基板12上に半田52
により半田付けされている。
成であり、開口51aの周囲部が半導体素子11に半田
付けされ、垂立壁51bの下端が基板12上に半田52
により半田付けされている。
この構成の半導体装置50は、張り出し部13bの無い
分だけ、小型となる。
分だけ、小型となる。
第13図及び第14図は夫々本発明の第5実施例の半導
体装置60を示す。この半導体装置60は、基板61上
に、半導体素子11が4M4実装された構成である。
体装置60を示す。この半導体装置60は、基板61上
に、半導体素子11が4M4実装された構成である。
キャップ62は、各半導体素子11に対応して開口62
aを有し、各開口62aの周囲部を各半導体素子11に
、周囲の張り出し部62bを基板61に夫々半田付けさ
れており、各半導体素子11はまとめて気密封止されて
いる。
aを有し、各開口62aの周囲部を各半導体素子11に
、周囲の張り出し部62bを基板61に夫々半田付けさ
れており、各半導体素子11はまとめて気密封止されて
いる。
放熱部材としてのヒートシンク63は、各半導体素子1
1に対応して偏平凸部63aを有する。
1に対応して偏平凸部63aを有する。
このヒートシンク63は、各偏平凸部63aが開口62
aに嵌合し、半導体素子11に直接半田付けされて取り
付けられている。各半導体素子11は、ヒートシンク6
3を介して、前記第1実施例になる半導体装置10の場
合と同様に冷却される。
aに嵌合し、半導体素子11に直接半田付けされて取り
付けられている。各半導体素子11は、ヒートシンク6
3を介して、前記第1実施例になる半導体装置10の場
合と同様に冷却される。
本発明によれば、キャップにより半導体素子を気密封止
することが出来ると共に、半導体素子の熱がキャップを
介さずに直接放熱部材に伝導されるため、放熱効率の向
上を図ることが出来、更には、比較的容易に組み立てる
ことが出来、恒産に好適である。
することが出来ると共に、半導体素子の熱がキャップを
介さずに直接放熱部材に伝導されるため、放熱効率の向
上を図ることが出来、更には、比較的容易に組み立てる
ことが出来、恒産に好適である。
第1図は本発明の第1実施例になる半導体装置の断面図
、 第2図、第3図、第4図は夫々本発明の第1実施例にな
る半導体装置の正面図、ヒートシンクを一部切截して示
す平面図、底面図、 第5図は第1図中左端部を拡大して示す図、第6図は第
1図の半導体装置の分解図、第7図はキャップとヒート
シンクとを対応させて示す斜視図、 第8図は本発明の第2実施例になる半導体装置の断面図
、 第9図は本発明の第3実施例になる半導体装置の断面図
、 第10図及び第11図は夫々本発明の第4実施例になる
半導体装置の断面図及び正面図、第12図は第10図中
左端部を拡大して示す図、第13図は本発明の第5実施
例の半導体装置の平面図、 第14図は第13図中XrV−XIV線に沿う断面矢視
図である。 図において、 10.30,40.50.60は半導体装置、11は半
導体素子、 11aは表面、 11bは裏面、 12.61は基板、 13.51.62はキャップ、 13aは***部、 13bは張り出し部、 13c、51a、62aは開口、 14.63はヒートシンク、 14a、63aは偏平凸部、 14bは頂面、 17は多層配線層、 20はビン、 21.22,24.52は平田、 23は空間、 25.26は半田プリフォーム、 31.41はフィン、 51bは垂立壁である。 i4図 鵠づ図中左n者i’If’と1広づ(しT′示11幻第
S図 第′1図の′+導イ本装遣の分角省図 第6図 第7図 30牛導イ本装置 第8図 第9図
、 第2図、第3図、第4図は夫々本発明の第1実施例にな
る半導体装置の正面図、ヒートシンクを一部切截して示
す平面図、底面図、 第5図は第1図中左端部を拡大して示す図、第6図は第
1図の半導体装置の分解図、第7図はキャップとヒート
シンクとを対応させて示す斜視図、 第8図は本発明の第2実施例になる半導体装置の断面図
、 第9図は本発明の第3実施例になる半導体装置の断面図
、 第10図及び第11図は夫々本発明の第4実施例になる
半導体装置の断面図及び正面図、第12図は第10図中
左端部を拡大して示す図、第13図は本発明の第5実施
例の半導体装置の平面図、 第14図は第13図中XrV−XIV線に沿う断面矢視
図である。 図において、 10.30,40.50.60は半導体装置、11は半
導体素子、 11aは表面、 11bは裏面、 12.61は基板、 13.51.62はキャップ、 13aは***部、 13bは張り出し部、 13c、51a、62aは開口、 14.63はヒートシンク、 14a、63aは偏平凸部、 14bは頂面、 17は多層配線層、 20はビン、 21.22,24.52は平田、 23は空間、 25.26は半田プリフォーム、 31.41はフィン、 51bは垂立壁である。 i4図 鵠づ図中左n者i’If’と1広づ(しT′示11幻第
S図 第′1図の′+導イ本装遣の分角省図 第6図 第7図 30牛導イ本装置 第8図 第9図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 上面に配線層(17)が形成された基板(12、61)
と、 該基板上に表面(11a)が下向きで搭載され上記配線
層(17)に電気的に接続された少なくとも一つの半導
体素子(11)と、 該半導体素子の外形よりも小さい開口(13c、51a
、62a)を有し、周縁部が上記基板(12、61)に
、該開口の周囲部が上記半導体素子(11)の上面に夫
々接着され気密封止するキャップ(13、51、62)
と、 該キャップの開口(13c、51a、62a)に嵌合し
て上記半導体素子(11)の裏面に固定された放熱部材
(14、31、41、63)とを有してなることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61218301A JPH0777247B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置の製造方法 |
US06/937,414 US4698663A (en) | 1986-09-17 | 1986-12-03 | Heatsink package for flip-chip IC |
EP87100849A EP0260370B1 (en) | 1986-09-17 | 1987-01-22 | Semiconductor device comprising a housing with cooling means |
DE87100849T DE3786861T2 (de) | 1986-09-17 | 1987-01-22 | Halbleiteranordnung mit Gehäuse mit Kühlungsmitteln. |
KR1019870001156A KR900003828B1 (ko) | 1986-09-17 | 1987-02-12 | 반도체장치 및 그의 제조방법 |
US07/076,762 US4742024A (en) | 1986-09-17 | 1987-07-23 | Semiconductor device and method of producing semiconductor device |
US07/154,046 US4803546A (en) | 1986-09-17 | 1988-02-09 | Heatsink package for flip-chip IC |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61218301A JPH0777247B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6373650A true JPS6373650A (ja) | 1988-04-04 |
JPH0777247B2 JPH0777247B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=16717693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61218301A Expired - Fee Related JPH0777247B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4698663A (ja) |
EP (1) | EP0260370B1 (ja) |
JP (1) | JPH0777247B2 (ja) |
KR (1) | KR900003828B1 (ja) |
DE (1) | DE3786861T2 (ja) |
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