JPS6332666A - パタ−ン欠陥検出方法 - Google Patents
パタ−ン欠陥検出方法Info
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- JPS6332666A JPS6332666A JP61175502A JP17550286A JPS6332666A JP S6332666 A JPS6332666 A JP S6332666A JP 61175502 A JP61175502 A JP 61175502A JP 17550286 A JP17550286 A JP 17550286A JP S6332666 A JPS6332666 A JP S6332666A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
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- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン欠陥検出方法にかかわり、特に、LS
Iウェハなどの半導体素子回路パターンの欠陥検査を高
信頼性で行うのに好適なパターン欠陥検出方法に関する
。
Iウェハなどの半導体素子回路パターンの欠陥検査を高
信頼性で行うのに好適なパターン欠陥検出方法に関する
。
第5図(a)および(b)は、半導体ウェハの回路パタ
ーンの部分拡大図であり、同図(a)は欠陥のない完全
パターン1を示し、同図(b)はパターンの突起2a、
断線2b、孤立欠陥2Cを含む欠陥パターン3を示す、
従来、このような回路パターンの欠陥を検査する方法と
して、被検査つ 。
ーンの部分拡大図であり、同図(a)は欠陥のない完全
パターン1を示し、同図(b)はパターンの突起2a、
断線2b、孤立欠陥2Cを含む欠陥パターン3を示す、
従来、このような回路パターンの欠陥を検査する方法と
して、被検査つ 。
エバ上の2つのチップパターンを撮像し、一方のパター
ンを手本パターン、他方のパターンを被検査パターンと
して両者を比較し、両者の間に差異がある部分を欠陥と
して判定する方法が実施されている。
ンを手本パターン、他方のパターンを被検査パターンと
して両者を比較し、両者の間に差異がある部分を欠陥と
して判定する方法が実施されている。
しかし、この方法では、ウェハ上に同一パターンを有す
る2つのチップパターンを撮像し、それぞれを手本パタ
ーンおよび被検査パターンとして、両者の位置ずれを完
全に除去して重ね合わせても、同図(c)に示すごとく
、手本パターン1(破線にて表示)と被検査パターン3
(実線にて表示)とは、欠陥部分28〜2c以外でも完
全には一致しない、その原因としては、次に述べるよう
な理由が考えられる。すなわち、 (イ)露光、現像、エツチング等のウェハ製作過程にお
いて、2つのパターンが欠陥とはならない程度の微妙な
差異をもって形成される。
る2つのチップパターンを撮像し、それぞれを手本パタ
ーンおよび被検査パターンとして、両者の位置ずれを完
全に除去して重ね合わせても、同図(c)に示すごとく
、手本パターン1(破線にて表示)と被検査パターン3
(実線にて表示)とは、欠陥部分28〜2c以外でも完
全には一致しない、その原因としては、次に述べるよう
な理由が考えられる。すなわち、 (イ)露光、現像、エツチング等のウェハ製作過程にお
いて、2つのパターンが欠陥とはならない程度の微妙な
差異をもって形成される。
(ロ)比較すべき2つのパターンを撮像する光学系の収
差およびウェハを載せたステーゾの走行誤差等により1
図形歪みが生じる。
差およびウェハを載せたステーゾの走行誤差等により1
図形歪みが生じる。
このため同図(d)に示すごとく、欠陥部分2a’〜2
c’以外に1手本パターン1と被検査パターン3との不
一致部分には、パターン輪郭部の不一致によって生じる
擬似欠陥4が含まれれることになる。
c’以外に1手本パターン1と被検査パターン3との不
一致部分には、パターン輪郭部の不一致によって生じる
擬似欠陥4が含まれれることになる。
この擬似欠陥4を排除する方法として、従来、例えば特
公昭54−37475号公報で述べられている方法があ
る。この方法では、擬似欠陥を排除するために1手本パ
ターンと被検査パターンの不一致部分を欠陥候補として
検出すると同時に、手本パターンおよび被検査パターン
の双方からそれぞれパターンの輪郭部分のみを抽出する
。そして、手本パターンおよび被検査パターンそれぞれ
の輪郭部分から共通輪郭部分を抽出し、前記欠陥候補の
うち、該共通輪郭部分に属するものを擬似欠陥として排
除し、真の欠陥のみを検出するものである。
公昭54−37475号公報で述べられている方法があ
る。この方法では、擬似欠陥を排除するために1手本パ
ターンと被検査パターンの不一致部分を欠陥候補として
検出すると同時に、手本パターンおよび被検査パターン
の双方からそれぞれパターンの輪郭部分のみを抽出する
。そして、手本パターンおよび被検査パターンそれぞれ
の輪郭部分から共通輪郭部分を抽出し、前記欠陥候補の
うち、該共通輪郭部分に属するものを擬似欠陥として排
除し、真の欠陥のみを検出するものである。
一方、比較するパターン間の微妙な寸法差や図形歪みに
影響されない欠陥検出方式として、特公昭59−429
04号公報に述べられている方法がある。
影響されない欠陥検出方式として、特公昭59−429
04号公報に述べられている方法がある。
この方法では、まず比較すべき2つのパターンから変曲
点のような特徴点を抽出する1次に、あらかじめ定めら
九た位置ずれ許容範囲内で両方のパターンに特徴点が存
在するときを正常、一方のパターンに特徴点が存在し、
他方のパターンに特徴点が存在しないとき欠陥ありと判
定する方法である。この方法によれば、パターンの微妙
な寸法差や図形歪みは位置すれとして許容することがで
きるため、前記した擬似欠陥が発生することはないこと
になる。
点のような特徴点を抽出する1次に、あらかじめ定めら
九た位置ずれ許容範囲内で両方のパターンに特徴点が存
在するときを正常、一方のパターンに特徴点が存在し、
他方のパターンに特徴点が存在しないとき欠陥ありと判
定する方法である。この方法によれば、パターンの微妙
な寸法差や図形歪みは位置すれとして許容することがで
きるため、前記した擬似欠陥が発生することはないこと
になる。
上記した従来技術のうち、特公昭54−37475号公
報で述べらtでいる方法では、第5図(b)に示したパ
ターン断線2bおよび孤立欠陥2cは検出可能であるが
、パターン輪郭部に生じる微小な突起2aは前記共通輪
郭部分に覆われてしまい、検出することが困難になる。
報で述べらtでいる方法では、第5図(b)に示したパ
ターン断線2bおよび孤立欠陥2cは検出可能であるが
、パターン輪郭部に生じる微小な突起2aは前記共通輪
郭部分に覆われてしまい、検出することが困難になる。
また、このような微小な欠陥を検出するために、パター
ン検出画素サイズを小さくすると、検査速度が遅くなっ
て、装置のスルーブツトが低下してしまうという問題が
あつた・ また、特公昭59−42904号公報で述べられている
方法では、多種多様の形状をした欠陥を、ある種の特徴
点としてすべて検出することは困難で。
ン検出画素サイズを小さくすると、検査速度が遅くなっ
て、装置のスルーブツトが低下してしまうという問題が
あつた・ また、特公昭59−42904号公報で述べられている
方法では、多種多様の形状をした欠陥を、ある種の特徴
点としてすべて検出することは困難で。
微小な欠陥を見逃がしてしまう危険性があった。
さらに、欠陥として検出すべき程度の寸法差が比較しよ
うとするパターン間に存在しても、パターン全体が太っ
たり細ったりしている場合には位置すれとして許容して
しまうという問題があった。
うとするパターン間に存在しても、パターン全体が太っ
たり細ったりしている場合には位置すれとして許容して
しまうという問題があった。
一方、近年の半導体集積回路における高集積化、高密度
化は著しく、微小なパターン欠陥が回路動作に障害を与
える可能性が高くなってきている。
化は著しく、微小なパターン欠陥が回路動作に障害を与
える可能性が高くなってきている。
しかし、微小な欠陥を検出しようとすると、擬似欠陥を
検出する確率も高くなるため、擬似欠陥を検出すること
なく真の欠陥のみを検出することが重要となっている。
検出する確率も高くなるため、擬似欠陥を検出すること
なく真の欠陥のみを検出することが重要となっている。
本拗明め目的は、上記従来技術の問題点を解決し、微小
な欠陥を、擬似欠陥を発生することなく高い信頼性で検
出できるパターン欠陥検出方法を提供することにある。
な欠陥を、擬似欠陥を発生することなく高い信頼性で検
出できるパターン欠陥検出方法を提供することにある。
上記目的は、比較すべき2つの画像を位置合わせした後
、次に述べる処理を行うことにより、達成される=すな
わち、 (1)被検査画像(画像信号f(x、y))に対して参
照画像(画像信号g(x、y))をx、X方向にそれぞ
れ±1画素ずつシフトし、被検査画像と、シフトした画
像を含む参照画像(画像信号g (x−1+ ’/
j )+、 j*−zr。1、)との明るさの差を演算
する。この演算により、9個の差画像(画像信号on(
xt y)net−s)が得られる。
、次に述べる処理を行うことにより、達成される=すな
わち、 (1)被検査画像(画像信号f(x、y))に対して参
照画像(画像信号g(x、y))をx、X方向にそれぞ
れ±1画素ずつシフトし、被検査画像と、シフトした画
像を含む参照画像(画像信号g (x−1+ ’/
j )+、 j*−zr。1、)との明るさの差を演算
する。この演算により、9個の差画像(画像信号on(
xt y)net−s)が得られる。
(2)参照画像の画像信号g(xty)にあらかじめ定
められた値αを加算および減算した画像信号値g(xt
y)±αを有する画像をつくり、この画像の被検査画像
(画像信号f(x、y))に対する明るさの差を演算す
る。この演算により、2個の差画像(画像信号D n
(X y y) ll*16 。
められた値αを加算および減算した画像信号値g(xt
y)±αを有する画像をつくり、この画像の被検査画像
(画像信号f(x、y))に対する明るさの差を演算す
る。この演算により、2個の差画像(画像信号D n
(X y y) ll*16 。
、1)が得られる6
(3)上記(1)、(2)で得られた計11個の差画像
の画像信号0n(x l F)net−zlに対し、次
の処理を行い、出力をh(x、y)とする。
の画像信号0n(x l F)net−zlに対し、次
の処理を行い、出力をh(x、y)とする。
(イ) IIIax(D (x + y ))nst
−tlXmin(D (x + y ))。1、〜1
1<0 のとき。
−tlXmin(D (x + y ))。1、〜1
1<0 のとき。
h(xt:/)=0
(ロ)上記以外のとき、
h (x r y )=II+1n(l D (x t
y )l)n、x−tl(4)上記(ロ)の場合、h
(x、y)をあらかじめ定めておいたしきい値THで2
値化し、h(x、y) 〉THなる部分を欠陥として出
力する。
y )l)n、x−tl(4)上記(ロ)の場合、h
(x、y)をあらかじめ定めておいたしきい値THで2
値化し、h(x、y) 〉THなる部分を欠陥として出
力する。
前記した処理手順がどのような働きをしてし)るかにつ
いて説明する。ここでは便宜上、被検査ノ(ターンfお
よび参照パターンgについて、その−次元信号波形を用
いて説明する。
いて説明する。ここでは便宜上、被検査ノ(ターンfお
よび参照パターンgについて、その−次元信号波形を用
いて説明する。
まず、処理手順(1)の作用について述べる。
第3図(a)は、突起欠陥10を有する被検査ノ(ター
ンfと、参照パターンgとを位置合わせしたところを示
す、なお、両パターンfとgには微小な寸法差があり、
パターン右側のエツジ部は一致シていない、第3図(a
)のA−A’部の信号波形を同図(b)に、このときの
差信号を同図(c)に示す、ここで、参照画像gをX方
向に±1画素シフトする。第3図(d)は参照画像gを
X方向に+1画素シフトした波形図、同図(e)はその
ときの差信号の波形図である。同様に、同図(f)は参
照画像gをX方向に一1画素シフトした波形図、同図(
g)はそのときの差信号の波形図である。第3図(cL
(aL (g)に示した差信号の波形図かられかるよ
うに、突起欠陥10に対応する不一致部分は、参照画像
を±1画素シフトしても、その差画像の波形の同じ部分
の極性は変わらないのに対し、パターンfとgの、欠陥
とはならない微小な寸法差に起因した不一致部分は、参
照画像を±1画素シフトすることにより、その波形の同
じ部分の極性が反転している。従って、処理手順(1)
のごとく、被検査パターンfに対し参照パターンg t
t X e Y方向に±1画素ずつシフトし、被検査パ
ターンfとの差を演算した後、得られた差画像信号のそ
れぞれ対応する画素の値が正負反転していれば正常パタ
ーン、すべて同じ極性ならば欠陥候補とすることができ
る。この欠陥候補画像が、前記した処理手順(3)で得
られるh(x。
ンfと、参照パターンgとを位置合わせしたところを示
す、なお、両パターンfとgには微小な寸法差があり、
パターン右側のエツジ部は一致シていない、第3図(a
)のA−A’部の信号波形を同図(b)に、このときの
差信号を同図(c)に示す、ここで、参照画像gをX方
向に±1画素シフトする。第3図(d)は参照画像gを
X方向に+1画素シフトした波形図、同図(e)はその
ときの差信号の波形図である。同様に、同図(f)は参
照画像gをX方向に一1画素シフトした波形図、同図(
g)はそのときの差信号の波形図である。第3図(cL
(aL (g)に示した差信号の波形図かられかるよ
うに、突起欠陥10に対応する不一致部分は、参照画像
を±1画素シフトしても、その差画像の波形の同じ部分
の極性は変わらないのに対し、パターンfとgの、欠陥
とはならない微小な寸法差に起因した不一致部分は、参
照画像を±1画素シフトすることにより、その波形の同
じ部分の極性が反転している。従って、処理手順(1)
のごとく、被検査パターンfに対し参照パターンg t
t X e Y方向に±1画素ずつシフトし、被検査パ
ターンfとの差を演算した後、得られた差画像信号のそ
れぞれ対応する画素の値が正負反転していれば正常パタ
ーン、すべて同じ極性ならば欠陥候補とすることができ
る。この欠陥候補画像が、前記した処理手順(3)で得
られるh(x。
y)であり、これを処理手順(4)のどとく2値化する
ことにより、真の欠陥のみを検出することができる。
ことにより、真の欠陥のみを検出することができる。
次に、処理手順(2)の作用について述べる。
本発明では、微小な欠陥をも検出するために、得られた
パターン画像を2値化せず濃淡のままで比較処理を行っ
ている。このため、パターンを構成している物質のわず
かな厚さむら等に起因して。
パターン画像を2値化せず濃淡のままで比較処理を行っ
ている。このため、パターンを構成している物質のわず
かな厚さむら等に起因して。
第4図(a)に示すように、比較する画像間に濃淡差が
生じた場合、平面的な位置合わせだけでは、この濃淡差
を許容することができず、正常なパターンを欠陥パター
ンと誤認識してしまうことになる。
生じた場合、平面的な位置合わせだけでは、この濃淡差
を許容することができず、正常なパターンを欠陥パター
ンと誤認識してしまうことになる。
そこで、参照画像gの各画素にあらかじめ定めておいた
値αを加算した画像および減算した画像を求め、これと
被検査画像fとの差画像を演算して求める。第4図(b
)は、参照画像gに値αを加算した画像の信号(点線)
と、被検査画像の信号(実線)との波形図、同図(c)
はその差信号の波形図である。同様に、同図(d)、(
e)は。
値αを加算した画像および減算した画像を求め、これと
被検査画像fとの差画像を演算して求める。第4図(b
)は、参照画像gに値αを加算した画像の信号(点線)
と、被検査画像の信号(実線)との波形図、同図(c)
はその差信号の波形図である。同様に、同図(d)、(
e)は。
参照画像gから値αを減算した場合の信号(点線)の波
形図と差信号の波形図を示す。同図(C)。
形図と差信号の波形図を示す。同図(C)。
(e)からね−かるように、参照画像gにある値αを加
算および減算することにより、被検査画像fと参照−画
コ像゛″・、′g゛との間に濃淡差のある部分でも、そ
の差信号の極性を反転することができるため、前記した
処理により、正常なパターンを欠陥パターンと誤認識す
ることはなく、真の欠陥のみを検出することが可能とな
る。
算および減算することにより、被検査画像fと参照−画
コ像゛″・、′g゛との間に濃淡差のある部分でも、そ
の差信号の極性を反転することができるため、前記した
処理により、正常なパターンを欠陥パターンと誤認識す
ることはなく、真の欠陥のみを検出することが可能とな
る。
以下、本発明の一実施例を第1図および第2図により説
明つする。
明つする。
第1図は本発明によるパターン欠陥検出方法を実施する
のに用いる欠陥検出回路用の構成を示すブロック図であ
る1図において、llaおよびllbは位置合わせの済
んだ参照画像および被検査画像である。参照画像11a
は、画像の1走査線分を遅延させるシフトレジスタ12
aおよび12bと、シリアルインパラレルアウトのシフ
トレジスタ13a、 13bおよび13cとによって、
3×3画素の局部画像として切り出される。一方、被検
査画像11bは、同様のシフトレジスタ12cとシリア
ルインパラレルアウトのシフトレジスタ13dとを用い
て遅延とシリアルインパラレルアウトのシフトがなされ
、その出力を上記局部画像の中心位置と同期させる0次
に、シフトレジスタ13a=13cの各出力とシフトレ
ジスタ13dの出力とを減算回路16a”16iで減算
することによって、被検査画像11bに対して参照画像
11attX、 Y方向にそれぞれ±1画素ずつシフト
した画像との差画像が得られる。ここまでが前記した処
理手順(1)に対応する。一方、シフトレジスタ13d
の出力には、あらかじめ設定した値αが、゛加算回路1
4および減算回路15により、それぞれ加算および減算
される。この加算回路14および減算回路15の各出力
と、前記3×3画素局部画像の中心画素との差が、減算
回路16jt;よび16kにより演算される。これが、
前記処理手順(2)に対応する。
のに用いる欠陥検出回路用の構成を示すブロック図であ
る1図において、llaおよびllbは位置合わせの済
んだ参照画像および被検査画像である。参照画像11a
は、画像の1走査線分を遅延させるシフトレジスタ12
aおよび12bと、シリアルインパラレルアウトのシフ
トレジスタ13a、 13bおよび13cとによって、
3×3画素の局部画像として切り出される。一方、被検
査画像11bは、同様のシフトレジスタ12cとシリア
ルインパラレルアウトのシフトレジスタ13dとを用い
て遅延とシリアルインパラレルアウトのシフトがなされ
、その出力を上記局部画像の中心位置と同期させる0次
に、シフトレジスタ13a=13cの各出力とシフトレ
ジスタ13dの出力とを減算回路16a”16iで減算
することによって、被検査画像11bに対して参照画像
11attX、 Y方向にそれぞれ±1画素ずつシフト
した画像との差画像が得られる。ここまでが前記した処
理手順(1)に対応する。一方、シフトレジスタ13d
の出力には、あらかじめ設定した値αが、゛加算回路1
4および減算回路15により、それぞれ加算および減算
される。この加算回路14および減算回路15の各出力
と、前記3×3画素局部画像の中心画素との差が、減算
回路16jt;よび16kにより演算される。これが、
前記処理手順(2)に対応する。
上記減算回路16a〜16にの各出力は、最大値検出回
路17および最小値検出回路18にそれぞれ入力され、
得られる最大値および最小値の絶対値が、絶対値回路1
9Δおよび19bによりそれぞれ演算される。絶対値回
路19a、 19bでは、入力信号の絶対値21a、
2Ibとともに、入力信号の符号20a、 20bをも
出力する。マルチプレクサ22は、上記最大値の絶対値
21aと最小値の絶対値21bおよび定数Oを入力し、
同じく入力した最大値および最小値の符号20a、 2
0bに応じて、3つの入力値のうちの1つを選択して出
力する。すなわち、符号20a、 20bの一方が正で
一方が負の場合はOを出力し、両方が正または両方が負
の場合は最小値の絶対値21bを出力する0以上が、前
記処理手順(3)に対応する。
路17および最小値検出回路18にそれぞれ入力され、
得られる最大値および最小値の絶対値が、絶対値回路1
9Δおよび19bによりそれぞれ演算される。絶対値回
路19a、 19bでは、入力信号の絶対値21a、
2Ibとともに、入力信号の符号20a、 20bをも
出力する。マルチプレクサ22は、上記最大値の絶対値
21aと最小値の絶対値21bおよび定数Oを入力し、
同じく入力した最大値および最小値の符号20a、 2
0bに応じて、3つの入力値のうちの1つを選択して出
力する。すなわち、符号20a、 20bの一方が正で
一方が負の場合はOを出力し、両方が正または両方が負
の場合は最小値の絶対値21bを出力する0以上が、前
記処理手順(3)に対応する。
マルチプレクサ22の出力は2値化回路23により2値
化され欠陥信号が出力される(前記処理手順(4))、
以上のような動作により、参照画像11aと被検査画像
11bとの間の欠陥とはならない微小な寸法差を許容し
、真の欠陥のみを検出することができる。
化され欠陥信号が出力される(前記処理手順(4))、
以上のような動作により、参照画像11aと被検査画像
11bとの間の欠陥とはならない微小な寸法差を許容し
、真の欠陥のみを検出することができる。
第2図は、第1図に示した欠陥検出回路用を含む画像処
理回路の全体構成を示すブロック図である。図において
、光電変換素子により撮像された参照画像31aと被検
査画像31bは1位置合わせを行うために、まずエツジ
検出回路32a、 32bにそれぞれ入力される。エツ
ジ検出回路32a、 32bでは、それぞれ入力した画
像を2次微分してパターンのエツジを強調した後、2値
化する0位置ずれ検出回路33は、この2値化したエツ
ジ画像を用いて、比較すべき2つのパターンのX方向お
よびY方向の位置ずれ量36.37を演算する。遅延回
路34aおよび34bは、2つのバタ・−ンの位置ずれ
量が演算さ、れるまでの間、参照画像31aおよび被検
査画像31bをそれぞれ保持しておくバッファメモリで
、この遅延−路34a、 34bの出力を前記位置ずれ
検出回路33の出力36.37に応じた量だけ位置合わ
せ回路35によりシフトすることによって、2つのパタ
ーンの位置合わせが行える。こうして位置合わせの′済
んだ参照画像11aと被検査画像11bは、第1図にそ
ノ構成を示した欠陥検出回路用に入力され、欠陥の検出
が行われる。
理回路の全体構成を示すブロック図である。図において
、光電変換素子により撮像された参照画像31aと被検
査画像31bは1位置合わせを行うために、まずエツジ
検出回路32a、 32bにそれぞれ入力される。エツ
ジ検出回路32a、 32bでは、それぞれ入力した画
像を2次微分してパターンのエツジを強調した後、2値
化する0位置ずれ検出回路33は、この2値化したエツ
ジ画像を用いて、比較すべき2つのパターンのX方向お
よびY方向の位置ずれ量36.37を演算する。遅延回
路34aおよび34bは、2つのバタ・−ンの位置ずれ
量が演算さ、れるまでの間、参照画像31aおよび被検
査画像31bをそれぞれ保持しておくバッファメモリで
、この遅延−路34a、 34bの出力を前記位置ずれ
検出回路33の出力36.37に応じた量だけ位置合わ
せ回路35によりシフトすることによって、2つのパタ
ーンの位置合わせが行える。こうして位置合わせの′済
んだ参照画像11aと被検査画像11bは、第1図にそ
ノ構成を示した欠陥検出回路用に入力され、欠陥の検出
が行われる。
以上説明したように、本発明によれば、微ツノ1′J。
欠陥、例えば1画素に近いきわめて微小な欠陥を、擬似
欠陥を発生することなく高い信頼度で検出できるため、
半導体集積回路の歩留りを向上し、製品の信頼性向上、
原価低減等に顕著な効果がある。
欠陥を発生することなく高い信頼度で検出できるため、
半導体集積回路の歩留りを向上し、製品の信頼性向上、
原価低減等に顕著な効果がある。
第1図は本発明によるパターン欠陥検出方法の一実施例
に用いる欠陥検出回路を示すブロック図、第2図は第1
図の欠陥検出回路を含む画像処理回路のブロック図、第
3図および第4図は本発明によるパターン欠陥検出方法
の原理を示す説明図、第5図は従来のパターン欠陥検出
方法の説明図である。 符号の説明 12a=c・・・シフトレジスタ、 13a−c・・・シリアルインパラレルアウト シフト
レジスタ、 14・・・加算回路、 15.16a−k・・・減算回路。 17・・・最大値検出回路。 I8・・・最小値検出回路、 19a、b・・・絶対値回路。 22・・・マルチプレクサ。 23・・・2値化回路、 30=−・欠陥検出回路。
に用いる欠陥検出回路を示すブロック図、第2図は第1
図の欠陥検出回路を含む画像処理回路のブロック図、第
3図および第4図は本発明によるパターン欠陥検出方法
の原理を示す説明図、第5図は従来のパターン欠陥検出
方法の説明図である。 符号の説明 12a=c・・・シフトレジスタ、 13a−c・・・シリアルインパラレルアウト シフト
レジスタ、 14・・・加算回路、 15.16a−k・・・減算回路。 17・・・最大値検出回路。 I8・・・最小値検出回路、 19a、b・・・絶対値回路。 22・・・マルチプレクサ。 23・・・2値化回路、 30=−・欠陥検出回路。
Claims (1)
- 1、同一回路パターンを複数個有する試料上の2個の回
路パターン上の対応する部分の画像を検出して、2つの
検出信号を位置合わせし、相互に比較することにより不
一致部分を欠陥と判定するパターン欠陥検出方法におい
て、位置合わせの済んだ2個の画像のうち、第1の画像
に対して第2の画像をX・Y方向に所定数の画素シフト
し、第1の画像と、第2の画像およびシフトされた画像
とについてそれぞれ明るさの差分を演算して、第1の差
画像を求め、前記第2の画像にあらかじめ設定した値α
をそれぞれ加算および減算した画像について、前記第1
の画像に対する明るさの差分を演算して、第2の差画像
を求め、前記第1の差画像と前記第2の差画像とを合わ
せた差画像についてそれぞれの対応する画素の値を比較
し、該これら複数の値が正負両方に亘っているとき正常
と判定するとともに、正負いずれか一方の値しか含まな
いとき、前記複数の値の絶対値の最小値をあらかじめ定
めたしきい値を用いて2値化し、これを回路パターンの
前記第1の画像に対応する部分の欠陥信号として出力す
ることを特徴とするパターン欠陥検出方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61175502A JPH0623999B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | パタ−ン欠陥検出方法 |
US07/076,213 US4860371A (en) | 1986-07-28 | 1987-07-22 | Method and apparatus for detecting pattern defects |
KR1019870008055A KR900005350B1 (ko) | 1986-07-28 | 1987-07-24 | 패턴 결함 검출 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61175502A JPH0623999B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | パタ−ン欠陥検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6332666A true JPS6332666A (ja) | 1988-02-12 |
JPH0623999B2 JPH0623999B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=15997162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61175502A Expired - Lifetime JPH0623999B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | パタ−ン欠陥検出方法 |
Country Status (3)
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---|---|
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KR (1) | KR900005350B1 (ja) |
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- 1986-07-28 JP JP61175502A patent/JPH0623999B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-07-22 US US07/076,213 patent/US4860371A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-24 KR KR1019870008055A patent/KR900005350B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR880002242A (ko) | 1988-04-29 |
KR900005350B1 (ko) | 1990-07-27 |
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