JPS63310103A - 超電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法 - Google Patents
超電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法Info
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- JPS63310103A JPS63310103A JP62147428A JP14742887A JPS63310103A JP S63310103 A JPS63310103 A JP S63310103A JP 62147428 A JP62147428 A JP 62147428A JP 14742887 A JP14742887 A JP 14742887A JP S63310103 A JPS63310103 A JP S63310103A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、fi電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせ
る新規な方法に関し、たとえばシンクロトロン軌道放射
(Synchrotron 0rbital Radi
ation、略称5OR)およびベータトロンなどのよ
うな粒子加速装置などに好適に大地することができる超
電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法に関する
。
る新規な方法に関し、たとえばシンクロトロン軌道放射
(Synchrotron 0rbital Radi
ation、略称5OR)およびベータトロンなどのよ
うな粒子加速装置などに好適に大地することができる超
電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法に関する
。
背景技術
典型的な先行技術は、第12図に示されている。
純鉄などから成るコア1の端面1a、lb間には、エア
ギャップ2が形成される。このコア1には、コイル3が
巻回され、このコイル3は電源4によって励磁される。
ギャップ2が形成される。このコア1には、コイル3が
巻回され、このコイル3は電源4によって励磁される。
このようにして常電導電磁石が構成される。コア1の端
面1a、lbの間隔を、たとえば第12図の左右方向に
変化させることによって、磁界の強さに勾配をもたせる
ことができる。
面1a、lbの間隔を、たとえば第12図の左右方向に
変化させることによって、磁界の強さに勾配をもたせる
ことができる。
発明が解決すべき間m点
このような先行技術では、ファ1がたとえば約2テスラ
程度で磁気飽和してしまうので、磁界の強さを向上する
ことができず、またその磁界の強さの勾配を大きくrる
ことができない。
程度で磁気飽和してしまうので、磁界の強さを向上する
ことができず、またその磁界の強さの勾配を大きくrる
ことができない。
本発明の目的は、磁界の強さの向上を図ることができ、
磁界の強さの勾配を大きくすることができるようにした
超電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法を提供
することである。
磁界の強さの勾配を大きくすることができるようにした
超電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法を提供
することである。
間屈点を解決するための手段
本発明は、磁場内に、J!電導材料から成る第1線材を
8の字状に形成し、2つの大小の鎖交領域を形成し、 前記2つの鎖交領域のうち、大きい方の鎖交領域内で、
超電導材料から成る第2線材を8の字状に形成して2つ
の大小の鎖交領域を形成したことを特徴とするIfi電
導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法である。
8の字状に形成し、2つの大小の鎖交領域を形成し、 前記2つの鎖交領域のうち、大きい方の鎖交領域内で、
超電導材料から成る第2線材を8の字状に形成して2つ
の大小の鎖交領域を形成したことを特徴とするIfi電
導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法である。
好ましい実施態様では、前記第2線材による2つの大小
の鎖交領域のうち、小さい方の鎖交領域を、第1線材に
よる小さい方の鎖交II域側に配置することを特徴とす
る。
の鎖交領域のうち、小さい方の鎖交領域を、第1線材に
よる小さい方の鎖交II域側に配置することを特徴とす
る。
また好ましい実施態様では、前−記tjS2線材による
大きい方の鎖交領域内に超電導材料から成る板状体を配
置することを特徴とする。
大きい方の鎖交領域内に超電導材料から成る板状体を配
置することを特徴とする。
作 用
本発明に従えば、I!i電導材料から成る第1線材を8
の字状に形成して、2つの大小の鎖交領域を形成する。
の字状に形成して、2つの大小の鎖交領域を形成する。
このような2つの鎖交領域では、磁束の通過を阻止する
方向に電流がそれぞれ流れる。
方向に電流がそれぞれ流れる。
したがって第1線材には、大小の各鎖交領域において流
れる電流の差の値を有する電流が流れる。
れる電流の差の値を有する電流が流れる。
したがって大きい方の鎖交領域と、小さい方の鎖交領域
との付近の各磁界の強さは異なる。すなわち大きい方の
鎖交領域では、印加される磁束密度よりも小さい磁束が
通過する。小さい方の鎖交領域では、その小さい方の鎖
交領域に印加される磁束の通過を阻止する電流の値より
も大きい電流が流れ、この流れる電流は印加される磁束
を増強する方向となる。したがって小さい方の鎖交領域
では磁界の強さは太き(、また大きい方の鎖交領域では
磁界の強さは小さく、このようにして磁界の強さに勾配
が生じる。
との付近の各磁界の強さは異なる。すなわち大きい方の
鎖交領域では、印加される磁束密度よりも小さい磁束が
通過する。小さい方の鎖交領域では、その小さい方の鎖
交領域に印加される磁束の通過を阻止する電流の値より
も大きい電流が流れ、この流れる電流は印加される磁束
を増強する方向となる。したがって小さい方の鎖交領域
では磁界の強さは太き(、また大きい方の鎖交領域では
磁界の強さは小さく、このようにして磁界の強さに勾配
が生じる。
第1線材の大きい方の鎖交領域内には、超電導材料から
成る第2線材によって形成された8の字状の2つの大小
の鎖2領域が形成され、この第2線材による2つの大小
の鎖交ilt域のうち、小さい方の鎖交領域は、第1線
材による小さい方の鎖交領域側に配置される。第2線材
による大きい方の鎖交領域と、その第2線材による小さ
い方の鎖交領域との付近の磁界の強さは異なる。
成る第2線材によって形成された8の字状の2つの大小
の鎖2領域が形成され、この第2線材による2つの大小
の鎖交ilt域のうち、小さい方の鎖交領域は、第1線
材による小さい方の鎖交領域側に配置される。第2線材
による大きい方の鎖交領域と、その第2線材による小さ
い方の鎖交領域との付近の磁界の強さは異なる。
したがって第1線材の小さい方の鎖交領域側から第2線
材の大きい方の鎖交領域側に、磁界の強さが減少するこ
とになる。このようにして磁界の強さに大きな勾配をも
たせることができる。
材の大きい方の鎖交領域側に、磁界の強さが減少するこ
とになる。このようにして磁界の強さに大きな勾配をも
たせることができる。
第1およびtlS2線材は超電導から成るので、従来か
ら困難視されていた最大約2テスラ以上の磁界を形成し
、その磁界の強さに勾配をもたせることができるように
なる。磁場は、常電導コイルまたは超電導コイルによっ
て形成することができる。
ら困難視されていた最大約2テスラ以上の磁界を形成し
、その磁界の強さに勾配をもたせることができるように
なる。磁場は、常電導コイルまたは超電導コイルによっ
て形成することができる。
実施例
第1図は、本発明の一実施例の斜視図である。
第1図の上下に間隔をあけて配置された円環状のIli
電導コイル6.7間には、磁束密度B0を有する磁場が
形成される。この磁場内には、本発明に従う超電導コイ
ル8が配置される。磁場を形成する超電導コイル6.7
は、直流電源によって付勢される。
電導コイル6.7間には、磁束密度B0を有する磁場が
形成される。この磁場内には、本発明に従う超電導コイ
ル8が配置される。磁場を形成する超電導コイル6.7
は、直流電源によって付勢される。
超電導コイル8の原理を説明するために、第2図を参照
して、磁束密度B0の磁場に、常電導の導線でコイル9
を形成するとき、コイル9によって形成される鎖交領域
10を通る磁束密度は、B = B 、
−(1)であり、導線9に流れる電流I
0は、 ■。=0 ・・・(2)であ
る。
して、磁束密度B0の磁場に、常電導の導線でコイル9
を形成するとき、コイル9によって形成される鎖交領域
10を通る磁束密度は、B = B 、
−(1)であり、導線9に流れる電流I
0は、 ■。=0 ・・・(2)であ
る。
tIS3図を参照して、磁束密度B0の磁場内に超電導
から成る線材11で閏ループを形成するとき、この線材
11によって形成される鎖交領域12を通る磁束Bは、 B=0 ・・・(3)であ
り、線材11に流れる電流I0は、1.=L−B、
・・・(4)である、#Q材11は
、横りであり、RUであって、磁界の方向に垂直な鎖交
領域12を有し、この鎖2望域12は、正方形または長
方形となっている。
から成る線材11で閏ループを形成するとき、この線材
11によって形成される鎖交領域12を通る磁束Bは、 B=0 ・・・(3)であ
り、線材11に流れる電流I0は、1.=L−B、
・・・(4)である、#Q材11は
、横りであり、RUであって、磁界の方向に垂直な鎖交
領域12を有し、この鎖2望域12は、正方形または長
方形となっている。
この第3図において、鎖交領域12を通過する磁束Bは
、第5式で示されるとおりであり、したがって前述の第
3式が成立する。
、第5式で示されるとおりであり、したがって前述の第
3式が成立する。
B=(印加磁場)−(電流I0による磁場)=0
・・・(5)第4図に示すように
、Mi電導から成る線材11a=11bによって鎖交領
域12a、12bをそれぞれ個別的に形成し、これらの
線材11a、jibを磁束密度B0の磁場内においた場
合を想定する。鎖交ii城12a、12bの横はLa、
Lbとし、それらの縦Uは等しいものとする。
・・・(5)第4図に示すように
、Mi電導から成る線材11a=11bによって鎖交領
域12a、12bをそれぞれ個別的に形成し、これらの
線材11a、jibを磁束密度B0の磁場内においた場
合を想定する。鎖交ii城12a、12bの横はLa、
Lbとし、それらの縦Uは等しいものとする。
このとき線材11a、llbに流れる電流I a、 I
bは、第6式およC/第7式で示される。
bは、第6式およC/第7式で示される。
Ia=La−B、
=−(6)Ib=Lb−8,・・・(7) 次にtj45図に示されるように、超電導材料から成る
線材13を8の字状に形成し、2つの大小の鎖交f1域
13a、13bを形成する。この線材13は、上述のよ
うに8の字状であり、参照符14で示す部分においてね
じられており、そのねじられた部分14における横L1
は、ごくわずかであるものと想定する(Ll”vO)。
=−(6)Ib=Lb−8,・・・(7) 次にtj45図に示されるように、超電導材料から成る
線材13を8の字状に形成し、2つの大小の鎖交f1域
13a、13bを形成する。この線材13は、上述のよ
うに8の字状であり、参照符14で示す部分においてね
じられており、そのねじられた部分14における横L1
は、ごくわずかであるものと想定する(Ll”vO)。
鎖交領域13a、13bの合計の横の長さはLであり、
縦はUである。
縦はUである。
鎖交領域13m、13bの横をLa、Lbとすると、L
a+LL+=L =18)鎖交領
域13aにおける線材13の部分に流れる電流をIal
とし、鎖交領域13bにおける線材13の部分に流れる
電流をIbl とし、鎖交領域13mを閏ループの超
電導線材で形成したときに流れる電流をImとし、鎖交
領域13bをmループの超電導線材で形成したときに流
れる?4流をIbとするとき、磁束密度B0中では第9
式および第10式が成立する。
a+LL+=L =18)鎖交領
域13aにおける線材13の部分に流れる電流をIal
とし、鎖交領域13bにおける線材13の部分に流れる
電流をIbl とし、鎖交領域13mを閏ループの超
電導線材で形成したときに流れる電流をImとし、鎖交
領域13bをmループの超電導線材で形成したときに流
れる?4流をIbとするとき、磁束密度B0中では第9
式および第10式が成立する。
Ial= −Ib1
=Ia Ib
= CL a L b)B O−(9)Bal=−
Bbl したがって鎖交領域13aの直下ないしは近傍の磁束密
度Balは、横Laに依存して#S6図で示されるよう
に変化し、同様に鎖21i域13bの直下ないしは近傍
の磁束の密度Bblは、横Lmに依存して変化する。
Bbl したがって鎖交領域13aの直下ないしは近傍の磁束密
度Balは、横Laに依存して#S6図で示されるよう
に変化し、同様に鎖21i域13bの直下ないしは近傍
の磁束の密度Bblは、横Lmに依存して変化する。
鎖交領域13m、13bにおいて、
La≠Lb・・・(11)
に定めることによって鎖文領kl13a、13bを通過
する磁束の密度は、相互に異なることが理解される。
する磁束の密度は、相互に異なることが理解される。
第7図は、第1図に関連して述べた超電導コイル8の平
面図である。このi電導フィル8は、第1線材15と、
PIS2線材1Gと、第3線村17と、板状体18とを
含み、これらの線材15.16.17と板状体18は、
超電導材料から成り、磁束密度B0を有する磁場内に配
置される。 −第1線材15は8の字状に形成され、
2つの大小の鎖交領域ISa、15bを形成し、参照符
19で示す部分でねじられている。鎖交領域15a、1
5bは、磁束B0に垂直なX方向の横の長さが大小にそ
れぞれ定められ、y方向の幅は同一値である。
面図である。このi電導フィル8は、第1線材15と、
PIS2線材1Gと、第3線村17と、板状体18とを
含み、これらの線材15.16.17と板状体18は、
超電導材料から成り、磁束密度B0を有する磁場内に配
置される。 −第1線材15は8の字状に形成され、
2つの大小の鎖交領域ISa、15bを形成し、参照符
19で示す部分でねじられている。鎖交領域15a、1
5bは、磁束B0に垂直なX方向の横の長さが大小にそ
れぞれ定められ、y方向の幅は同一値である。
この第1線材15による鎖交領域15aに流れる電流お
よびその鎖交領域15mの直下ないしは近傍の磁束の密
度は、前述の第5図に関連して述べた電流Ialと磁束
Balにそれぞれ対応rる。鎖交領域ISaは、鎖交領
域15&よりも大きい、第1線材15に流れる電流は、
前述の第5図に関連して述べた第9式の電流Ial
に対応し、鎖交領域15aの第7図における下方の磁束
密度は前述の第10式に示される磁束密度Bal に
対応する。
よびその鎖交領域15mの直下ないしは近傍の磁束の密
度は、前述の第5図に関連して述べた電流Ialと磁束
Balにそれぞれ対応rる。鎖交領域ISaは、鎖交領
域15&よりも大きい、第1線材15に流れる電流は、
前述の第5図に関連して述べた第9式の電流Ial
に対応し、鎖交領域15aの第7図における下方の磁束
密度は前述の第10式に示される磁束密度Bal に
対応する。
大きい方の鎖交W域15&直下の磁束密度は、小さい方
の鎖交領域15bの直下の磁束密度よりも小さい。
の鎖交領域15bの直下の磁束密度よりも小さい。
第1線材15による大きい方の鎖交領域15a内には、
同一平面内に第2線材1Gが8の字状に形成された大小
2つの鎖交領域16a、16bが形成される。鎖交領域
166は、鎖交領域16bよりも大きい。小さい方の鎖
交領域16bは、第1線材15の小さい方の鎖交領域1
5b側(第7図の有力)に配置される。大きい方の鎖交
領域16a直下の磁束密度は、小さい方の鎖2領域16
bの直下の磁束密度よりも小さい。このようにして第7
図の左方になる1こつれて、その超電導フィル8の直下
の磁束密度が低下してゆくことが理解される。
同一平面内に第2線材1Gが8の字状に形成された大小
2つの鎖交領域16a、16bが形成される。鎖交領域
166は、鎖交領域16bよりも大きい。小さい方の鎖
交領域16bは、第1線材15の小さい方の鎖交領域1
5b側(第7図の有力)に配置される。大きい方の鎖交
領域16a直下の磁束密度は、小さい方の鎖2領域16
bの直下の磁束密度よりも小さい。このようにして第7
図の左方になる1こつれて、その超電導フィル8の直下
の磁束密度が低下してゆくことが理解される。
第2線材1Gの大きい方の鎖交領域IGa内には、同一
平面内で8の字状に形成された第3線材17の鎖交領域
17a、171+が形成される。鎖交領域17aは、鎖
交領域17bよりも大きい、!143諒材17の小さい
方の鎖交領域17bは、第2線材16の小さい方の鎖2
W域1(Sbll(第7図の右方)に配置される。こう
して大きい方の鎖交領域17aの直下の磁束密度は、小
さい方の鎖交領域17bの直下の磁束密度よりも小さく
することができる。
平面内で8の字状に形成された第3線材17の鎖交領域
17a、171+が形成される。鎖交領域17aは、鎖
交領域17bよりも大きい、!143諒材17の小さい
方の鎖交領域17bは、第2線材16の小さい方の鎖2
W域1(Sbll(第7図の右方)に配置される。こう
して大きい方の鎖交領域17aの直下の磁束密度は、小
さい方の鎖交領域17bの直下の磁束密度よりも小さく
することができる。
鎖交領域17a内には、同一平面内で板状体18が配置
される。この板状体18の直下では、磁束は零である。
される。この板状体18の直下では、磁束は零である。
したがって超電導コイル8の直下における磁束密度は、
第8UAに示されるように、第7図の右方から左方にな
るにつれて低下し、板状体18の直下において0となる
勾配を有する。
第8UAに示されるように、第7図の右方から左方にな
るにつれて低下し、板状体18の直下において0となる
勾配を有する。
第9図は、本発明の他の実施例の斜視図である。
円筒状の超電導コイル20内には、磁束密度B。
の磁束が形成され、この磁場内に本発明に従う超電導コ
イル8が配置される。超電導コイル8の直下における磁
束密度は、前述の実施例と同様に勾配を有する。
イル8が配置される。超電導コイル8の直下における磁
束密度は、前述の実施例と同様に勾配を有する。
上述の実施例では、3つの線材15.16.17が用い
られたけれども、さらに多数の線材が用いられてもよい
、板状体18は、省略されてもよい。
られたけれども、さらに多数の線材が用いられてもよい
、板状体18は、省略されてもよい。
@10図は、本発明のさらに他の実施例の超電導コイル
8aの平面図である0本叉施例は、第7図に関連して述
べた実施例に類叙し、対応する部分には同じ参照符を付
す。注目すべきは、第1線材15による大きい方の鎖交
領域15也内に形成された第2線材1Gの8の字状に形
成された大小2つの鎖交領域16a、16bのうち、大
きい方の鎖交領域16aは、第1線材15の小さい方の
鎖2領域15b側(fjS10図右方)に配置される。
8aの平面図である0本叉施例は、第7図に関連して述
べた実施例に類叙し、対応する部分には同じ参照符を付
す。注目すべきは、第1線材15による大きい方の鎖交
領域15也内に形成された第2線材1Gの8の字状に形
成された大小2つの鎖交領域16a、16bのうち、大
きい方の鎖交領域16aは、第1線材15の小さい方の
鎖2領域15b側(fjS10図右方)に配置される。
前述したよ)に、第1線材15においで、大きい方の鎖
交類ki1sm直下の磁束密度は、小さい方の鎖交領域
15b直下の磁束密度よりも小さい。
交類ki1sm直下の磁束密度は、小さい方の鎖交領域
15b直下の磁束密度よりも小さい。
また第2M材16において、小さい方の鎖交領域IGl
+直下の磁束密度は、大きい方の鎖交領域16a直下の
磁束密度よりも大きい、したがって超電導コイル8aの
直下における磁束密度は、第2線材1Gの大きい方の鎖
交領域16m直下の磁束密度が最小となり、@11図に
示されるように、第10図の右方から左方になるにつれ
て低下し、さらに左方になるにつれて上昇する勾配とな
る。
+直下の磁束密度は、大きい方の鎖交領域16a直下の
磁束密度よりも大きい、したがって超電導コイル8aの
直下における磁束密度は、第2線材1Gの大きい方の鎖
交領域16m直下の磁束密度が最小となり、@11図に
示されるように、第10図の右方から左方になるにつれ
て低下し、さらに左方になるにつれて上昇する勾配とな
る。
本考案の他の実施例として第2線材16の大きい方の鎖
交li域1りa内に第3の線材を8の字状に形成し、配
置することによって、さらに違った勾配を有する磁束密
度を得ることが可能となる。
交li域1りa内に第3の線材を8の字状に形成し、配
置することによって、さらに違った勾配を有する磁束密
度を得ることが可能となる。
また、その池複数の線材の配置を、適宜選択することに
よって、さらに違った勾配を有する磁束密度を得ること
が可能となる。
よって、さらに違った勾配を有する磁束密度を得ること
が可能となる。
磁束密度B0を有する磁場を形成するためには、m74
導コイル6.7 ;20の他に、常電導コイルが用いら
れてもよい。
導コイル6.7 ;20の他に、常電導コイルが用いら
れてもよい。
効 果
以上のように本発明によれば最大磁束密度、したがって
最大の磁界の強さを向上した磁場を形成することができ
、また磁界の強さの勾配を大きくすることができる。し
たがってSORおよび荷電粒子の加速装置などを小形化
することが可能になる。
最大の磁界の強さを向上した磁場を形成することができ
、また磁界の強さの勾配を大きくすることができる。し
たがってSORおよび荷電粒子の加速装置などを小形化
することが可能になる。
第1図は本発明の一実施例の斜視図、第2図は常電導の
導線9を用いたときにおける作用を説明するための斜視
図、第3図は超電導から成る線材11を用いたときの作
用を説明するための斜視図、第4図は超電導から成る線
材llm=111】を用いたときにおける作用を説明す
るための斜視図、第5図は本発明の詳細な説明するため
の斜視図、第6図は第5図における鎖交領域13at1
3bの直下における磁束密度を示すグラフ、第7図はf
fi電導コイル8の平面図、第8図は超電導コイル8の
直下における磁束密度を示すグラフ、第9図は本発明の
池の叉施例の斜視図、第10図は超電導コイル8aの平
面図、第11図は超電導コイル8&の直下における磁束
密度を示すグラフ、第12図は先行技術の斜視図である
。 6.7.20・・・超電導コイル、8,8a・・・超電
導コイル、15・・・第1線材、15a=15b・−・
鎖交領域、1 G ・# 2線材、16t、 I G
b・−・鎖交領域、17・・・第3線材、17m、17
&・・・鎖交領域、18・・・板状体 代理人 弁理士 画数 圭一部 第1図 第2図 第3図 り 第4図 第5図 第7図 第9図 第10図 第11図 5kI
導線9を用いたときにおける作用を説明するための斜視
図、第3図は超電導から成る線材11を用いたときの作
用を説明するための斜視図、第4図は超電導から成る線
材llm=111】を用いたときにおける作用を説明す
るための斜視図、第5図は本発明の詳細な説明するため
の斜視図、第6図は第5図における鎖交領域13at1
3bの直下における磁束密度を示すグラフ、第7図はf
fi電導コイル8の平面図、第8図は超電導コイル8の
直下における磁束密度を示すグラフ、第9図は本発明の
池の叉施例の斜視図、第10図は超電導コイル8aの平
面図、第11図は超電導コイル8&の直下における磁束
密度を示すグラフ、第12図は先行技術の斜視図である
。 6.7.20・・・超電導コイル、8,8a・・・超電
導コイル、15・・・第1線材、15a=15b・−・
鎖交領域、1 G ・# 2線材、16t、 I G
b・−・鎖交領域、17・・・第3線材、17m、17
&・・・鎖交領域、18・・・板状体 代理人 弁理士 画数 圭一部 第1図 第2図 第3図 り 第4図 第5図 第7図 第9図 第10図 第11図 5kI
Claims (3)
- (1)磁場内に、超電導材料から成る第1線材を8の字
状に形成し、2つの大小の鎖交領域を形成し、前記2つ
の鎖交領域のうち、大きい方の鎖交領域内で、超電導材
料から成る第2線材を8の字状に形成して2つの大小の
鎖交領域を形成したことを特徴とする超電導を用いて磁
界の強さに勾配をもたせる方法。 - (2)前記第2線材による2つの大小の鎖交領域のうち
、小さい方の鎖交領域を、第1線材による小さい方の鎖
交領域側に配置することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の超電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる
方法。 - (3)前記第2線材による大きい方の鎖交領域内に超電
導材料から成る板状体を配置することを特徴とする特許
請求の範囲第1項または第2項記載の超電導を用いて磁
界の強さを勾配をもたせる方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62147428A JPS63310103A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 超電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62147428A JPS63310103A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 超電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63310103A true JPS63310103A (ja) | 1988-12-19 |
JPH0421325B2 JPH0421325B2 (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=15430094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62147428A Granted JPS63310103A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 超電導を用いて磁界の強さに勾配をもたせる方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63310103A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5998454B2 (ja) * | 2011-11-07 | 2016-09-28 | ソニー株式会社 | 制御装置、制御方法および制御システム |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP62147428A patent/JPS63310103A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0421325B2 (ja) | 1992-04-09 |
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