JPS63243259A - セラミツクス極薄膜の製造方法 - Google Patents
セラミツクス極薄膜の製造方法Info
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- JPS63243259A JPS63243259A JP7903687A JP7903687A JPS63243259A JP S63243259 A JPS63243259 A JP S63243259A JP 7903687 A JP7903687 A JP 7903687A JP 7903687 A JP7903687 A JP 7903687A JP S63243259 A JPS63243259 A JP S63243259A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、主として中高音用スピーカーの振動板として
用いるセラミックス極薄膜の製造方法に関する。
用いるセラミックス極薄膜の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、中高音用スピーカーの振動板には、Ａ２Ｔｉ等の
金属薄膜が使われていた。
金属薄膜が使われていた。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、近時軽量で剛性の高い材料から成る振動板が
要求されているが、これまで使われているＡｌ、Ｔｉ等
の金属薄膜は圧延により製造される為、軽量化には限界
がある。この為、Ａ １２０３、ＴｉＮ等のセラミック
スが考えられるが、セラミックスは従来の研摩技術では
数１００μｍオーダーまでの研摩が限界であり、数１０
μｍオーダーの研摩は不可能であり、また任意の形状に
加工することは困難であった。
要求されているが、これまで使われているＡｌ、Ｔｉ等
の金属薄膜は圧延により製造される為、軽量化には限界
がある。この為、Ａ １２０３、ＴｉＮ等のセラミック
スが考えられるが、セラミックスは従来の研摩技術では
数１００μｍオーダーまでの研摩が限界であり、数１０
μｍオーダーの研摩は不可能であり、また任意の形状に
加工することは困難であった。
（発明の目的）
本発明は、上記諸事情に鑑みなされたもので、数１０μ
ｍオーダーのセラミックス極薄膜を得ることのできる製
造方法を提供することを目的とするものである。
ｍオーダーのセラミックス極薄膜を得ることのできる製
造方法を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明のセラミックス極薄
膜の製造方法は、エツチング可能な金属基板にメタルマ
スクをセットして所要のパターンを得、次に蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ （化学気
相成長）等により金属基板上にセラミックスの０．１〜
５０μｍの極薄膜を形成し、然る後エツチングにより金
属基板を除去し、単独のセラミックス極薄膜を得ること
を特徴とするものである。
膜の製造方法は、エツチング可能な金属基板にメタルマ
スクをセットして所要のパターンを得、次に蒸着、スパ
ッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ （化学気
相成長）等により金属基板上にセラミックスの０．１〜
５０μｍの極薄膜を形成し、然る後エツチングにより金
属基板を除去し、単独のセラミックス極薄膜を得ること
を特徴とするものである。
（作用）
上記のように本発明のセラミックス極薄膜の製造方法は
従来のメタルマスクをセットし、真空中における薄膜作
成法を利用して、セラミックスの極薄膜を作成するので
あるから、軽量で剛性の高いセラミックス極薄膜を容易
に得ることができる。
従来のメタルマスクをセットし、真空中における薄膜作
成法を利用して、セラミックスの極薄膜を作成するので
あるから、軽量で剛性の高いセラミックス極薄膜を容易
に得ることができる。
（実施例）
本発明のセラミックス極薄膜の製造方法の第１実施例を
第１図及び第２図によって説明する。第１図に示す如（
スパッタリング装置１内のテーブル２に、酸、アルカリ
でエツチング可能なＡｊ２、Ｃｕ、ＳＵＳ等の金属、本
例ではＣ’ｕより成る縦６（１＋ｍ、横６０鰭、厚さ０
．０５ｍｍより成る基板３をセットし、このＣｕ基板３
上に縦８０龍、横８０酊の外側形状、直径３０龍の内側
形状で厚さ０．１ｍｍの５ＵＳ３１４より成る枠状のメ
タルマスク４をセントして所要のパターンを得た。次に
Ｃｕ基板３に対向してテーブル５にターゲットとして直
径１５２．４ｍｍ、厚さ５ ｍｍの、ｌ！２０３板６を
セントし、Ｃｕ基板３とＡｌ２Ｏ３板６との間隔を９０
龍となした後、スパッタリング装置１内を５ ｘｔｏ−
”ｒ ｏ ｒ ｒまで真空線引きした後１．０×ｌ０−
３Ｔ ｏ ｒ ｒのＡｒガス雰囲気になし、Ａｌ２Ｏ３
をＲＦ３に−で１０時間スパッターして、メタルマスク
４内のＣｕ５板３上のパターンにＡｌ２Ｏ３をコーティ
ングして２０μｍの極薄膜７を形成した。冷却後、スパ
ッタリング装置１内よりＣｕ基板３を取り出し、Ｃｕ基
板３上のメタルマスク４を外し、第２図に示す如＜Ｃｕ
基板３を槽８内のエツチング液９、本例では２１に３０
分間浸漬し、Ｃｕ基板３を溶解除去し、直径３０龍、厚
さ２０μｍの円形の単独のＡｌ２Ｏ３極薄膜７を得た。
第１図及び第２図によって説明する。第１図に示す如（
スパッタリング装置１内のテーブル２に、酸、アルカリ
でエツチング可能なＡｊ２、Ｃｕ、ＳＵＳ等の金属、本
例ではＣ’ｕより成る縦６（１＋ｍ、横６０鰭、厚さ０
．０５ｍｍより成る基板３をセットし、このＣｕ基板３
上に縦８０龍、横８０酊の外側形状、直径３０龍の内側
形状で厚さ０．１ｍｍの５ＵＳ３１４より成る枠状のメ
タルマスク４をセントして所要のパターンを得た。次に
Ｃｕ基板３に対向してテーブル５にターゲットとして直
径１５２．４ｍｍ、厚さ５ ｍｍの、ｌ！２０３板６を
セントし、Ｃｕ基板３とＡｌ２Ｏ３板６との間隔を９０
龍となした後、スパッタリング装置１内を５ ｘｔｏ−
”ｒ ｏ ｒ ｒまで真空線引きした後１．０×ｌ０−
３Ｔ ｏ ｒ ｒのＡｒガス雰囲気になし、Ａｌ２Ｏ３
をＲＦ３に−で１０時間スパッターして、メタルマスク
４内のＣｕ５板３上のパターンにＡｌ２Ｏ３をコーティ
ングして２０μｍの極薄膜７を形成した。冷却後、スパ
ッタリング装置１内よりＣｕ基板３を取り出し、Ｃｕ基
板３上のメタルマスク４を外し、第２図に示す如＜Ｃｕ
基板３を槽８内のエツチング液９、本例では２１に３０
分間浸漬し、Ｃｕ基板３を溶解除去し、直径３０龍、厚
さ２０μｍの円形の単独のＡｌ２Ｏ３極薄膜７を得た。
次に第２実施例を第３図及び第４図によって説明する。
第３図に示す如くスパッタリング装置１内のテーブル２
に、鏡面加工したコーン状の５ＵＳ３１４より成る基板
３′をセットし、この基板３′上に外径６０１Ｉｍ、内
径２０龍、厚さ０．１ｍ（７） Ｓ Ｕ ５３１４より
成る環状のメタルマスク４′をセットして所要のパター
ンを得た。次に基板３′に対向してテーブル５にターゲ
ットとして直径１５２．４＋ｎのＴｉＮ板６′をセント
し、基板３′とＴｉＮ板６′との間隔を９０鶴となした
後、スパッタリング装置１内を５ ｘｔｏ−”ｒ ｏ
ｒ ｒまで真空線引きした後１．０×１０−’Ｔ ｏ
ｒ ｒのＡｒガス雰囲気になし、ＴｉＮを５００Ｖで１
０時間スパンターして、メタルマスク４′内の基板３′
上のパターンにＴｉＮをコーティングして３０μｍの極
薄膜７′を形成した。冷却後スパッタリング装置１内よ
り基板３′を取出し、基板３′上のメタルマスク４′を
外し、第４図に示す如く基板３′を槽８内のエツチング
液９、本例では２１に１時間浸漬し、基板３′溶解除去
し、直径２０關、高さ２０鶴の、厚さ３０μｍのコーン
形の単独ＴｉＮ極薄膜７′を得た。
に、鏡面加工したコーン状の５ＵＳ３１４より成る基板
３′をセットし、この基板３′上に外径６０１Ｉｍ、内
径２０龍、厚さ０．１ｍ（７） Ｓ Ｕ ５３１４より
成る環状のメタルマスク４′をセットして所要のパター
ンを得た。次に基板３′に対向してテーブル５にターゲ
ットとして直径１５２．４＋ｎのＴｉＮ板６′をセント
し、基板３′とＴｉＮ板６′との間隔を９０鶴となした
後、スパッタリング装置１内を５ ｘｔｏ−”ｒ ｏ
ｒ ｒまで真空線引きした後１．０×１０−’Ｔ ｏ
ｒ ｒのＡｒガス雰囲気になし、ＴｉＮを５００Ｖで１
０時間スパンターして、メタルマスク４′内の基板３′
上のパターンにＴｉＮをコーティングして３０μｍの極
薄膜７′を形成した。冷却後スパッタリング装置１内よ
り基板３′を取出し、基板３′上のメタルマスク４′を
外し、第４図に示す如く基板３′を槽８内のエツチング
液９、本例では２１に１時間浸漬し、基板３′溶解除去
し、直径２０關、高さ２０鶴の、厚さ３０μｍのコーン
形の単独ＴｉＮ極薄膜７′を得た。
こうして得られた第１実施例のＡｌ２Ｏ３極薄膜７及び
第２実施例のＴ ｉ Ｎ極薄膜７′は共に軽量で剛性の
高いので中高音用スピーカーの振動板として好適なであ
る。
第２実施例のＴ ｉ Ｎ極薄膜７′は共に軽量で剛性の
高いので中高音用スピーカーの振動板として好適なであ
る。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のセラミックス極薄膜の
製造方法によれば、従来不可能だった０、１〜５０μｍ
の膜厚で、所要形状のセラミ・７クスより成る軽量で剛
性の高い中高音用スピーカーの振動板として好適な極薄
膜を容易に得ることができるという効果がある。
製造方法によれば、従来不可能だった０、１〜５０μｍ
の膜厚で、所要形状のセラミ・７クスより成る軽量で剛
性の高い中高音用スピーカーの振動板として好適な極薄
膜を容易に得ることができるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明のセラミックス極薄膜の製造
方法の第１実施例の工程を示す図、第３図及び第４図は
本発明のセラミックス極薄膜の製造方法の第２実施例の
工程を示す図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第２図 第４図 ７′・・・ ７ｉＮ極尋゛狭
方法の第１実施例の工程を示す図、第３図及び第４図は
本発明のセラミックス極薄膜の製造方法の第２実施例の
工程を示す図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第２図 第４図 ７′・・・ ７ｉＮ極尋゛狭
Claims (1)
- エッチング可能な金属基板にメタルマスクをセットして
所要のパターンを得、次に蒸着、スパッタリング、イオ
ンプレーティング、ＣＶＤ（化学気相成長）等により金
属基板上にセラミックスの０．１〜５０μｍの極薄膜を
形成し、然る後エッチングにより金属基板を除去し単独
のセラミックス極薄膜を得ることを特徴とするセラミッ
クス極薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7903687A JPS63243259A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | セラミツクス極薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7903687A JPS63243259A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | セラミツクス極薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243259A true JPS63243259A (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=13678691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7903687A Pending JPS63243259A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | セラミツクス極薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63243259A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015151579A (ja) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置の製造方法、基板付蒸着マスクおよび積層体 |
| JP2019151936A (ja) * | 2019-06-11 | 2019-09-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置の製造方法、基板付蒸着マスクおよび積層体 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7903687A patent/JPS63243259A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015151579A (ja) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置の製造方法、基板付蒸着マスクおよび積層体 |
| JP2019151936A (ja) * | 2019-06-11 | 2019-09-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置の製造方法、基板付蒸着マスクおよび積層体 |
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