JPS6244332A - 静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着装置Info
- Publication number
- JPS6244332A JPS6244332A JP18396185A JP18396185A JPS6244332A JP S6244332 A JPS6244332 A JP S6244332A JP 18396185 A JP18396185 A JP 18396185A JP 18396185 A JP18396185 A JP 18396185A JP S6244332 A JPS6244332 A JP S6244332A
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- specimen
- resistor
- sample
- coil
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
し発明の属する分野1
本発明は、半導体製造装置において半導体ウェハ等の試
料を静電力により吸着する静電吸着装置に関し、特に試
料の取り外しが円滑かつ容易な静電吸着装置に関する。
料を静電力により吸着する静電吸着装置に関し、特に試
料の取り外しが円滑かつ容易な静電吸着装置に関する。
[従来の技術]
近年、半導体製造プロセスはドライ化が急速に進み、エ
ツチング装置、アッシング装置、イオン注入装置、プラ
ズマCVD装置、電子ビームリソグラフィー、X線リソ
グラフィー等では試料を10torr以下の真空中で処
理する事が増加している。
ツチング装置、アッシング装置、イオン注入装置、プラ
ズマCVD装置、電子ビームリソグラフィー、X線リソ
グラフィー等では試料を10torr以下の真空中で処
理する事が増加している。
従来、試料の保持は機械的方法によるメカニカルチャッ
クや真空チャック等が多く用いられてきたが、メカニカ
ルチャックは試料全体をホルダに一様に保持することが
できず、また試料に損傷を与えるおそれがあるという欠
点があった。また、真空チャックは大気との圧力差を利
用するため上記ドライプロセス装置の真空チャンバー内
で使用することは不可能である。
クや真空チャック等が多く用いられてきたが、メカニカ
ルチャックは試料全体をホルダに一様に保持することが
できず、また試料に損傷を与えるおそれがあるという欠
点があった。また、真空チャックは大気との圧力差を利
用するため上記ドライプロセス装置の真空チャンバー内
で使用することは不可能である。
さらに、イオンビームエツチング装置、マグネトロン反
応性イオンエツチング装置、イオン注入装置では、試料
は高速イオンにさらされるため温度が上昇し、レジスト
等に熱損傷を与える。また、CVD装置では試料が温度
によって生成膜の生成速度や、性質に強い影響を受ける
等、試料の温度調整をする必要があることが多い。
応性イオンエツチング装置、イオン注入装置では、試料
は高速イオンにさらされるため温度が上昇し、レジスト
等に熱損傷を与える。また、CVD装置では試料が温度
によって生成膜の生成速度や、性質に強い影響を受ける
等、試料の温度調整をする必要があることが多い。
従って真空中で試料とホルダとの一様な熱的コンタクト
をとることができる静電力を利用した静電吸着は非常に
有利である。
をとることができる静電力を利用した静電吸着は非常に
有利である。
従来、この種の静電吸着装置として第4図に示す構成の
ものが知られている。同゛図において、1は試料、2は
絶縁体、3.4は電極、5はホルダである。6はスイッ
チで、電極3,4を電源7側あるいは電荷除去回路であ
る抵抗8に接続するための切換えを行なう。
ものが知られている。同゛図において、1は試料、2は
絶縁体、3.4は電極、5はホルダである。6はスイッ
チで、電極3,4を電源7側あるいは電荷除去回路であ
る抵抗8に接続するための切換えを行なう。
次にこの静電吸着装置の作用を説明する。先ずスイッチ
6を抵抗8側に接続した状態で、電極3゜4上に絶縁体
2を介して導電性の試料1を載置する。次に、スイッチ
6を電源7側に接続して、電極3と4の間に電圧を印加
すると、試料1と電極3.4に静電的な引力が発生する
。すなわち、試料1はホルダ5に吸着保持される。一方
、試料1をホルダ5から取り去る場合はスイッチ6を抵
抗8側に接続し、抵抗8によって電極3.4に帯電した
電荷を逃がし静電力をなくする。しかし、この方法では
吸着面上に残留電荷が生じ、静電力が完全になくならな
いので該試料をはずしにくいという欠点があった。また
、連続的に繰り返し吸着を行なうと吸着力の低下が起こ
るという問題もあった。
6を抵抗8側に接続した状態で、電極3゜4上に絶縁体
2を介して導電性の試料1を載置する。次に、スイッチ
6を電源7側に接続して、電極3と4の間に電圧を印加
すると、試料1と電極3.4に静電的な引力が発生する
。すなわち、試料1はホルダ5に吸着保持される。一方
、試料1をホルダ5から取り去る場合はスイッチ6を抵
抗8側に接続し、抵抗8によって電極3.4に帯電した
電荷を逃がし静電力をなくする。しかし、この方法では
吸着面上に残留電荷が生じ、静電力が完全になくならな
いので該試料をはずしにくいという欠点があった。また
、連続的に繰り返し吸着を行なうと吸着力の低下が起こ
るという問題もあった。
[発明の目的]
本発明は、上述従来例の欠点に鑑みてなされたもので、
試料の取り外しが円滑かつ容易で、連続的に繰り返し吸
着を行なっても吸着力の低下が起こらない静電吸着装置
を提供することを目的とする。
試料の取り外しが円滑かつ容易で、連続的に繰り返し吸
着を行なっても吸着力の低下が起こらない静電吸着装置
を提供することを目的とする。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る静電吸着装置の要部回
路を示す図である。同図の回路は、第4図に示す従来の
電荷除去回路の抵抗8にコイル9を直列に挿入したもの
で、他の部材は従来例と同じである。
路を示す図である。同図の回路は、第4図に示す従来の
電荷除去回路の抵抗8にコイル9を直列に挿入したもの
で、他の部材は従来例と同じである。
次に同図の回路を使用した静電吸着装置の作用を説明す
る。試料1の吸着は従来例の場合と同じで、スイッチ6
を電源7側に接続して、電極3゜4に電圧を印加し、該
電極3,4と試料1との間に発生する静電力により該試
料1をホルダ5に吸着する。また、試料1をはずす場合
は、スイッチ6をコイル9および抵抗8の直列回路側に
接続し、電極3,4の電荷を放電除去する。この時、電
極3.4、コイル9および抵抗8の閉回路はLC直列共
振回路を構成する。そのため電極3,4間に加わる電圧
Vcは式 %式%) R:抵抗8の抵抗値 L 二コイル9のインダクタンス C;試料1が載置されているときの 電極3.4間の静電容量 VO:電源7の電圧 で与えられる第2図に示す波形となる。つまり、電圧V
cは、周波数 f=1/(2π −R’ /4L2)で振動し
時定数R/2Lで減衰する。従って電極3.4間には正
負の電位が交互に加わり、かつ振゛幅は時間と共に減少
し、やがてOに収束するので、残留電荷が減少する。減
衰の時間と1辰幅の周期は挿着の時間間隔等を考慮に入
れ実験的に決定する。
る。試料1の吸着は従来例の場合と同じで、スイッチ6
を電源7側に接続して、電極3゜4に電圧を印加し、該
電極3,4と試料1との間に発生する静電力により該試
料1をホルダ5に吸着する。また、試料1をはずす場合
は、スイッチ6をコイル9および抵抗8の直列回路側に
接続し、電極3,4の電荷を放電除去する。この時、電
極3.4、コイル9および抵抗8の閉回路はLC直列共
振回路を構成する。そのため電極3,4間に加わる電圧
Vcは式 %式%) R:抵抗8の抵抗値 L 二コイル9のインダクタンス C;試料1が載置されているときの 電極3.4間の静電容量 VO:電源7の電圧 で与えられる第2図に示す波形となる。つまり、電圧V
cは、周波数 f=1/(2π −R’ /4L2)で振動し
時定数R/2Lで減衰する。従って電極3.4間には正
負の電位が交互に加わり、かつ振゛幅は時間と共に減少
し、やがてOに収束するので、残留電荷が減少する。減
衰の時間と1辰幅の周期は挿着の時間間隔等を考慮に入
れ実験的に決定する。
なお上述例では電極の形状および数には言及しなかった
が、2枚電極のみならず複数@極にしても当然実施可能
である。
が、2枚電極のみならず複数@極にしても当然実施可能
である。
第3図は本発明の他の実施例に係る静電吸着装置の要部
回路を示す図で、第1図に示す回路においてさらに電極
3,4と並列に静電容量COのコンデンサ9を接続した
ものである。基本作用は前述の実施例の場合と同じであ
るが、電極3,4間の静電容量は見かけ上C十COとな
り振幅の周期を適当な値にする自由度が増す。
回路を示す図で、第1図に示す回路においてさらに電極
3,4と並列に静電容量COのコンデンサ9を接続した
ものである。基本作用は前述の実施例の場合と同じであ
るが、電極3,4間の静電容量は見かけ上C十COとな
り振幅の周期を適当な値にする自由度が増す。
このように従来例の電伺除去回路の抵抗と直列にコイル
を接続し、あるいは、さらに吸着面の電極と並列にコン
デンサを接続することにより試料解放時の残留電荷を効
率よく減少させるため残留する静電力も減少し、その結
果、連続的に吸着を繰返しても吸着力の低下を防ぐ効果
がある。
を接続し、あるいは、さらに吸着面の電極と並列にコン
デンサを接続することにより試料解放時の残留電荷を効
率よく減少させるため残留する静電力も減少し、その結
果、連続的に吸着を繰返しても吸着力の低下を防ぐ効果
がある。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、試料の取り外しが
円滑かつ容易で、連続的に吸着を繰返しても吸着力の低
下の起こらない静電吸着装置を得ることができる。
円滑かつ容易で、連続的に吸着を繰返しても吸着力の低
下の起こらない静電吸着装置を得ることができる。
第1図は、本発明の一実施例に係る静電吸着装置の要部
回路図、 第2図は、第1図に示す回路を備えた静電吸着装置の試
料脱着時に電極に加わる電圧波形図、第3図は、本発明
の伯の実施例に係る静電吸着装置の要部回路図、 第4図は、従来の静電吸着装置べのill略図である。 1:試料、2:絶縁体、3.4:電II、5:ホルダ、
6:スイッチ、7:電源、8:抵抗、9:]コイル10
:コンデンサ。
回路図、 第2図は、第1図に示す回路を備えた静電吸着装置の試
料脱着時に電極に加わる電圧波形図、第3図は、本発明
の伯の実施例に係る静電吸着装置の要部回路図、 第4図は、従来の静電吸着装置べのill略図である。 1:試料、2:絶縁体、3.4:電II、5:ホルダ、
6:スイッチ、7:電源、8:抵抗、9:]コイル10
:コンデンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一対または2以上の対からなる電極上に絶縁体を介
して導電性の物体を載置し、該電極にに電圧を印加する
ことにより該物体を静電的に吸着する静電吸着装置にお
いて、 該物体解放時、上記対をなす電極間に印加電圧が時間の
経緯に伴つて減衰交番電圧を印加する電荷除去回路を設
けたことを特徴とする静電吸着装置。 2、前記電荷除去回路が、前記対をなす電極と並列に接
続されたコイルと抵抗の直列回路を有する特許請求の範
囲第1項記載の静電吸着装置。 3、前記対をなす電極と並列にコンデンサが接続されて
いる特許請求の範囲第1項または第2項記載の静電吸着
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18396185A JPS6244332A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18396185A JPS6244332A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 静電吸着装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6244332A true JPS6244332A (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=16144846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18396185A Pending JPS6244332A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6244332A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63115223U (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-25 | ||
JPS6418236A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Tokyo Electron Ltd | Removal of static electricity |
JPH0279197U (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-18 | ||
JPH08250579A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置 |
EP0822590A2 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
JPH11106916A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JP2001007191A (ja) * | 1999-04-19 | 2001-01-12 | Applied Materials Inc | ヒステリシス放電サイクルを用いる静電チャックからの半導体ウエハ高速デチャック |
EP1096561A2 (en) * | 1999-10-08 | 2001-05-02 | Applied Materials, Inc. | Method for rapid dechucking of a semiconductor wafer from an electrostatic chuck |
KR20020028290A (ko) * | 2000-10-09 | 2002-04-17 | 이계안 | 정전기 방전장치가 내장된 자동차용 키 |
WO2010038487A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 三菱重工業株式会社 | ウェハ接合装置およびウェハ接合方法 |
US10896843B2 (en) | 2017-03-24 | 2021-01-19 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Wafer holding device and wafer chucking and dechucking method |
WO2021176815A1 (ja) | 2020-03-02 | 2021-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 静電チャック装置用電源、静電チャック装置、及びデチャック制御方法 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18396185A patent/JPS6244332A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63115223U (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-25 | ||
JPH0528773Y2 (ja) * | 1987-01-20 | 1993-07-23 | ||
JPS6418236A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Tokyo Electron Ltd | Removal of static electricity |
JPH0279197U (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-18 | ||
JPH08250579A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置 |
EP0822590A2 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
EP0822590A3 (en) * | 1996-07-31 | 1999-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
JPH11106916A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JP2001007191A (ja) * | 1999-04-19 | 2001-01-12 | Applied Materials Inc | ヒステリシス放電サイクルを用いる静電チャックからの半導体ウエハ高速デチャック |
JP4610042B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2011-01-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 静電チャックへのワークピースのチャック・デチャック方法、及び、静電チャックからワークピースをデチャックするための装置 |
EP1096561A2 (en) * | 1999-10-08 | 2001-05-02 | Applied Materials, Inc. | Method for rapid dechucking of a semiconductor wafer from an electrostatic chuck |
EP1096561A3 (en) * | 1999-10-08 | 2002-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method for rapid dechucking of a semiconductor wafer from an electrostatic chuck |
KR20020028290A (ko) * | 2000-10-09 | 2002-04-17 | 이계안 | 정전기 방전장치가 내장된 자동차용 키 |
WO2010038487A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 三菱重工業株式会社 | ウェハ接合装置およびウェハ接合方法 |
CN102159356A (zh) * | 2008-09-30 | 2011-08-17 | 三菱重工业株式会社 | 晶片接合装置和晶片接合方法 |
US9130000B2 (en) | 2008-09-30 | 2015-09-08 | Mitsubishi Heavy Industries | Wafer bonding device and wafer bonding method |
US10896843B2 (en) | 2017-03-24 | 2021-01-19 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Wafer holding device and wafer chucking and dechucking method |
WO2021176815A1 (ja) | 2020-03-02 | 2021-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 静電チャック装置用電源、静電チャック装置、及びデチャック制御方法 |
KR20220148161A (ko) | 2020-03-02 | 2022-11-04 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 정전 척 장치용 전원, 정전 척 장치, 및 디척 제어 방법 |
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