JPS62101678A - 半導体ウエハの保護部材 - Google Patents
半導体ウエハの保護部材Info
- Publication number
- JPS62101678A JPS62101678A JP60243595A JP24359585A JPS62101678A JP S62101678 A JPS62101678 A JP S62101678A JP 60243595 A JP60243595 A JP 60243595A JP 24359585 A JP24359585 A JP 24359585A JP S62101678 A JPS62101678 A JP S62101678A
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- JP
- Japan
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- pressure
- sensitive adhesive
- semiconductor wafer
- adhesive layer
- circuit pattern
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ウェハ上に移行した感圧性接着剤層成
分の水洗除去を可能にした、回路パターンが形成された
半導体ウェハの裏面を研磨する際に用いられる半導体ウ
ェハの保護部材に関する。
分の水洗除去を可能にした、回路パターンが形成された
半導体ウェハの裏面を研磨する際に用いられる半導体ウ
ェハの保護部材に関する。
従来の技術
半導体ウェハの製造工程においては通常、IC素子用等
の回路パターンの形成工程を終えたウェハはこれをでき
るだけ薄く、かつ均一厚さにするために裏面研磨工程に
おかれ、例えば厚さ0,5鴫程度のものが0.2〜0.
3mm程度のものとされる。
の回路パターンの形成工程を終えたウェハはこれをでき
るだけ薄く、かつ均一厚さにするために裏面研磨工程に
おかれ、例えば厚さ0,5鴫程度のものが0.2〜0.
3mm程度のものとされる。
裏面研磨工程においては半導体ウェハが破損したり、回
路パターン形成面が研磨屑等で汚染あるいは損傷したり
することを防ぐために、半導体ウェハの回路パターン形
成面側に予め保護手段が講じられる。
路パターン形成面が研磨屑等で汚染あるいは損傷したり
することを防ぐために、半導体ウェハの回路パターン形
成面側に予め保護手段が講じられる。
従来、その保護手段としては、普通の感圧性接着剤から
なる層を設けた感圧性接着フィルムを貼着する方式が知
られていた。すなわち、該感圧性接着フィルムを半導体
ウェハの回路パターン形成面側に貼着したのちウェハの
裏面を研磨し、研磨後感圧性接着フィルムを剥離離去す
るなどの方式%式% この感圧性接着フィルムを用いる方式は、それまでの塗
料塗布方式あるいは薄葉シートからなるスペーサを単に
載置する方式が有していたウェハの破損防止等に対する
保護能力不足の問題を解決したものであり、保護能力、
研磨精度に優れるなどの利点を有している。
なる層を設けた感圧性接着フィルムを貼着する方式が知
られていた。すなわち、該感圧性接着フィルムを半導体
ウェハの回路パターン形成面側に貼着したのちウェハの
裏面を研磨し、研磨後感圧性接着フィルムを剥離離去す
るなどの方式%式% この感圧性接着フィルムを用いる方式は、それまでの塗
料塗布方式あるいは薄葉シートからなるスペーサを単に
載置する方式が有していたウェハの破損防止等に対する
保護能力不足の問題を解決したものであり、保護能力、
研磨精度に優れるなどの利点を有している。
発明が解決しようとする問題点
ところで、前記した感圧性接着フィルムは研磨後半導体
ウェハより離去するものであるため、その感圧性接着剤
層の半導体ウェハの回路パターン形成面側に対する接着
力に過不足のないこと、及び離去後に感圧性接着剤層成
分による汚染の除去が容易なことが望まれる。
ウェハより離去するものであるため、その感圧性接着剤
層の半導体ウェハの回路パターン形成面側に対する接着
力に過不足のないこと、及び離去後に感圧性接着剤層成
分による汚染の除去が容易なことが望まれる。
しかしながら、従来の感圧性接着フィルムでは感圧性接
着剤層成分による半導体ウェハの汚染を有機溶剤で洗浄
する必要があった。有機溶剤の使用は環境衛生上の問題
や防災上の問題を伴うこととなる。殊に、高度な制御シ
ステムが要求されるIC素子等の製造分野では洗浄水用
の配管設備のほかに、有機溶剤用の配管設備が必要にな
るなどの問題を伴うこととなる。
着剤層成分による半導体ウェハの汚染を有機溶剤で洗浄
する必要があった。有機溶剤の使用は環境衛生上の問題
や防災上の問題を伴うこととなる。殊に、高度な制御シ
ステムが要求されるIC素子等の製造分野では洗浄水用
の配管設備のほかに、有機溶剤用の配管設備が必要にな
るなどの問題を伴うこととなる。
問題点を解決するための手段
本発明は、感圧性接着フィルムにおける感圧性接着剤層
にポリオレフィングリコール系界面活性剤を配合するこ
とにより、上記の問題点を克服したものである。
にポリオレフィングリコール系界面活性剤を配合するこ
とにより、上記の問題点を克服したものである。
すなわち、本発明は、回路パターンが形成された半導体
ウェハの裏面を研磨する際にその回路パターンの形成面
側に貼着される感圧性接着剤層と、これを支持する基材
とで構成された感圧性接着フィルムからなり、前記感圧
性接着剤層がポリオレフィングリコール系界面活性剤を
含有することを特徴とする半導体ウェハの保護部材を提
供するものである。
ウェハの裏面を研磨する際にその回路パターンの形成面
側に貼着される感圧性接着剤層と、これを支持する基材
とで構成された感圧性接着フィルムからなり、前記感圧
性接着剤層がポリオレフィングリコール系界面活性剤を
含有することを特徴とする半導体ウェハの保護部材を提
供するものである。
作 用
感圧性接着剤層にポリオレフィングリコール系界面活性
剤を含有せしめることにより、半導体ウェハの感圧性接
着剤層成分による汚染を水を用いた洗浄で容易に除去す
ることが可能となる。
剤を含有せしめることにより、半導体ウェハの感圧性接
着剤層成分による汚染を水を用いた洗浄で容易に除去す
ることが可能となる。
その理由は不明であるが、本発明者らは、半導体ウェハ
に感圧性接着フィルムを貼着した状態において感圧性接
着剤層中のポリオレフィングリコール系界面活性剤から
なる層が、半導体ウェハと感圧性接着剤層の間に連続状
態ないし不連続な状態で形成され、この層が有機溶剤の
使用を要する感圧性接着剤層成分の半導体ウェハ側への
移行を抑制し、また該層を境として感圧性接着フィルム
の剥離離去が行われることとなって半導体ウェハの水に
よる洗浄が可能になる、と考えている。
に感圧性接着フィルムを貼着した状態において感圧性接
着剤層中のポリオレフィングリコール系界面活性剤から
なる層が、半導体ウェハと感圧性接着剤層の間に連続状
態ないし不連続な状態で形成され、この層が有機溶剤の
使用を要する感圧性接着剤層成分の半導体ウェハ側への
移行を抑制し、また該層を境として感圧性接着フィルム
の剥離離去が行われることとなって半導体ウェハの水に
よる洗浄が可能になる、と考えている。
発明の構成要素の例示
本発明において用いられる感圧性接着剤については特に
限定はな(、例えば天然ゴム、ポリイソブチレン、イソ
プレン、アクリル酸エステルなどで代表される化合物を
主成分とする合成ゴム、合成樹脂等をベースポリマとす
るものなど公知のものが用いられる◎ 本発明における感圧性接着剤層は、前記した感圧性接着
剤にポリオレフィングリコール系界面活性剤を配合した
ものである。
限定はな(、例えば天然ゴム、ポリイソブチレン、イソ
プレン、アクリル酸エステルなどで代表される化合物を
主成分とする合成ゴム、合成樹脂等をベースポリマとす
るものなど公知のものが用いられる◎ 本発明における感圧性接着剤層は、前記した感圧性接着
剤にポリオレフィングリコール系界面活性剤を配合した
ものである。
そのポリオレフィングリコール系界面活性剤として゛は
、例えばポリエチレングリコールアルキルフェニルエー
テル、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリ
エチレングリコール脂肪酸エステル、ポリプロピレング
リコールポリエチレングリコールエーテルなどが用いら
れ、HL88〜18のものが好ましく用いられる。用い
るポリオレフィングリコール系界面活性剤は1種のみで
あってもよいし、2種以上の併用であってもよい。
、例えばポリエチレングリコールアルキルフェニルエー
テル、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリ
エチレングリコール脂肪酸エステル、ポリプロピレング
リコールポリエチレングリコールエーテルなどが用いら
れ、HL88〜18のものが好ましく用いられる。用い
るポリオレフィングリコール系界面活性剤は1種のみで
あってもよいし、2種以上の併用であってもよい。
ポリオレフィングリコール系界面活性剤の配合量は、感
圧性接着剤100重量部に対し0.1−10重量部、就
中0.5〜8重量部が適当である。その配合量が0.1
重量部未満であると水を用いての洗浄で半導体ウェハを
清浄にすることができないし、10重重量を超えると感
圧性接着剤層の半導体ウェハに対する保護効果が不充分
となって満足できる裏面研磨処理を達成することができ
ない。
圧性接着剤100重量部に対し0.1−10重量部、就
中0.5〜8重量部が適当である。その配合量が0.1
重量部未満であると水を用いての洗浄で半導体ウェハを
清浄にすることができないし、10重重量を超えると感
圧性接着剤層の半導体ウェハに対する保護効果が不充分
となって満足できる裏面研磨処理を達成することができ
ない。
本発明において感圧性接着剤層を支持するための基材と
しては、半導体ウェハの汚染に関与しないものが用いら
れる。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレンのよ
うなポリオレフィン類、ポリエチレンテレフタレートの
ようなポリエステル類などからなるフィルムないしシー
トのような薄葉体が一般に用いられる。
しては、半導体ウェハの汚染に関与しないものが用いら
れる。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレンのよ
うなポリオレフィン類、ポリエチレンテレフタレートの
ようなポリエステル類などからなるフィルムないしシー
トのような薄葉体が一般に用いられる。
なお、本発明の保護部材においては感圧性接着剤層の厚
さ1〜500um、基材の厚さ20〜500μsのもの
が一般である。
さ1〜500um、基材の厚さ20〜500μsのもの
が一般である。
発明の効果
本発明によれば、感圧性接着剤層にポリオレフィングリ
コール系界面活性剤を含有させた感圧性接着フィルムで
保護部材を構成したので、裏面研磨後の半導体ウェハを
水を用いた洗浄処理で清浄にすることができ、半導体ウ
ェハよりの感圧性接着フィルムの剥離離去を容易に行う
ことができると共に、破損、損傷等を与えることな(半
導体つエバの裏面研磨処理を高い研磨精度で、かつ効率
よく行うことができる。
コール系界面活性剤を含有させた感圧性接着フィルムで
保護部材を構成したので、裏面研磨後の半導体ウェハを
水を用いた洗浄処理で清浄にすることができ、半導体ウ
ェハよりの感圧性接着フィルムの剥離離去を容易に行う
ことができると共に、破損、損傷等を与えることな(半
導体つエバの裏面研磨処理を高い研磨精度で、かつ効率
よく行うことができる。
また、本発明の保護部材としての感圧性接着フィルムは
、滞電防止性能を具備するなどの利点も有している。
、滞電防止性能を具備するなどの利点も有している。
実施例
以下、部は重量部を意味する。
実施例1
アクリル酸ブチル 80部
アクリロニトリル 15部
アクリル酸 5部
酢酸エチル 200部
上記組成の混合物にベンゾイルパーオキシド1部を加え
、溶液重合させて得られた重量平均分子量約300.0
00のアクリルゴム(A ) 100部にメラミン系架
橋剤10部を加えたものを主体とする感圧性接着剤10
0部に、HLB15のポリエチレングリコールオレイル
エーテルを1部添加混合して感圧性接着剤層を形成する
ための感圧性接着剤組成物を調製し、これを厚さ50μ
mのポリエステルフィルム上に塗布し、乾燥(130℃
×2分)させて合計厚さが90t4+11の感圧性接着
フィルムを得た。
、溶液重合させて得られた重量平均分子量約300.0
00のアクリルゴム(A ) 100部にメラミン系架
橋剤10部を加えたものを主体とする感圧性接着剤10
0部に、HLB15のポリエチレングリコールオレイル
エーテルを1部添加混合して感圧性接着剤層を形成する
ための感圧性接着剤組成物を調製し、これを厚さ50μ
mのポリエステルフィルム上に塗布し、乾燥(130℃
×2分)させて合計厚さが90t4+11の感圧性接着
フィルムを得た。
実施例2
ポリエチレングリコールオレイルエーテルに代、jでH
LB14のポリエチレングリコール、Iニルフェニルエ
ーテルを用いたほかは実施例1に準じて感圧性接着フィ
ルムを得た。
LB14のポリエチレングリコール、Iニルフェニルエ
ーテルを用いたほかは実施例1に準じて感圧性接着フィ
ルムを得た。
実施例3
ポリイソブチレン100部にHLB12のポリエチレン
グリコールオレイン酸エステルを2部配合してなる感圧
性接着剤組成物を用いたほかは、実施例1に準じて感圧
性接着フィルムを得た。
グリコールオレイン酸エステルを2部配合してなる感圧
性接着剤組成物を用いたほかは、実施例1に準じて感圧
性接着フィルムを得た。
比較例1〜3
実施例1〜3における感圧性接着剤にポリオレフィング
リコール系界面活性剤を配合しないでそのまま感圧性接
着剤層を形成するための感圧性接着剤組成物として用い
たほかは、実施例1に準じて感圧性接着フィルムを得た
。
リコール系界面活性剤を配合しないでそのまま感圧性接
着剤層を形成するための感圧性接着剤組成物として用い
たほかは、実施例1に準じて感圧性接着フィルムを得た
。
連用試験
実施例、比較例で得た感圧性接着フィルムを、IC回路
パターンが形成された直径5インチ、厚さ0.5mの半
導体ウェハの回路パターン形成面側に貼着したのち常法
により半導体ウェハの裏面研磨処理を行い、厚さ0.2
5mmの半導体ウェハとしたのち研磨処理を終えた半導
体ウェハより感圧性接着フィルムを剥llI離去した。
パターンが形成された直径5インチ、厚さ0.5mの半
導体ウェハの回路パターン形成面側に貼着したのち常法
により半導体ウェハの裏面研磨処理を行い、厚さ0.2
5mmの半導体ウェハとしたのち研磨処理を終えた半導
体ウェハより感圧性接着フィルムを剥llI離去した。
そして、剥#離去後、超音波をかけながら5分間水洗し
た半導体ウェハの感圧性接着フィルムを貼着した面にお
ける汚染状態を異物検出機により調べた。結果を表に示
した。
た半導体ウェハの感圧性接着フィルムを貼着した面にお
ける汚染状態を異物検出機により調べた。結果を表に示
した。
なお、表中の○、△、×は下記の状態を意味する。
○:感圧性接着フィルムを貼着する前の半導体ウェハの
汚染程度と同じか貼着前以上に清浄な状態。
汚染程度と同じか貼着前以上に清浄な状態。
△:感圧性接着フィルムを貼着する前の半導体ウェハの
汚染程度よりも若干汚染程度が高い状態。
汚染程度よりも若干汚染程度が高い状態。
×:感圧性接着フィルムを貼着する前の半導体ウェハの
汚染程度よりも著しく汚染程度が高い状態。
汚染程度よりも著しく汚染程度が高い状態。
また、表中の接着力は5US304 BA仕上げステン
レス板に対する180度ビール試験(引張速度=300
van1分)における測定値である。
レス板に対する180度ビール試験(引張速度=300
van1分)における測定値である。
表より、本発明の保護部材においては感圧性接着剤層成
分の移行等による半導体ウェハの汚染を水を用いての洗
浄処理で充分に除去できることがわかる。
分の移行等による半導体ウェハの汚染を水を用いての洗
浄処理で充分に除去できることがわかる。
なお、研磨処理による半導体ウェハの破損、回路パター
ン形成面の損傷なども認められなかったし、半導体ウェ
ハと感圧性接着フィルムの間への洗浄水の浸入も認めら
れながった。
ン形成面の損傷なども認められなかったし、半導体ウェ
ハと感圧性接着フィルムの間への洗浄水の浸入も認めら
れながった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、回路パターンが形成された半導体ウエハの裏面を研
磨する際にその回路パターンの形成面側に貼着される感
圧性接着剤層と、これを支持する基材とで構成された感
圧性接着フィルムからなり、 前記感圧性接着剤層がポリオレフィングリ コール系界面活性剤を含有することを特徴とする半導体
ウエハの保護部材。 2、ポリオレフィングリコール系界面活性剤の含有量が
感圧性接着剤100重量部あたり0.1〜10重量部で
ある特許請求の範囲第1項記載の保護部材。 3、ポリオレフィングリコール系界面活性剤がポリエチ
レングリコールアルキルフェニルエーテル、ポリエチレ
ングリコールアルキルエーテル、ポリエチレングリコー
ル脂肪酸エステル又は/及びポリプロピレングリコール
ポリエチレングリコールエーテルである特許請求の範囲
第1項記載の保護部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60243595A JPH0811788B2 (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 半導体ウエハの保護部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60243595A JPH0811788B2 (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 半導体ウエハの保護部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62101678A true JPS62101678A (ja) | 1987-05-12 |
JPH0811788B2 JPH0811788B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17106151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60243595A Expired - Lifetime JPH0811788B2 (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 半導体ウエハの保護部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0811788B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63296222A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | F S K Kk | ウエハ研摩用保護シ−トおよびこのシ−トを用いたウエハ面の研摩方法 |
JPH01273321A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの保護部材 |
JPH0492529U (ja) * | 1990-12-20 | 1992-08-12 | ||
US6040048A (en) * | 1997-08-28 | 2000-03-21 | Lintec Corporation | Energy beam curable hydrophilic pressure sensitive adhesive composition and use thereof |
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US6255423B1 (en) | 1997-02-14 | 2001-07-03 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive sheet and use thereof |
US6403215B1 (en) | 1998-05-22 | 2002-06-11 | Lintec Corporation | Energy beam curable hydrophilic pressure sensitive adhesive composition and use thereof |
US6726538B2 (en) | 2000-04-07 | 2004-04-27 | Tokyo Electron Limited | Sample polishing apparatus and sample polishing method |
JP2005179496A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Nitto Denko Corp | 加熱剥離型粘着シート |
US7399683B2 (en) | 2002-06-18 | 2008-07-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2019087682A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 古河電気工業株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5010334A (ja) * | 1973-05-31 | 1975-02-03 |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP60243595A patent/JPH0811788B2/ja not_active Expired - Lifetime
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US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
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JP2019087682A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 古河電気工業株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
US10916441B2 (en) | 2017-11-09 | 2021-02-09 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Method for producing semiconductor chips |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0811788B2 (ja) | 1996-02-07 |
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