JPS6172219A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS6172219A JPS6172219A JP59193032A JP19303284A JPS6172219A JP S6172219 A JPS6172219 A JP S6172219A JP 59193032 A JP59193032 A JP 59193032A JP 19303284 A JP19303284 A JP 19303284A JP S6172219 A JPS6172219 A JP S6172219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- variance
- receiving means
- illuminance
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は露光装置、特に、半導体製造用に使用される露
光装置に関するものである。
光装置に関するものである。
〈従来技術〉
従来、多くの場合この種の露光装置は第１図の如く構成
されている。
されている。
尚第１図の露光装置はマスクとウェハーが密着し次状態
で転写する所謂コンタクトアライナ−を想定して示しで
ある。
で転写する所謂コンタクトアライナ−を想定して示しで
ある。
第１図において、光源１からの光は、楕円曲面を有する
反射ミラー２で反射され、オプティカル・インテグレー
タ３１に通って、反射ミラー４で反射され、コンデンサ
レンズ５で果尤され７を後転写面６、すなわちマスク、
ウェハーが配置され次面に達する。ま九、７は受光手段
で、反射ミラー４で反射された光掠１からの光束の一１
ｔ−１測光光束Ｌ２としてポ視するためのものである。
反射ミラー２で反射され、オプティカル・インテグレー
タ３１に通って、反射ミラー４で反射され、コンデンサ
レンズ５で果尤され７を後転写面６、すなわちマスク、
ウェハーが配置され次面に達する。ま九、７は受光手段
で、反射ミラー４で反射された光掠１からの光束の一１
ｔ−１測光光束Ｌ２としてポ視するためのものである。
なおＬｌｌＬ等は転写面６上の一点に対する露光光束で
ある。
ある。
第１図から明らかなように、露光光束Ｌ１ａ。
Ｌｌｂ ”１゜と！４１１光元束Ｌ２とは異なつ几元路
を辿り、その結果として、例えば光源１が第１図の矢印
、へＸの方向ｖｃ ｔｚ ｔ ｘ動すると、転写面６上
の照度変化（△Ｌ□とする。）と受光器７での１！！
＋ａ Ｋ化（△Ｌ２とする。）とは比例せず、すなわら
その比（△Ｌ／△Ｌ２）は一定にはならない。
を辿り、その結果として、例えば光源１が第１図の矢印
、へＸの方向ｖｃ ｔｚ ｔ ｘ動すると、転写面６上
の照度変化（△Ｌ□とする。）と受光器７での１！！
＋ａ Ｋ化（△Ｌ２とする。）とは比例せず、すなわら
その比（△Ｌ／△Ｌ２）は一定にはならない。
つまり、光のの位置が変動すると、転写面照度が変化し
ないＫもかかわらず、受光器への入射光Ｄｉが変化して
しまい転写面６上の照朋を正確に測定することができな
いという欠点がろつ九。
ないＫもかかわらず、受光器への入射光Ｄｉが変化して
しまい転写面６上の照朋を正確に測定することができな
いという欠点がろつ九。
このことは、適正な露光管理に対する支障となるため、
光源の位置変動に関係なく、感度Ｓを一足ンこ保つ会費
がある。ここで感贋Ｓは次式で秋わされる。
光源の位置変動に関係なく、感度Ｓを一足ンこ保つ会費
がある。ここで感贋Ｓは次式で秋わされる。
〈目 的〉
不宅明は１．上記欠点に丸み為されｅ４ので、その目的
は、光源の位置変動に対しては低感度で、しかも転写面
照度の変化に対しては高感度であるような露光装置を提
供することにある。
は、光源の位置変動に対しては低感度で、しかも転写面
照度の変化に対しては高感度であるような露光装置を提
供することにある。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第２１囚は、本発明の実施％Ｊの概略配ｌｄ図である。
第２図体に示す実施例は、コンタクト型あるいはグロキ
７ミテイ型の露光装置ＶＣ通用した場合を示す。
７ミテイ型の露光装置ＶＣ通用した場合を示す。
第２図（Ａ）Ｋ：おいて、１は光源等のエネルギー源、
２は楕円曲面を有する反射ミラー、３はオプティカル・
インテグレータ、４ｍは光束の一部を透過する振幅分割
器としてのパ−７ミラー、５はハーフミラ−４＆で反射
され九光束ｔ−集光させる九めの第１コンデンサレンズ
、６は転写面である。この場合、照明光学系が射出テレ
七ン元学系となるよう、第１コンデンサレンズ５の前側
焦点近傍にオプティカル・インテグレータ３ｔ−配置す
る。
２は楕円曲面を有する反射ミラー、３はオプティカル・
インテグレータ、４ｍは光束の一部を透過する振幅分割
器としてのパ−７ミラー、５はハーフミラ−４＆で反射
され九光束ｔ−集光させる九めの第１コンデンサレンズ
、６は転写面である。この場合、照明光学系が射出テレ
七ン元学系となるよう、第１コンデンサレンズ５の前側
焦点近傍にオプティカル・インテグレータ３ｔ−配置す
る。
ｌａ ｌｂ ’ Ｌｌｃは第１図と同様第２ここで
Ｌ 、Ｌ 図（Ｂ）に示すように転写面６上の限られた領域Ｍ１
に対する露光光束である。一方、７．は受光手段で、
ノ・−７ミラー４ａを透過する光源１からの光束の一部
を、第２コンデンサレンズ８を介して、測光光束Ｌ２ａ
’ Ｌ２ｂ ’ Ｌ２ｃとして監視するためのもので
める。Ｍ２は第２図（Ｃ）に示すように受光手段７の前
方に配置され九開ロマスクである。
Ｌ 、Ｌ 図（Ｂ）に示すように転写面６上の限られた領域Ｍ１
に対する露光光束である。一方、７．は受光手段で、
ノ・−７ミラー４ａを透過する光源１からの光束の一部
を、第２コンデンサレンズ８を介して、測光光束Ｌ２ａ
’ Ｌ２ｂ ’ Ｌ２ｃとして監視するためのもので
める。Ｍ２は第２図（Ｃ）に示すように受光手段７の前
方に配置され九開ロマスクである。
さて、第２図体から明らかなように、測光光束Ｌ２ａと
露光光束Ｌ１ｍとは、ハーフミラ−４＆を介して振幅分
割され光学的に共役関係にあり、光束条件としては同一
となる。
露光光束Ｌ１ｍとは、ハーフミラ−４＆を介して振幅分
割され光学的に共役関係にあり、光束条件としては同一
となる。
光束Ｌ２ｂとＬ□６、光束Ｌ２ｃとＬｌｃの場合も凹球
である。
である。
従って、転写面６上の領域Ｍよと受光手段７の屍ロマス
クＭ２ とは光学的に共役関係となる。
クＭ２ とは光学的に共役関係となる。
その結果、光源ｌが第２図の矢印ΔＸの方向に位置変動
しても、受光手段７での照度変化（△（Ｌ２＆〜Ｌ２ｃ
）とする。）に対する転写面６上の照度変化（Δ（Ｌｌ
ａ〜Ｌｌｃ）とする。）の比（Δ（Ｌ１１〜Ｌ１ｃ）／
△（Ｌ２１〜Ｌ２ｃ ） ）は、一定になる。
しても、受光手段７での照度変化（△（Ｌ２＆〜Ｌ２ｃ
）とする。）に対する転写面６上の照度変化（Δ（Ｌｌ
ａ〜Ｌｌｃ）とする。）の比（Δ（Ｌ１１〜Ｌ１ｃ）／
△（Ｌ２１〜Ｌ２ｃ ） ）は、一定になる。
言い換えると、本実施例のように受光手段７を配置すれ
ば光源１の位置変動に無関係（、転写面照度の変化を的
確に把握することが可能となる。
ば光源１の位置変動に無関係（、転写面照度の変化を的
確に把握することが可能となる。
ま次この場合、第２図体）より明らかなように、オプテ
ィカル・インテグレータ３から出て転写面６上の領域Ｍ
ｌ ｋ照明する全光束は振幅分割されて受光手段７にと
りこまれている。その結果、転写面６上の領域Ｍ工の照
度の単純平均を表わす信号が受光手段７より出ることに
なり、この領域ではいわゆる平均測光となっている。
ィカル・インテグレータ３から出て転写面６上の領域Ｍ
ｌ ｋ照明する全光束は振幅分割されて受光手段７にと
りこまれている。その結果、転写面６上の領域Ｍ工の照
度の単純平均を表わす信号が受光手段７より出ることに
なり、この領域ではいわゆる平均測光となっている。
そして本実施例においてはハーフミラ−４ａをオプティ
カル・インテグレータ３と第１コンデンサレンズ５との
間に配置して転写面６上での照度分布の一様化を図って
いる。これは例えばハーフミラ−４息の透過率分布が有
効面全域にわたり一様でない場合であってもハーフミラ
−４ｍからの反射光束が第１コンデンサレンズ５を通過
し九後第２図体）Ｋ示すように各光束が重畳されて平均
化されるので転写面６上での照度分布の一様化が図れる
為である。
カル・インテグレータ３と第１コンデンサレンズ５との
間に配置して転写面６上での照度分布の一様化を図って
いる。これは例えばハーフミラ−４息の透過率分布が有
効面全域にわたり一様でない場合であってもハーフミラ
−４ｍからの反射光束が第１コンデンサレンズ５を通過
し九後第２図体）Ｋ示すように各光束が重畳されて平均
化されるので転写面６上での照度分布の一様化が図れる
為である。
仮りにハーフミラ−４ａｔ−第１コンデンサレンズ５と
転写面６との間に配置するとハーフミラ−４＆の透過率
分布のムラが転写面６上に直鍛反映してくるので好まし
くない。
転写面６との間に配置するとハーフミラ−４＆の透過率
分布のムラが転写面６上に直鍛反映してくるので好まし
くない。
又本実施例においては第２コリメーメーレンズ８の屈折
力を第１コリメーターレンズ５の屈折力に比べて強くし
ている。これによｐ 受光手段７の受光面を転写面６の
領域Ｍ０ より小さく（−小さな受光面を有する受光手
段により受光している。
力を第１コリメーターレンズ５の屈折力に比べて強くし
ている。これによｐ 受光手段７の受光面を転写面６の
領域Ｍ０ より小さく（−小さな受光面を有する受光手
段により受光している。
尚本実施例においては転写面６上の照度をより高晴度に
測光する為に受光手段７の表面に第２図（Ｃ）に示すよ
うな開口マスクＭ２ｔ−配置している。この開口マスク
Ｍ２の形状は転写面６０領域Ｍ工の形状すなわちクエへ
−の形状と同−若しくはコリメーターレンズ８が縮少系
であれば饋域Ｍ工の形状にその縮少率を掛は比相似形で
構成されている。
測光する為に受光手段７の表面に第２図（Ｃ）に示すよ
うな開口マスクＭ２ｔ−配置している。この開口マスク
Ｍ２の形状は転写面６０領域Ｍ工の形状すなわちクエへ
−の形状と同−若しくはコリメーターレンズ８が縮少系
であれば饋域Ｍ工の形状にその縮少率を掛は比相似形で
構成されている。
例えば領域Ｍ工が円形のときは開口マスクＭ２ も円
形となっている。これにより実質的に領域ＭＩＫ相当す
る範囲内を受光するようにしている。このように本実施
列においては開口マスクＭ２を用いることＫよりウェハ
ー面上の照度だけを正確に測定するようにし適切な露出
値を決定することを可能としている。
形となっている。これにより実質的に領域ＭＩＫ相当す
る範囲内を受光するようにしている。このように本実施
列においては開口マスクＭ２を用いることＫよりウェハ
ー面上の照度だけを正確に測定するようにし適切な露出
値を決定することを可能としている。
尚この開口マスクＭ２は受光手段７のｐ面でなくて領域
Ｍ０ と共役な面に配置するようにしても良い。又開口
マスクＭ２の開口部と同一の受光面を有する検出手段を
用いれば特に開口マスクＭ２ｔ−配置する必要はない。
Ｍ０ と共役な面に配置するようにしても良い。又開口
マスクＭ２の開口部と同一の受光面を有する検出手段を
用いれば特に開口マスクＭ２ｔ−配置する必要はない。
尚本実施例において転写面６上の領域Ｍ工と受光手段７
の開口マスクＭ２が共役関係にあるということは厳密に
共役関係にある必要はなく転写面６上の領域ＩＶＩＩＫ
相当する領域を実質的に測光することが出来る程度の共
役関係かわれば良い。
の開口マスクＭ２が共役関係にあるということは厳密に
共役関係にある必要はなく転写面６上の領域ＩＶＩＩＫ
相当する領域を実質的に測光することが出来る程度の共
役関係かわれば良い。
〈効 果〉
以上説明し几ように、本発明に従うと光源の位＋４変動
に対してはほとんど影響されず、しかも転写面照度の変
化に対しては高感度である露光監視装置付の露光装置が
得られ、適正な露光管理を可能にする。
に対してはほとんど影響されず、しかも転写面照度の変
化に対しては高感度である露光監視装置付の露光装置が
得られ、適正な露光管理を可能にする。
第１図は従来の露光装置の概略配置図、第２図（Ａ）
、 （Ｂ） 、 （Ｃ）は本実施列の概略配置図、図中
（５）は概略構成図、（Ｂ） 、 （Ｃ）は各々同図（
Ｎの一部分の説明囚で６る。 図中１ ）を光源、２は楕円面鏡、３はオプティカル・
インテグレータ、４Ｈ反射ミラー、４＆はハーフミラ−
１５，８は各々コンデンサレンズ、６は転写面、７け受
光手段、Ｍ２は開口マスク”ｌａ ”ｌｂ ’ Ｌｌｃ
け各々露光光束、Ｌ２ＩＬ２．”２ｂ ’ ”２ｃは各
々測光光束である。
、 （Ｂ） 、 （Ｃ）は本実施列の概略配置図、図中
（５）は概略構成図、（Ｂ） 、 （Ｃ）は各々同図（
Ｎの一部分の説明囚で６る。 図中１ ）を光源、２は楕円面鏡、３はオプティカル・
インテグレータ、４Ｈ反射ミラー、４＆はハーフミラ−
１５，８は各々コンデンサレンズ、６は転写面、７け受
光手段、Ｍ２は開口マスク”ｌａ ”ｌｂ ’ Ｌｌｃ
け各々露光光束、Ｌ２ＩＬ２．”２ｂ ’ ”２ｃは各
々測光光束である。
Claims (2)
- （１）光源からの光束をオプティカル・インテグレータ
と第１コリメーターレンズを通過させた後、マスク等の
原版を照射し、原版の像をウエハー等の感光材上に転写
させる露光装置において、前記オプティカル・インテグ
レータと前記第１コリメーターレンズとの間に振幅分割
器を配置し、前記振幅分割器により分割された光路中に
第２コリメーターレンズを配置し、前記第２コリメータ
ーレンズと前記第１コリメーターレンズに関して前記感
光材と共役な面上に受光手段を配置したことを特徴とす
る露光装置。 - （２）前記第２コリメーターレンズの屈折力を前記第１
コリメーターレンズの屈折力よりも強くしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59193032A JPS6172219A (ja) | 1984-09-15 | 1984-09-15 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59193032A JPS6172219A (ja) | 1984-09-15 | 1984-09-15 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6172219A true JPS6172219A (ja) | 1986-04-14 |
| JPH0347569B2 JPH0347569B2 (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=16301031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59193032A Granted JPS6172219A (ja) | 1984-09-15 | 1984-09-15 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6172219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105242500A (zh) * | 2015-11-10 | 2016-01-13 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻*** |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126073A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-02 | Hitachi Ltd | Pattern printing equpment made available by photo-etching method |
| JPS5859595A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-08 | 株式会社和廣武 | 人工光源装置 |
| JPS58196023A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-11-15 | フユ−ジヨン・システムズ・コ−ポレ−シヨン | 深紫外線フオトリトグラフイ−を達成する方法及び装置 |
-
1984
- 1984-09-15 JP JP59193032A patent/JPS6172219A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51126073A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-02 | Hitachi Ltd | Pattern printing equpment made available by photo-etching method |
| JPS5859595A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-08 | 株式会社和廣武 | 人工光源装置 |
| JPS58196023A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-11-15 | フユ−ジヨン・システムズ・コ−ポレ−シヨン | 深紫外線フオトリトグラフイ−を達成する方法及び装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105242500A (zh) * | 2015-11-10 | 2016-01-13 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻*** |
| CN105242500B (zh) * | 2015-11-10 | 2017-07-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻*** |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0347569B2 (ja) | 1991-07-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |