JPS6147632A - 荷電粒子ビ−ム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビ−ム描画方法Info
- Publication number
- JPS6147632A JPS6147632A JP16942484A JP16942484A JPS6147632A JP S6147632 A JPS6147632 A JP S6147632A JP 16942484 A JP16942484 A JP 16942484A JP 16942484 A JP16942484 A JP 16942484A JP S6147632 A JPS6147632 A JP S6147632A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- subfield
- pattern
- charged particle
- particle beam
- deflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ＬＳＩ等の半導体集積回路のパターンをマス
クやウェハの試料４；高速・高精度で描画する電子ビー
ム等の荷電粒子ビームによる描画方法に関するものであ
る。
クやウェハの試料４；高速・高精度で描画する電子ビー
ム等の荷電粒子ビームによる描画方法に関するものであ
る。
電子ビーム描画装置における描画方法ｆ二は主偏向（大
偏向）用偏向器と副偏向（小偏向）偏向器の組合わせに
よる所謂二重偏向方式を用いたものがある。
偏向）用偏向器と副偏向（小偏向）偏向器の組合わせに
よる所謂二重偏向方式を用いたものがある。
これは広い偏向走査領域を高速・高精度で描画するのに
必要なビット数の大きな応答性の速いＤ／Ａ変換器の入
手が困難なため、ビット数の大きいＤ／Ａ変換器で大偏
向領域の位置決めを行ない、ビット数は小さいが高速の
Ｄ／Ａ変換器で小偏向領域の位置決めを行なって、等測
的に偏向領域全体の位置決め速度を上げ、描画スループ
ットの向上を図ることを目的としている。従来の描画方
法例を第４図に示す。ここではサブフィールドを下段か
ら順次上段へと水平方向走査をサーペンタイン（蛇）状
に行ないながら描画を行なっている。このような従来の
描画方法によるパターン分割例を第５図ζ二示す。
必要なビット数の大きな応答性の速いＤ／Ａ変換器の入
手が困難なため、ビット数の大きいＤ／Ａ変換器で大偏
向領域の位置決めを行ない、ビット数は小さいが高速の
Ｄ／Ａ変換器で小偏向領域の位置決めを行なって、等測
的に偏向領域全体の位置決め速度を上げ、描画スループ
ットの向上を図ることを目的としている。従来の描画方
法例を第４図に示す。ここではサブフィールドを下段か
ら順次上段へと水平方向走査をサーペンタイン（蛇）状
に行ないながら描画を行なっている。このような従来の
描画方法によるパターン分割例を第５図ζ二示す。
しかしながら、このような従来の電子ビーム描画方法に
おいては一足のサブフィールド単位に描画データが分割
されて描画されるため、ＣＡＩ）などの設計システムか
ら出力されるパターンデータがザブフィールド単位ζ二
分割されたデータに展開されパターンデータ量が膨大に
なったり、分割されることによシ描画図形数が増加して
描画時間が長くなるなどの問題がちった。
おいては一足のサブフィールド単位に描画データが分割
されて描画されるため、ＣＡＩ）などの設計システムか
ら出力されるパターンデータがザブフィールド単位ζ二
分割されたデータに展開されパターンデータ量が膨大に
なったり、分割されることによシ描画図形数が増加して
描画時間が長くなるなどの問題がちった。
更にＬＳＩの急速な退歩でパターンの微細化およびパタ
ーンの図形数の増加によ多処理の時間も急増し、上記に
示す問題はよシ顕著に重われ、これが電子ビーム描画装
置の描画スループットを高める上で大きな問題となる。
ーンの図形数の増加によ多処理の時間も急増し、上記に
示す問題はよシ顕著に重われ、これが電子ビーム描画装
置の描画スループットを高める上で大きな問題となる。
本発明の目的は荷電粒子ビーム描画装置の従来の描画方
法における上η己のような問題を解決して描画図形数の
増加を抑制しスループットの向上をはか）得る荷電粒子
ビーム描画方法を提供すること１′−ある。
法における上η己のような問題を解決して描画図形数の
増加を抑制しスループットの向上をはか）得る荷電粒子
ビーム描画方法を提供すること１′−ある。
本発明の骨子は前ロ己すブフィールド描画−二際して隣
接サブフィールドにまたがる描画パターンの分割を最小
限にしてデータ量の増大を抑制すると共にスループット
および描画精襄を向上させることにある。
接サブフィールドにまたがる描画パターンの分割を最小
限にしてデータ量の増大を抑制すると共にスループット
および描画精襄を向上させることにある。
すなわち、本発明はＬＳＩのチップデータを荷電粒子光
学系の荷電粒子ビーム偏回幅に依存するフィールドに分
割し、更Ｃ二このフィールドを仮想的に基盤目状に配列
されたサブフィールドＣ二分割して、主偏向手段により
前記サブフィールドの位置を制御し、副偏向手段によ）
所望のノくターンを描画するという処理を繰り返し所望
領域全体のパターンを描画する二重偏向方式の荷電粒子
ビーム描画装置において、一つのサブフィールドと１ｉ
ｌＩ接サブフイールドにまたがるパターンを描画するに
際し、前記主偏向手段により該パターンを包含するサブ
フィールド領域となるような位置にサブフィールドを制
御すると共に副偏四手段によシ前記サブフィールドとま
たがる所望パターンを描画処理するというものである。
学系の荷電粒子ビーム偏回幅に依存するフィールドに分
割し、更Ｃ二このフィールドを仮想的に基盤目状に配列
されたサブフィールドＣ二分割して、主偏向手段により
前記サブフィールドの位置を制御し、副偏向手段によ）
所望のノくターンを描画するという処理を繰り返し所望
領域全体のパターンを描画する二重偏向方式の荷電粒子
ビーム描画装置において、一つのサブフィールドと１ｉ
ｌＩ接サブフイールドにまたがるパターンを描画するに
際し、前記主偏向手段により該パターンを包含するサブ
フィールド領域となるような位置にサブフィールドを制
御すると共に副偏四手段によシ前記サブフィールドとま
たがる所望パターンを描画処理するというものである。
本発明（−よればＣＡＤなどの設計システムから出力さ
れるパターンデータなサブフィールド単位のデータＣ二
展開するに際して、パターンデータが複数のサブフィー
ルドにまたがって存在するパターンについてもその分割
を著しく抑制することが可能−となシ、パターンデータ
量の圧縮をはかることができ、それに重ない描画時間の
短縮かはかシ得ると共にデータ処理時間を含めた大幅な
スループットの向上をはかることができる。
れるパターンデータなサブフィールド単位のデータＣ二
展開するに際して、パターンデータが複数のサブフィー
ルドにまたがって存在するパターンについてもその分割
を著しく抑制することが可能−となシ、パターンデータ
量の圧縮をはかることができ、それに重ない描画時間の
短縮かはかシ得ると共にデータ処理時間を含めた大幅な
スループットの向上をはかることができる。
以下本発明を実施例（；沿って説明する。第３図は本実
施例で用いられる装置の概略構成を示すブロック図であ
る。
施例で用いられる装置の概略構成を示すブロック図であ
る。
セルデータ１はセルデータバッファ２鴫−格納される、
描画データ８は描画データデコーダ９で解釈されセルデ
ータ名７がセルデータバッファ２に送られて指定のセル
データがセルデータバッファ２から読み出される。サブ
フィールド番号１０は主偏向器コントローラ１１に送ら
れ、オフセットデータ１４は副偏向器コントローラ１５
１：送られる。パターンデータデコーダ４はパターンデ
ータ３を解釈しサブフィールドの位置決めデータを主偏
向器ドライバ１２に送る。電子ビームは主偏向器１３で
指定のサブフィールド位置に偏向走査される。
描画データ８は描画データデコーダ９で解釈されセルデ
ータ名７がセルデータバッファ２に送られて指定のセル
データがセルデータバッファ２から読み出される。サブ
フィールド番号１０は主偏向器コントローラ１１に送ら
れ、オフセットデータ１４は副偏向器コントローラ１５
１：送られる。パターンデータデコーダ４はパターンデ
ータ３を解釈しサブフィールドの位置決めデータを主偏
向器ドライバ１２に送る。電子ビームは主偏向器１３で
指定のサブフィールド位置に偏向走査される。
副偏向器コントローラ１５は描画データデコーダ９から
オフセットデータ１４を、また造ルデータバツファ２か
らセルサイズ１８を受は取シ副偏向器走査のコントロー
ル信号を発生し、これを受けた副偏向器ドライバ１６は
副偏向信号を発生し、副偏向器１７によシサプフィール
ドでの図形描画位置の位置決めを行なうというものであ
る。
オフセットデータ１４を、また造ルデータバツファ２か
らセルサイズ１８を受は取シ副偏向器走査のコントロー
ル信号を発生し、これを受けた副偏向器ドライバ１６は
副偏向信号を発生し、副偏向器１７によシサプフィール
ドでの図形描画位置の位置決めを行なうというものであ
る。
第１図はこのような装置を用いて描画されるサブフィー
ルド単位に保持される描画パターンを表わしたものであ
る。ここで示される各サブフィールドデータをもとに描
画されるサブフィールド位置（主偏向位置）および描画
パターンを第２図（−示す。
ルド単位に保持される描画パターンを表わしたものであ
る。ここで示される各サブフィールドデータをもとに描
画されるサブフィールド位置（主偏向位置）および描画
パターンを第２図（−示す。
第１図で示すように描画パターンが隣接するサブフィー
ルドにまたがって存在する場合に該描画パターンのサブ
フィールドでの図形描画位置（パターンの中心位置）の
含まれるサブフィールドにデータを包含して、該パター
ンを描画するに際して上記図形描画位置に応じて前記主
偏向器コントローラ１１を介して主偏向器ドライバ１２
によりサブフィールド位置を該パターンを包含するサブ
フィールド領域に制御して、副偏向器コントローラ１５
を介して副偏向器ドライバ１６によシ仮想的なサブフィ
ールドでの図形描画位置の位置決めを行ないビームの形
状を制御してショット方式にて該パターンを描画するこ
とができる。
ルドにまたがって存在する場合に該描画パターンのサブ
フィールドでの図形描画位置（パターンの中心位置）の
含まれるサブフィールドにデータを包含して、該パター
ンを描画するに際して上記図形描画位置に応じて前記主
偏向器コントローラ１１を介して主偏向器ドライバ１２
によりサブフィールド位置を該パターンを包含するサブ
フィールド領域に制御して、副偏向器コントローラ１５
を介して副偏向器ドライバ１６によシ仮想的なサブフィ
ールドでの図形描画位置の位置決めを行ないビームの形
状を制御してショット方式にて該パターンを描画するこ
とができる。
以上の描画の結果、サブフィールドの分割によって生じ
るパターン図形数の増大を著しく抑制することができる
。つまシバターンデータ量の圧縮をはかることができる
と共に描画時間を短縮することができた。これらの結果
としてデータ処理時間を含めた大幅なスループットの向
上をはかシ得ると共に図形分割によシ生じる描画誤差要
因を低減することができた。
るパターン図形数の増大を著しく抑制することができる
。つまシバターンデータ量の圧縮をはかることができる
と共に描画時間を短縮することができた。これらの結果
としてデータ処理時間を含めた大幅なスループットの向
上をはかシ得ると共に図形分割によシ生じる描画誤差要
因を低減することができた。
本発明は上述した実施例に限定されるものではなくその
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。
第１図は本発明のサブフィールドデータにおける図形分
割方法を示す説明図、第２図は本発明のサブフィールド
位置と描画パターンの関係を示す説明図、第３図は本発
明（−使用する装置の一例を示すブロック図、第４図は
従来の描画方法を示す説明図、第５図は従来の図形の分
割方法を示す説明図である。 １・・・セルデータ、 ２・・・セルデータバッフ
ァ、３・・・パターンデータ、４・・・パターンデータ
デコー久５・・・可変ビーム成形器ドライバ、 ６・・・９変ビーム成形器、７・・・セルデータ名、８
・・・描画データ、 ９・・・描画データデコータ
゛、１０・・・サブフィールド番号、 １１・・・主偏
向器コントローラ、１２・・・主偏向器ドライバ、１３
・・・主偏向器、１４・・・オフセットデータ、 １５
・・・副偏向器コントローラ、１６・・・副偏向器ドラ
イバ、１７・・・副偏向器、１８・・・セルザイズ。 （７３１７） 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほ
か１名）第 １ 図 第 ２ 図 第 ４ 図 第 ５ し く（１） （ｂ）
割方法を示す説明図、第２図は本発明のサブフィールド
位置と描画パターンの関係を示す説明図、第３図は本発
明（−使用する装置の一例を示すブロック図、第４図は
従来の描画方法を示す説明図、第５図は従来の図形の分
割方法を示す説明図である。 １・・・セルデータ、 ２・・・セルデータバッフ
ァ、３・・・パターンデータ、４・・・パターンデータ
デコー久５・・・可変ビーム成形器ドライバ、 ６・・・９変ビーム成形器、７・・・セルデータ名、８
・・・描画データ、 ９・・・描画データデコータ
゛、１０・・・サブフィールド番号、 １１・・・主偏
向器コントローラ、１２・・・主偏向器ドライバ、１３
・・・主偏向器、１４・・・オフセットデータ、 １５
・・・副偏向器コントローラ、１６・・・副偏向器ドラ
イバ、１７・・・副偏向器、１８・・・セルザイズ。 （７３１７） 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほ
か１名）第 １ 図 第 ２ 図 第 ４ 図 第 ５ し く（１） （ｂ）
Claims (2)
- （１）ＬＳＩのチップデータを電子光学系の荷電粒子ビ
ーム偏向幅で決まる領域であるフィールドに分割し、更
にこのフィールドを仮想的に基盤目状に配列された微小
領域であるサブフィールドに分割して、主偏向手段によ
り前記サブフィールドの位置を制御し、副偏向手段によ
り所望のパターンを描画するという処理を練り返し所望
領域全体のパターンを描画する二重偏向方式の荷電粒子
ビーム描画装置において、一つのサブフィールドと隣接
するサブフィールドにまたがるパターンを描画するに際
し、前記主偏向手段により該パターンを包含するサブフ
イールド領域となるような位置にサブフィールドを制御
すると共に副偏向手段により前記サブフィールドにまた
がる所望パターンを描画処理するようにしたことを特徴
とする荷電粒子ビーム描画方法。 - （２）前記副偏向手段によるパターンの露光処理は電子
ビームの位置を制御すると共にビーム形状を制御してシ
ョット方式にて描画するようにしたものであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の荷電粒子ビーム描
画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16942484A JPS6147632A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 荷電粒子ビ−ム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16942484A JPS6147632A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 荷電粒子ビ−ム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6147632A true JPS6147632A (ja) | 1986-03-08 |
Family
ID=15886333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16942484A Pending JPS6147632A (ja) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | 荷電粒子ビ−ム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6147632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286310A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Nec Corp | 荷電ビーム露光方法 |
-
1984
- 1984-08-15 JP JP16942484A patent/JPS6147632A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286310A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Nec Corp | 荷電ビーム露光方法 |
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