JPS61276222A - X線露光アライメント方法 - Google Patents
X線露光アライメント方法Info
- Publication number
- JPS61276222A JPS61276222A JP60117118A JP11711885A JPS61276222A JP S61276222 A JPS61276222 A JP S61276222A JP 60117118 A JP60117118 A JP 60117118A JP 11711885 A JP11711885 A JP 11711885A JP S61276222 A JPS61276222 A JP S61276222A
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- JP
- Japan
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- ray
- single crystal
- rays
- ray mask
- scintillator
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明uX線露光アライメント方法に関し、特に、X線
マスクと半導体基板とのアライメント方法に関する。
マスクと半導体基板とのアライメント方法に関する。
従来、X線露光に於いて、X線マスクと半導体基板との
アライメント方法としてフレネル拳ゾーンープレートに
よる方法が知られ、例えば、ジャーナル・オブ・バキュ
ーム・サイエンス・アンド・チクノロシイ(Tourn
al of Vacuum 5cienceand T
echnology) IG 19巻、第4号、頁12
24(1981)にM、Feldman等が発表しテイ
ル。コノ方法にマスク、ウェーハ上にそれぞれ円型フレ
ネル−ゾーン・プレート・マークを形成し、このマーク
にレーザ光を照射し、マスク、ウェーハそれぞれからの
反射スポラトラ一致させ、マスク、つ工−ハ間のアライ
メント方法なう方法である。
アライメント方法としてフレネル拳ゾーンープレートに
よる方法が知られ、例えば、ジャーナル・オブ・バキュ
ーム・サイエンス・アンド・チクノロシイ(Tourn
al of Vacuum 5cienceand T
echnology) IG 19巻、第4号、頁12
24(1981)にM、Feldman等が発表しテイ
ル。コノ方法にマスク、ウェーハ上にそれぞれ円型フレ
ネル−ゾーン・プレート・マークを形成し、このマーク
にレーザ光を照射し、マスク、ウェーハそれぞれからの
反射スポラトラ一致させ、マスク、つ工−ハ間のアライ
メント方法なう方法である。
上述した従来のX線露光アライメント法ではX線マスク
及び半導体基板上に同心円パターンであるフレネル・シ
ー70プレート・マーク全形成しなければならない。X
Iw!マスクの作製には、精度的な要求から電子ビーム
1描あるいに集束イオンビームが用いられる。しかしな
がら電子ビーム直描あるいは集束イオンビームを用いた
描画ではビームt−X、Yの直交する2万回にしか走査
する事が出来ない。このため、円型パターンを描画する
ためには、円を小さな矩形の集合による近似パターンと
して描画しなければならない。円を小さな矩形の集合に
近似すると、描画時のデータ数が膨大になり、データ取
り扱いが複雑になるばかりか、描画I/c要する時間も
莫大なものになってしまうという欠点がある。また、フ
レネルゾーン・プレート・マークが近似パターンとなる
ためマスク、ウェーハ間のアライメント精度が劣化する
という欠点がある。
及び半導体基板上に同心円パターンであるフレネル・シ
ー70プレート・マーク全形成しなければならない。X
Iw!マスクの作製には、精度的な要求から電子ビーム
1描あるいに集束イオンビームが用いられる。しかしな
がら電子ビーム直描あるいは集束イオンビームを用いた
描画ではビームt−X、Yの直交する2万回にしか走査
する事が出来ない。このため、円型パターンを描画する
ためには、円を小さな矩形の集合による近似パターンと
して描画しなければならない。円を小さな矩形の集合に
近似すると、描画時のデータ数が膨大になり、データ取
り扱いが複雑になるばかりか、描画I/c要する時間も
莫大なものになってしまうという欠点がある。また、フ
レネルゾーン・プレート・マークが近似パターンとなる
ためマスク、ウェーハ間のアライメント精度が劣化する
という欠点がある。
本発明は、アライメントマークを容易に形成でき、かつ
アライメント精度の優れtX線露光アライメント方法を
提供することを目的とする。
アライメント精度の優れtX線露光アライメント方法を
提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のX線露光アライメント方法は、X線マスク内に
形成した直径数■以下の第1の単結晶に対し、細くかつ
前記8I!1の単結晶が完浴する寸法に絞っt単一波長
の平行X線を前記第一の単結晶が完浴する様照射し、前
記第1の単結晶からのある特定の指数(hkl)に対応
する回折xit−シンチレータ−によって位置検出し、
更に、半導体基板内に形成された直径数置以下の第2の
単結晶に対し前記X線を照射し、前記第2の単結晶から
の特定の指数(h’ k’ t’ )に対応する回折X
線を前記シンチレーターに1って位置検出し、X線マス
ク及び半導体基板間の位置合わせ5間隔調整を行なうこ
とにより構成される。
形成した直径数■以下の第1の単結晶に対し、細くかつ
前記8I!1の単結晶が完浴する寸法に絞っt単一波長
の平行X線を前記第一の単結晶が完浴する様照射し、前
記第1の単結晶からのある特定の指数(hkl)に対応
する回折xit−シンチレータ−によって位置検出し、
更に、半導体基板内に形成された直径数置以下の第2の
単結晶に対し前記X線を照射し、前記第2の単結晶から
の特定の指数(h’ k’ t’ )に対応する回折X
線を前記シンチレーターに1って位置検出し、X線マス
ク及び半導体基板間の位置合わせ5間隔調整を行なうこ
とにより構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
wX1図は本発明の一実施例を説明するための原理図で
ある。
ある。
第1図に示すように、X線マスクに露光波長領域のX線
を透過する膜であるシリコン窒化膜1、露光すべきパタ
ーンに対応しtX線全吸収するX線吸収体である金パタ
ーン2及びこれらを支持するための支持部3工9構取さ
れている。X線マスクに通常8i基板を加ニレ作製これ
る。即ち、Si基板上にシリコン窒化膜1及び金パター
ン2が形成された後、SN基板に支持部3を残してエツ
チング除去される。このSt基板のエツチング除去時、
SN基板の一部を適当な方法により残し、アライメント
マーク4t−形成する。アライメントマーク4は、アラ
イメントに用いるX線強度により適当な大きさに選択す
るが通常100〜1000μ慣程度である。又、アライ
メントマーク4は露光時、障害とならない様にシリコン
窒化膜1に対し、金パターン2の裏側に配置する。アラ
イメントマーク4は1枚のX線マスクに3ケ所以上ある
のが望ましい。半導体基板5にはエツチング処理に工っ
で、Si単結晶のアライメントマーク6が形成されてい
る。アライメントはまずアライメントマーク4にアライ
メントマーク4が完浴する寸法にコリメートされた単一
波長のX線9を照射する。単結晶に単一波長のX線全照
射するとブラッグの条件を満足する方向に反射が生じる
。本実施例ではアライメントマーク4の結晶方位は、半
導体基板を利用しているため半導体基板と同じで既知で
あり反射が生じる方向に計算に工9すでにわかっている
。ゆえに適当な反射11t−選び、シンチレータ−13
1Cより測定する。X線マスク上の3点のアライメント
マークについて、この反射を測定すれば3次元的な位置
が求まる。次にウェーハについてもX線マスクと同様に
X線10を1ライメントマーク61C照射し、適当な反
射12t−シンチレータ131Cより測定する。これ七
ウェーハ上3点について行ない3次元的な位[−決定す
る。以上エフ、X線マスクとウェーハとの位置関係を測
定し、最適の位置及び間隔になる様アライメント精度な
う。
を透過する膜であるシリコン窒化膜1、露光すべきパタ
ーンに対応しtX線全吸収するX線吸収体である金パタ
ーン2及びこれらを支持するための支持部3工9構取さ
れている。X線マスクに通常8i基板を加ニレ作製これ
る。即ち、Si基板上にシリコン窒化膜1及び金パター
ン2が形成された後、SN基板に支持部3を残してエツ
チング除去される。このSt基板のエツチング除去時、
SN基板の一部を適当な方法により残し、アライメント
マーク4t−形成する。アライメントマーク4は、アラ
イメントに用いるX線強度により適当な大きさに選択す
るが通常100〜1000μ慣程度である。又、アライ
メントマーク4は露光時、障害とならない様にシリコン
窒化膜1に対し、金パターン2の裏側に配置する。アラ
イメントマーク4は1枚のX線マスクに3ケ所以上ある
のが望ましい。半導体基板5にはエツチング処理に工っ
で、Si単結晶のアライメントマーク6が形成されてい
る。アライメントはまずアライメントマーク4にアライ
メントマーク4が完浴する寸法にコリメートされた単一
波長のX線9を照射する。単結晶に単一波長のX線全照
射するとブラッグの条件を満足する方向に反射が生じる
。本実施例ではアライメントマーク4の結晶方位は、半
導体基板を利用しているため半導体基板と同じで既知で
あり反射が生じる方向に計算に工9すでにわかっている
。ゆえに適当な反射11t−選び、シンチレータ−13
1Cより測定する。X線マスク上の3点のアライメント
マークについて、この反射を測定すれば3次元的な位置
が求まる。次にウェーハについてもX線マスクと同様に
X線10を1ライメントマーク61C照射し、適当な反
射12t−シンチレータ131Cより測定する。これ七
ウェーハ上3点について行ない3次元的な位[−決定す
る。以上エフ、X線マスクとウェーハとの位置関係を測
定し、最適の位置及び間隔になる様アライメント精度な
う。
なお、アライメントマークは単結晶であれば材質になん
でもよく、さらに5本実施例でにアライメントマークを
ウェーハ裏面に形成したが、表面に形成しても同様の効
果がある。
でもよく、さらに5本実施例でにアライメントマークを
ウェーハ裏面に形成したが、表面に形成しても同様の効
果がある。
以上説明した様に本発明に工れば、アライメントマーク
形成に於いて複雑かつ膨大なデータの取り扱い、莫大な
時間を要することなく、まt1近似アライメントマーク
によるアライメント精度の劣化がなく単純な工程vcよ
る単純なアライメントマーク形成により、高精匿のアラ
イメントが行なわれる。従って製造工程の作業性が向上
し、高品質の半導体上安価に提供できるという効果があ
る。
形成に於いて複雑かつ膨大なデータの取り扱い、莫大な
時間を要することなく、まt1近似アライメントマーク
によるアライメント精度の劣化がなく単純な工程vcよ
る単純なアライメントマーク形成により、高精匿のアラ
イメントが行なわれる。従って製造工程の作業性が向上
し、高品質の半導体上安価に提供できるという効果があ
る。
第1図は本発明のX線露光アライメント方法を説明する
ための原浬図である。 1・・・・・・X線透過膜(シリコン窒化膜)、2・・
・・・・X線吸収体(金パターン)、3・・・・・・支
持部、4・・・・・・マスク側アライメントマーク、5
・・・・・・半導体基板、6・・・・・・半導体基板側
アライメントマーク、7・・・・・・X線透過膜、訃・
・・・・X線感光膜、9・・・・・・X@、10・・・
・・・X線、11・・・・・・回折X線、12・・・・
・・回折X1fIjA113・・・・・・シンチレータ
−0 ¥−1狐 手続補正書(自発)
ための原浬図である。 1・・・・・・X線透過膜(シリコン窒化膜)、2・・
・・・・X線吸収体(金パターン)、3・・・・・・支
持部、4・・・・・・マスク側アライメントマーク、5
・・・・・・半導体基板、6・・・・・・半導体基板側
アライメントマーク、7・・・・・・X線透過膜、訃・
・・・・X線感光膜、9・・・・・・X@、10・・・
・・・X線、11・・・・・・回折X線、12・・・・
・・回折X1fIjA113・・・・・・シンチレータ
−0 ¥−1狐 手続補正書(自発)
Claims (1)
- X線マスク内に形成した直径数mm以下の第1の単結晶
に対し、細くかつ前記第1の単結晶が完浴する寸法に絞
った単一波長の平行X線を前記第一の単結晶が完浴する
様照射し、前記第1の単結晶からのある特定の指数(h
kl)に対応する回折X線をシンチレーターによって位
置検出し、更に、半導体基板内に形成された直径数mm
以下の第2の単結晶に対し前記X線を照射し、前記第2
の単結晶からの特定の指数(h′k′l′)に対応する
回折X線を前記シンチレーターによって位置検出し、X
線マスク及び半導体基板間の位置合わせ、間隔調整を行
なうことを特徴とするX線露光アライメント方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60117118A JPS61276222A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | X線露光アライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60117118A JPS61276222A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | X線露光アライメント方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61276222A true JPS61276222A (ja) | 1986-12-06 |
JPH0421333B2 JPH0421333B2 (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=14703870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60117118A Granted JPS61276222A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | X線露光アライメント方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61276222A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01282817A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH04247613A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-03 | Soltec:Kk | X線マスクアライメント方法及びその装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53148285A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-23 | Siemens Ag | Method of relatively positioning projecting mask and semiconductor wafer |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP60117118A patent/JPS61276222A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53148285A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-23 | Siemens Ag | Method of relatively positioning projecting mask and semiconductor wafer |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01282817A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH04247613A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-03 | Soltec:Kk | X線マスクアライメント方法及びその装置 |
JPH0797551B2 (ja) * | 1991-02-01 | 1995-10-18 | 株式会社ソルテック | X線マスクアラインメント方法及びその装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0421333B2 (ja) | 1992-04-09 |
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