JPS61276222A - Ｘ線露光アライメント方法 - Google Patents
Ｘ線露光アライメント方法Info
- Publication number
- JPS61276222A JPS61276222A JP60117118A JP11711885A JPS61276222A JP S61276222 A JPS61276222 A JP S61276222A JP 60117118 A JP60117118 A JP 60117118A JP 11711885 A JP11711885 A JP 11711885A JP S61276222 A JPS61276222 A JP S61276222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- single crystal
- rays
- ray mask
- scintillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明ｕＸ線露光アライメント方法に関し、特に、Ｘ線
マスクと半導体基板とのアライメント方法に関する。
マスクと半導体基板とのアライメント方法に関する。
従来、Ｘ線露光に於いて、Ｘ線マスクと半導体基板との
アライメント方法としてフレネル拳ゾーンープレートに
よる方法が知られ、例えば、ジャーナル・オブ・バキュ
ーム・サイエンス・アンド・チクノロシイ（Ｔｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ） ＩＧ １９巻、第４号、頁１２
２４（１９８１）にＭ、Ｆｅｌｄｍａｎ等が発表しテイ
ル。コノ方法にマスク、ウェーハ上にそれぞれ円型フレ
ネル−ゾーン・プレート・マークを形成し、このマーク
にレーザ光を照射し、マスク、ウェーハそれぞれからの
反射スポラトラ一致させ、マスク、つ工−ハ間のアライ
メント方法なう方法である。
アライメント方法としてフレネル拳ゾーンープレートに
よる方法が知られ、例えば、ジャーナル・オブ・バキュ
ーム・サイエンス・アンド・チクノロシイ（Ｔｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ） ＩＧ １９巻、第４号、頁１２
２４（１９８１）にＭ、Ｆｅｌｄｍａｎ等が発表しテイ
ル。コノ方法にマスク、ウェーハ上にそれぞれ円型フレ
ネル−ゾーン・プレート・マークを形成し、このマーク
にレーザ光を照射し、マスク、ウェーハそれぞれからの
反射スポラトラ一致させ、マスク、つ工−ハ間のアライ
メント方法なう方法である。
上述した従来のＸ線露光アライメント法ではＸ線マスク
及び半導体基板上に同心円パターンであるフレネル・シ
ー７０プレート・マーク全形成しなければならない。Ｘ
Ｉｗ！マスクの作製には、精度的な要求から電子ビーム
１描あるいに集束イオンビームが用いられる。しかしな
がら電子ビーム直描あるいは集束イオンビームを用いた
描画ではビームｔ−Ｘ、Ｙの直交する２万回にしか走査
する事が出来ない。このため、円型パターンを描画する
ためには、円を小さな矩形の集合による近似パターンと
して描画しなければならない。円を小さな矩形の集合に
近似すると、描画時のデータ数が膨大になり、データ取
り扱いが複雑になるばかりか、描画Ｉ／ｃ要する時間も
莫大なものになってしまうという欠点がある。また、フ
レネルゾーン・プレート・マークが近似パターンとなる
ためマスク、ウェーハ間のアライメント精度が劣化する
という欠点がある。
及び半導体基板上に同心円パターンであるフレネル・シ
ー７０プレート・マーク全形成しなければならない。Ｘ
Ｉｗ！マスクの作製には、精度的な要求から電子ビーム
１描あるいに集束イオンビームが用いられる。しかしな
がら電子ビーム直描あるいは集束イオンビームを用いた
描画ではビームｔ−Ｘ、Ｙの直交する２万回にしか走査
する事が出来ない。このため、円型パターンを描画する
ためには、円を小さな矩形の集合による近似パターンと
して描画しなければならない。円を小さな矩形の集合に
近似すると、描画時のデータ数が膨大になり、データ取
り扱いが複雑になるばかりか、描画Ｉ／ｃ要する時間も
莫大なものになってしまうという欠点がある。また、フ
レネルゾーン・プレート・マークが近似パターンとなる
ためマスク、ウェーハ間のアライメント精度が劣化する
という欠点がある。
本発明は、アライメントマークを容易に形成でき、かつ
アライメント精度の優れｔＸ線露光アライメント方法を
提供することを目的とする。
アライメント精度の優れｔＸ線露光アライメント方法を
提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のＸ線露光アライメント方法は、Ｘ線マスク内に
形成した直径数■以下の第１の単結晶に対し、細くかつ
前記８Ｉ！１の単結晶が完浴する寸法に絞っｔ単一波長
の平行Ｘ線を前記第一の単結晶が完浴する様照射し、前
記第１の単結晶からのある特定の指数（ｈｋｌ）に対応
する回折ｘｉｔ−シンチレータ−によって位置検出し、
更に、半導体基板内に形成された直径数置以下の第２の
単結晶に対し前記Ｘ線を照射し、前記第２の単結晶から
の特定の指数（ｈ’ ｋ’ ｔ’ ）に対応する回折Ｘ
線を前記シンチレーターに１って位置検出し、Ｘ線マス
ク及び半導体基板間の位置合わせ５間隔調整を行なうこ
とにより構成される。
形成した直径数■以下の第１の単結晶に対し、細くかつ
前記８Ｉ！１の単結晶が完浴する寸法に絞っｔ単一波長
の平行Ｘ線を前記第一の単結晶が完浴する様照射し、前
記第１の単結晶からのある特定の指数（ｈｋｌ）に対応
する回折ｘｉｔ−シンチレータ−によって位置検出し、
更に、半導体基板内に形成された直径数置以下の第２の
単結晶に対し前記Ｘ線を照射し、前記第２の単結晶から
の特定の指数（ｈ’ ｋ’ ｔ’ ）に対応する回折Ｘ
線を前記シンチレーターに１って位置検出し、Ｘ線マス
ク及び半導体基板間の位置合わせ５間隔調整を行なうこ
とにより構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
ｗＸ１図は本発明の一実施例を説明するための原理図で
ある。
ある。
第１図に示すように、Ｘ線マスクに露光波長領域のＸ線
を透過する膜であるシリコン窒化膜１、露光すべきパタ
ーンに対応しｔＸ線全吸収するＸ線吸収体である金パタ
ーン２及びこれらを支持するための支持部３工９構取さ
れている。Ｘ線マスクに通常８ｉ基板を加ニレ作製これ
る。即ち、Ｓｉ基板上にシリコン窒化膜１及び金パター
ン２が形成された後、ＳＮ基板に支持部３を残してエツ
チング除去される。このＳｔ基板のエツチング除去時、
ＳＮ基板の一部を適当な方法により残し、アライメント
マーク４ｔ−形成する。アライメントマーク４は、アラ
イメントに用いるＸ線強度により適当な大きさに選択す
るが通常１００〜１０００μ慣程度である。又、アライ
メントマーク４は露光時、障害とならない様にシリコン
窒化膜１に対し、金パターン２の裏側に配置する。アラ
イメントマーク４は１枚のＸ線マスクに３ケ所以上ある
のが望ましい。半導体基板５にはエツチング処理に工っ
で、Ｓｉ単結晶のアライメントマーク６が形成されてい
る。アライメントはまずアライメントマーク４にアライ
メントマーク４が完浴する寸法にコリメートされた単一
波長のＸ線９を照射する。単結晶に単一波長のＸ線全照
射するとブラッグの条件を満足する方向に反射が生じる
。本実施例ではアライメントマーク４の結晶方位は、半
導体基板を利用しているため半導体基板と同じで既知で
あり反射が生じる方向に計算に工９すでにわかっている
。ゆえに適当な反射１１ｔ−選び、シンチレータ−１３
１Ｃより測定する。Ｘ線マスク上の３点のアライメント
マークについて、この反射を測定すれば３次元的な位置
が求まる。次にウェーハについてもＸ線マスクと同様に
Ｘ線１０を１ライメントマーク６１Ｃ照射し、適当な反
射１２ｔ−シンチレータ１３１Ｃより測定する。これ七
ウェーハ上３点について行ない３次元的な位［−決定す
る。以上エフ、Ｘ線マスクとウェーハとの位置関係を測
定し、最適の位置及び間隔になる様アライメント精度な
う。
を透過する膜であるシリコン窒化膜１、露光すべきパタ
ーンに対応しｔＸ線全吸収するＸ線吸収体である金パタ
ーン２及びこれらを支持するための支持部３工９構取さ
れている。Ｘ線マスクに通常８ｉ基板を加ニレ作製これ
る。即ち、Ｓｉ基板上にシリコン窒化膜１及び金パター
ン２が形成された後、ＳＮ基板に支持部３を残してエツ
チング除去される。このＳｔ基板のエツチング除去時、
ＳＮ基板の一部を適当な方法により残し、アライメント
マーク４ｔ−形成する。アライメントマーク４は、アラ
イメントに用いるＸ線強度により適当な大きさに選択す
るが通常１００〜１０００μ慣程度である。又、アライ
メントマーク４は露光時、障害とならない様にシリコン
窒化膜１に対し、金パターン２の裏側に配置する。アラ
イメントマーク４は１枚のＸ線マスクに３ケ所以上ある
のが望ましい。半導体基板５にはエツチング処理に工っ
で、Ｓｉ単結晶のアライメントマーク６が形成されてい
る。アライメントはまずアライメントマーク４にアライ
メントマーク４が完浴する寸法にコリメートされた単一
波長のＸ線９を照射する。単結晶に単一波長のＸ線全照
射するとブラッグの条件を満足する方向に反射が生じる
。本実施例ではアライメントマーク４の結晶方位は、半
導体基板を利用しているため半導体基板と同じで既知で
あり反射が生じる方向に計算に工９すでにわかっている
。ゆえに適当な反射１１ｔ−選び、シンチレータ−１３
１Ｃより測定する。Ｘ線マスク上の３点のアライメント
マークについて、この反射を測定すれば３次元的な位置
が求まる。次にウェーハについてもＸ線マスクと同様に
Ｘ線１０を１ライメントマーク６１Ｃ照射し、適当な反
射１２ｔ−シンチレータ１３１Ｃより測定する。これ七
ウェーハ上３点について行ない３次元的な位［−決定す
る。以上エフ、Ｘ線マスクとウェーハとの位置関係を測
定し、最適の位置及び間隔になる様アライメント精度な
う。
なお、アライメントマークは単結晶であれば材質になん
でもよく、さらに５本実施例でにアライメントマークを
ウェーハ裏面に形成したが、表面に形成しても同様の効
果がある。
でもよく、さらに５本実施例でにアライメントマークを
ウェーハ裏面に形成したが、表面に形成しても同様の効
果がある。
以上説明した様に本発明に工れば、アライメントマーク
形成に於いて複雑かつ膨大なデータの取り扱い、莫大な
時間を要することなく、まｔ１近似アライメントマーク
によるアライメント精度の劣化がなく単純な工程ｖｃよ
る単純なアライメントマーク形成により、高精匿のアラ
イメントが行なわれる。従って製造工程の作業性が向上
し、高品質の半導体上安価に提供できるという効果があ
る。
形成に於いて複雑かつ膨大なデータの取り扱い、莫大な
時間を要することなく、まｔ１近似アライメントマーク
によるアライメント精度の劣化がなく単純な工程ｖｃよ
る単純なアライメントマーク形成により、高精匿のアラ
イメントが行なわれる。従って製造工程の作業性が向上
し、高品質の半導体上安価に提供できるという効果があ
る。
第１図は本発明のＸ線露光アライメント方法を説明する
ための原浬図である。 １・・・・・・Ｘ線透過膜（シリコン窒化膜）、２・・
・・・・Ｘ線吸収体（金パターン）、３・・・・・・支
持部、４・・・・・・マスク側アライメントマーク、５
・・・・・・半導体基板、６・・・・・・半導体基板側
アライメントマーク、７・・・・・・Ｘ線透過膜、訃・
・・・・Ｘ線感光膜、９・・・・・・Ｘ＠、１０・・・
・・・Ｘ線、１１・・・・・・回折Ｘ線、１２・・・・
・・回折Ｘ１ｆＩｊＡ１１３・・・・・・シンチレータ
−０ ￥−１狐 手続補正書（自発）
ための原浬図である。 １・・・・・・Ｘ線透過膜（シリコン窒化膜）、２・・
・・・・Ｘ線吸収体（金パターン）、３・・・・・・支
持部、４・・・・・・マスク側アライメントマーク、５
・・・・・・半導体基板、６・・・・・・半導体基板側
アライメントマーク、７・・・・・・Ｘ線透過膜、訃・
・・・・Ｘ線感光膜、９・・・・・・Ｘ＠、１０・・・
・・・Ｘ線、１１・・・・・・回折Ｘ線、１２・・・・
・・回折Ｘ１ｆＩｊＡ１１３・・・・・・シンチレータ
−０ ￥−１狐 手続補正書（自発）
Claims (1)
- Ｘ線マスク内に形成した直径数ｍｍ以下の第１の単結晶
に対し、細くかつ前記第１の単結晶が完浴する寸法に絞
った単一波長の平行Ｘ線を前記第一の単結晶が完浴する
様照射し、前記第１の単結晶からのある特定の指数（ｈ
ｋｌ）に対応する回折Ｘ線をシンチレーターによって位
置検出し、更に、半導体基板内に形成された直径数ｍｍ
以下の第２の単結晶に対し前記Ｘ線を照射し、前記第２
の単結晶からの特定の指数（ｈ′ｋ′ｌ′）に対応する
回折Ｘ線を前記シンチレーターによって位置検出し、Ｘ
線マスク及び半導体基板間の位置合わせ、間隔調整を行
なうことを特徴とするＸ線露光アライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117118A JPS61276222A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | Ｘ線露光アライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117118A JPS61276222A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | Ｘ線露光アライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276222A true JPS61276222A (ja) | 1986-12-06 |
| JPH0421333B2 JPH0421333B2 (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=14703870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60117118A Granted JPS61276222A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | Ｘ線露光アライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282817A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH04247613A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-03 | Soltec:Kk | Ｘ線マスクアライメント方法及びその装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53148285A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-23 | Siemens Ag | Method of relatively positioning projecting mask and semiconductor wafer |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP60117118A patent/JPS61276222A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53148285A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-23 | Siemens Ag | Method of relatively positioning projecting mask and semiconductor wafer |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282817A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH04247613A (ja) * | 1991-02-01 | 1992-09-03 | Soltec:Kk | Ｘ線マスクアライメント方法及びその装置 |
| JPH0797551B2 (ja) * | 1991-02-01 | 1995-10-18 | 株式会社ソルテック | Ｘ線マスクアラインメント方法及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0421333B2 (ja) | 1992-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5553110A (en) | X-ray mask structure, process for production thereof, apparatus and method for X-ray exposure with the X-ray mask structure, and semiconductor device produced by the X-ray exposure method | |
| CA1093297A (en) | Plate aligning | |
| CN101339962A (zh) | 辐射检测器及其制造方法和包含辐射检测器的光刻设备 | |
| US3984680A (en) | Soft X-ray mask alignment system | |
| US4187431A (en) | Method for the adjustment of a semiconductor disc relative to a radiation mask in X-ray photolithography | |
| US4176281A (en) | Method for adjusting a semiconductor disk relative to a radiation mask in x-ray photolithography | |
| JP2002231620A (ja) | 整列マーク並びにこれを用いた露光整列システム及び整列方法 | |
| US4939052A (en) | X-ray exposure mask | |
| JP2751718B2 (ja) | 露出マスク | |
| US5375157A (en) | X-ray mask structure and a production method thereof, an exposure method using the X-ray mask structure, and a device fabricated by using the X-ray mask structure | |
| JPS63140989A (ja) | 位置決め装置 | |
| JPS61276222A (ja) | Ｘ線露光アライメント方法 | |
| JPH0694401A (ja) | 光の反射により光学的に読み取られる測微尺とその製造方法 | |
| JP3051099B2 (ja) | マーク基板，マーク基板の製造方法，電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画装置の光学系の調整方法 | |
| US20040135232A1 (en) | Semiconductor wafer and method of marking a crystallographic direction on a semiconductor wafer | |
| JP2890588B2 (ja) | 膜厚の測定方法 | |
| JPH0670960B2 (ja) | ブラインド装置 | |
| JP3131037B2 (ja) | 軟ｘ線透過性材料の屈折率測定方法 | |
| JPH053148A (ja) | Ｘ線マスクおよびｘ線マスクの製造方法およびｘ線マスクを使つた露光方法 | |
| JPH0719742B2 (ja) | マスク位置合わせ方法 | |
| JPS6229139A (ja) | パタ−ン転写用マスクおよび使用方法 | |
| JPS60214531A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPS6120329A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS61185929A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| JPH07130645A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びそれを用いたｘ線露光装置 |