JPS61164640A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS61164640A JPS61164640A JP658885A JP658885A JPS61164640A JP S61164640 A JPS61164640 A JP S61164640A JP 658885 A JP658885 A JP 658885A JP 658885 A JP658885 A JP 658885A JP S61164640 A JPS61164640 A JP S61164640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tank
- substrate
- light
- light source
- focal point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
- F21V7/04—Optical design
- F21V7/08—Optical design with elliptical curvature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は光分解により原料ガスを分解し、分解により
生成された活性種を基板に堆積させて薄膜を形成する光
ＣＶＤ装置装置間するものである。
生成された活性種を基板に堆積させて薄膜を形成する光
ＣＶＤ装置装置間するものである。
この種の光ＣＶＤ装置として、従来用いられてきた装置
を第４図に示す。電源１に接続された水銀ランプ２を紫
外（以下ＵＶとかく）光源とし、このＵＶ光を反応槽３
の一部に取付けられた透明窓４を介して反応槽３内に置
かれた基板５上に照射する。基板５をサセプタ６内に設
けられたヒータ７で加熱しつつ例えば原料ガスとしてシ
ラン（８ｉＨ，）やシラン（８ｉ、Ｈ・）を供給すると
、この方法により基板５上にアモルファスシリコン膜を
形成することができる。
を第４図に示す。電源１に接続された水銀ランプ２を紫
外（以下ＵＶとかく）光源とし、このＵＶ光を反応槽３
の一部に取付けられた透明窓４を介して反応槽３内に置
かれた基板５上に照射する。基板５をサセプタ６内に設
けられたヒータ７で加熱しつつ例えば原料ガスとしてシ
ラン（８ｉＨ，）やシラン（８ｉ、Ｈ・）を供給すると
、この方法により基板５上にアモルファスシリコン膜を
形成することができる。
ところが、このような光ＣＶＤ装置では基板上に薄膜が
堆積されると同時化窓４にも膜が形成されてしまい、照
射を開始してしばらくすると窓を通過する光量が次第に
減少し、基板上に形成される膜の成長速度は低下してし
まうという欠点があった。こうした窓への付着を減少さ
せるため、窓の内側表面に拡散ポンプ用のオイルを塗る
という方法も用いられているが、成膜中にオイルが蒸発
Ｕ長時間成膜をしていると次第に窓が健ってくるという
問題は完全には解決されない。
堆積されると同時化窓４にも膜が形成されてしまい、照
射を開始してしばらくすると窓を通過する光量が次第に
減少し、基板上に形成される膜の成長速度は低下してし
まうという欠点があった。こうした窓への付着を減少さ
せるため、窓の内側表面に拡散ポンプ用のオイルを塗る
という方法も用いられているが、成膜中にオイルが蒸発
Ｕ長時間成膜をしていると次第に窓が健ってくるという
問題は完全には解決されない。
この熱間は上記従来の装置にみられる欠点を改善し、か
つ基板上の膜の成長速度を向上させるべくなされたもの
である。
つ基板上の膜の成長速度を向上させるべくなされたもの
である。
この発明は細円柱面あるいは楕円体面を成す反射器を用
い、その楕円の持つ二つの焦点の一方に光源を、もう一
方の側に透明な反応槽をそれぞれ置き、その反応槽内に
置かれた基板をほぼその焦点上に配置すること番こより
、光源から出た光をできる限り損失なく基板上に集光さ
せようとするものである。
い、その楕円の持つ二つの焦点の一方に光源を、もう一
方の側に透明な反応槽をそれぞれ置き、その反応槽内に
置かれた基板をほぼその焦点上に配置すること番こより
、光源から出た光をできる限り損失なく基板上に集光さ
せようとするものである。
第１図はこの発明の一実施例の斜視図、第２図はその断
面図を示す。適当な材料、例えばステンレスやアルミニ
ウム板をほぼ相同柱面となるように加工し、この内面に
短波長の光に対して良い反射率を持つ金属（例えばアル
ミニウム）をメッキあるいは蒸着により塗付し、反射器
１１を作成する。この相同性が持つ二つの焦点軸上の一
方に光源１３を、もう一方に反応槽１２内に置かれた基
板５を配置する。
面図を示す。適当な材料、例えばステンレスやアルミニ
ウム板をほぼ相同柱面となるように加工し、この内面に
短波長の光に対して良い反射率を持つ金属（例えばアル
ミニウム）をメッキあるいは蒸着により塗付し、反射器
１１を作成する。この相同性が持つ二つの焦点軸上の一
方に光源１３を、もう一方に反応槽１２内に置かれた基
板５を配置する。
反応槽１２としては石英ガラス管のような短波長の光に
対して透過率の大きなものを用い、その沖にヒーター７
を仕込んだサセプタ６および基板５を置く。また原料ガ
スを供給するためのガス導入部１４及び真空排気部（図
示せず）も反応槽１２の一部に組込まれている。光源１
３としては例えば水銀ランプから発せられるＵＶ光を用
い、これを楕円の一方の焦点に反射板１５と共に固定す
る。
対して透過率の大きなものを用い、その沖にヒーター７
を仕込んだサセプタ６および基板５を置く。また原料ガ
スを供給するためのガス導入部１４及び真空排気部（図
示せず）も反応槽１２の一部に組込まれている。光源１
３としては例えば水銀ランプから発せられるＵＶ光を用
い、これを楕円の一方の焦点に反射板１５と共に固定す
る。
細円反射器の性質として、一方の焦点から出た光はすべ
てもう一方の焦点に集結されるため、光源と相対する焦
点の近傍では原料ガスの光分解が活発に起こる。このた
め基板をこの焦点付近に置けば、大きな成膜速度が得ら
れる。
てもう一方の焦点に集結されるため、光源と相対する焦
点の近傍では原料ガスの光分解が活発に起こる。このた
め基板をこの焦点付近に置けば、大きな成膜速度が得ら
れる。
もし、大きな基板に成膜を行う場合には、反射器１１と
光源１３が一体となって取付けられている台座１６を反
応槽１２に対して水平に往復移動させ、光の集光された
焦点が基板上を一定速度で掃引するように周期運動を行
わせればよい。
光源１３が一体となって取付けられている台座１６を反
応槽１２に対して水平に往復移動させ、光の集光された
焦点が基板上を一定速度で掃引するように周期運動を行
わせればよい。
この発明においては、第２図からも明らかなように光は
反応槽１２の外部のあらゆる方向から反応槽内部の一点
に向かって入射するため、反応槽の径を光源の径に比べ
て十分大きくとれば、反応槽の壁を通過するときの光強
度と焦点近傍の光強度に大きな差が生じ、基板上での膜
の成長速度と反応槽の壁での成長速度に大きな差を持た
せることができる。
反応槽１２の外部のあらゆる方向から反応槽内部の一点
に向かって入射するため、反応槽の径を光源の径に比べ
て十分大きくとれば、反応槽の壁を通過するときの光強
度と焦点近傍の光強度に大きな差が生じ、基板上での膜
の成長速度と反応槽の壁での成長速度に大きな差を持た
せることができる。
そのため、先に述べたような壁での膜成長番こよる入射
光の透過率の低下が相対的に起こりにくくなるという特
徴を有する。
光の透過率の低下が相対的に起こりにくくなるという特
徴を有する。
第３図はこの発明の別の実施例の断面図を示したもので
ある。電子式複写機の感光ドラムのように円筒型基板１
９の外表面にアモルファスシリコンのような感光体膜を
光ＣＶＤ装置により形成する場合には、同図に示される
ように、布円柱屋反射器で反応槽１２を囲み、楕円の一
方の焦点に光源１３を、もう一方に円筒基板の中心軸を
それぞれ配置する。
ある。電子式複写機の感光ドラムのように円筒型基板１
９の外表面にアモルファスシリコンのような感光体膜を
光ＣＶＤ装置により形成する場合には、同図に示される
ように、布円柱屋反射器で反応槽１２を囲み、楕円の一
方の焦点に光源１３を、もう一方に円筒基板の中心軸を
それぞれ配置する。
こうした構成を用いることにより、光源１３から出た光
はむだなく基板上ｌと照射され、円筒状基板１９を一定
速度で回転させれば、基板上に一様な厚さの膜を形成す
ることが可能である。また反応槽１２の径を円筒型基板
の径ｌこ比べて大きく選べば、第１，２図の実施例と同
様の理由ｌこより、各点における光強度の差から反応槽
壁と基板表面とでは膜の成長速度に差がでるので、反応
槽壁の曇りの影響を受けにくいという特徴を有する。
はむだなく基板上ｌと照射され、円筒状基板１９を一定
速度で回転させれば、基板上に一様な厚さの膜を形成す
ることが可能である。また反応槽１２の径を円筒型基板
の径ｌこ比べて大きく選べば、第１，２図の実施例と同
様の理由ｌこより、各点における光強度の差から反応槽
壁と基板表面とでは膜の成長速度に差がでるので、反応
槽壁の曇りの影響を受けにくいという特徴を有する。
以上に述べた例のほかに、例えば光源が円筒形ではなく
球状で、かつ基板の大きさが光源とほぼ同程度ならば、
反射器として楕円柱形の代わりに細円体形のものを用い
て、更に光を・効率よく集光することができる。
球状で、かつ基板の大きさが光源とほぼ同程度ならば、
反射器として楕円柱形の代わりに細円体形のものを用い
て、更に光を・効率よく集光することができる。
この発明によれば、細円柱形あるいは細円体形の反射器
を用いることにより、反応槽の外側から、反応槽内に置
かれた基板に向かって光を集光させることができるため
、その近傍の光強度が強く、膜の成長速度を速くできる
こと及び反応槽壁と基板における光強度に差が生ずるの
で、反応槽壁に膜が形成されて基板上への光の入射量が
減少するという問題を改善するという利点が得られる。
を用いることにより、反応槽の外側から、反応槽内に置
かれた基板に向かって光を集光させることができるため
、その近傍の光強度が強く、膜の成長速度を速くできる
こと及び反応槽壁と基板における光強度に差が生ずるの
で、反応槽壁に膜が形成されて基板上への光の入射量が
減少するという問題を改善するという利点が得られる。
従って、先に述べたオイルを塗って艙りを防止する方法
をこの装置に併用することにより、更に改善された装置
となることはいうまでもない。
をこの装置に併用することにより、更に改善された装置
となることはいうまでもない。
第１図はこの発明の一実施例の概観斜視図、第２図はこ
の発明の一実施の断面図、第３図はこの発明の異なる実
施例の断面図、第４図は従来の光ＣＶＤ装置の断面図で
ある。 ５．１９・・・基板、１１・・・反射器、１２・・・反
応槽、１３・・・光源。 ？ ｊ 図 才 Ｚ 図 Ｔ ３ 図
の発明の一実施の断面図、第３図はこの発明の異なる実
施例の断面図、第４図は従来の光ＣＶＤ装置の断面図で
ある。 ５．１９・・・基板、１１・・・反射器、１２・・・反
応槽、１３・・・光源。 ？ ｊ 図 才 Ｚ 図 Ｔ ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光分解により原料ガスを分解し、分解により生成さ
れた活性種を基板に堆積させて薄膜を形成する光ＣＶＤ
装置において、内面の少なくとも一部が楕円体面あるい
は楕円柱面を成す反射器の二つの焦点の一方に光源を、
もう一方の側に光を透過する反応槽をそれぞれ置き、該
反応槽内に置かれた基板がほぼ焦点に配置されているこ
とを特徴とする光ＣＶＤ装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の装置において、一方の
焦点に置かれた前記基板と、前記反射器及び光源からな
る装置が相対的に移動あるいは回転できるようにしたこ
とを特徴とする光ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP658885A JPS61164640A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP658885A JPS61164640A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61164640A true JPS61164640A (ja) | 1986-07-25 |
Family
ID=11642486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP658885A Pending JPS61164640A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61164640A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02180234A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気掃除機 |
| WO1997040929A1 (en) * | 1996-04-26 | 1997-11-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Shrouded reaction vessel |
| JP2003053178A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-25 | Dkk Toa Corp | 光酸化器 |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP658885A patent/JPS61164640A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02180234A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気掃除機 |
| WO1997040929A1 (en) * | 1996-04-26 | 1997-11-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Shrouded reaction vessel |
| US5814278A (en) * | 1996-04-26 | 1998-09-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Shrouded reaction vessel |
| US5882604A (en) * | 1996-04-26 | 1999-03-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Shrouded reaction vessel process |
| JP2003053178A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-25 | Dkk Toa Corp | 光酸化器 |
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