JPS61128519A - プラズマcvd装置 - Google Patents
プラズマcvd装置Info
- Publication number
- JPS61128519A JPS61128519A JP25132484A JP25132484A JPS61128519A JP S61128519 A JPS61128519 A JP S61128519A JP 25132484 A JP25132484 A JP 25132484A JP 25132484 A JP25132484 A JP 25132484A JP S61128519 A JPS61128519 A JP S61128519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency electrode
- electrode
- high frequency
- substrate
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は太陽電池、薄膜トランジスタ等)ζ用いられる
非晶質半導体薄膜を生成するプラズマCVD装置に関す
るものである。
非晶質半導体薄膜を生成するプラズマCVD装置に関す
るものである。
(従来の技術)
第2図は、従来技術におけるプラズマCVD装置の構造
を示す断面図である。図において、lは気密保持可能な
反応室であり、排気バルブ2を介して反応室1内部は真
空排気される。3は反応ガス供給バルブであり、生成さ
れる非晶質半導体薄膜によって任意の反応ガスが反応室
l内に導入される。4は高周波電源R−Fと接続□する
高周波電極であり、該電極4表面には反応ガスを噴出す
る導入口9を兼ね備えている。
を示す断面図である。図において、lは気密保持可能な
反応室であり、排気バルブ2を介して反応室1内部は真
空排気される。3は反応ガス供給バルブであり、生成さ
れる非晶質半導体薄膜によって任意の反応ガスが反応室
l内に導入される。4は高周波電源R−Fと接続□する
高周波電極であり、該電極4表面には反応ガスを噴出す
る導入口9を兼ね備えている。
さらに、高周波電極4の裏面及側面にはステンレス等の
シールド板lOが覆設されている。
シールド板lOが覆設されている。
5は高周波電極4と平行に対向するアース電極であり、
該アース電極5表面には、薄膜が生成される平板状の薄
膜生成体C以下基板と記す)Bを保持するサセプタ7が
設けられており、前記基板8を加熱する加熱装置6は、
高周波電極4のシール占0の背面及びアース電極5の周
辺部蚤こ配置される。
該アース電極5表面には、薄膜が生成される平板状の薄
膜生成体C以下基板と記す)Bを保持するサセプタ7が
設けられており、前記基板8を加熱する加熱装置6は、
高周波電極4のシール占0の背面及びアース電極5の周
辺部蚤こ配置される。
と述の従来技術の装置において、気密保持可能な反応室
1内のアース電極5上のサセプタ7で基板8を保持し、
加熱装置6で該基板8を150〜250℃に加熱すると
同時に反応室1の内部を排気バルブ2で真空排気した後
、排気バルブ2と反応ガスの供給バルブ3左操作し、任
意の反応ガスを流量20〜1000 QQ / mで供
給し、該反応室1内部のガス圧を0.1〜2.0 To
rrに設定する。基板8温度・反応室lのガス圧が安定
した後、高周波電極4、アース電極5間に高周波電源R
@Fから電圧を印加しグロー放電を発生させる。高周波
電極4の表面の導入口9から供給される反応ガスは放電
によってプラズマ化し、アース電極5の基板8上に反応
ガスの少なくとも一つの組成物が非晶質半導体薄膜とし
て生成される。
1内のアース電極5上のサセプタ7で基板8を保持し、
加熱装置6で該基板8を150〜250℃に加熱すると
同時に反応室1の内部を排気バルブ2で真空排気した後
、排気バルブ2と反応ガスの供給バルブ3左操作し、任
意の反応ガスを流量20〜1000 QQ / mで供
給し、該反応室1内部のガス圧を0.1〜2.0 To
rrに設定する。基板8温度・反応室lのガス圧が安定
した後、高周波電極4、アース電極5間に高周波電源R
@Fから電圧を印加しグロー放電を発生させる。高周波
電極4の表面の導入口9から供給される反応ガスは放電
によってプラズマ化し、アース電極5の基板8上に反応
ガスの少なくとも一つの組成物が非晶質半導体薄膜とし
て生成される。
該反応室l内に供給される反応ガスは生成する非晶質半
導体薄膜の種類番こよって夫々異なり、シラン(S i
−H4)、ジボラン(B2Ha)フォスフイン(PHa
)、メタン(CH4)、ジクロールシラン(Si、H2
CJ++)、アンモニア(NHa)などから選択され、
所定の混合比で用いられる。
導体薄膜の種類番こよって夫々異なり、シラン(S i
−H4)、ジボラン(B2Ha)フォスフイン(PHa
)、メタン(CH4)、ジクロールシラン(Si、H2
CJ++)、アンモニア(NHa)などから選択され、
所定の混合比で用いられる。
従来のプラズマCVD装置にあっては、非晶質半導体薄
膜生成中、高周波電極4及びアース電極5間に高周波電
源R,Fから高周波電圧が印加されグロー放電を起すが
、これ以外にも、高周波電極4とシールド板lOとの間
番こ放電を起し、高周波電極表面に起る放電を弱めたり
不安定にしたりしていた。
膜生成中、高周波電極4及びアース電極5間に高周波電
源R,Fから高周波電圧が印加されグロー放電を起すが
、これ以外にも、高周波電極4とシールド板lOとの間
番こ放電を起し、高周波電極表面に起る放電を弱めたり
不安定にしたりしていた。
また、一般に熱の伝達は固体間の接触による伝達、対流
1こよる伝達及び輻射による伝達専修こよるが真空中に
おいては、対流による伝達は著しく低下する。
1こよる伝達及び輻射による伝達専修こよるが真空中に
おいては、対流による伝達は著しく低下する。
1述の装置には加熱装置6と基板9との間に空間があり
、その空間距離が増すほど熱伝達は低下し、熱量は空間
距離の2乗に反比例してしまうと本発明は上述の欠点を
解決し、高周波電極表面に起こる放電を安定させ、該電
極の裏面及び側面に起こる無駄な放電を完全に防止する
とともに、加熱装置で基板を加熱する際、その加熱効率
を向上させ、薄膜生成の工程時間を短縮させ、製造装置
全体の使用効率を向上させ、加熱に要する電力の消費を
抑えることを目的とするものであり、と述の目的を達成
するための具体的手段は真空保持可能な反応室内で互い
1ζ対向する高周波電極とアース電極間1ζ基板を配置
するとともに、所定ガスの雰囲気中で該電極に高周波電
圧を印加し基板上に非晶質半導体薄膜を生成するプラズ
マCVD装置Iこ詔いて、前記高周波電極と該高周波電
極の裏面及び側面に設けたシールド板との間にセラミッ
ク板を介在させたことにある。
、その空間距離が増すほど熱伝達は低下し、熱量は空間
距離の2乗に反比例してしまうと本発明は上述の欠点を
解決し、高周波電極表面に起こる放電を安定させ、該電
極の裏面及び側面に起こる無駄な放電を完全に防止する
とともに、加熱装置で基板を加熱する際、その加熱効率
を向上させ、薄膜生成の工程時間を短縮させ、製造装置
全体の使用効率を向上させ、加熱に要する電力の消費を
抑えることを目的とするものであり、と述の目的を達成
するための具体的手段は真空保持可能な反応室内で互い
1ζ対向する高周波電極とアース電極間1ζ基板を配置
するとともに、所定ガスの雰囲気中で該電極に高周波電
圧を印加し基板上に非晶質半導体薄膜を生成するプラズ
マCVD装置Iこ詔いて、前記高周波電極と該高周波電
極の裏面及び側面に設けたシールド板との間にセラミッ
ク板を介在させたことにある。
(実施例及び作用)
以下、本発明のプラズマCVD装置を図面に基づいて説
明する。
明する。
第1図は本発明の装置の構造を示す断面図である。尚、
第2図と同一部分は同一記号を付す。
第2図と同一部分は同一記号を付す。
1は気密保持可能な反応室である。i反応室l内部の空
気又は原料ガスはロータリーポンプ(図示せず。)と接
続する排気バルブ2を介して、排除される。3は反応ガ
ス供給バルブであり、P、工、N@層の生成によって供
給される反応ガスが異なる。4は、高周波電極であり、
高周波電源R@Fに接続され、該電極表面には多数の小
孔が設けられ、供給バルブ3を介して反応ガスが反応室
11こ供給される導入口9を兼ね備えている。
気又は原料ガスはロータリーポンプ(図示せず。)と接
続する排気バルブ2を介して、排除される。3は反応ガ
ス供給バルブであり、P、工、N@層の生成によって供
給される反応ガスが異なる。4は、高周波電極であり、
高周波電源R@Fに接続され、該電極表面には多数の小
孔が設けられ、供給バルブ3を介して反応ガスが反応室
11こ供給される導入口9を兼ね備えている。
高周波電極4の裏面及び側面には2.0乃至15.0鹿
の隙間をおいてステンレス等のシールド板lOが覆設さ
れ、高周波電極4とシールド板lOの隙間には高周波絶
縁性及び耐熱性に優れたアルミナ等のセラミック板11
が配置されている。
の隙間をおいてステンレス等のシールド板lOが覆設さ
れ、高周波電極4とシールド板lOの隙間には高周波絶
縁性及び耐熱性に優れたアルミナ等のセラミック板11
が配置されている。
5は、高周波電極4と平行に対向し、接地されたアース
電極であり、アース電極5上には、被薄膜生成体である
基板8を保持するサセプタ7が設けられており、該アー
ス電極5の周辺部及び又は該シールド板10の背面には
シーズヒータなどで構成した加熱装置6が配置されてい
る。この加熱装置6により基板8を加熱するだけでな(
、高周波電極4の表面の導入口9から噴出される反応ガ
スをも加熱する。
電極であり、アース電極5上には、被薄膜生成体である
基板8を保持するサセプタ7が設けられており、該アー
ス電極5の周辺部及び又は該シールド板10の背面には
シーズヒータなどで構成した加熱装置6が配置されてい
る。この加熱装置6により基板8を加熱するだけでな(
、高周波電極4の表面の導入口9から噴出される反応ガ
スをも加熱する。
尚、 12は反応室lの内壁と加熱装置6間に設けた反
射板であり、反射板12は加熱装置6の背後を全体に覆
うような形状で、反応室1の内壁又はシールド板10に
固定されている。かくして、加熱装置6から背後方向に
放射された輻射熱は、反射板121こよって後述の基板
8側【ζ反射されるため、より一層熱を有効に使用でき
る。8は、ガラス、ステンレス、多結晶シリコン等の平
板状の基板であり、基板8は搬送台又は収納体(図示せ
ず)によってゲートバルブ装置13aを介して高周波電
極4とアース電極5間に搬入され、薄膜生成反応後、ゲ
ートバルブ装置13bを介して反応室1内から搬出され
る。
射板であり、反射板12は加熱装置6の背後を全体に覆
うような形状で、反応室1の内壁又はシールド板10に
固定されている。かくして、加熱装置6から背後方向に
放射された輻射熱は、反射板121こよって後述の基板
8側【ζ反射されるため、より一層熱を有効に使用でき
る。8は、ガラス、ステンレス、多結晶シリコン等の平
板状の基板であり、基板8は搬送台又は収納体(図示せ
ず)によってゲートバルブ装置13aを介して高周波電
極4とアース電極5間に搬入され、薄膜生成反応後、ゲ
ートバルブ装置13bを介して反応室1内から搬出され
る。
次に上述のプラズマCVD装置において、非晶質半導体
薄膜の生成過程を説明する。
薄膜の生成過程を説明する。
前述の様に基板8はゲートバルブ装置13aを介して高
周波電極4とアース電極5間の所定の位置1こ搬入され
、停止する。この時、前工程の別の反応室で基板8を加
熱しておいてもよい。そして、ゲートバルブ装置13a
、 131)を密閉し、加熱装置6に電力を供給し、基
板8を設定温度150〜250℃まで加熱する。同時に
反応室1内を排気バルブ2を介して真空排気し、その後
、反応ガスバルブ8を開放し、所定の流量速度で反応室
1内部(放電領域)に反応ガスを供給しながら、排気バ
ルブ2を調節し、反応室l内を一定ガス圧Q、l To
rr〜2、OTorrに保つ。次に高周波電極4に高周
波数1356MHzの電圧を高周波電源から印加し、高
周波電極4とアース電極5との間にグロー放電を発生さ
せる。かくして、反応ガスがプラズマ化し、反応ガスの
成分の少なくとも一つが基板8kに非晶質半導体薄膜と
して生成される。この基板8が反応室lよりゲートバル
ブ装置131)を介して搬出される。
周波電極4とアース電極5間の所定の位置1こ搬入され
、停止する。この時、前工程の別の反応室で基板8を加
熱しておいてもよい。そして、ゲートバルブ装置13a
、 131)を密閉し、加熱装置6に電力を供給し、基
板8を設定温度150〜250℃まで加熱する。同時に
反応室1内を排気バルブ2を介して真空排気し、その後
、反応ガスバルブ8を開放し、所定の流量速度で反応室
1内部(放電領域)に反応ガスを供給しながら、排気バ
ルブ2を調節し、反応室l内を一定ガス圧Q、l To
rr〜2、OTorrに保つ。次に高周波電極4に高周
波数1356MHzの電圧を高周波電源から印加し、高
周波電極4とアース電極5との間にグロー放電を発生さ
せる。かくして、反応ガスがプラズマ化し、反応ガスの
成分の少なくとも一つが基板8kに非晶質半導体薄膜と
して生成される。この基板8が反応室lよりゲートバル
ブ装置131)を介して搬出される。
ところで、上述の様に、高周波電極4と高周波電極4の
裏面及び側面を覆設したシールド板10との間隙に高周
波絶縁性の高いセラミック板11を配置させたこと番こ
より、高周波電極4とシールド板10との間隙昏こ起こ
る無駄な放電が遮断できる。
裏面及び側面を覆設したシールド板10との間隙に高周
波絶縁性の高いセラミック板11を配置させたこと番こ
より、高周波電極4とシールド板10との間隙昏こ起こ
る無駄な放電が遮断できる。
また、基板8が150〜250’Cに設定されると、シ
ールド板10もかなりの高温となり、シールド板10が
熱膨張によって歪みが生じるが、たとえ歪みが生じても
、セラミック板11が配置されているため、高周波電極
4とシールド板10が接触することはない。
ールド板10もかなりの高温となり、シールド板10が
熱膨張によって歪みが生じるが、たとえ歪みが生じても
、セラミック板11が配置されているため、高周波電極
4とシールド板10が接触することはない。
さら1こ本発明は高周波電極4とシールド板1oとの隙
間(こセラミック板11を介在させたため、熱が効率よ
(伝わる、すなわち加熱装置6−シールド板]0−セラ
ミック板11−高周波電極4という様に密着されている
ので見かけ上、高周波電極4が加熱装置6の一部として
、基板8の近傍まで延出されることになる。それゆえ、
加熱装置6から基板8の距離は放電距離という極めて短
いものに 、なり、熱伝導率も向上する。アース電極5
側の加熱装置6がアース電極5に密着していない場合、
アース電極5の裏面と加熱装置6にセラミック板11’
を介在させて空間を埋めても同様の作用がある。
間(こセラミック板11を介在させたため、熱が効率よ
(伝わる、すなわち加熱装置6−シールド板]0−セラ
ミック板11−高周波電極4という様に密着されている
ので見かけ上、高周波電極4が加熱装置6の一部として
、基板8の近傍まで延出されることになる。それゆえ、
加熱装置6から基板8の距離は放電距離という極めて短
いものに 、なり、熱伝導率も向上する。アース電極5
側の加熱装置6がアース電極5に密着していない場合、
アース電極5の裏面と加熱装置6にセラミック板11’
を介在させて空間を埋めても同様の作用がある。
(効果)
以上の様に高周波電極と該高周波電極の裏面及び側面に
覆設したシールド板との間(こセラミック板を介在させ
たこと1こより、本発明のプラズマC”il’D装置は
次の様に有効な効果がある。
覆設したシールド板との間(こセラミック板を介在させ
たこと1こより、本発明のプラズマC”il’D装置は
次の様に有効な効果がある。
加熱装置から発した熱がシールド板−セラミック板−高
周波電極と直接伝導するので基板と加熱装置の間に存在
する空間は高周波電極と基板との隙間だけであるため加
熱装置から基板への熱伝導率が著しく向上する。同時に
即応性も向上するため、基板の温度制御が正確に行え、
加熱工程に要する時間、電力を抑えることができる。
周波電極と直接伝導するので基板と加熱装置の間に存在
する空間は高周波電極と基板との隙間だけであるため加
熱装置から基板への熱伝導率が著しく向上する。同時に
即応性も向上するため、基板の温度制御が正確に行え、
加熱工程に要する時間、電力を抑えることができる。
シールド板が高温となり熱膨張し、歪みが生じても高周
波電極と接触し、短絡を起すことがない。
波電極と接触し、短絡を起すことがない。
高周波電極とシールド板との間に無駄な放電を防止し、
高周波電極の表面側のみに放電を発生させるため、放電
が安定し、また基板に生成する薄、膜の成膜速度を向と
させることができる。
高周波電極の表面側のみに放電を発生させるため、放電
が安定し、また基板に生成する薄、膜の成膜速度を向と
させることができる。
第1図は本発明のプラズマCVD装置の断面構造図であ
り、第2図は従来のプラズマCVD装置の断面構造図で
ある。
り、第2図は従来のプラズマCVD装置の断面構造図で
ある。
Claims (1)
- 真空保持可能な反応室内で互いに対向する高周波電極
とアース電極間に平板状の被薄膜生成体を配置するとと
もに、所定ガスの雰囲気中で該電極に高周波電圧を印加
し被薄膜生成体上に非晶質半導体薄膜を生成するプラズ
マCVD装置において、前記高周波電極と該高周波電極
の裏面及び側面に設けたシールド板との間にセラミック
板を介在させたことを特徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25132484A JPS61128519A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | プラズマcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25132484A JPS61128519A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | プラズマcvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61128519A true JPS61128519A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17221121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25132484A Pending JPS61128519A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | プラズマcvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61128519A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012059872A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 熱処理装置 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP25132484A patent/JPS61128519A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012059872A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 熱処理装置 |
US9271341B2 (en) | 2010-09-08 | 2016-02-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Heat treatment apparatus that performs defect repair annealing |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10177014B2 (en) | Thermal radiation barrier for substrate processing chamber components | |
JP2001523038A (ja) | マイクロ波エネルギを使用したアモルファスフィルムのアニール方法 | |
JP2616760B2 (ja) | プラズマ気相反応装置 | |
JP2001288575A (ja) | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 | |
KR20070013364A (ko) | 화학 기상 증착장치의 히터모듈 | |
KR20130098663A (ko) | 박막 제조 장치 및 그 제조 방법 | |
US11574838B2 (en) | Ceramic pedestal having atomic protective layer | |
JPS62203328A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPS61128519A (ja) | プラズマcvd装置 | |
CN106555175A (zh) | 一种高密度等离子体增强化学气相沉积设备 | |
KR100457455B1 (ko) | 박막 증착 속도를 조절하는 샤워헤드를 구비한 화학 기상증착 장치. | |
JP2000164588A (ja) | 基板加熱方法及び装置 | |
JP4890313B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPH02179879A (ja) | 成膜装置の基板加熱構造 | |
JPH06151411A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP2000178749A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP2019135739A (ja) | ボロン系膜の成膜方法および成膜装置 | |
JP5052206B2 (ja) | Cvd装置 | |
JPH029446B2 (ja) | ||
JPH02246111A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS63142627A (ja) | 半導体薄膜の製造装置 | |
JPH0891987A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
JPS58136763A (ja) | プラズマ化学気相生成装置 | |
JP2636215B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
JPH06120153A (ja) | 成膜装置 |