JPS6038727A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6038727A JPS6038727A JP58145193A JP14519383A JPS6038727A JP S6038727 A JPS6038727 A JP S6038727A JP 58145193 A JP58145193 A JP 58145193A JP 14519383 A JP14519383 A JP 14519383A JP S6038727 A JPS6038727 A JP S6038727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- film
- layer
- magnetic
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 産業上の利用分野：
本発明は磁気記録媒体の改良に関するものであり、特に
オーバコート層の走行性、耐摩耗性および耐食性を向上
した薄膜型磁気記録媒体に関する。
オーバコート層の走行性、耐摩耗性および耐食性を向上
した薄膜型磁気記録媒体に関する。
［ｂ） 従来技術：
磁気記録媒体を磁性層形成方法の面で分類すると、（１
）薄膜型のものと、（２）塗布型のものに分けられる。
）薄膜型のものと、（２）塗布型のものに分けられる。
薄膜型磁気記録媒体は、支持体上に磁性材料を真空蒸着
、スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ等の
方法により磁性層を形成したものである。
、スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ等の
方法により磁性層を形成したものである。
塗布型磁気記録媒体は、支持体上に磁性粉をバインダー
で粘着した磁性塗料を塗布して磁性層を形成したもので
ある。この塗布型磁気記録媒体は、バインダー含有分だ
け磁性層における単位容状当りの実質充填率が低い。ま
た、磁気ヘッドとの間のスペーシングロスが大きくなる
ため再生出力が小さくなる。
で粘着した磁性塗料を塗布して磁性層を形成したもので
ある。この塗布型磁気記録媒体は、バインダー含有分だ
け磁性層における単位容状当りの実質充填率が低い。ま
た、磁気ヘッドとの間のスペーシングロスが大きくなる
ため再生出力が小さくなる。
これに反し、薄膜型磁気記録媒体は、磁性層内での磁性
粉の実質的充填率は高いけれども、磁性層の耐食性が低
く、走行時に磁気ヘッド、ガイドローラ等と接触し、ス
リ傷が付きやすく、ノイズ発生の原因となる。また摩擦
係数が大きく、走行性が悪く、機械的強度も弱い欠点が
ある。
粉の実質的充填率は高いけれども、磁性層の耐食性が低
く、走行時に磁気ヘッド、ガイドローラ等と接触し、ス
リ傷が付きやすく、ノイズ発生の原因となる。また摩擦
係数が大きく、走行性が悪く、機械的強度も弱い欠点が
ある。
薄膜型磁気記録媒体における上述の欠点を改碧するため
、従来から磁性層上面に、真空蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング等の方法によって、オーバコート
する方法が行われている。
、従来から磁性層上面に、真空蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング等の方法によって、オーバコート
する方法が行われている。
すなわち、
■ ロジウム、クロムなどの金属や、Ｗ ％ＴｉＯ２、
ＣａＦ２、ｙｉｇＦ２ などの高硬度無機物：金属セッ
ケンのような潤滑性有機物を真空蒸着法でオーバコート
する方法： ■ 塗布法により、潤滑性有機物音有層をオーバコート
する方法： ■ プレポリマー液を塗布後、当該塗布膜に紫外線や電
子線を照射して重合反応させ、オーバコート層を形成す
る方法： ■ 特開昭５７−１６７１３２号、同５７−１６７１３
３号、同５７−１６７１３４号公報り」細書に示されて
いるように、磁性層上に窒素ガス若しくは酸素ガスのイ
オン又はこれらのガスをプラズマ処理することによシ窒
化膜、酸化膜をオーバコートする方法： ■ 昭和５６年度電子通信学会半導体・材料部門全国大
会において発表され、同大会予稿集ｒ１１１７５（１９
８１）に示されているように、コバルト膜（磁性層）上
に、オルガノシリコン系モノマによるプラズマ重合膜を
オーバコートさせること等が知られている。
ＣａＦ２、ｙｉｇＦ２ などの高硬度無機物：金属セッ
ケンのような潤滑性有機物を真空蒸着法でオーバコート
する方法： ■ 塗布法により、潤滑性有機物音有層をオーバコート
する方法： ■ プレポリマー液を塗布後、当該塗布膜に紫外線や電
子線を照射して重合反応させ、オーバコート層を形成す
る方法： ■ 特開昭５７−１６７１３２号、同５７−１６７１３
３号、同５７−１６７１３４号公報り」細書に示されて
いるように、磁性層上に窒素ガス若しくは酸素ガスのイ
オン又はこれらのガスをプラズマ処理することによシ窒
化膜、酸化膜をオーバコートする方法： ■ 昭和５６年度電子通信学会半導体・材料部門全国大
会において発表され、同大会予稿集ｒ１１１７５（１９
８１）に示されているように、コバルト膜（磁性層）上
に、オルガノシリコン系モノマによるプラズマ重合膜を
オーバコートさせること等が知られている。
しかし、前記のおよび■の方法で形成された蒸着膜およ
び塗布膜は膜強度が弱い。特に、■において高分子塗布
膜の場合は薄膜にするのが難しく、磁気ヘッドとの間に
スペーシングロスを生じ、再生出力が低下する欠点があ
る。
び塗布膜は膜強度が弱い。特に、■において高分子塗布
膜の場合は薄膜にするのが難しく、磁気ヘッドとの間に
スペーシングロスを生じ、再生出力が低下する欠点があ
る。
また、■の方法で形成される塗布硬化層は、長期にわた
り４１コ滑性を保持しつづけるのが困難である。■の方
法で形成された窒化膜、酸化膜は走行安定性の点で満足
し難い。
り４１コ滑性を保持しつづけるのが困難である。■の方
法で形成された窒化膜、酸化膜は走行安定性の点で満足
し難い。
さらに、■の方法で得られたオーバコート膜は、耐食性
は良好であるが、耐摩耗性を向上させるためにオーバコ
ート層を厚くしなければならない難点がある。この結果
、磁気ヘッドと磁性層間のスペーシングロスが増大し、
再生出力が小さくなる欠点がある。この点に関しては、
従来から知られている、たとえば１９７７年米国光学会
（ＯｐｔｉｃａｌＳｏｃｉａｔｙ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃ
ａ ）発行の学術雑誌「アブライドオプテノクス誌Ｊ
（Ａｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ ）第１６巻＆（３号
、第７１゛１頁から第７２１頁にわたる論文［プラズマ
ボリマライズド コーティング フォボリカーボネー
ト：シングル レイヤー、アブレーション レジスタン
ド、アンド アンナレフレクシコンＪ （Ｐｌａｓｍａ
ｐｏｌｙｍｅｒｌｚｅｄ ｃｏａｔｉｎｇ ｆｏｒ
ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ： ｓｉｎｇｌｅ １ａｙ
ｅｒ＋ ａｂｒａｌｌ−ｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｔ＋
ａｎｄ ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏ＋＋ ）中ニ、
ヒニルトリメチルオキシシランフィルムの表面を酸素グ
ロー放電によシ５ｉ−０結合（架４１１度）を増し、表
面硬度、摩耗性を高めることができると報告されている
ように重合の架橋度が変ずしすれば、当該重合膜の諸物
性が変化するであろうことを予想す“ることができる。
は良好であるが、耐摩耗性を向上させるためにオーバコ
ート層を厚くしなければならない難点がある。この結果
、磁気ヘッドと磁性層間のスペーシングロスが増大し、
再生出力が小さくなる欠点がある。この点に関しては、
従来から知られている、たとえば１９７７年米国光学会
（ＯｐｔｉｃａｌＳｏｃｉａｔｙ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃ
ａ ）発行の学術雑誌「アブライドオプテノクス誌Ｊ
（Ａｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ ）第１６巻＆（３号
、第７１゛１頁から第７２１頁にわたる論文［プラズマ
ボリマライズド コーティング フォボリカーボネー
ト：シングル レイヤー、アブレーション レジスタン
ド、アンド アンナレフレクシコンＪ （Ｐｌａｓｍａ
ｐｏｌｙｍｅｒｌｚｅｄ ｃｏａｔｉｎｇ ｆｏｒ
ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ： ｓｉｎｇｌｅ １ａｙ
ｅｒ＋ ａｂｒａｌｌ−ｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｔ＋
ａｎｄ ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏ＋＋ ）中ニ、
ヒニルトリメチルオキシシランフィルムの表面を酸素グ
ロー放電によシ５ｉ−０結合（架４１１度）を増し、表
面硬度、摩耗性を高めることができると報告されている
ように重合の架橋度が変ずしすれば、当該重合膜の諸物
性が変化するであろうことを予想す“ることができる。
しかし、物性値の変化から、重合膜の架橋度を確実に把
握する方法は未だ知られ−Ｃいない。
握する方法は未だ知られ−Ｃいない。
本発明者等は、重合の架橋度が増せば、屈折率も必然的
に変化し、屈折率の高い重合膜をオーバコートに使用す
ることによシ耐摩性の高い磁気記録媒体を作製しうると
の推測の下に種々研究を重ね／こところ、プラズマ重合
膜の屈折率が１，４５以上のオーバコート層を有する磁
気記録媒体は、屈折率１．４５以下のオーバコート層を
有する磁気記録媒体に比べて、後述する動摩擦係数、ス
チル寿命が飛躍的に向上することを見い出し、本発明に
至Ｉに全 し プこ 。
に変化し、屈折率の高い重合膜をオーバコートに使用す
ることによシ耐摩性の高い磁気記録媒体を作製しうると
の推測の下に種々研究を重ね／こところ、プラズマ重合
膜の屈折率が１，４５以上のオーバコート層を有する磁
気記録媒体は、屈折率１．４５以下のオーバコート層を
有する磁気記録媒体に比べて、後述する動摩擦係数、ス
チル寿命が飛躍的に向上することを見い出し、本発明に
至Ｉに全 し プこ 。
〔ｃ〕 発明の目的：
本発明は走行性、耐摩耗性および耐食性に優れ／ζオー
バコート層を有する薄膜型磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
バコート層を有する薄膜型磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
また、本発明はこのような薄膜型磁気記録媒体の製造方
法を提供することをも目的とする。
法を提供することをも目的とする。
（ｄ） 発明の構成：
前記本発明の第１の目的は、支持体上に、磁性層とｆ・
ｎ性層上に形成しだオーバコート層を有する磁気記録媒
体において、オーバコート層を屈折率が１．４５以上の
含けい素有機プラズマ重合層で構成することによって達
成される。
ｎ性層上に形成しだオーバコート層を有する磁気記録媒
体において、オーバコート層を屈折率が１．４５以上の
含けい素有機プラズマ重合層で構成することによって達
成される。
本発明にかかる磁気記録媒体の磁性層上に形成するオー
バコート層を構成する、屈折率が１．４５以上の含けい
素有機プラズマ重合層の組成は、■ プラズマ重合層が
主に、けい素（Ｓｔ）ノ他Ｋ、炭素（Ｃ）、酸素０）お
よび水素（財）によって構成されたものであれば、けい
素に対する炭素の組成比（Ｃ／Ｓｔ）が０．１〜２．０
、酸素の組成比（０／Ｓｔ）が１．０〜３，０であるこ
とが好ましい。
バコート層を構成する、屈折率が１．４５以上の含けい
素有機プラズマ重合層の組成は、■ プラズマ重合層が
主に、けい素（Ｓｔ）ノ他Ｋ、炭素（Ｃ）、酸素０）お
よび水素（財）によって構成されたものであれば、けい
素に対する炭素の組成比（Ｃ／Ｓｔ）が０．１〜２．０
、酸素の組成比（０／Ｓｔ）が１．０〜３，０であるこ
とが好ましい。
Ｏまた、プラズマ重合層が主に、けい素、炭素、酸素、
窒素、水素で構成されたものであれば、けい素に対する
炭素、酸素、窒素の組成比は、それぞれ０．１〜２．０
：０．１〜２．０：０．１〜２ｏであることが好ましい
。
窒素、水素で構成されたものであれば、けい素に対する
炭素、酸素、窒素の組成比は、それぞれ０．１〜２．０
：０．１〜２．０：０．１〜２ｏであることが好ましい
。
含けい素プラズマ重合層の組成の好ましいものとして、
たとえば、ｃｏ、ａｓ４（ｏ１１Ｓｉｏ５ｔ ： ｃｏ
４４）１ｏ３１Ｑ０．３２ＳｉＯ，２１： Ｃ０，２０
１（０，０８Ｑ０．０５Ｓｉ０．６７ ： Ｃ０，３７
）（０，０２ＱｏｌｓＳｉｏ４ｓ ： Ｃｏ、＋ａＨｏ
、ｏｓＱｏ４ｅＳｉｏ３３：Ｃｏ、ｏｓ）ｌｏｏ２Ｑｏ
、５ｚＳｉｏ、ａｓ ： Ｃ０，１１１（０，０３Ｑ０
．４１ＮＯ，１１Ｓｉ０．３４ ： Ｃ０，０５００，
４ＯＮｏ３ｏＳｉｏ、２ｓ ： Ｃｏ、ｏ７Ｑｏ３２Ｎ
ｏ２ａＳｉｏ３ａ ： Ｃｏ、５２Ｈｏｊ。
たとえば、ｃｏ、ａｓ４（ｏ１１Ｓｉｏ５ｔ ： ｃｏ
４４）１ｏ３１Ｑ０．３２ＳｉＯ，２１： Ｃ０，２０
１（０，０８Ｑ０．０５Ｓｉ０．６７ ： Ｃ０，３７
）（０，０２ＱｏｌｓＳｉｏ４ｓ ： Ｃｏ、＋ａＨｏ
、ｏｓＱｏ４ｅＳｉｏ３３：Ｃｏ、ｏｓ）ｌｏｏ２Ｑｏ
、５ｚＳｉｏ、ａｓ ： Ｃ０，１１１（０，０３Ｑ０
．４１ＮＯ，１１Ｓｉ０．３４ ： Ｃ０，０５００，
４ＯＮｏ３ｏＳｉｏ、２ｓ ： Ｃｏ、ｏ７Ｑｏ３２Ｎ
ｏ２ａＳｉｏ３ａ ： Ｃｏ、５２Ｈｏｊ。
（）ｏ、ｔ５ＮＯ，２７３ｉ０．１６二ＣＯ，２１）１
０．０８Ｑ０．１８ＮＯ，２６３ｉ０．２７：Ｃ０，１
３Ｊ（ｏ、ｏａＱｏ、ａ５Ｓｏ、＋ ｔ３ｉｏ３３等が
あげられる。
０．０８Ｑ０．１８ＮＯ，２６３ｉ０．２７：Ｃ０，１
３Ｊ（ｏ、ｏａＱｏ、ａ５Ｓｏ、＋ ｔ３ｉｏ３３等が
あげられる。
前記プラズマ重合層は、一部に全くけい素化合物を含ん
でいなくてもよく、膜厚は２０〜１．００ ＯＡの範囲
のものが好ましく、特に望ましい膜厚は１００〜５００
′Ａの範囲である。２０Ｘ未満の膜厚のものけ薄すぎて
オーバコート層としての効果がなく、１，０００大を越
えると磁性層と磁気ヘッド間のスペーシングロスが大き
すぎ、再生出力が低下する。
でいなくてもよく、膜厚は２０〜１．００ ＯＡの範囲
のものが好ましく、特に望ましい膜厚は１００〜５００
′Ａの範囲である。２０Ｘ未満の膜厚のものけ薄すぎて
オーバコート層としての効果がなく、１，０００大を越
えると磁性層と磁気ヘッド間のスペーシングロスが大き
すぎ、再生出力が低下する。
前記台けい素有機プラズマ重合層は、磁性層の上面だけ
でなく、磁性層形成面と反対側の支持体ハ面にも形成で
き、この方法に依り、支持体の「反り」を防ぐことがで
きる。
でなく、磁性層形成面と反対側の支持体ハ面にも形成で
き、この方法に依り、支持体の「反り」を防ぐことがで
きる。
また、必要に応じ、含けい素有機プラズマ重合層上面に
、４１１滑層を形成してもよい。
、４１１滑層を形成してもよい。
本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、支持体上に
磁性層を形成した後、該磁性層上において、けい素含有
化合物と非プラズマ重合性ガスとを同時にプラズマ重合
処理し、前記磁性層上に屈折率が１．４５以上の含けい
素有機プラズマ重合層をオーバコートすることによって
達成される。
磁性層を形成した後、該磁性層上において、けい素含有
化合物と非プラズマ重合性ガスとを同時にプラズマ重合
処理し、前記磁性層上に屈折率が１．４５以上の含けい
素有機プラズマ重合層をオーバコートすることによって
達成される。
本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法におけるけい素
化合物と非プラズマ重合性ガスのプラズマ重合処理は、
プラズマ重合法と称される重合方法なら、どのような方
法を行ってもよいが、けい素を含有する化合物のガスと
、必要に応じて他の化合物あるいはアルゴン（Ａｒ）、
ネオン（Ｎｅ ） 等ノ不活性ガスを重合して、反応空
間に導入し、この空間においてグレー放電させ、支持体
上の磁性層上に析出させる方法が好ましい。
化合物と非プラズマ重合性ガスのプラズマ重合処理は、
プラズマ重合法と称される重合方法なら、どのような方
法を行ってもよいが、けい素を含有する化合物のガスと
、必要に応じて他の化合物あるいはアルゴン（Ａｒ）、
ネオン（Ｎｅ ） 等ノ不活性ガスを重合して、反応空
間に導入し、この空間においてグレー放電させ、支持体
上の磁性層上に析出させる方法が好ましい。
プラズマ重合に使用するけい素含有化合物のガスとして
は、モノシラン：ジシラン：テトラメチルシラン：ビニ
ルトリメチルシラン°アリルトリメチルシラン：フェニ
ルシラン：ジンエニルシランコトリフェニルシラン：ジ
メチルシラン。トリへキシルシラン：テトラメキシルシ
ラン：テトラエトキシシラン：メチルトリメトキシシラ
ン：ビニルトリメトキシシラン：ビニルトリエトキシシ
ラン：ジメチルジメトキシシラン：ヘキサメチルジシロ
キサン：ヘキサメチルジシラザン：へキサメチルシクロ
トリシロキサン：ヘキサメチルシクａトリシラザン：へ
キサメチルジシラン：ヘキサメチルジシルチアン：テト
ラフルオロシラン：テトラクロルシラン：メチルトリク
ロルシラン；ピニルトリクロルシラン：アリルトリクロ
ルシラン：フェニルトリクロルシラン：ジメチルジジク
ロルシラン：ジメチルジフルオロシラン：ブロモメチル
トリメチルシラン等およそ揮発性を有するけい素含有化
合物のガスであればなんでも良い。また、他の化合物と
しては、エチレン、アセチレン、ジボラン、ホスゲン等
の常温で気体の化合物であっても良いし、又はメチルメ
タクリレート：スチレン：アクリロニトリル：塩化ビニ
ル：四弗化エチレン二等のいわゆるモノマーであっても
よいし、ベンゼン°トルエンニＩ＼キサン：アセトニト
リル：パーフルオロベンゼン：ピリジン°フラン：チオ
７エンコトリメチル７オス７アイト：トリメチルポレー
ト等一般には非重合性の化合物であってもよい。
は、モノシラン：ジシラン：テトラメチルシラン：ビニ
ルトリメチルシラン°アリルトリメチルシラン：フェニ
ルシラン：ジンエニルシランコトリフェニルシラン：ジ
メチルシラン。トリへキシルシラン：テトラメキシルシ
ラン：テトラエトキシシラン：メチルトリメトキシシラ
ン：ビニルトリメトキシシラン：ビニルトリエトキシシ
ラン：ジメチルジメトキシシラン：ヘキサメチルジシロ
キサン：ヘキサメチルジシラザン：へキサメチルシクロ
トリシロキサン：ヘキサメチルシクａトリシラザン：へ
キサメチルジシラン：ヘキサメチルジシルチアン：テト
ラフルオロシラン：テトラクロルシラン：メチルトリク
ロルシラン；ピニルトリクロルシラン：アリルトリクロ
ルシラン：フェニルトリクロルシラン：ジメチルジジク
ロルシラン：ジメチルジフルオロシラン：ブロモメチル
トリメチルシラン等およそ揮発性を有するけい素含有化
合物のガスであればなんでも良い。また、他の化合物と
しては、エチレン、アセチレン、ジボラン、ホスゲン等
の常温で気体の化合物であっても良いし、又はメチルメ
タクリレート：スチレン：アクリロニトリル：塩化ビニ
ル：四弗化エチレン二等のいわゆるモノマーであっても
よいし、ベンゼン°トルエンニＩ＼キサン：アセトニト
リル：パーフルオロベンゼン：ピリジン°フラン：チオ
７エンコトリメチル７オス７アイト：トリメチルポレー
ト等一般には非重合性の化合物であってもよい。
プラズマ重合に用いる化合物として操作上の観点から、
常温で沸点が２０θ℃以下の化合物が好丑しく、１５０
Ｕ以下であるものがより好ましい。
常温で沸点が２０θ℃以下の化合物が好丑しく、１５０
Ｕ以下であるものがより好ましい。
また、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法に使用で
きる非プラズマ性重合ガスとしで、酸素、水素、窒素が
好ましく、特に酸素・窒素は、プラズマ重合性ガスと反
応して架橋点を形成するのみならず自身も重合層中にと
り込まれ、強い結合を生成し、耐摩耗性を向上する点で
好ましい。
きる非プラズマ性重合ガスとしで、酸素、水素、窒素が
好ましく、特に酸素・窒素は、プラズマ重合性ガスと反
応して架橋点を形成するのみならず自身も重合層中にと
り込まれ、強い結合を生成し、耐摩耗性を向上する点で
好ましい。
本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法においては、プ
ラズマ重合条件を適宜調整することにより、プラズマ重
合層内に内部応力を発生さぜ、磁性層の反対側（すなわ
ち、支持体の裏面側）に向って支持体に反りを与えるこ
とができる。したがって、支持体上に磁性層を形成する
際、支持体が磁性層形成面に反る現象（いわゆるカッピ
ング）を相殺することができる。このカッピングを相殺
スルフラスマ重合膜を作製する際、アルボ７（Ａｒ）等
の第２成分ガスの導入を少なくすることが望ましい。
ラズマ重合条件を適宜調整することにより、プラズマ重
合層内に内部応力を発生さぜ、磁性層の反対側（すなわ
ち、支持体の裏面側）に向って支持体に反りを与えるこ
とができる。したがって、支持体上に磁性層を形成する
際、支持体が磁性層形成面に反る現象（いわゆるカッピ
ング）を相殺することができる。このカッピングを相殺
スルフラスマ重合膜を作製する際、アルボ７（Ａｒ）等
の第２成分ガスの導入を少なくすることが望ましい。
本発明にかかる磁気記録媒体の磁性層に使用できる磁性
材料は、従来から使用されている公知のものでもよく、
かかる磁性材料としてγ−Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ含含有−Ｆ
ｅ２０３、ｃｏ板着ｒ−Ｆｅ２０３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣＯ
含有Ｆｅ３Ｏ４、ＣｒＯ２等のいわゆる酸化物系磁性旧
旧：Ｆｅ −Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ −Ｍｎ−Ｚ１１合
金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｚｎ合金、ｐ６−Ｃ□−Ｎｉ−Ｃｒ合
金、Ｆ’ｅ −Ｃｏ −Ｎｉ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ合金
等Ｆｅ ＸＮｉ Ｃｏを主成分とする合金系磁性材料等
各村の磁性材料が挙げられる。
材料は、従来から使用されている公知のものでもよく、
かかる磁性材料としてγ−Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ含含有−Ｆ
ｅ２０３、ｃｏ板着ｒ−Ｆｅ２０３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣＯ
含有Ｆｅ３Ｏ４、ＣｒＯ２等のいわゆる酸化物系磁性旧
旧：Ｆｅ −Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ −Ｍｎ−Ｚ１１合
金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｚｎ合金、ｐ６−Ｃ□−Ｎｉ−Ｃｒ合
金、Ｆ’ｅ −Ｃｏ −Ｎｉ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ合金
等Ｆｅ ＸＮｉ Ｃｏを主成分とする合金系磁性材料等
各村の磁性材料が挙げられる。
支持体上に磁性層を形成する方法として、公知の真空蒸
着、スパツタリング、イオンブレーティング、メソギ法
等が挙げられる。酸化物系磁性拐料や合金系磁性材料の
中でも、合金系の磁性材料を使用する場合は、組成が変
化しないように組成を制御して蒸着又はメッキしなけれ
ばならない。
着、スパツタリング、イオンブレーティング、メソギ法
等が挙げられる。酸化物系磁性拐料や合金系磁性材料の
中でも、合金系の磁性材料を使用する場合は、組成が変
化しないように組成を制御して蒸着又はメッキしなけれ
ばならない。
支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステル
類、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロース
トリアセテート、セルロースダイアセテート等のセルロ
ース誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチック、Ｃ
ｕ、、ＡＩ、Ｚｎ などの金属、ガラス、いわゆるニュ
ーセラミック（たとえば窒化はう素、炭化けい素等）な
どが使用される。
ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステル
類、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロース
トリアセテート、セルロースダイアセテート等のセルロ
ース誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチック、Ｃ
ｕ、、ＡＩ、Ｚｎ などの金属、ガラス、いわゆるニュ
ーセラミック（たとえば窒化はう素、炭化けい素等）な
どが使用される。
支持体の形態はテープ、シート、カード、ディスク、ド
ラム等いずれでもよく、形態に応じて種々の材料が必要
に応じて選択される。
ラム等いずれでもよく、形態に応じて種々の材料が必要
に応じて選択される。
これらの支持体の厚みは、フィルム、シート状の場合は
約３〜１００μ程度、好ましくは５〜５０μであり、デ
ィスク、カード状の場合は３０μ〜１０■程度である。
約３〜１００μ程度、好ましくは５〜５０μであり、デ
ィスク、カード状の場合は３０μ〜１０■程度である。
（ｅ） 実施例：
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１゜
第１図は、本発明にかかる磁気記録媒体の製造装置の要
部断面図を示す。
部断面図を示す。
製造装置は、全体符号１で示すケーシングがら成ってお
り、ケーシング１はベルジャ状の放電室２、支持体送出
室（以下、単に「送出室」とい気）３、支持体巻取り室
（以下、単に「巻取シ室」という。）４から成シ、放電
室２および巻取υ室４：放電室２および送出室３間には
筒管５が連結され、支持体通路を形成している。
り、ケーシング１はベルジャ状の放電室２、支持体送出
室（以下、単に「送出室」とい気）３、支持体巻取り室
（以下、単に「巻取シ室」という。）４から成シ、放電
室２および巻取υ室４：放電室２および送出室３間には
筒管５が連結され、支持体通路を形成している。
送出室３、巻取り室４の側壁には導通管１４が付設され
ており、筒管５には枝管１５が連結されており、導通管
１４の先端はキャリヤガス源（図示せず。）に接続して
おり、また枝管１５の先端は排気系に（図示せず。）に
接続する。
ており、筒管５には枝管１５が連結されており、導通管
１４の先端はキャリヤガス源（図示せず。）に接続して
おり、また枝管１５の先端は排気系に（図示せず。）に
接続する。
また、必要に応じて巻取υ室４の底部に、排気系に連続
する他の枝管１５′を付設する。
する他の枝管１５′を付設する。
さらに、放電管２には、上部電極６と下部電極７が配設
されており、上部電極６の内部は空洞に形成され、一方
の端部は細管を形成し、非プラズマ重合性ガスソース（
図示せず。）に連なり、他端は放電室空間と導通する多
数の蜂巣状導通孔が設けられており、前記細管を通して
空洞内に導入された非プラズマ重合性ガスを、放電室内
へ供給できる構造となっている。また、下部電極７は、
放電時に生ずる発熱を冷却できるように水冷式に溝成さ
れており、電力は、マツチングボックス８を介して電源
９から高周波電力が供給される。
されており、上部電極６の内部は空洞に形成され、一方
の端部は細管を形成し、非プラズマ重合性ガスソース（
図示せず。）に連なり、他端は放電室空間と導通する多
数の蜂巣状導通孔が設けられており、前記細管を通して
空洞内に導入された非プラズマ重合性ガスを、放電室内
へ供給できる構造となっている。また、下部電極７は、
放電時に生ずる発熱を冷却できるように水冷式に溝成さ
れており、電力は、マツチングボックス８を介して電源
９から高周波電力が供給される。
上記製造装置を使用し、磁気記録媒体を作製する場合は
、先ず帯状のポリエチレンテレフタレートフィルム上に
予め公知の方法に依り、Ｃｏ−Ｎｉ合金膜を蒸着した支
持体１ｏを送出用リール１１に巻き取り、送出室３にセ
ットする。リール１１に巻き取られた支持体１ｏの先端
部は、ガイドローラ１２を通９筒管５内をガイドされ、
放電室２から巻取り室４へ送り込まれる。
、先ず帯状のポリエチレンテレフタレートフィルム上に
予め公知の方法に依り、Ｃｏ−Ｎｉ合金膜を蒸着した支
持体１ｏを送出用リール１１に巻き取り、送出室３にセ
ットする。リール１１に巻き取られた支持体１ｏの先端
部は、ガイドローラ１２を通９筒管５内をガイドされ、
放電室２から巻取り室４へ送り込まれる。
巻取９室４内には他の巻取りリール１３が取り付けられ
ておυ、前記送出室側のリール１１小ら巻取り室４へ送
入された支持体１ｏを巻き取るように機能する。
ておυ、前記送出室側のリール１１小ら巻取り室４へ送
入された支持体１ｏを巻き取るように機能する。
上述のようにして、ケーシング１内に七ノドされた支持
体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上に、含けい素有機プラズマ
重合層をオーバコートするに当っては、先ず’ＨＦ気系
全作動して、枝管１５がらケーシング１内を真空排気し
た後、樽通管１４がらケーシング１内へＡｒガスを供給
する。
体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上に、含けい素有機プラズマ
重合層をオーバコートするに当っては、先ず’ＨＦ気系
全作動して、枝管１５がらケーシング１内を真空排気し
た後、樽通管１４がらケーシング１内へＡｒガスを供給
する。
次に、上部電極６をアースし、下部電極７に対してマツ
チングボックス８を介して、高周波電源９から１３．５
６ ＭＨｚ Ｘ ５０Ｗの高周波電力で供給し、放電室
内にＡｒプラズマを発生させ、支持体上のＣｏ−Ｎｉ合
金膜表面を清浄にした。
チングボックス８を介して、高周波電源９から１３．５
６ ＭＨｚ Ｘ ５０Ｗの高周波電力で供給し、放電室
内にＡｒプラズマを発生させ、支持体上のＣｏ−Ｎｉ合
金膜表面を清浄にした。
ついで、上部電極６の細管部を通し、空洞室内へけい素
含有化合物ガス囚としてビニルトリメトキシシラン、非
プラズマ重合性ガスΦ）として酸素をモル比（１：４）
で混合したガスを導入し、ケーシング１内の圧力を０．
１１ Ｔｏｒｒに維持し、再び、下部電極７に３００Ｗ
の高周波電力を供給し、放電室内にＡｒガスの放電を発
生させ、放電室内に供給された上記ビニルトリメトキシ
シランガスおよび酸素ガスのプラズマが前記支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上に、含けい素有機プラズマ重合
膜としてオーバコートされた。
含有化合物ガス囚としてビニルトリメトキシシラン、非
プラズマ重合性ガスΦ）として酸素をモル比（１：４）
で混合したガスを導入し、ケーシング１内の圧力を０．
１１ Ｔｏｒｒに維持し、再び、下部電極７に３００Ｗ
の高周波電力を供給し、放電室内にＡｒガスの放電を発
生させ、放電室内に供給された上記ビニルトリメトキシ
シランガスおよび酸素ガスのプラズマが前記支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上に、含けい素有機プラズマ重合
膜としてオーバコートされた。
その後、巻取り室４側導通管１４から後処理ガスを導入
し、筒管５の枝管１５を通じケーシング内の残留ガスを
排除した。
し、筒管５の枝管１５を通じケーシング内の残留ガスを
排除した。
さらに、ケーシング１内を常圧にもどした後、巻取υ室
４内のり−ル１３を取外し、リールに巻かれた支持体１
０上のオーバコート層をタリステップ、Ｅ Ｓ ＣＡ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏａｅｏｐｙ ｆｏ
ｒ ＣｈｅｍｉｃａｌＡｎａｌｙ＠ｉｇ ）および元素
分析法により分析した結果、膜厚は２８０Ａであり、膜
組成はＣ０，２ｚｆ■ｏ１１００．４９３ｉ０．１ｇで
あることが確認された。
４内のり−ル１３を取外し、リールに巻かれた支持体１
０上のオーバコート層をタリステップ、Ｅ Ｓ ＣＡ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ５ｐｅｃｔｒｏａｅｏｐｙ ｆｏ
ｒ ＣｈｅｍｉｃａｌＡｎａｌｙ＠ｉｇ ）および元素
分析法により分析した結果、膜厚は２８０Ａであり、膜
組成はＣ０，２ｚｆ■ｏ１１００．４９３ｉ０．１ｇで
あることが確認された。
かくしてイ（Ｉられた支持体を、１２．６５ｗ１ｌｌ］
に裁断してビデオテープを作製した。この試料テープを
実施例テープ１とした。
に裁断してビデオテープを作製した。この試料テープを
実施例テープ１とした。
また、第１図に示す製造装置は、支持体１０上に予め装
置外で磁性層を形成した後、当該支持体を装ｆｊＬ内に
セットし、オーバコートする装置の一例を示したもので
あるが、第２図に示すように、放電室２以外に後述する
蒸着室１６を具備する製造装置を使用することにより、
支持体上への磁性層の形成する工程と、磁性層上にオー
バコート層を形成する工程とを同一製造装置内で一貫し
て行うことができる。
置外で磁性層を形成した後、当該支持体を装ｆｊＬ内に
セットし、オーバコートする装置の一例を示したもので
あるが、第２図に示すように、放電室２以外に後述する
蒸着室１６を具備する製造装置を使用することにより、
支持体上への磁性層の形成する工程と、磁性層上にオー
バコート層を形成する工程とを同一製造装置内で一貫し
て行うことができる。
第２図に示す装置は、送出室３と巻取り室４０両者を兼
用する室１７を中央に配置し、室１７の左右両側にそれ
ぞれ隔壁１８を隔てて放電室２と蒸着室１６を設けであ
る。
用する室１７を中央に配置し、室１７の左右両側にそれ
ぞれ隔壁１８を隔てて放電室２と蒸着室１６を設けであ
る。
蒸着室１６には、ガイドローラ１２、冷却缶２０、るつ
は２１、電子ビーム発生装置２２および遮へい板２３が
設けられている。
は２１、電子ビーム発生装置２２および遮へい板２３が
設けられている。
リール１１から送られる帯状支持体１０は隔壁１８に設
けられた細隙通路１９を通り、ガイドロール１２を介し
て冷却缶２００周側面に導かれる。
けられた細隙通路１９を通り、ガイドロール１２を介し
て冷却缶２００周側面に導かれる。
冷却缶２０の周側面においては、冷却缶２０の下方に設
置された電子ビーム発生装置の操作によって、るつぼ２
１内のＣｏ−Ｎｉ合金粉を加熱し、支持体１０面にＣｏ
−Ｎｉ合金膜が蒸着される。
置された電子ビーム発生装置の操作によって、るつぼ２
１内のＣｏ−Ｎｉ合金粉を加熱し、支持体１０面にＣｏ
−Ｎｉ合金膜が蒸着される。
ｃｏ−Ｎｉ合金膜が形成された支１′つ°体１０は、他
のガイドローラ１２を介して、細隙通路２４を通り、放
１１宣２に送られ、第１図に示す製造装置と同様の手順
を経て、上部電極６内に導入されたビニルトリメトキン
シランと酸素の混合ガス（１：４）を、支持体１０のＣ
ｏ−Ｎｉ合金膜上でプラズマ重合せしめ、同一装置内で
支持体の磁性層と、オーバコート層の形成とを連続して
行うことができる。
のガイドローラ１２を介して、細隙通路２４を通り、放
１１宣２に送られ、第１図に示す製造装置と同様の手順
を経て、上部電極６内に導入されたビニルトリメトキン
シランと酸素の混合ガス（１：４）を、支持体１０のＣ
ｏ−Ｎｉ合金膜上でプラズマ重合せしめ、同一装置内で
支持体の磁性層と、オーバコート層の形成とを連続して
行うことができる。
実施例２
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内において支持
体１０上面に形成したＣｏ−Ｎｉ合金膜上でビニルトリ
メトキシシラン及び酸素をモル比で（１：４）の割合で
混合したガスを、ガス圧０．１ＩＴｏｒｒｓ高周波電力
３００Ｗの条件でグロー放電させる代りに、下記の表−
１、ぬ２に示すビニルトリメトキシシランおよび酸素を
モル比（１：２）の割合で混合したガスを、 ガス圧二８鰭Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ１０Ｗ の条件下でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上に含けい素有機プラズマ重合層を形成した。
体１０上面に形成したＣｏ−Ｎｉ合金膜上でビニルトリ
メトキシシラン及び酸素をモル比で（１：４）の割合で
混合したガスを、ガス圧０．１ＩＴｏｒｒｓ高周波電力
３００Ｗの条件でグロー放電させる代りに、下記の表−
１、ぬ２に示すビニルトリメトキシシランおよび酸素を
モル比（１：２）の割合で混合したガスを、 ガス圧二８鰭Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ１０Ｗ の条件下でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上に含けい素有機プラズマ重合層を形成した。
上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、支持体１０を取外し、支持体上のｃｏ−Ｎ
ｉ合金膜上に形成されたオーバコート層を、タリステッ
プ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したところ、 膜組成： （：：ｏ、ｔｓＨｏ、ｔａＱｏ４ｓＳｉｏ、
ｚｔであることが確認できた。
排除した後、支持体１０を取外し、支持体上のｃｏ−Ｎ
ｉ合金膜上に形成されたオーバコート層を、タリステッ
プ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したところ、 膜組成： （：：ｏ、ｔｓＨｏ、ｔａＱｏ４ｓＳｉｏ、
ｚｔであることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５惰巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
とした。
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
とした。
以下余白
表−１
実施例３
第１図に示す装造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波１カニ３００Ｗ でグロー放電させる代シに、下記の表−１、Ｎ［Ｌ３に
示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比で（１：
３）の割合で混合したガスを、封入ガス圧： １２ ｔ
ｘａ Ｔｏｒｒ供給高周波電カニ１５Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波１カニ３００Ｗ でグロー放電させる代シに、下記の表−１、Ｎ［Ｌ３に
示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比で（１：
３）の割合で混合したガスを、封入ガス圧： １２ ｔ
ｘａ Ｔｏｒｒ供給高周波電カニ１５Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体ｌＯ
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、Ｅ−８ＣＡ及び元素分析法により分析した
ところ、 膜厚：１８０人 膜組成： Ｃ０，１９ＨＯ，，１２ＱＯ，１８Ｎ０．２
２ＳｉＯ，２９であることが確認できた。
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体ｌＯ
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、Ｅ−８ＣＡ及び元素分析法により分析した
ところ、 膜厚：１８０人 膜組成： Ｃ０，１９ＨＯ，，１２ＱＯ，１８Ｎ０．２
２ＳｉＯ，２９であることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍ巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
３とした。
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
３とした。
実施例４
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧＋ ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎ１１４に
示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比で（１：
１）の割合で混合したガスを、封入ガど圧： １６ ｗ
Ｔｏｒｒ 供給高周波遊カニ１０Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧＋ ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎ１１４に
示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比で（１：
１）の割合で混合したガスを、封入ガど圧： １６ ｗ
Ｔｏｒｒ 供給高周波遊カニ１０Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚：１６０Ａ 膜組成： Ｃ０，２１Ｈ０，１５００，１６Ｎ０．１９
Ｓｉ Ｏ，２９であることが確認できた。
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚：１６０Ａ 膜組成： Ｃ０，２１Ｈ０，１５００，１６Ｎ０．１９
Ｓｉ Ｏ，２９であることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５ｗｍ巾に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ４とした。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ４とした。
実施例５
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニａｏｏｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｈａ ５に
示すビニルトリメトキシシランと水素をモル比で（２：
１）の割合で混合したガスを、封入ガス圧： １５５
ｍ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ１５０Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニａｏｏｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｈａ ５に
示すビニルトリメトキシシランと水素をモル比で（２：
１）の割合で混合したガスを、封入ガス圧： １５５
ｍ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ１５０Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚：２２ＯＡ 膜組成： ＣＯ，２３１（０，２９Ｑ０．２５Ｓｉ０．
２３であることが確認できた。
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚：２２ＯＡ 膜組成： ＣＯ，２３１（０，２９Ｑ０．２５Ｓｉ０．
２３であることが確認できた。
かくしてＫｒＪられた支持体を１２．６５ｍｍ巾に裁断
してビデオテープを作製した。この試料テープを実施例
テープ５とした。
してビデオテープを作製した。この試料テープを実施例
テープ５とした。
実施例６
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０上のＣ’ｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニ
ルトリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎ１１６に
示すテトラメチルシランと酸素をモル比で（ｌ：４）の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧： １５ ｖｘ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ１５Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体１０上のＣ’ｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニ
ルトリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎ１１６に
示すテトラメチルシランと酸素をモル比で（ｌ：４）の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧： １５ ｖｘ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ１５Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステッズＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したとこ
ろ、 膜厚：１６０Ａ 膜組成二ｃｏ１ｓ１（ｏ、ｏｓＱｏ、５ｚＳｉｏ、ｚ２
であることが確認できた。
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステッズＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したとこ
ろ、 膜厚：１６０Ａ 膜組成二ｃｏ１ｓ１（ｏ、ｏｓＱｏ、５ｚＳｉｏ、ｚ２
であることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍ＋巾に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ′６とした。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ′６とした。
実施例７
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニａｏｏｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎ［Ｌ７に
示すテトラメチルシランと酸素をモル比で（１：５）の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧： １４０ｓａＴｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニａｏｏｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎ［Ｌ７に
示すテトラメチルシランと酸素をモル比で（１：５）の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧： １４０ｓａＴｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚：１８０Ａ 膜組成： Ｃｏ２ｔ、ｌｏ、ｏｓＱｏ、４ｔＳｉｏ、ｓ
ｓであることが確認できた。
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚：１８０Ａ 膜組成： Ｃｏ２ｔ、ｌｏ、ｏｓＱｏ、４ｔＳｉｏ、ｓ
ｓであることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍ巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
７とした。
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
７とした。
実施例８
第１図に示す製造装置を用い、放電室ｚ内にガイドされ
た支持体ｌｏ上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、随８に示す
ヘキサメチルジシラザンと窒素をモル比で（１：５）の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ｌ ２５ ｍ Ｔｏｒｒ供給高周波電カ
ニ２００Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体ｌｏ上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体ｌｏ上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、随８に示す
ヘキサメチルジシラザンと窒素をモル比で（１：５）の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ｌ ２５ ｍ Ｔｏｒｒ供給高周波電カ
ニ２００Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体ｌｏ上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１ｏを取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚コ２４ＯＡ 膜組成： Ｃ０，１２Ｈ０，１４００，０２Ｎ０．３６
８ｉ ｏ、ａ ｅであることが確認できた。
排除した後、装置から支持体１ｏを取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚コ２４ＯＡ 膜組成： Ｃ０，１２Ｈ０，１４００，０２Ｎ０．３６
８ｉ ｏ、ａ ｅであることが確認できた。
かくしてイ０られた支持体を１２．６５ｍｍ巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テ
ープ８とした。
てビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テ
ープ８とした。
実施例９
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎ［Ｌ９に
示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で（１：３
）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ｌ ０５ ｗ Ｔｏｒｒ供給高周波電カ
ニ１５０Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体ｉｏ上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎ［Ｌ９に
示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で（１：３
）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ｌ ０５ ｗ Ｔｏｒｒ供給高周波電カ
ニ１５０Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体ｉｏ上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１ｏを取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚：２６０Ａ 膜組成： Ｃｏ１ｘ）ｉｏ、ｔ４Ｑｏ、ｚ２Ｎｏ、ｚｓ
Ｓｉｏ、ｚｓであることが確認できた。
排除した後、装置から支持体１ｏを取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚：２６０Ａ 膜組成： Ｃｏ１ｘ）ｉｏ、ｔ４Ｑｏ、ｚ２Ｎｏ、ｚｓ
Ｓｉｏ、ｚｓであることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍｍ中に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ９とした。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ９とした。
実施例１０
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代シに、下記の表−１、Ｎａ１Ｏに
示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で（１：１
）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ２２ ｒｎｙｎ ’Ｉ’ｏｒｒ供給高周
波亀カニ１２０Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代シに、下記の表−１、Ｎａ１Ｏに
示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で（１：１
）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ２２ ｒｎｙｎ ’Ｉ’ｏｒｒ供給高周
波亀カニ１２０Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステッゾ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚：２６ＯＡ 膜組成： Ｃｏ、ｏ９ＨｏｌａＱｏ、ｚ４Ｎｏ、ｚａＳ
ｉｏ２ｓであることが確認できた。
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステッゾ、ＥＳＣＡ及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚：２６ＯＡ 膜組成： Ｃｏ、ｏ９ＨｏｌａＱｏ、ｚ４Ｎｏ、ｚａＳ
ｉｏ２ｓであることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍｍ中に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ１０とした。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ１０とした。
実施例１１
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニａｏｏｗ でグロー放電させる代シに、下記の表−１、Ｎα１１に
示すヘキサメチルジシロキサンとチオフェン及び酸素を
モル比で（２０／１／１０）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ５酊Ｔｏｒｒ 供給高周波電力＝５０Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で（１：４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニａｏｏｗ でグロー放電させる代シに、下記の表−１、Ｎα１１に
示すヘキサメチルジシロキサンとチオフェン及び酸素を
モル比で（２０／１／１０）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ５酊Ｔｏｒｒ 供給高周波電力＝５０Ｗ の条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同様の処
理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎｉ
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法によシ分析したと
ころ、 膜厚：２４０Ａ 膜組成： Ｃｏ、ｔ＊Ｈｏ、ｚ４Ｑｏ２ｔＳｉｏ、ｔｓ
３ｏ、ｔｔであることが確認できた。
排除した後、装置から支持体１０を取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ＥＳＣＡ及び元素分析法によシ分析したと
ころ、 膜厚：２４０Ａ 膜組成： Ｃｏ、ｔ＊Ｈｏ、ｚ４Ｑｏ２ｔＳｉｏ、ｔｓ
３ｏ、ｔｔであることが確認できた。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍ巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
１１とした。
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
１１とした。
実施例１２
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給八周波へカニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、随１２に示
すヘキザメチルジシロキサンとトリメチルホスファイト
および酸素をモル比で（２０／１／１０）の割合で混合
したガスを、 封入ガス圧： １０ｍｙａＴｏｒｒ 供給高周波電カニ８０Ｗ の反応条件でグロー放電さゼる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給八周波へカニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、随１２に示
すヘキザメチルジシロキサンとトリメチルホスファイト
および酸素をモル比で（２０／１／１０）の割合で混合
したガスを、 封入ガス圧： １０ｍｙａＴｏｒｒ 供給高周波電カニ８０Ｗ の反応条件でグロー放電さゼる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体ｌＯを取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法によシ分析し
たところ、 膜厚：２８０Ａ 膜組成： Ｃ０，１ｅｉ（ｏ、ｔ ９Ｑ０．２８Ｓｉ
Ｏ，２４ｐ０．１３であることを確認した。
排除した後、装置から支持体ｌＯを取外し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法によシ分析し
たところ、 膜厚：２８０Ａ 膜組成： Ｃ０，１ｅｉ（ｏ、ｔ ９Ｑ０．２８Ｓｉ
Ｏ，２４ｐ０．１３であることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５ａｘ巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
ビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１２とした。
実施例１３
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニルト
リメ１キシシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎα１３に
示すフェニルシランとベンゼンおよび酸素をモル比で（
４／１／４）の割合で混合したガスを、封入ガス圧：
２０５ｍ１Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｖ、’ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜を形成し、た。
た支持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニルト
リメ１キシシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎα１３に
示すフェニルシランとベンゼンおよび酸素をモル比で（
４／１／４）の割合で混合したガスを、封入ガス圧：
２０５ｍ１Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｖ、’ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜を形成し、た。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層ヲ、
クリステツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚：１８０Ａ 膜組成： Ｃ０，２５ｌ（ｏ、ｏ ８Ｑ０．２１ Ｓ
ｉ Ｏ，４３であることを確認した。
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層ヲ、
クリステツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚：１８０Ａ 膜組成： Ｃ０，２５ｌ（ｏ、ｏ ８Ｑ０．２１ Ｓ
ｉ Ｏ，４３であることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍｍ巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
ビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１３とした。
実施例１４
第１図に示す射造装置を用い、放％’、市２内にガイド
された支持体１ｏのＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニ
ルトリメトキシシランと酸素とをモル１、ヒで（１／４
）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎａ１４に
示すフェニルシランとメチルメタクリレートおよび窒素
なモル比で（５／３／４０ ）の割合で混合したガスを
、 封入ガス圧： １３５ｍｍＴｏｒｒ 供給高周波電カニｉｓｏｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体ｌ。
された支持体１ｏのＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニ
ルトリメトキシシランと酸素とをモル１、ヒで（１／４
）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎａ１４に
示すフェニルシランとメチルメタクリレートおよび窒素
なモル比で（５／３／４０ ）の割合で混合したガスを
、 封入ガス圧： １３５ｍｍＴｏｒｒ 供給高周波電カニｉｓｏｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体ｌ。
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１ｏを取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚−：１６０Ａ 膜組成： Ｃ０，２７Ｈ０，２８００，１９Ｎ０．１０
Ｓ ｉ Ｏ，１６であることを確認した。
排除した後、装置から支持体１ｏを取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚−：１６０Ａ 膜組成： Ｃ０，２７Ｈ０，２８００，１９Ｎ０．１０
Ｓ ｉ Ｏ，１６であることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５ｙｍ巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
ビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１４とした。
実施例１５
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１ｏのＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニａｏｏｗ でグロー放電させる代シに、下記の表−１、Ｎａ１５に
示すヘキサメチルシクロトリシロキサンとトリメチルポ
レートおよび酸素をモル比で（１０／１／２０ ）の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧： １３５ ｍ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ１８０Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体１ｏのＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニａｏｏｗ でグロー放電させる代シに、下記の表−１、Ｎａ１５に
示すヘキサメチルシクロトリシロキサンとトリメチルポ
レートおよび酸素をモル比で（１０／１／２０ ）の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧： １３５ ｍ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ１８０Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚：２６０Ａ 膜組成： Ｃ０，２１Ｊ（０，１４Ｑ０．４３Ｓｉ Ｏ
，１１１３０，１１であることを確認した。
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚：２６０Ａ 膜組成： Ｃ０，２１Ｊ（０，１４Ｑ０．４３Ｓｉ Ｏ
，１１１３０，１１であることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５＋ｍｍ巾に裁断し
てビデオテープを作製した。
てビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１５とした。
実施例１６
第１図に示す製造装置を用い、放電室２内にガイドされ
た支持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎ１６に示
すヘキサメチルシクロトリシロキサンと塩化ビニルおよ
び水素をモル比で（５１５／２）の割合で混合したガス
を、 封入ガス圧： １１ ｖｍ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ８Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体ｌ。
た支持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ でグロー放電させる代りに、下記の表−１、Ｎ１６に示
すヘキサメチルシクロトリシロキサンと塩化ビニルおよ
び水素をモル比で（５１５／２）の割合で混合したガス
を、 封入ガス圧： １１ ｖｍ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ８Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体ｌ。
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚：２６０Ａ 膜組成： Ｃｏ、ａ３■（ｏ、ｏｓＱｏ、ｘｓＳｉｏ、
ａｓ（Ｊｏ、ｏ：＋であることを確認した。
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚：２６０Ａ 膜組成： Ｃｏ、ａ３■（ｏ、ｏｓＱｏ、ｘｓＳｉｏ、
ａｓ（Ｊｏ、ｏ：＋であることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍ巾に裁断してビ
デオテープを作製した。
デオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ１６とした。
比較例１
第１図に示す装置を用い、放電室２内にガイドされた支
持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリーメトキ
シシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる代シに、下記表−２、ＦＪ［
Ｌ １に示すビニルトリメトキシシランを、封入ガス圧
： ｌ ８ ｙｅｎ Ｔｏｒｒ供給高周波電カニ５０Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体ｌ。
持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリーメトキ
シシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる代シに、下記表−２、ＦＪ［
Ｌ １に示すビニルトリメトキシシランを、封入ガス圧
： ｌ ８ ｙｅｎ Ｔｏｒｒ供給高周波電カニ５０Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体ｌ。
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコー
ト層た。
ト層た。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１ｏを取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、Ｅ Ｓ ＣＡおよび光重分析法によシ分
析したところ、 膜厚：２６０Ａ 膜組成： （’０．３１）（０，１３ｓｉ０．３３Ｑ０
．２３であることを確認した。
排除した後、装置から支持体１ｏを取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、Ｅ Ｓ ＣＡおよび光重分析法によシ分
析したところ、 膜厚：２６０Ａ 膜組成： （’０．３１）（０，１３ｓｉ０．３３Ｑ０
．２３であることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍｍ巾に裁断して
ビデオテープを作！ソした。
ビデオテープを作！ソした。
この試料テープを比較例テープｌとした。
以下余白
表−２
比較例２
第１図に示す装置を用い、放電室２内にガイドされた支
持体ｌＯのＣｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニａｏｏｗ の条件でグロー放電させる代シに、下記表−２、ｈ２に
示すビニルトリメトキシシランおよびエチレンをモル比
で（１／１）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ３５ ｗｓ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ１００Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例工と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート唇た。
持体ｌＯのＣｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニａｏｏｗ の条件でグロー放電させる代シに、下記表−２、ｈ２に
示すビニルトリメトキシシランおよびエチレンをモル比
で（１／１）の割合で混合したガスを、 封入ガス圧： ３５ ｗｓ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ１００Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例工と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート唇た。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法によシ分赤し
たところ、 膜厚：２２０Ａ 膜組成： Ｃｏ４ｎ）ｉｏ、ｘｓＳｉｏ、ｚｓＱｏ、ｘ
ｓであることを確認した。
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法によシ分赤し
たところ、 膜厚：２２０Ａ 膜組成： Ｃｏ４ｎ）ｉｏ、ｘｓＳｉｏ、ｚｓＱｏ、ｘ
ｓであることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍ巾に裁断してビ
デオテープを作製した。
デオテープを作製した。
この試料テープを比較例テープ２とした。
比較例３
第１図に示す装置を用い、放電室２内にガイドされた支
持体１０のｃｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリメトキシ
シランと酸素とをモル比で（１／４）の割合で混合した
ガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、Ｎα３
に示すテトラメチルシランを、 封入ガス圧： １２ ｔｍ ’ｆＯｒｒ供給高周波電カ
ニ１００Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体重０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート唇た。
持体１０のｃｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリメトキシ
シランと酸素とをモル比で（１／４）の割合で混合した
ガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、Ｎα３
に示すテトラメチルシランを、 封入ガス圧： １２ ｔｍ ’ｆＯｒｒ供給高周波電カ
ニ１００Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体重０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート唇た。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート唇、′
を、クリステツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法−より分
析したところ、 膜厚：１８０Ａ 膜組成； （：：ｏ５１Ｈｏ、ｏ４Ｓｉｏ、＋ｏＱｏ、
ｏｓであることを確認した。
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート唇、′
を、クリステツブ、ＥＳＣＡおよび元素分析法−より分
析したところ、 膜厚：１８０Ａ 膜組成； （：：ｏ５１Ｈｏ、ｏ４Ｓｉｏ、＋ｏＱｏ、
ｏｓであることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍｍ巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
ビデオテープを作製した。
この試料テープを比較例テープ３とした。
比較例４
第１図に示す装置を用い、放電室２内にガイドされた支
持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で（，１／４ ）の割合で混
合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波型カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、Ｎ［Ｌ
４に示すテトラメチルシランおよびスチレンをモル比
で（１／１）の割合で混合したガスを、封入ガス圧：
１２５ｗｍＴｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート層た。
持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で（，１／４ ）の割合で混
合したガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波型カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、Ｎ［Ｌ
４に示すテトラメチルシランおよびスチレンをモル比
で（１／１）の割合で混合したガスを、封入ガス圧：
１２５ｗｍＴｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート層た。
上記７’ラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガス
を排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１
０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を
、タリステップ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析
したところ、 膜厚：３００Ａ 膜組成： （：ｏ、５ｓＨｏ２１Ｓｉｏ、＋ｔＱｏ、ｏ
ｓであることを確認した。
を排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１
０上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を
、タリステップ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析
したところ、 膜厚：３００Ａ 膜組成： （：ｏ、５ｓＨｏ２１Ｓｉｏ、＋ｔＱｏ、ｏ
ｓであることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍ中に裁断してビ
デオテープを作製した。
デオテープを作製した。
この試料テープを比較例テープ４とした。
比較列５
第１図に示す装置を用い、放電室２内にガイドされた支
持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリメトキシ
シランと酸素とをモル比で（１／４）の割合で混合した
ガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、Ｆ１α
５に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、封入ガス
圧： １４０ ｍｍ Ｔｏｒｒ供給高周波電カニ２５０
Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコードンた。
持体１０のＣｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリメトキシ
シランと酸素とをモル比で（１／４）の割合で混合した
ガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、Ｆ１α
５に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、封入ガス
圧： １４０ ｍｍ Ｔｏｒｒ供給高周波電カニ２５０
Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例１と同じ
処理および手順にしたがって、支持体１０上のＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコードンた。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオ、（コート層を、
タリステップ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たＡころ、 膜厚：３６０Ａ 膜組成： Ｃ０，３１ＨＯ，１ｔｓｉ ｏ、３３００．
０８Ｎ０．１７であることを確認した。
排除した後、装置から支持体１０を取出し、支持体１０
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオ、（コート層を、
タリステップ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たＡころ、 膜厚：３６０Ａ 膜組成： Ｃ０，３１ＨＯ，１ｔｓｉ ｏ、３３００．
０８Ｎ０．１７であることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５ｗｒａ巾に裁断し
てビデオテープを作製した。
てビデオテープを作製した。
この試料テープを比較例テープ５とした。
比較例６
第１図に示す装置を用い、放電室２内にガイドされた支
持体１ｏのＣｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、Ｎ［Ｌ
６に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、封入ガス
圧＝１８朋Ｔｏｒｒ 供給高周波型カニ３０Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外＋ｒｉ、、実施例１
と１司じ処理および手ＪＩＵｉにしたがって、支持体１
゜上のｃｏ−Ｎｉ合金膜上に７°ラズマ重合膜をオーバ
コートした。
持体１ｏのＣｏ−Ｎｉ合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で（１／４）の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧： ０．１１ Ｔｏｒｒ 供給高周波電カニ３００Ｗ の条件でグロー放電させる代りに、下記表−２、Ｎ［Ｌ
６に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、封入ガス
圧＝１８朋Ｔｏｒｒ 供給高周波型カニ３０Ｗ の反応条件でグロー放電させる以外＋ｒｉ、、実施例１
と１司じ処理および手ＪＩＵｉにしたがって、支持体１
゜上のｃｏ−Ｎｉ合金膜上に７°ラズマ重合膜をオーバ
コートした。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体１ｏを取出し、支持体ｌｏ
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚：３２０Ａ 膜組成 ： （：ｏ、ｚｓＨｏ、ｏｔｓｉｏ２ａＱｏ、
ｔｏｌｙＪｏ、ａｚであることを確認した。
排除した後、装置から支持体１ｏを取出し、支持体ｌｏ
上のＣｏ−Ｎｉ合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ＥＳＣＡおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚：３２０Ａ 膜組成 ： （：ｏ、ｚｓＨｏ、ｏｔｓｉｏ２ａＱｏ、
ｔｏｌｙＪｏ、ａｚであることを確認した。
かくして得られた支持体を１２．６５ｍ中に裁断してと
デオテープを子ゝ［製した。
デオテープを子ゝ［製した。
この試料テープを比較例テープ６とした。
次に、実施例１〜１６および比較例１〜６において得ら
れた各実施例テープト１６および比較例テープト６のオ
ーバコート層の屈折率、動摩擦係数、ａｓ）劣化および
テープのスチル寿命の）について測定した結果を、表−
３に示す。
れた各実施例テープト１６および比較例テープト６のオ
ーバコート層の屈折率、動摩擦係数、ａｓ）劣化および
テープのスチル寿命の）について測定した結果を、表−
３に示す。
以下余白
表−３
係数、ａｓ劣化率およびステル寿命は次の方法にしたが
って評価した。
って評価した。
（ａ） オーバコート層の屈折率：
エリプソメータで…り定した。
（ｂ） オーバコート層の動摩擦係数：テープを温！２
５℃、相対湿度５５％の雰囲気下で２４時間放置後、テ
ープの一端をテンション検出部に取り付け、他方の端に
は３０？荷重をかけて静止しておき、さらに当該テープ
下面に回転ローラ（直径４門）を接触させて、周速度１
４ｍｘ／ｓｅｃで回転させたとき、上記テンション検出
部に検出される値をもって動摩擦係数とした。
５℃、相対湿度５５％の雰囲気下で２４時間放置後、テ
ープの一端をテンション検出部に取り付け、他方の端に
は３０？荷重をかけて静止しておき、さらに当該テープ
下面に回転ローラ（直径４門）を接触させて、周速度１
４ｍｘ／ｓｅｃで回転させたとき、上記テンション検出
部に検出される値をもって動摩擦係数とした。
（ｃ） ’ｓ劣化率：
テープを高温多湿の条件下（温度６０℃、相対湿腿８０
φ）において１週間放置した後の、当該テープの飽和磁
化０ｓと、放置前のテープの飽和磁化’ｓｏとから、次
式に従ってめた、 σＳ劣比率＝（シー−Ｕ−） ｘ ｉ ｏ 。
φ）において１週間放置した後の、当該テープの飽和磁
化０ｓと、放置前のテープの飽和磁化’ｓｏとから、次
式に従ってめた、 σＳ劣比率＝（シー−Ｕ−） ｘ ｉ ｏ 。
０
をもって表示した。
（ｄ） スチル寿命：
ＴＶ画面上の再生静止画像が消失するまでの時間を（６
）単位で表示した。また、前記実施例１〜１６および比
較例１〜６におけるテープのオーバコート層の膜厚はＲ
ａｎｋ ｔａｌｏｖ ｌｌｏｂｓｏｎ社製クリステツブ
を用い常法に従って測定した。
）単位で表示した。また、前記実施例１〜１６および比
較例１〜６におけるテープのオーバコート層の膜厚はＲ
ａｎｋ ｔａｌｏｖ ｌｌｏｂｓｏｎ社製クリステツブ
を用い常法に従って測定した。
表−３に表わされた測定結果から、オーバコート層の屈
折率が１．４５以下の試料テープ（比較例テープト６）
は、屈折率１．４５以上の試料テープ（実施例テープト
１６）に比べて、動摩擦係数、ａｓ劣化率がいずれも大
きく、テープ走行性が悪くスリ傷を生じやすく、耐食性
（保存安定性）も劣ることが判る。
折率が１．４５以下の試料テープ（比較例テープト６）
は、屈折率１．４５以上の試料テープ（実施例テープト
１６）に比べて、動摩擦係数、ａｓ劣化率がいずれも大
きく、テープ走行性が悪くスリ傷を生じやすく、耐食性
（保存安定性）も劣ることが判る。
さらに、オーバコート層の屈折率１．４５以上の試料テ
ープは、屈折率１．４５以下のオーバコート層を有する
試料テープに比べて、スチル寿命が長く耐摩耗性が優れ
ていることが判る。
ープは、屈折率１．４５以下のオーバコート層を有する
試料テープに比べて、スチル寿命が長く耐摩耗性が優れ
ていることが判る。
表−３に示された測定値に基づいて、試料テープの屈折
率とスチル寿命との関係をプロットすると、第３図に示
すごとき結果となる。図中Ｘ印は、屈折率１．４５以下
の試料テープの特性値であり、・印は、屈折率１．４５
以上の試料テープの特性値を表わす。この結果に基づい
て内挿線をプロットしてみると、２種類の内挿線Ｃ１と
０２が得られる。
率とスチル寿命との関係をプロットすると、第３図に示
すごとき結果となる。図中Ｘ印は、屈折率１．４５以下
の試料テープの特性値であり、・印は、屈折率１．４５
以上の試料テープの特性値を表わす。この結果に基づい
て内挿線をプロットしてみると、２種類の内挿線Ｃ１と
０２が得られる。
内挿線Ｃ工、Ｃ２から、屈折率が１．４５以上のオーバ
コート層を有するテープのスチル寿命は、屈折率１．４
５以下のオーバコート層を有するテープのスチル寿命に
比べて飛ｍ的に増加しており、テープの耐摩耗性が向」
ニしたことが判る。
コート層を有するテープのスチル寿命は、屈折率１．４
５以下のオーバコート層を有するテープのスチル寿命に
比べて飛ｍ的に増加しており、テープの耐摩耗性が向」
ニしたことが判る。
（ｆ） 発明の効果：
以上のごとく、本発明によると、磁気記録媒体は、
■ 走行性が改善され、走行不良に基づく画面あるいは
録音の乱れが少なくなる。
録音の乱れが少なくなる。
■ また、耐摩耗性が高いため、長時間使用しても、書
生出力信号の変動が少ない。
生出力信号の変動が少ない。
■ さらに、耐食性に優れているため、長時間高温・多
湿の条件の下に放置しても、再生出力の劣化が少なく、
高い保存安定性が得られる。
湿の条件の下に放置しても、再生出力の劣化が少なく、
高い保存安定性が得られる。
ＫｒＪ１図は、本発明の磁気記録媒体製造装置の要部断
面図、第２図は本発明の磁気記録媒体製造装置！父の他
の実施例の要部断面図、第３図は本発明にかかる磁気記
録媒体と比較例の磁気記録媒体のオーバコート層の屈折
率対スチル寿命のじピ１係を示すｌ庁性曲線図である。 ２・・・・・・放電室、 ３・・・・・・支持体送出室
４・・・・・・支持体巻取り室、 ６・・・・・・上部
電極、７・・・・・・下部１５極、 ８・・・・・・マ
ツチングボックス９・・・・・・高周波電畝１０・・・
・・・支持体、１１・・・・・・支持体送出リール、 １３・・・・・・支持体巻取リール 特許出願人 小西六写真工業株式会社 第１図 第２図 ５ 箪３図 屈 折率 手続補正書（自発） 昭和５８年９月１４日 １、事件の表示 昭和５８年 特 ｊ’ｔ １第１．４５ ］、 ９３号
゛２、発明の名称 磁気記録媒体およびその製造方法 ３、ホに正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（１２７）小西六写真工業株式会社６、補正の内容 別紙のとおり。 ［１］＠許請求の範囲値別紙裏示す如く訂正する。 ［２］発明の詳細な説明の桐を以下の如く補正する。 （１）明細書第２頁１行目の「・・・薄膜型磁気記録媒
体に関する。」とある記載を「・・・薄膜型磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。」とする。 （２）明細筈第３頁８行目の１・・・Ｗ、Ｊとある記載
を「・・・ＷＣｌ」とする。 （３）明細古第６頁３行目の１・・・耐摩性・・・」と
ある記載を「・・・耐摩耗性・・・」とする。 （４）明細書の第６頁下から１行目から第７頁２行目ま
での「−・・オーバーコート層を屈折率が１．４５以上
の含けい素有機プラズマ重合層で構成すること・・・」
とある記載を「・・・オーバーコート層が屈折率１．４
５以上であり、含けい素有機プラズマ重合層で＃ｊ成さ
れたものであること・・・」とする。 （５）明細書第９頁１〜３行目の［・・・屈折率が１．
４５以上の含けい素有機プラズマ重合層をオーバーコー
トすること・・・」とある記載を「・・・含けい素有機
プラズマ重合層で構成された屈折率１．４５以上のオー
バーコート層を形成すること・・・」とする。 （Ｇ＋ 明細瞥第９頁１から３行目の［・・・テトラメ
キシルシラ／・・・」とある記載を「・・・テトラメト
キシシラン・・・」とする。 （７） リｊＩ！ｆｉ１！１．第１２頁１３〜１４行目
の「・・・酸化物系磁性材料や合金系磁性材料の中でも
、・・・」とある記載を削除する。 （８）明細扮第５３頁６行目の「・−・Ｒａｎ１ｃ ｔ
ａｌｏｖ）ｉｏ ｂ ｓ ｏ ｎ−Ｊとある記載を「＝
・ＪＬａｎｋ ｔａｌｏｒｎｏ ｂ ｓ ｏ ｎ・−Ｊ
とする。 以上 （別紙） 特許請求の範囲 （１）支持体上に、磁性Ｈηと磁性層上に形成したオー
バーコート層を有する磁気記録媒体において、オーバー
コート層が屈折率１．４５以上であり、含けい素有機プ
ラズマ重合層で構成されたｔ囚で。 緑ことを特徴とする磁気配録媒体。 （２）支持体上に磁性層を形成した後、該磁性層上で非
プラズマ亜合性ガスと含けい素化合物とを同Ｒ，′ｆに
プラズマ１１ξ合処理し、磁性層上に１旦ヤとする磁気
記録媒体の製造方法。 手続補正書 ５Ｂ、１２．１７ 昭和 年 月 日 １ 事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１４５１９３号４１件との関
係 特許出紐１人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６査２号罠ｌ″′
壱、オ；） （１２７）小西六写よ１．工梨口、式会社
代表取締役 川 本 信 彦 ７、補正の対象 （１）「特許法第３６糸」による出願を「特許法第３８
条但し朋」の規定による特許出願に補正する。 （２、特許請求の範囲に記載された発明の数」について
、２と補正する。 以上
面図、第２図は本発明の磁気記録媒体製造装置！父の他
の実施例の要部断面図、第３図は本発明にかかる磁気記
録媒体と比較例の磁気記録媒体のオーバコート層の屈折
率対スチル寿命のじピ１係を示すｌ庁性曲線図である。 ２・・・・・・放電室、 ３・・・・・・支持体送出室
４・・・・・・支持体巻取り室、 ６・・・・・・上部
電極、７・・・・・・下部１５極、 ８・・・・・・マ
ツチングボックス９・・・・・・高周波電畝１０・・・
・・・支持体、１１・・・・・・支持体送出リール、 １３・・・・・・支持体巻取リール 特許出願人 小西六写真工業株式会社 第１図 第２図 ５ 箪３図 屈 折率 手続補正書（自発） 昭和５８年９月１４日 １、事件の表示 昭和５８年 特 ｊ’ｔ １第１．４５ ］、 ９３号
゛２、発明の名称 磁気記録媒体およびその製造方法 ３、ホに正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（１２７）小西六写真工業株式会社６、補正の内容 別紙のとおり。 ［１］＠許請求の範囲値別紙裏示す如く訂正する。 ［２］発明の詳細な説明の桐を以下の如く補正する。 （１）明細書第２頁１行目の「・・・薄膜型磁気記録媒
体に関する。」とある記載を「・・・薄膜型磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。」とする。 （２）明細筈第３頁８行目の１・・・Ｗ、Ｊとある記載
を「・・・ＷＣｌ」とする。 （３）明細古第６頁３行目の１・・・耐摩性・・・」と
ある記載を「・・・耐摩耗性・・・」とする。 （４）明細書の第６頁下から１行目から第７頁２行目ま
での「−・・オーバーコート層を屈折率が１．４５以上
の含けい素有機プラズマ重合層で構成すること・・・」
とある記載を「・・・オーバーコート層が屈折率１．４
５以上であり、含けい素有機プラズマ重合層で＃ｊ成さ
れたものであること・・・」とする。 （５）明細書第９頁１〜３行目の［・・・屈折率が１．
４５以上の含けい素有機プラズマ重合層をオーバーコー
トすること・・・」とある記載を「・・・含けい素有機
プラズマ重合層で構成された屈折率１．４５以上のオー
バーコート層を形成すること・・・」とする。 （Ｇ＋ 明細瞥第９頁１から３行目の［・・・テトラメ
キシルシラ／・・・」とある記載を「・・・テトラメト
キシシラン・・・」とする。 （７） リｊＩ！ｆｉ１！１．第１２頁１３〜１４行目
の「・・・酸化物系磁性材料や合金系磁性材料の中でも
、・・・」とある記載を削除する。 （８）明細扮第５３頁６行目の「・−・Ｒａｎ１ｃ ｔ
ａｌｏｖ）ｉｏ ｂ ｓ ｏ ｎ−Ｊとある記載を「＝
・ＪＬａｎｋ ｔａｌｏｒｎｏ ｂ ｓ ｏ ｎ・−Ｊ
とする。 以上 （別紙） 特許請求の範囲 （１）支持体上に、磁性Ｈηと磁性層上に形成したオー
バーコート層を有する磁気記録媒体において、オーバー
コート層が屈折率１．４５以上であり、含けい素有機プ
ラズマ重合層で構成されたｔ囚で。 緑ことを特徴とする磁気配録媒体。 （２）支持体上に磁性層を形成した後、該磁性層上で非
プラズマ亜合性ガスと含けい素化合物とを同Ｒ，′ｆに
プラズマ１１ξ合処理し、磁性層上に１旦ヤとする磁気
記録媒体の製造方法。 手続補正書 ５Ｂ、１２．１７ 昭和 年 月 日 １ 事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１４５１９３号４１件との関
係 特許出紐１人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６査２号罠ｌ″′
壱、オ；） （１２７）小西六写よ１．工梨口、式会社
代表取締役 川 本 信 彦 ７、補正の対象 （１）「特許法第３６糸」による出願を「特許法第３８
条但し朋」の規定による特許出願に補正する。 （２、特許請求の範囲に記載された発明の数」について
、２と補正する。 以上
Claims (2)
- （１）支持体上に、磁性層と磁性層上に形成したオーバ
コート層を有する磁気記録媒体において、オーバコート
層が屈折率１．４５以上の含けい素有機プラズマ重合層
で構成されたことを％徴とする磁気記録媒体。 - （２）支持体上に磁性層を形成した後、該磁性層上で非
プラズマ重合性ガスと含けい素化合物とを同時にプラズ
マ重合処理し、磁性層上に屈折率が１．４５以上の含け
い素有機プラズマ重合層をオーバコートすることを特徴
とする支持体上に、磁性層と磁性層上に形成した屈折率
が１．４５以上の含けい素有機プラズマ重合層を有する
磁気記録媒体０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145193A JPS6038727A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145193A JPS6038727A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6038727A true JPS6038727A (ja) | 1985-02-28 |
| JPH0325849B2 JPH0325849B2 (ja) | 1991-04-09 |
Family
ID=15379572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58145193A Granted JPS6038727A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038727A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057536A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62153996A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | ヤマハ株式会社 | 電子楽器のパネル装置 |
| US5904952A (en) * | 1987-07-15 | 1999-05-18 | The Boc Group, Inc. | Method of plasma enhanced silicon oxide deposition |
| EP1109947A1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-06-27 | N.V. Bekaert S.A. | Hardcoats for flat panel display substrates |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP58145193A patent/JPS6038727A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057536A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0576097B2 (ja) * | 1983-09-08 | 1993-10-21 | Hitachi Maxell | |
| JPS62153996A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | ヤマハ株式会社 | 電子楽器のパネル装置 |
| US5904952A (en) * | 1987-07-15 | 1999-05-18 | The Boc Group, Inc. | Method of plasma enhanced silicon oxide deposition |
| EP1109947A1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-06-27 | N.V. Bekaert S.A. | Hardcoats for flat panel display substrates |
| EP1109947A4 (en) * | 1998-07-27 | 2004-09-22 | Bekaert Sa Nv | PROTECTIVE LAYERS FOR FLAT SCREEN DISPLAY SUBSTRATES |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0325849B2 (ja) | 1991-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4419404A (en) | Magnetic recording media and process of producing them | |
| US5637373A (en) | Magnetic recording medium | |
| US4599266A (en) | Magnetic recording medium | |
| US5677051A (en) | Magnetic recording medium having a specified plasma polymerized hydrogen containing carbon film and lubricant | |
| US7391592B2 (en) | Magnetic recording medium including a diamond-like carbon protective film and at least two additional elements | |
| JP3403219B2 (ja) | 金属支持体表面に珪素含有沈着物を形成させる方法および金属支持体の耐蝕処理方法 | |
| JPS6038727A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0223926B2 (ja) | ||
| JPH0323973B2 (ja) | ||
| JPH0437484B2 (ja) | ||
| JPH0325850B2 (ja) | ||
| JPH0364931B2 (ja) | ||
| JPH0364930B2 (ja) | ||
| JP3208972B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| EP0655733B1 (en) | Magnetic recording medium and method for producing the same | |
| JPS62172521A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP4278162B2 (ja) | 反射防止フィルム | |
| JPS6057535A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH06223356A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60150226A (ja) | 磁気記録体及びその製造方法 | |
| JPH02214017A (ja) | 磁気記録テープ | |
| JPH01166329A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH04283912A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61122924A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS6122432A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |