JPS6038727A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS6038727A JPS6038727A JP58145193A JP14519383A JPS6038727A JP S6038727 A JPS6038727 A JP S6038727A JP 58145193 A JP58145193 A JP 58145193A JP 14519383 A JP14519383 A JP 14519383A JP S6038727 A JPS6038727 A JP S6038727A
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- Japan
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- plasma
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 産業上の利用分野:
本発明は磁気記録媒体の改良に関するものであり、特に
オーバコート層の走行性、耐摩耗性および耐食性を向上
した薄膜型磁気記録媒体に関する。
オーバコート層の走行性、耐摩耗性および耐食性を向上
した薄膜型磁気記録媒体に関する。
[b) 従来技術:
磁気記録媒体を磁性層形成方法の面で分類すると、(1
)薄膜型のものと、(2)塗布型のものに分けられる。
)薄膜型のものと、(2)塗布型のものに分けられる。
薄膜型磁気記録媒体は、支持体上に磁性材料を真空蒸着
、スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ等の
方法により磁性層を形成したものである。
、スパッタリング、イオンブレーティング、メッキ等の
方法により磁性層を形成したものである。
塗布型磁気記録媒体は、支持体上に磁性粉をバインダー
で粘着した磁性塗料を塗布して磁性層を形成したもので
ある。この塗布型磁気記録媒体は、バインダー含有分だ
け磁性層における単位容状当りの実質充填率が低い。ま
た、磁気ヘッドとの間のスペーシングロスが大きくなる
ため再生出力が小さくなる。
で粘着した磁性塗料を塗布して磁性層を形成したもので
ある。この塗布型磁気記録媒体は、バインダー含有分だ
け磁性層における単位容状当りの実質充填率が低い。ま
た、磁気ヘッドとの間のスペーシングロスが大きくなる
ため再生出力が小さくなる。
これに反し、薄膜型磁気記録媒体は、磁性層内での磁性
粉の実質的充填率は高いけれども、磁性層の耐食性が低
く、走行時に磁気ヘッド、ガイドローラ等と接触し、ス
リ傷が付きやすく、ノイズ発生の原因となる。また摩擦
係数が大きく、走行性が悪く、機械的強度も弱い欠点が
ある。
粉の実質的充填率は高いけれども、磁性層の耐食性が低
く、走行時に磁気ヘッド、ガイドローラ等と接触し、ス
リ傷が付きやすく、ノイズ発生の原因となる。また摩擦
係数が大きく、走行性が悪く、機械的強度も弱い欠点が
ある。
薄膜型磁気記録媒体における上述の欠点を改碧するため
、従来から磁性層上面に、真空蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング等の方法によって、オーバコート
する方法が行われている。
、従来から磁性層上面に、真空蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング等の方法によって、オーバコート
する方法が行われている。
すなわち、
■ ロジウム、クロムなどの金属や、W %TiO2、
CaF2、yigF2 などの高硬度無機物:金属セッ
ケンのような潤滑性有機物を真空蒸着法でオーバコート
する方法: ■ 塗布法により、潤滑性有機物音有層をオーバコート
する方法: ■ プレポリマー液を塗布後、当該塗布膜に紫外線や電
子線を照射して重合反応させ、オーバコート層を形成す
る方法: ■ 特開昭57−167132号、同57−16713
3号、同57−167134号公報り」細書に示されて
いるように、磁性層上に窒素ガス若しくは酸素ガスのイ
オン又はこれらのガスをプラズマ処理することによシ窒
化膜、酸化膜をオーバコートする方法: ■ 昭和56年度電子通信学会半導体・材料部門全国大
会において発表され、同大会予稿集r11175(19
81)に示されているように、コバルト膜(磁性層)上
に、オルガノシリコン系モノマによるプラズマ重合膜を
オーバコートさせること等が知られている。
CaF2、yigF2 などの高硬度無機物:金属セッ
ケンのような潤滑性有機物を真空蒸着法でオーバコート
する方法: ■ 塗布法により、潤滑性有機物音有層をオーバコート
する方法: ■ プレポリマー液を塗布後、当該塗布膜に紫外線や電
子線を照射して重合反応させ、オーバコート層を形成す
る方法: ■ 特開昭57−167132号、同57−16713
3号、同57−167134号公報り」細書に示されて
いるように、磁性層上に窒素ガス若しくは酸素ガスのイ
オン又はこれらのガスをプラズマ処理することによシ窒
化膜、酸化膜をオーバコートする方法: ■ 昭和56年度電子通信学会半導体・材料部門全国大
会において発表され、同大会予稿集r11175(19
81)に示されているように、コバルト膜(磁性層)上
に、オルガノシリコン系モノマによるプラズマ重合膜を
オーバコートさせること等が知られている。
しかし、前記のおよび■の方法で形成された蒸着膜およ
び塗布膜は膜強度が弱い。特に、■において高分子塗布
膜の場合は薄膜にするのが難しく、磁気ヘッドとの間に
スペーシングロスを生じ、再生出力が低下する欠点があ
る。
び塗布膜は膜強度が弱い。特に、■において高分子塗布
膜の場合は薄膜にするのが難しく、磁気ヘッドとの間に
スペーシングロスを生じ、再生出力が低下する欠点があ
る。
また、■の方法で形成される塗布硬化層は、長期にわた
り41コ滑性を保持しつづけるのが困難である。■の方
法で形成された窒化膜、酸化膜は走行安定性の点で満足
し難い。
り41コ滑性を保持しつづけるのが困難である。■の方
法で形成された窒化膜、酸化膜は走行安定性の点で満足
し難い。
さらに、■の方法で得られたオーバコート膜は、耐食性
は良好であるが、耐摩耗性を向上させるためにオーバコ
ート層を厚くしなければならない難点がある。この結果
、磁気ヘッドと磁性層間のスペーシングロスが増大し、
再生出力が小さくなる欠点がある。この点に関しては、
従来から知られている、たとえば1977年米国光学会
(OpticalSociaty of Americ
a )発行の学術雑誌「アブライドオプテノクス誌J
(Applied 0ptics )第16巻&(3号
、第71゛1頁から第721頁にわたる論文[プラズマ
ボリマライズド コーティング フォボリカーボネー
ト:シングル レイヤー、アブレーション レジスタン
ド、アンド アンナレフレクシコンJ (Plasma
polymerlzed coating for
polycarbonate: single 1ay
er+ abrall−ion resistant+
and antireflectio++ )中ニ、
ヒニルトリメチルオキシシランフィルムの表面を酸素グ
ロー放電によシ5i−0結合(架411度)を増し、表
面硬度、摩耗性を高めることができると報告されている
ように重合の架橋度が変ずしすれば、当該重合膜の諸物
性が変化するであろうことを予想す“ることができる。
は良好であるが、耐摩耗性を向上させるためにオーバコ
ート層を厚くしなければならない難点がある。この結果
、磁気ヘッドと磁性層間のスペーシングロスが増大し、
再生出力が小さくなる欠点がある。この点に関しては、
従来から知られている、たとえば1977年米国光学会
(OpticalSociaty of Americ
a )発行の学術雑誌「アブライドオプテノクス誌J
(Applied 0ptics )第16巻&(3号
、第71゛1頁から第721頁にわたる論文[プラズマ
ボリマライズド コーティング フォボリカーボネー
ト:シングル レイヤー、アブレーション レジスタン
ド、アンド アンナレフレクシコンJ (Plasma
polymerlzed coating for
polycarbonate: single 1ay
er+ abrall−ion resistant+
and antireflectio++ )中ニ、
ヒニルトリメチルオキシシランフィルムの表面を酸素グ
ロー放電によシ5i−0結合(架411度)を増し、表
面硬度、摩耗性を高めることができると報告されている
ように重合の架橋度が変ずしすれば、当該重合膜の諸物
性が変化するであろうことを予想す“ることができる。
しかし、物性値の変化から、重合膜の架橋度を確実に把
握する方法は未だ知られ−Cいない。
握する方法は未だ知られ−Cいない。
本発明者等は、重合の架橋度が増せば、屈折率も必然的
に変化し、屈折率の高い重合膜をオーバコートに使用す
ることによシ耐摩性の高い磁気記録媒体を作製しうると
の推測の下に種々研究を重ね/こところ、プラズマ重合
膜の屈折率が1,45以上のオーバコート層を有する磁
気記録媒体は、屈折率1.45以下のオーバコート層を
有する磁気記録媒体に比べて、後述する動摩擦係数、ス
チル寿命が飛躍的に向上することを見い出し、本発明に
至Iに全 し プこ 。
に変化し、屈折率の高い重合膜をオーバコートに使用す
ることによシ耐摩性の高い磁気記録媒体を作製しうると
の推測の下に種々研究を重ね/こところ、プラズマ重合
膜の屈折率が1,45以上のオーバコート層を有する磁
気記録媒体は、屈折率1.45以下のオーバコート層を
有する磁気記録媒体に比べて、後述する動摩擦係数、ス
チル寿命が飛躍的に向上することを見い出し、本発明に
至Iに全 し プこ 。
〔c〕 発明の目的:
本発明は走行性、耐摩耗性および耐食性に優れ/ζオー
バコート層を有する薄膜型磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
バコート層を有する薄膜型磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
また、本発明はこのような薄膜型磁気記録媒体の製造方
法を提供することをも目的とする。
法を提供することをも目的とする。
(d) 発明の構成:
前記本発明の第1の目的は、支持体上に、磁性層とf・
n性層上に形成しだオーバコート層を有する磁気記録媒
体において、オーバコート層を屈折率が1.45以上の
含けい素有機プラズマ重合層で構成することによって達
成される。
n性層上に形成しだオーバコート層を有する磁気記録媒
体において、オーバコート層を屈折率が1.45以上の
含けい素有機プラズマ重合層で構成することによって達
成される。
本発明にかかる磁気記録媒体の磁性層上に形成するオー
バコート層を構成する、屈折率が1.45以上の含けい
素有機プラズマ重合層の組成は、■ プラズマ重合層が
主に、けい素(St)ノ他K、炭素(C)、酸素0)お
よび水素(財)によって構成されたものであれば、けい
素に対する炭素の組成比(C/St)が0.1〜2.0
、酸素の組成比(0/St)が1.0〜3,0であるこ
とが好ましい。
バコート層を構成する、屈折率が1.45以上の含けい
素有機プラズマ重合層の組成は、■ プラズマ重合層が
主に、けい素(St)ノ他K、炭素(C)、酸素0)お
よび水素(財)によって構成されたものであれば、けい
素に対する炭素の組成比(C/St)が0.1〜2.0
、酸素の組成比(0/St)が1.0〜3,0であるこ
とが好ましい。
Oまた、プラズマ重合層が主に、けい素、炭素、酸素、
窒素、水素で構成されたものであれば、けい素に対する
炭素、酸素、窒素の組成比は、それぞれ0.1〜2.0
:0.1〜2.0:0.1〜2oであることが好ましい
。
窒素、水素で構成されたものであれば、けい素に対する
炭素、酸素、窒素の組成比は、それぞれ0.1〜2.0
:0.1〜2.0:0.1〜2oであることが好ましい
。
含けい素プラズマ重合層の組成の好ましいものとして、
たとえば、co、as4(o11Sio5t : co
44)1o31Q0.32SiO,21: C0,20
1(0,08Q0.05Si0.67 : C0,37
)(0,02QolsSio4s : Co、+aHo
、osQo4eSio33:Co、os)loo2Qo
、5zSio、as : C0,111(0,03Q0
.41NO,11Si0.34 : C0,0500,
4ONo3oSio、2s : Co、o7Qo32N
o2aSio3a : Co、52Hoj。
たとえば、co、as4(o11Sio5t : co
44)1o31Q0.32SiO,21: C0,20
1(0,08Q0.05Si0.67 : C0,37
)(0,02QolsSio4s : Co、+aHo
、osQo4eSio33:Co、os)loo2Qo
、5zSio、as : C0,111(0,03Q0
.41NO,11Si0.34 : C0,0500,
4ONo3oSio、2s : Co、o7Qo32N
o2aSio3a : Co、52Hoj。
()o、t5NO,273i0.16二CO,21)1
0.08Q0.18NO,263i0.27:C0,1
3J(o、oaQo、a5So、+ t3io33等が
あげられる。
0.08Q0.18NO,263i0.27:C0,1
3J(o、oaQo、a5So、+ t3io33等が
あげられる。
前記プラズマ重合層は、一部に全くけい素化合物を含ん
でいなくてもよく、膜厚は20〜1.00 OAの範囲
のものが好ましく、特に望ましい膜厚は100〜500
′Aの範囲である。20X未満の膜厚のものけ薄すぎて
オーバコート層としての効果がなく、1,000大を越
えると磁性層と磁気ヘッド間のスペーシングロスが大き
すぎ、再生出力が低下する。
でいなくてもよく、膜厚は20〜1.00 OAの範囲
のものが好ましく、特に望ましい膜厚は100〜500
′Aの範囲である。20X未満の膜厚のものけ薄すぎて
オーバコート層としての効果がなく、1,000大を越
えると磁性層と磁気ヘッド間のスペーシングロスが大き
すぎ、再生出力が低下する。
前記台けい素有機プラズマ重合層は、磁性層の上面だけ
でなく、磁性層形成面と反対側の支持体ハ面にも形成で
き、この方法に依り、支持体の「反り」を防ぐことがで
きる。
でなく、磁性層形成面と反対側の支持体ハ面にも形成で
き、この方法に依り、支持体の「反り」を防ぐことがで
きる。
また、必要に応じ、含けい素有機プラズマ重合層上面に
、411滑層を形成してもよい。
、411滑層を形成してもよい。
本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、支持体上に
磁性層を形成した後、該磁性層上において、けい素含有
化合物と非プラズマ重合性ガスとを同時にプラズマ重合
処理し、前記磁性層上に屈折率が1.45以上の含けい
素有機プラズマ重合層をオーバコートすることによって
達成される。
磁性層を形成した後、該磁性層上において、けい素含有
化合物と非プラズマ重合性ガスとを同時にプラズマ重合
処理し、前記磁性層上に屈折率が1.45以上の含けい
素有機プラズマ重合層をオーバコートすることによって
達成される。
本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法におけるけい素
化合物と非プラズマ重合性ガスのプラズマ重合処理は、
プラズマ重合法と称される重合方法なら、どのような方
法を行ってもよいが、けい素を含有する化合物のガスと
、必要に応じて他の化合物あるいはアルゴン(Ar)、
ネオン(Ne ) 等ノ不活性ガスを重合して、反応空
間に導入し、この空間においてグレー放電させ、支持体
上の磁性層上に析出させる方法が好ましい。
化合物と非プラズマ重合性ガスのプラズマ重合処理は、
プラズマ重合法と称される重合方法なら、どのような方
法を行ってもよいが、けい素を含有する化合物のガスと
、必要に応じて他の化合物あるいはアルゴン(Ar)、
ネオン(Ne ) 等ノ不活性ガスを重合して、反応空
間に導入し、この空間においてグレー放電させ、支持体
上の磁性層上に析出させる方法が好ましい。
プラズマ重合に使用するけい素含有化合物のガスとして
は、モノシラン:ジシラン:テトラメチルシラン:ビニ
ルトリメチルシラン°アリルトリメチルシラン:フェニ
ルシラン:ジンエニルシランコトリフェニルシラン:ジ
メチルシラン。トリへキシルシラン:テトラメキシルシ
ラン:テトラエトキシシラン:メチルトリメトキシシラ
ン:ビニルトリメトキシシラン:ビニルトリエトキシシ
ラン:ジメチルジメトキシシラン:ヘキサメチルジシロ
キサン:ヘキサメチルジシラザン:へキサメチルシクロ
トリシロキサン:ヘキサメチルシクaトリシラザン:へ
キサメチルジシラン:ヘキサメチルジシルチアン:テト
ラフルオロシラン:テトラクロルシラン:メチルトリク
ロルシラン;ピニルトリクロルシラン:アリルトリクロ
ルシラン:フェニルトリクロルシラン:ジメチルジジク
ロルシラン:ジメチルジフルオロシラン:ブロモメチル
トリメチルシラン等およそ揮発性を有するけい素含有化
合物のガスであればなんでも良い。また、他の化合物と
しては、エチレン、アセチレン、ジボラン、ホスゲン等
の常温で気体の化合物であっても良いし、又はメチルメ
タクリレート:スチレン:アクリロニトリル:塩化ビニ
ル:四弗化エチレン二等のいわゆるモノマーであっても
よいし、ベンゼン°トルエンニI\キサン:アセトニト
リル:パーフルオロベンゼン:ピリジン°フラン:チオ
7エンコトリメチル7オス7アイト:トリメチルポレー
ト等一般には非重合性の化合物であってもよい。
は、モノシラン:ジシラン:テトラメチルシラン:ビニ
ルトリメチルシラン°アリルトリメチルシラン:フェニ
ルシラン:ジンエニルシランコトリフェニルシラン:ジ
メチルシラン。トリへキシルシラン:テトラメキシルシ
ラン:テトラエトキシシラン:メチルトリメトキシシラ
ン:ビニルトリメトキシシラン:ビニルトリエトキシシ
ラン:ジメチルジメトキシシラン:ヘキサメチルジシロ
キサン:ヘキサメチルジシラザン:へキサメチルシクロ
トリシロキサン:ヘキサメチルシクaトリシラザン:へ
キサメチルジシラン:ヘキサメチルジシルチアン:テト
ラフルオロシラン:テトラクロルシラン:メチルトリク
ロルシラン;ピニルトリクロルシラン:アリルトリクロ
ルシラン:フェニルトリクロルシラン:ジメチルジジク
ロルシラン:ジメチルジフルオロシラン:ブロモメチル
トリメチルシラン等およそ揮発性を有するけい素含有化
合物のガスであればなんでも良い。また、他の化合物と
しては、エチレン、アセチレン、ジボラン、ホスゲン等
の常温で気体の化合物であっても良いし、又はメチルメ
タクリレート:スチレン:アクリロニトリル:塩化ビニ
ル:四弗化エチレン二等のいわゆるモノマーであっても
よいし、ベンゼン°トルエンニI\キサン:アセトニト
リル:パーフルオロベンゼン:ピリジン°フラン:チオ
7エンコトリメチル7オス7アイト:トリメチルポレー
ト等一般には非重合性の化合物であってもよい。
プラズマ重合に用いる化合物として操作上の観点から、
常温で沸点が20θ℃以下の化合物が好丑しく、150
U以下であるものがより好ましい。
常温で沸点が20θ℃以下の化合物が好丑しく、150
U以下であるものがより好ましい。
また、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法に使用で
きる非プラズマ性重合ガスとしで、酸素、水素、窒素が
好ましく、特に酸素・窒素は、プラズマ重合性ガスと反
応して架橋点を形成するのみならず自身も重合層中にと
り込まれ、強い結合を生成し、耐摩耗性を向上する点で
好ましい。
きる非プラズマ性重合ガスとしで、酸素、水素、窒素が
好ましく、特に酸素・窒素は、プラズマ重合性ガスと反
応して架橋点を形成するのみならず自身も重合層中にと
り込まれ、強い結合を生成し、耐摩耗性を向上する点で
好ましい。
本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法においては、プ
ラズマ重合条件を適宜調整することにより、プラズマ重
合層内に内部応力を発生さぜ、磁性層の反対側(すなわ
ち、支持体の裏面側)に向って支持体に反りを与えるこ
とができる。したがって、支持体上に磁性層を形成する
際、支持体が磁性層形成面に反る現象(いわゆるカッピ
ング)を相殺することができる。このカッピングを相殺
スルフラスマ重合膜を作製する際、アルボ7(Ar)等
の第2成分ガスの導入を少なくすることが望ましい。
ラズマ重合条件を適宜調整することにより、プラズマ重
合層内に内部応力を発生さぜ、磁性層の反対側(すなわ
ち、支持体の裏面側)に向って支持体に反りを与えるこ
とができる。したがって、支持体上に磁性層を形成する
際、支持体が磁性層形成面に反る現象(いわゆるカッピ
ング)を相殺することができる。このカッピングを相殺
スルフラスマ重合膜を作製する際、アルボ7(Ar)等
の第2成分ガスの導入を少なくすることが望ましい。
本発明にかかる磁気記録媒体の磁性層に使用できる磁性
材料は、従来から使用されている公知のものでもよく、
かかる磁性材料としてγ−Fe2O3、Co含含有−F
e203、co板着r−Fe203、Fe3O4、CO
含有Fe3O4、CrO2等のいわゆる酸化物系磁性旧
旧:Fe −Ni−Co合金、Fe −Mn−Z11合
金、Fe−Ni−Zn合金、p6−C□−Ni−Cr合
金、F’e −Co −Ni−P合金、Co−Ni合金
等Fe XNi Coを主成分とする合金系磁性材料等
各村の磁性材料が挙げられる。
材料は、従来から使用されている公知のものでもよく、
かかる磁性材料としてγ−Fe2O3、Co含含有−F
e203、co板着r−Fe203、Fe3O4、CO
含有Fe3O4、CrO2等のいわゆる酸化物系磁性旧
旧:Fe −Ni−Co合金、Fe −Mn−Z11合
金、Fe−Ni−Zn合金、p6−C□−Ni−Cr合
金、F’e −Co −Ni−P合金、Co−Ni合金
等Fe XNi Coを主成分とする合金系磁性材料等
各村の磁性材料が挙げられる。
支持体上に磁性層を形成する方法として、公知の真空蒸
着、スパツタリング、イオンブレーティング、メソギ法
等が挙げられる。酸化物系磁性拐料や合金系磁性材料の
中でも、合金系の磁性材料を使用する場合は、組成が変
化しないように組成を制御して蒸着又はメッキしなけれ
ばならない。
着、スパツタリング、イオンブレーティング、メソギ法
等が挙げられる。酸化物系磁性拐料や合金系磁性材料の
中でも、合金系の磁性材料を使用する場合は、組成が変
化しないように組成を制御して蒸着又はメッキしなけれ
ばならない。
支持体の素材としては、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレン−2,6−ナフタレート等のポリエステル
類、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロース
トリアセテート、セルロースダイアセテート等のセルロ
ース誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチック、C
u、、AI、Zn などの金属、ガラス、いわゆるニュ
ーセラミック(たとえば窒化はう素、炭化けい素等)な
どが使用される。
ポリエチレン−2,6−ナフタレート等のポリエステル
類、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロース
トリアセテート、セルロースダイアセテート等のセルロ
ース誘導体、ポリカーボネートなどのプラスチック、C
u、、AI、Zn などの金属、ガラス、いわゆるニュ
ーセラミック(たとえば窒化はう素、炭化けい素等)な
どが使用される。
支持体の形態はテープ、シート、カード、ディスク、ド
ラム等いずれでもよく、形態に応じて種々の材料が必要
に応じて選択される。
ラム等いずれでもよく、形態に応じて種々の材料が必要
に応じて選択される。
これらの支持体の厚みは、フィルム、シート状の場合は
約3〜100μ程度、好ましくは5〜50μであり、デ
ィスク、カード状の場合は30μ〜10■程度である。
約3〜100μ程度、好ましくは5〜50μであり、デ
ィスク、カード状の場合は30μ〜10■程度である。
(e) 実施例:
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例1゜
第1図は、本発明にかかる磁気記録媒体の製造装置の要
部断面図を示す。
部断面図を示す。
製造装置は、全体符号1で示すケーシングがら成ってお
り、ケーシング1はベルジャ状の放電室2、支持体送出
室(以下、単に「送出室」とい気)3、支持体巻取り室
(以下、単に「巻取シ室」という。)4から成シ、放電
室2および巻取υ室4:放電室2および送出室3間には
筒管5が連結され、支持体通路を形成している。
り、ケーシング1はベルジャ状の放電室2、支持体送出
室(以下、単に「送出室」とい気)3、支持体巻取り室
(以下、単に「巻取シ室」という。)4から成シ、放電
室2および巻取υ室4:放電室2および送出室3間には
筒管5が連結され、支持体通路を形成している。
送出室3、巻取り室4の側壁には導通管14が付設され
ており、筒管5には枝管15が連結されており、導通管
14の先端はキャリヤガス源(図示せず。)に接続して
おり、また枝管15の先端は排気系に(図示せず。)に
接続する。
ており、筒管5には枝管15が連結されており、導通管
14の先端はキャリヤガス源(図示せず。)に接続して
おり、また枝管15の先端は排気系に(図示せず。)に
接続する。
また、必要に応じて巻取υ室4の底部に、排気系に連続
する他の枝管15′を付設する。
する他の枝管15′を付設する。
さらに、放電管2には、上部電極6と下部電極7が配設
されており、上部電極6の内部は空洞に形成され、一方
の端部は細管を形成し、非プラズマ重合性ガスソース(
図示せず。)に連なり、他端は放電室空間と導通する多
数の蜂巣状導通孔が設けられており、前記細管を通して
空洞内に導入された非プラズマ重合性ガスを、放電室内
へ供給できる構造となっている。また、下部電極7は、
放電時に生ずる発熱を冷却できるように水冷式に溝成さ
れており、電力は、マツチングボックス8を介して電源
9から高周波電力が供給される。
されており、上部電極6の内部は空洞に形成され、一方
の端部は細管を形成し、非プラズマ重合性ガスソース(
図示せず。)に連なり、他端は放電室空間と導通する多
数の蜂巣状導通孔が設けられており、前記細管を通して
空洞内に導入された非プラズマ重合性ガスを、放電室内
へ供給できる構造となっている。また、下部電極7は、
放電時に生ずる発熱を冷却できるように水冷式に溝成さ
れており、電力は、マツチングボックス8を介して電源
9から高周波電力が供給される。
上記製造装置を使用し、磁気記録媒体を作製する場合は
、先ず帯状のポリエチレンテレフタレートフィルム上に
予め公知の方法に依り、Co−Ni合金膜を蒸着した支
持体1oを送出用リール11に巻き取り、送出室3にセ
ットする。リール11に巻き取られた支持体1oの先端
部は、ガイドローラ12を通9筒管5内をガイドされ、
放電室2から巻取り室4へ送り込まれる。
、先ず帯状のポリエチレンテレフタレートフィルム上に
予め公知の方法に依り、Co−Ni合金膜を蒸着した支
持体1oを送出用リール11に巻き取り、送出室3にセ
ットする。リール11に巻き取られた支持体1oの先端
部は、ガイドローラ12を通9筒管5内をガイドされ、
放電室2から巻取り室4へ送り込まれる。
巻取9室4内には他の巻取りリール13が取り付けられ
ておυ、前記送出室側のリール11小ら巻取り室4へ送
入された支持体1oを巻き取るように機能する。
ておυ、前記送出室側のリール11小ら巻取り室4へ送
入された支持体1oを巻き取るように機能する。
上述のようにして、ケーシング1内に七ノドされた支持
体10のCo−Ni合金膜上に、含けい素有機プラズマ
重合層をオーバコートするに当っては、先ず’HF気系
全作動して、枝管15がらケーシング1内を真空排気し
た後、樽通管14がらケーシング1内へArガスを供給
する。
体10のCo−Ni合金膜上に、含けい素有機プラズマ
重合層をオーバコートするに当っては、先ず’HF気系
全作動して、枝管15がらケーシング1内を真空排気し
た後、樽通管14がらケーシング1内へArガスを供給
する。
次に、上部電極6をアースし、下部電極7に対してマツ
チングボックス8を介して、高周波電源9から13.5
6 MHz X 50Wの高周波電力で供給し、放電室
内にArプラズマを発生させ、支持体上のCo−Ni合
金膜表面を清浄にした。
チングボックス8を介して、高周波電源9から13.5
6 MHz X 50Wの高周波電力で供給し、放電室
内にArプラズマを発生させ、支持体上のCo−Ni合
金膜表面を清浄にした。
ついで、上部電極6の細管部を通し、空洞室内へけい素
含有化合物ガス囚としてビニルトリメトキシシラン、非
プラズマ重合性ガスΦ)として酸素をモル比(1:4)
で混合したガスを導入し、ケーシング1内の圧力を0.
11 Torrに維持し、再び、下部電極7に300W
の高周波電力を供給し、放電室内にArガスの放電を発
生させ、放電室内に供給された上記ビニルトリメトキシ
シランガスおよび酸素ガスのプラズマが前記支持体10
上のCo−Ni合金膜上に、含けい素有機プラズマ重合
膜としてオーバコートされた。
含有化合物ガス囚としてビニルトリメトキシシラン、非
プラズマ重合性ガスΦ)として酸素をモル比(1:4)
で混合したガスを導入し、ケーシング1内の圧力を0.
11 Torrに維持し、再び、下部電極7に300W
の高周波電力を供給し、放電室内にArガスの放電を発
生させ、放電室内に供給された上記ビニルトリメトキシ
シランガスおよび酸素ガスのプラズマが前記支持体10
上のCo−Ni合金膜上に、含けい素有機プラズマ重合
膜としてオーバコートされた。
その後、巻取り室4側導通管14から後処理ガスを導入
し、筒管5の枝管15を通じケーシング内の残留ガスを
排除した。
し、筒管5の枝管15を通じケーシング内の残留ガスを
排除した。
さらに、ケーシング1内を常圧にもどした後、巻取υ室
4内のり−ル13を取外し、リールに巻かれた支持体1
0上のオーバコート層をタリステップ、E S CA
(Electron 5pectroaeopy fo
r ChemicalAnaly@ig )および元素
分析法により分析した結果、膜厚は280Aであり、膜
組成はC0,2zf■o1100.493i0.1gで
あることが確認された。
4内のり−ル13を取外し、リールに巻かれた支持体1
0上のオーバコート層をタリステップ、E S CA
(Electron 5pectroaeopy fo
r ChemicalAnaly@ig )および元素
分析法により分析した結果、膜厚は280Aであり、膜
組成はC0,2zf■o1100.493i0.1gで
あることが確認された。
かくしてイ(Iられた支持体を、12.65w1ll]
に裁断してビデオテープを作製した。この試料テープを
実施例テープ1とした。
に裁断してビデオテープを作製した。この試料テープを
実施例テープ1とした。
また、第1図に示す製造装置は、支持体10上に予め装
置外で磁性層を形成した後、当該支持体を装fjL内に
セットし、オーバコートする装置の一例を示したもので
あるが、第2図に示すように、放電室2以外に後述する
蒸着室16を具備する製造装置を使用することにより、
支持体上への磁性層の形成する工程と、磁性層上にオー
バコート層を形成する工程とを同一製造装置内で一貫し
て行うことができる。
置外で磁性層を形成した後、当該支持体を装fjL内に
セットし、オーバコートする装置の一例を示したもので
あるが、第2図に示すように、放電室2以外に後述する
蒸着室16を具備する製造装置を使用することにより、
支持体上への磁性層の形成する工程と、磁性層上にオー
バコート層を形成する工程とを同一製造装置内で一貫し
て行うことができる。
第2図に示す装置は、送出室3と巻取り室40両者を兼
用する室17を中央に配置し、室17の左右両側にそれ
ぞれ隔壁18を隔てて放電室2と蒸着室16を設けであ
る。
用する室17を中央に配置し、室17の左右両側にそれ
ぞれ隔壁18を隔てて放電室2と蒸着室16を設けであ
る。
蒸着室16には、ガイドローラ12、冷却缶20、るつ
は21、電子ビーム発生装置22および遮へい板23が
設けられている。
は21、電子ビーム発生装置22および遮へい板23が
設けられている。
リール11から送られる帯状支持体10は隔壁18に設
けられた細隙通路19を通り、ガイドロール12を介し
て冷却缶200周側面に導かれる。
けられた細隙通路19を通り、ガイドロール12を介し
て冷却缶200周側面に導かれる。
冷却缶20の周側面においては、冷却缶20の下方に設
置された電子ビーム発生装置の操作によって、るつぼ2
1内のCo−Ni合金粉を加熱し、支持体10面にCo
−Ni合金膜が蒸着される。
置された電子ビーム発生装置の操作によって、るつぼ2
1内のCo−Ni合金粉を加熱し、支持体10面にCo
−Ni合金膜が蒸着される。
co−Ni合金膜が形成された支1′つ°体10は、他
のガイドローラ12を介して、細隙通路24を通り、放
11宣2に送られ、第1図に示す製造装置と同様の手順
を経て、上部電極6内に導入されたビニルトリメトキン
シランと酸素の混合ガス(1:4)を、支持体10のC
o−Ni合金膜上でプラズマ重合せしめ、同一装置内で
支持体の磁性層と、オーバコート層の形成とを連続して
行うことができる。
のガイドローラ12を介して、細隙通路24を通り、放
11宣2に送られ、第1図に示す製造装置と同様の手順
を経て、上部電極6内に導入されたビニルトリメトキン
シランと酸素の混合ガス(1:4)を、支持体10のC
o−Ni合金膜上でプラズマ重合せしめ、同一装置内で
支持体の磁性層と、オーバコート層の形成とを連続して
行うことができる。
実施例2
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内において支持
体10上面に形成したCo−Ni合金膜上でビニルトリ
メトキシシラン及び酸素をモル比で(1:4)の割合で
混合したガスを、ガス圧0.1ITorrs高周波電力
300Wの条件でグロー放電させる代りに、下記の表−
1、ぬ2に示すビニルトリメトキシシランおよび酸素を
モル比(1:2)の割合で混合したガスを、 ガス圧二8鰭Torr 供給高周波電カニ10W の条件下でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上に含けい素有機プラズマ重合層を形成した。
体10上面に形成したCo−Ni合金膜上でビニルトリ
メトキシシラン及び酸素をモル比で(1:4)の割合で
混合したガスを、ガス圧0.1ITorrs高周波電力
300Wの条件でグロー放電させる代りに、下記の表−
1、ぬ2に示すビニルトリメトキシシランおよび酸素を
モル比(1:2)の割合で混合したガスを、 ガス圧二8鰭Torr 供給高周波電カニ10W の条件下でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上に含けい素有機プラズマ重合層を形成した。
上記プラズマ重合層形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、支持体10を取外し、支持体上のco−N
i合金膜上に形成されたオーバコート層を、タリステッ
プ、ESCA及び元素分析法により分析したところ、 膜組成: (::o、tsHo、taQo4sSio、
ztであることが確認できた。
排除した後、支持体10を取外し、支持体上のco−N
i合金膜上に形成されたオーバコート層を、タリステッ
プ、ESCA及び元素分析法により分析したところ、 膜組成: (::o、tsHo、taQo4sSio、
ztであることが確認できた。
かくして得られた支持体を12.65惰巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
とした。
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
とした。
以下余白
表−1
実施例3
第1図に示す装造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波1カニ300W でグロー放電させる代シに、下記の表−1、N[L3に
示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比で(1:
3)の割合で混合したガスを、封入ガス圧: 12 t
xa Torr供給高周波電カニ15W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波1カニ300W でグロー放電させる代シに、下記の表−1、N[L3に
示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比で(1:
3)の割合で混合したガスを、封入ガス圧: 12 t
xa Torr供給高周波電カニ15W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体lO
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、E−8CA及び元素分析法により分析した
ところ、 膜厚:180人 膜組成: C0,19HO,,12QO,18N0.2
2SiO,29であることが確認できた。
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体lO
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、E−8CA及び元素分析法により分析した
ところ、 膜厚:180人 膜組成: C0,19HO,,12QO,18N0.2
2SiO,29であることが確認できた。
かくして得られた支持体を12.65m巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
3とした。
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
3とした。
実施例4
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧+ 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N114に
示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比で(1:
1)の割合で混合したガスを、封入ガど圧: 16 w
Torr 供給高周波遊カニ10W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧+ 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N114に
示すビニルトリメトキシシランと窒素をモル比で(1:
1)の割合で混合したガスを、封入ガど圧: 16 w
Torr 供給高周波遊カニ10W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:160A 膜組成: C0,21H0,1500,16N0.19
Si O,29であることが確認できた。
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:160A 膜組成: C0,21H0,1500,16N0.19
Si O,29であることが確認できた。
かくして得られた支持体を12.65wm巾に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ4とした。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ4とした。
実施例5
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代りに、下記の表−1、Ha 5に
示すビニルトリメトキシシランと水素をモル比で(2:
1)の割合で混合したガスを、封入ガス圧: 155
m Torr 供給高周波電カニ150W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代りに、下記の表−1、Ha 5に
示すビニルトリメトキシシランと水素をモル比で(2:
1)の割合で混合したガスを、封入ガス圧: 155
m Torr 供給高周波電カニ150W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:22OA 膜組成: CO,231(0,29Q0.25Si0.
23であることが確認できた。
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:22OA 膜組成: CO,231(0,29Q0.25Si0.
23であることが確認できた。
かくしてKrJられた支持体を12.65mm巾に裁断
してビデオテープを作製した。この試料テープを実施例
テープ5とした。
してビデオテープを作製した。この試料テープを実施例
テープ5とした。
実施例6
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のC’o−Ni合金膜上において、ビニ
ルトリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N116に
示すテトラメチルシランと酸素をモル比で(l:4)の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 15 vx Torr 供給高周波電カニ15W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体10上のC’o−Ni合金膜上において、ビニ
ルトリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N116に
示すテトラメチルシランと酸素をモル比で(l:4)の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 15 vx Torr 供給高周波電カニ15W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステッズESCA及び元素分析法により分析したとこ
ろ、 膜厚:160A 膜組成二co1s1(o、osQo、5zSio、z2
であることが確認できた。
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステッズESCA及び元素分析法により分析したとこ
ろ、 膜厚:160A 膜組成二co1s1(o、osQo、5zSio、z2
であることが確認できた。
かくして得られた支持体を12.65m+巾に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ′6とした。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ′6とした。
実施例7
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N[L7に
示すテトラメチルシランと酸素をモル比で(1:5)の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 140saTorr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N[L7に
示すテトラメチルシランと酸素をモル比で(1:5)の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 140saTorr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:180A 膜組成: Co2t、lo、osQo、4tSio、s
sであることが確認できた。
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:180A 膜組成: Co2t、lo、osQo、4tSio、s
sであることが確認できた。
かくして得られた支持体を12.65m巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
7とした。
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
7とした。
実施例8
第1図に示す製造装置を用い、放電室z内にガイドされ
た支持体lo上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、随8に示す
ヘキサメチルジシラザンと窒素をモル比で(1:5)の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧: l 25 m Torr供給高周波電カ
ニ200W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体lo上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体lo上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、随8に示す
ヘキサメチルジシラザンと窒素をモル比で(1:5)の
割合で混合したガスを、 封入ガス圧: l 25 m Torr供給高周波電カ
ニ200W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体lo上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体1oを取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚コ24OA 膜組成: C0,12H0,1400,02N0.36
8i o、a eであることが確認できた。
排除した後、装置から支持体1oを取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚コ24OA 膜組成: C0,12H0,1400,02N0.36
8i o、a eであることが確認できた。
かくしてイ0られた支持体を12.65mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テ
ープ8とした。
てビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テ
ープ8とした。
実施例9
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N[L9に
示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で(1:3
)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: l 05 w Torr供給高周波電カ
ニ150W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体io上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N[L9に
示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で(1:3
)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: l 05 w Torr供給高周波電カ
ニ150W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体io上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体1oを取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:260A 膜組成: Co1x)io、t4Qo、z2No、zs
Sio、zsであることが確認できた。
排除した後、装置から支持体1oを取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:260A 膜組成: Co1x)io、t4Qo、z2No、zs
Sio、zsであることが確認できた。
かくして得られた支持体を12.65mm中に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ9とした。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ9とした。
実施例10
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代シに、下記の表−1、Na1Oに
示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で(1:1
)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 22 rnyn ’I’orr供給高周
波亀カニ120W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代シに、下記の表−1、Na1Oに
示すヘキサメチルジシラザンと酸素をモル比で(1:1
)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 22 rnyn ’I’orr供給高周
波亀カニ120W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステッゾ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:26OA 膜組成: Co、o9HolaQo、z4No、zaS
io2sであることが確認できた。
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステッゾ、ESCA及び元素分析法により分析したと
ころ、 膜厚:26OA 膜組成: Co、o9HolaQo、z4No、zaS
io2sであることが確認できた。
かくして得られた支持体を12.65mm中に裁断して
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ10とした。
ビデオテープを作製した。この試料テープを実施例テー
プ10とした。
実施例11
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代シに、下記の表−1、Nα11に
示すヘキサメチルジシロキサンとチオフェン及び酸素を
モル比で(20/1/10)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 5酊Torr 供給高周波電力=50W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体10上のCo−Ni合金膜上において、ビニル
トリメトキシシランと酸素をモル比で(1:4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代シに、下記の表−1、Nα11に
示すヘキサメチルジシロキサンとチオフェン及び酸素を
モル比で(20/1/10)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 5酊Torr 供給高周波電力=50W の条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同様の処
理および手順にしたがって、支持体10上のCo−Ni
合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法によシ分析したと
ころ、 膜厚:240A 膜組成: Co、t*Ho、z4Qo2tSio、ts
3o、ttであることが確認できた。
排除した後、装置から支持体10を取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜にオーバコートとされた層を、タ
リステップ、ESCA及び元素分析法によシ分析したと
ころ、 膜厚:240A 膜組成: Co、t*Ho、z4Qo2tSio、ts
3o、ttであることが確認できた。
かくして得られた支持体を12.65m巾に裁断してビ
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
11とした。
デオテープを作製した。この試料テープを実施例テープ
11とした。
実施例12
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10のCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給八周波へカニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、随12に示
すヘキザメチルジシロキサンとトリメチルホスファイト
および酸素をモル比で(20/1/10)の割合で混合
したガスを、 封入ガス圧: 10myaTorr 供給高周波電カニ80W の反応条件でグロー放電さゼる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体10のCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給八周波へカニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、随12に示
すヘキザメチルジシロキサンとトリメチルホスファイト
および酸素をモル比で(20/1/10)の割合で混合
したガスを、 封入ガス圧: 10myaTorr 供給高周波電カニ80W の反応条件でグロー放電さゼる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体lOを取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法によシ分析し
たところ、 膜厚:280A 膜組成: C0,1ei(o、t 9Q0.28Si
O,24p0.13であることを確認した。
排除した後、装置から支持体lOを取外し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法によシ分析し
たところ、 膜厚:280A 膜組成: C0,1ei(o、t 9Q0.28Si
O,24p0.13であることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65ax巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
ビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ12とした。
実施例13
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10のCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメ1キシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、Nα13に
示すフェニルシランとベンゼンおよび酸素をモル比で(
4/1/4)の割合で混合したガスを、封入ガス圧:
205m1Torr 供給高周波電カニ300V、’ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜を形成し、た。
た支持体10のCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメ1キシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、Nα13に
示すフェニルシランとベンゼンおよび酸素をモル比で(
4/1/4)の割合で混合したガスを、封入ガス圧:
205m1Torr 供給高周波電カニ300V、’ の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜を形成し、た。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層ヲ、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:180A 膜組成: C0,25l(o、o 8Q0.21 S
i O,43であることを確認した。
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層ヲ、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:180A 膜組成: C0,25l(o、o 8Q0.21 S
i O,43であることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
ビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ13とした。
実施例14
第1図に示す射造装置を用い、放%’、市2内にガイド
された支持体1oのCo−Ni合金膜上において、ビニ
ルトリメトキシシランと酸素とをモル1、ヒで(1/4
)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、Na14に
示すフェニルシランとメチルメタクリレートおよび窒素
なモル比で(5/3/40 )の割合で混合したガスを
、 封入ガス圧: 135mmTorr 供給高周波電カニisow の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体l。
された支持体1oのCo−Ni合金膜上において、ビニ
ルトリメトキシシランと酸素とをモル1、ヒで(1/4
)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、Na14に
示すフェニルシランとメチルメタクリレートおよび窒素
なモル比で(5/3/40 )の割合で混合したガスを
、 封入ガス圧: 135mmTorr 供給高周波電カニisow の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体l。
上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体1oを取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚−:160A 膜組成: C0,27H0,2800,19N0.10
S i O,16であることを確認した。
排除した後、装置から支持体1oを取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚−:160A 膜組成: C0,27H0,2800,19N0.10
S i O,16であることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65ym巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
ビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ14とした。
実施例15
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体1oのCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代シに、下記の表−1、Na15に
示すヘキサメチルシクロトリシロキサンとトリメチルポ
レートおよび酸素をモル比で(10/1/20 )の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧: 135 m Torr 供給高周波電カニ180W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
た支持体1oのCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow でグロー放電させる代シに、下記の表−1、Na15に
示すヘキサメチルシクロトリシロキサンとトリメチルポ
レートおよび酸素をモル比で(10/1/20 )の割
合で混合したガスを、 封入ガス圧: 135 m Torr 供給高周波電カニ180W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:260A 膜組成: C0,21J(0,14Q0.43Si O
,11130,11であることを確認した。
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:260A 膜組成: C0,21J(0,14Q0.43Si O
,11130,11であることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65+mm巾に裁断し
てビデオテープを作製した。
てビデオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ15とした。
実施例16
第1図に示す製造装置を用い、放電室2内にガイドされ
た支持体10のCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N16に示
すヘキサメチルシクロトリシロキサンと塩化ビニルおよ
び水素をモル比で(515/2)の割合で混合したガス
を、 封入ガス圧: 11 vm Torr 供給高周波電カニ8W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体l。
た支持体10のCo−Ni合金膜上において、ビニルト
リメトキシシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合
で混合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W でグロー放電させる代りに、下記の表−1、N16に示
すヘキサメチルシクロトリシロキサンと塩化ビニルおよ
び水素をモル比で(515/2)の割合で混合したガス
を、 封入ガス圧: 11 vm Torr 供給高周波電カニ8W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体l。
上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜を形成した。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:260A 膜組成: Co、a3■(o、osQo、xsSio、
as(Jo、o:+であることを確認した。
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:260A 膜組成: Co、a3■(o、osQo、xsSio、
as(Jo、o:+であることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65m巾に裁断してビ
デオテープを作製した。
デオテープを作製した。
この試料テープを実施例テープ16とした。
比較例1
第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体10のCo−Ni合金膜上で、ビニルトリーメトキ
シシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代シに、下記表−2、FJ[
L 1に示すビニルトリメトキシシランを、封入ガス圧
: l 8 yen Torr供給高周波電カニ50W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体l。
持体10のCo−Ni合金膜上で、ビニルトリーメトキ
シシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代シに、下記表−2、FJ[
L 1に示すビニルトリメトキシシランを、封入ガス圧
: l 8 yen Torr供給高周波電カニ50W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体l。
上のCo−Ni合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコー
ト層た。
ト層た。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体1oを取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、E S CAおよび光重分析法によシ分
析したところ、 膜厚:260A 膜組成: (’0.31)(0,13si0.33Q0
.23であることを確認した。
排除した後、装置から支持体1oを取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、E S CAおよび光重分析法によシ分
析したところ、 膜厚:260A 膜組成: (’0.31)(0,13si0.33Q0
.23であることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断して
ビデオテープを作!ソした。
ビデオテープを作!ソした。
この試料テープを比較例テープlとした。
以下余白
表−2
比較例2
第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体lOのCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow の条件でグロー放電させる代シに、下記表−2、h2に
示すビニルトリメトキシシランおよびエチレンをモル比
で(1/1)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 35 ws Torr 供給高周波電カニ100W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例工と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート唇た。
持体lOのCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニaoow の条件でグロー放電させる代シに、下記表−2、h2に
示すビニルトリメトキシシランおよびエチレンをモル比
で(1/1)の割合で混合したガスを、 封入ガス圧: 35 ws Torr 供給高周波電カニ100W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例工と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート唇た。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法によシ分赤し
たところ、 膜厚:220A 膜組成: Co4n)io、xsSio、zsQo、x
sであることを確認した。
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
クリステツブ、ESCAおよび元素分析法によシ分赤し
たところ、 膜厚:220A 膜組成: Co4n)io、xsSio、zsQo、x
sであることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65m巾に裁断してビ
デオテープを作製した。
デオテープを作製した。
この試料テープを比較例テープ2とした。
比較例3
第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体10のco−Ni合金膜上で、ビニルトリメトキシ
シランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合した
ガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、Nα3
に示すテトラメチルシランを、 封入ガス圧: 12 tm ’fOrr供給高周波電カ
ニ100W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体重0上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート唇た。
持体10のco−Ni合金膜上で、ビニルトリメトキシ
シランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合した
ガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、Nα3
に示すテトラメチルシランを、 封入ガス圧: 12 tm ’fOrr供給高周波電カ
ニ100W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体重0上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート唇た。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート唇、′
を、クリステツブ、ESCAおよび元素分析法−より分
析したところ、 膜厚:180A 膜組成; (::o51Ho、o4Sio、+oQo、
osであることを確認した。
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート唇、′
を、クリステツブ、ESCAおよび元素分析法−より分
析したところ、 膜厚:180A 膜組成; (::o51Ho、o4Sio、+oQo、
osであることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65mm巾に裁断して
ビデオテープを作製した。
ビデオテープを作製した。
この試料テープを比較例テープ3とした。
比較例4
第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体10のCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で(,1/4 )の割合で混
合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波型カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、N[L
4に示すテトラメチルシランおよびスチレンをモル比
で(1/1)の割合で混合したガスを、封入ガス圧:
125wmTorr 供給高周波電カニ300W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート層た。
持体10のCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で(,1/4 )の割合で混
合したガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波型カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、N[L
4に示すテトラメチルシランおよびスチレンをモル比
で(1/1)の割合で混合したガスを、封入ガス圧:
125wmTorr 供給高周波電カニ300W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコート層た。
上記7’ラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガス
を排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体1
0上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を
、タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析
したところ、 膜厚:300A 膜組成: (:o、5sHo21Sio、+tQo、o
sであることを確認した。
を排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体1
0上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を
、タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析
したところ、 膜厚:300A 膜組成: (:o、5sHo21Sio、+tQo、o
sであることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65m中に裁断してビ
デオテープを作製した。
デオテープを作製した。
この試料テープを比較例テープ4とした。
比較列5
第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体10のCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメトキシ
シランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合した
ガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、F1α
5に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、封入ガス
圧: 140 mm Torr供給高周波電カニ250
W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコードンた。
持体10のCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメトキシ
シランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合した
ガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、F1α
5に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、封入ガス
圧: 140 mm Torr供給高周波電カニ250
W の反応条件でグロー放電させる以外は、実施例1と同じ
処理および手順にしたがって、支持体10上のCo−N
i合金膜上にプラズマ重合膜をオーバコードンた。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオ、(コート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たAころ、 膜厚:360A 膜組成: C0,31HO,1tsi o、3300.
08N0.17であることを確認した。
排除した後、装置から支持体10を取出し、支持体10
上のCo−Ni合金膜に形成されたオ、(コート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たAころ、 膜厚:360A 膜組成: C0,31HO,1tsi o、3300.
08N0.17であることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65wra巾に裁断し
てビデオテープを作製した。
てビデオテープを作製した。
この試料テープを比較例テープ5とした。
比較例6
第1図に示す装置を用い、放電室2内にガイドされた支
持体1oのCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、N[L
6に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、封入ガス
圧=18朋Torr 供給高周波型カニ30W の反応条件でグロー放電させる以外+ri、、実施例1
と1司じ処理および手JIUiにしたがって、支持体1
゜上のco−Ni合金膜上に7°ラズマ重合膜をオーバ
コートした。
持体1oのCo−Ni合金膜上で、ビニルトリメ トキ
シシランと酸素とをモル比で(1/4)の割合で混合し
たガスを、 封入ガス圧: 0.11 Torr 供給高周波電カニ300W の条件でグロー放電させる代りに、下記表−2、N[L
6に示すヘキサメチルシクロトリシラザンを、封入ガス
圧=18朋Torr 供給高周波型カニ30W の反応条件でグロー放電させる以外+ri、、実施例1
と1司じ処理および手JIUiにしたがって、支持体1
゜上のco−Ni合金膜上に7°ラズマ重合膜をオーバ
コートした。
上記プラズマ重合膜形成後、ケーシング内の残留ガスを
排除した後、装置から支持体1oを取出し、支持体lo
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:320A 膜組成 : (:o、zsHo、otsio2aQo、
tolyJo、azであることを確認した。
排除した後、装置から支持体1oを取出し、支持体lo
上のCo−Ni合金膜に形成されたオーバコート層を、
タリステップ、ESCAおよび元素分析法により分析し
たところ、 膜厚:320A 膜組成 : (:o、zsHo、otsio2aQo、
tolyJo、azであることを確認した。
かくして得られた支持体を12.65m中に裁断してと
デオテープを子ゝ[製した。
デオテープを子ゝ[製した。
この試料テープを比較例テープ6とした。
次に、実施例1〜16および比較例1〜6において得ら
れた各実施例テープト16および比較例テープト6のオ
ーバコート層の屈折率、動摩擦係数、as)劣化および
テープのスチル寿命の)について測定した結果を、表−
3に示す。
れた各実施例テープト16および比較例テープト6のオ
ーバコート層の屈折率、動摩擦係数、as)劣化および
テープのスチル寿命の)について測定した結果を、表−
3に示す。
以下余白
表−3
係数、as劣化率およびステル寿命は次の方法にしたが
って評価した。
って評価した。
(a) オーバコート層の屈折率:
エリプソメータで…り定した。
(b) オーバコート層の動摩擦係数:テープを温!2
5℃、相対湿度55%の雰囲気下で24時間放置後、テ
ープの一端をテンション検出部に取り付け、他方の端に
は30?荷重をかけて静止しておき、さらに当該テープ
下面に回転ローラ(直径4門)を接触させて、周速度1
4mx/secで回転させたとき、上記テンション検出
部に検出される値をもって動摩擦係数とした。
5℃、相対湿度55%の雰囲気下で24時間放置後、テ
ープの一端をテンション検出部に取り付け、他方の端に
は30?荷重をかけて静止しておき、さらに当該テープ
下面に回転ローラ(直径4門)を接触させて、周速度1
4mx/secで回転させたとき、上記テンション検出
部に検出される値をもって動摩擦係数とした。
(c) ’s劣化率:
テープを高温多湿の条件下(温度60℃、相対湿腿80
φ)において1週間放置した後の、当該テープの飽和磁
化0sと、放置前のテープの飽和磁化’soとから、次
式に従ってめた、 σS劣比率=(シー−U−) x i o 。
φ)において1週間放置した後の、当該テープの飽和磁
化0sと、放置前のテープの飽和磁化’soとから、次
式に従ってめた、 σS劣比率=(シー−U−) x i o 。
0
をもって表示した。
(d) スチル寿命:
TV画面上の再生静止画像が消失するまでの時間を(6
)単位で表示した。また、前記実施例1〜16および比
較例1〜6におけるテープのオーバコート層の膜厚はR
ank talov llobson社製クリステツブ
を用い常法に従って測定した。
)単位で表示した。また、前記実施例1〜16および比
較例1〜6におけるテープのオーバコート層の膜厚はR
ank talov llobson社製クリステツブ
を用い常法に従って測定した。
表−3に表わされた測定結果から、オーバコート層の屈
折率が1.45以下の試料テープ(比較例テープト6)
は、屈折率1.45以上の試料テープ(実施例テープト
16)に比べて、動摩擦係数、as劣化率がいずれも大
きく、テープ走行性が悪くスリ傷を生じやすく、耐食性
(保存安定性)も劣ることが判る。
折率が1.45以下の試料テープ(比較例テープト6)
は、屈折率1.45以上の試料テープ(実施例テープト
16)に比べて、動摩擦係数、as劣化率がいずれも大
きく、テープ走行性が悪くスリ傷を生じやすく、耐食性
(保存安定性)も劣ることが判る。
さらに、オーバコート層の屈折率1.45以上の試料テ
ープは、屈折率1.45以下のオーバコート層を有する
試料テープに比べて、スチル寿命が長く耐摩耗性が優れ
ていることが判る。
ープは、屈折率1.45以下のオーバコート層を有する
試料テープに比べて、スチル寿命が長く耐摩耗性が優れ
ていることが判る。
表−3に示された測定値に基づいて、試料テープの屈折
率とスチル寿命との関係をプロットすると、第3図に示
すごとき結果となる。図中X印は、屈折率1.45以下
の試料テープの特性値であり、・印は、屈折率1.45
以上の試料テープの特性値を表わす。この結果に基づい
て内挿線をプロットしてみると、2種類の内挿線C1と
02が得られる。
率とスチル寿命との関係をプロットすると、第3図に示
すごとき結果となる。図中X印は、屈折率1.45以下
の試料テープの特性値であり、・印は、屈折率1.45
以上の試料テープの特性値を表わす。この結果に基づい
て内挿線をプロットしてみると、2種類の内挿線C1と
02が得られる。
内挿線C工、C2から、屈折率が1.45以上のオーバ
コート層を有するテープのスチル寿命は、屈折率1.4
5以下のオーバコート層を有するテープのスチル寿命に
比べて飛m的に増加しており、テープの耐摩耗性が向」
ニしたことが判る。
コート層を有するテープのスチル寿命は、屈折率1.4
5以下のオーバコート層を有するテープのスチル寿命に
比べて飛m的に増加しており、テープの耐摩耗性が向」
ニしたことが判る。
(f) 発明の効果:
以上のごとく、本発明によると、磁気記録媒体は、
■ 走行性が改善され、走行不良に基づく画面あるいは
録音の乱れが少なくなる。
録音の乱れが少なくなる。
■ また、耐摩耗性が高いため、長時間使用しても、書
生出力信号の変動が少ない。
生出力信号の変動が少ない。
■ さらに、耐食性に優れているため、長時間高温・多
湿の条件の下に放置しても、再生出力の劣化が少なく、
高い保存安定性が得られる。
湿の条件の下に放置しても、再生出力の劣化が少なく、
高い保存安定性が得られる。
KrJ1図は、本発明の磁気記録媒体製造装置の要部断
面図、第2図は本発明の磁気記録媒体製造装置!父の他
の実施例の要部断面図、第3図は本発明にかかる磁気記
録媒体と比較例の磁気記録媒体のオーバコート層の屈折
率対スチル寿命のじピ1係を示すl庁性曲線図である。 2・・・・・・放電室、 3・・・・・・支持体送出室
4・・・・・・支持体巻取り室、 6・・・・・・上部
電極、7・・・・・・下部15極、 8・・・・・・マ
ツチングボックス9・・・・・・高周波電畝10・・・
・・・支持体、11・・・・・・支持体送出リール、 13・・・・・・支持体巻取リール 特許出願人 小西六写真工業株式会社 第1図 第2図 5 箪3図 屈 折率 手続補正書(自発) 昭和58年9月14日 1、事件の表示 昭和58年 特 j’t 1第1.45 ]、 93号
゛2、発明の名称 磁気記録媒体およびその製造方法 3、ホに正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
(127)小西六写真工業株式会社6、補正の内容 別紙のとおり。 [1]@許請求の範囲値別紙裏示す如く訂正する。 [2]発明の詳細な説明の桐を以下の如く補正する。 (1)明細書第2頁1行目の「・・・薄膜型磁気記録媒
体に関する。」とある記載を「・・・薄膜型磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。」とする。 (2)明細筈第3頁8行目の1・・・W、Jとある記載
を「・・・WCl」とする。 (3)明細古第6頁3行目の1・・・耐摩性・・・」と
ある記載を「・・・耐摩耗性・・・」とする。 (4)明細書の第6頁下から1行目から第7頁2行目ま
での「−・・オーバーコート層を屈折率が1.45以上
の含けい素有機プラズマ重合層で構成すること・・・」
とある記載を「・・・オーバーコート層が屈折率1.4
5以上であり、含けい素有機プラズマ重合層で#j成さ
れたものであること・・・」とする。 (5)明細書第9頁1〜3行目の[・・・屈折率が1.
45以上の含けい素有機プラズマ重合層をオーバーコー
トすること・・・」とある記載を「・・・含けい素有機
プラズマ重合層で構成された屈折率1.45以上のオー
バーコート層を形成すること・・・」とする。 (G+ 明細瞥第9頁1から3行目の[・・・テトラメ
キシルシラ/・・・」とある記載を「・・・テトラメト
キシシラン・・・」とする。 (7) リjI!fi1!1.第12頁13〜14行目
の「・・・酸化物系磁性材料や合金系磁性材料の中でも
、・・・」とある記載を削除する。 (8)明細扮第53頁6行目の「・−・Ran1c t
alov)io b s o n−Jとある記載を「=
・JLank talorno b s o n・−J
とする。 以上 (別紙) 特許請求の範囲 (1)支持体上に、磁性Hηと磁性層上に形成したオー
バーコート層を有する磁気記録媒体において、オーバー
コート層が屈折率1.45以上であり、含けい素有機プ
ラズマ重合層で構成されたt囚で。 緑ことを特徴とする磁気配録媒体。 (2)支持体上に磁性層を形成した後、該磁性層上で非
プラズマ亜合性ガスと含けい素化合物とを同R,′fに
プラズマ11ξ合処理し、磁性層上に1旦ヤとする磁気
記録媒体の製造方法。 手続補正書 5B、12.17 昭和 年 月 日 1 事件の表示 昭和58年 特 許 願第145193号41件との関
係 特許出紐1人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26査2号罠l″′
壱、オ;) (127)小西六写よ1.工梨口、式会社
代表取締役 川 本 信 彦 7、補正の対象 (1)「特許法第36糸」による出願を「特許法第38
条但し朋」の規定による特許出願に補正する。 (2、特許請求の範囲に記載された発明の数」について
、2と補正する。 以上
面図、第2図は本発明の磁気記録媒体製造装置!父の他
の実施例の要部断面図、第3図は本発明にかかる磁気記
録媒体と比較例の磁気記録媒体のオーバコート層の屈折
率対スチル寿命のじピ1係を示すl庁性曲線図である。 2・・・・・・放電室、 3・・・・・・支持体送出室
4・・・・・・支持体巻取り室、 6・・・・・・上部
電極、7・・・・・・下部15極、 8・・・・・・マ
ツチングボックス9・・・・・・高周波電畝10・・・
・・・支持体、11・・・・・・支持体送出リール、 13・・・・・・支持体巻取リール 特許出願人 小西六写真工業株式会社 第1図 第2図 5 箪3図 屈 折率 手続補正書(自発) 昭和58年9月14日 1、事件の表示 昭和58年 特 j’t 1第1.45 ]、 93号
゛2、発明の名称 磁気記録媒体およびその製造方法 3、ホに正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号名 称
(127)小西六写真工業株式会社6、補正の内容 別紙のとおり。 [1]@許請求の範囲値別紙裏示す如く訂正する。 [2]発明の詳細な説明の桐を以下の如く補正する。 (1)明細書第2頁1行目の「・・・薄膜型磁気記録媒
体に関する。」とある記載を「・・・薄膜型磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。」とする。 (2)明細筈第3頁8行目の1・・・W、Jとある記載
を「・・・WCl」とする。 (3)明細古第6頁3行目の1・・・耐摩性・・・」と
ある記載を「・・・耐摩耗性・・・」とする。 (4)明細書の第6頁下から1行目から第7頁2行目ま
での「−・・オーバーコート層を屈折率が1.45以上
の含けい素有機プラズマ重合層で構成すること・・・」
とある記載を「・・・オーバーコート層が屈折率1.4
5以上であり、含けい素有機プラズマ重合層で#j成さ
れたものであること・・・」とする。 (5)明細書第9頁1〜3行目の[・・・屈折率が1.
45以上の含けい素有機プラズマ重合層をオーバーコー
トすること・・・」とある記載を「・・・含けい素有機
プラズマ重合層で構成された屈折率1.45以上のオー
バーコート層を形成すること・・・」とする。 (G+ 明細瞥第9頁1から3行目の[・・・テトラメ
キシルシラ/・・・」とある記載を「・・・テトラメト
キシシラン・・・」とする。 (7) リjI!fi1!1.第12頁13〜14行目
の「・・・酸化物系磁性材料や合金系磁性材料の中でも
、・・・」とある記載を削除する。 (8)明細扮第53頁6行目の「・−・Ran1c t
alov)io b s o n−Jとある記載を「=
・JLank talorno b s o n・−J
とする。 以上 (別紙) 特許請求の範囲 (1)支持体上に、磁性Hηと磁性層上に形成したオー
バーコート層を有する磁気記録媒体において、オーバー
コート層が屈折率1.45以上であり、含けい素有機プ
ラズマ重合層で構成されたt囚で。 緑ことを特徴とする磁気配録媒体。 (2)支持体上に磁性層を形成した後、該磁性層上で非
プラズマ亜合性ガスと含けい素化合物とを同R,′fに
プラズマ11ξ合処理し、磁性層上に1旦ヤとする磁気
記録媒体の製造方法。 手続補正書 5B、12.17 昭和 年 月 日 1 事件の表示 昭和58年 特 許 願第145193号41件との関
係 特許出紐1人 住 所 東京都新宿区西新宿1丁目26査2号罠l″′
壱、オ;) (127)小西六写よ1.工梨口、式会社
代表取締役 川 本 信 彦 7、補正の対象 (1)「特許法第36糸」による出願を「特許法第38
条但し朋」の規定による特許出願に補正する。 (2、特許請求の範囲に記載された発明の数」について
、2と補正する。 以上
Claims (2)
- (1)支持体上に、磁性層と磁性層上に形成したオーバ
コート層を有する磁気記録媒体において、オーバコート
層が屈折率1.45以上の含けい素有機プラズマ重合層
で構成されたことを%徴とする磁気記録媒体。 - (2)支持体上に磁性層を形成した後、該磁性層上で非
プラズマ重合性ガスと含けい素化合物とを同時にプラズ
マ重合処理し、磁性層上に屈折率が1.45以上の含け
い素有機プラズマ重合層をオーバコートすることを特徴
とする支持体上に、磁性層と磁性層上に形成した屈折率
が1.45以上の含けい素有機プラズマ重合層を有する
磁気記録媒体0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58145193A JPS6038727A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58145193A JPS6038727A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6038727A true JPS6038727A (ja) | 1985-02-28 |
JPH0325849B2 JPH0325849B2 (ja) | 1991-04-09 |
Family
ID=15379572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58145193A Granted JPS6038727A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6038727A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6057536A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPS62153996A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | ヤマハ株式会社 | 電子楽器のパネル装置 |
US5904952A (en) * | 1987-07-15 | 1999-05-18 | The Boc Group, Inc. | Method of plasma enhanced silicon oxide deposition |
EP1109947A1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-06-27 | N.V. Bekaert S.A. | Hardcoats for flat panel display substrates |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP58145193A patent/JPS6038727A/ja active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6057536A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH0576097B2 (ja) * | 1983-09-08 | 1993-10-21 | Hitachi Maxell | |
JPS62153996A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | ヤマハ株式会社 | 電子楽器のパネル装置 |
US5904952A (en) * | 1987-07-15 | 1999-05-18 | The Boc Group, Inc. | Method of plasma enhanced silicon oxide deposition |
EP1109947A1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-06-27 | N.V. Bekaert S.A. | Hardcoats for flat panel display substrates |
EP1109947A4 (en) * | 1998-07-27 | 2004-09-22 | Bekaert Sa Nv | PROTECTIVE LAYERS FOR FLAT SCREEN DISPLAY SUBSTRATES |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0325849B2 (ja) | 1991-04-09 |
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