JPS60202982A - 膜回路装置 - Google Patents
膜回路装置Info
- Publication number
- JPS60202982A JPS60202982A JP5980284A JP5980284A JPS60202982A JP S60202982 A JPS60202982 A JP S60202982A JP 5980284 A JP5980284 A JP 5980284A JP 5980284 A JP5980284 A JP 5980284A JP S60202982 A JPS60202982 A JP S60202982A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transformer
- lead
- membrane circuit
- circuit
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Amplifiers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
←産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置を用いた尚周波広帯域プツシ−プ
ル増幅回路の歪または雑音指数のよυ効果的な低減を可
能にする膜回路装置に関するものであり、ＣＡ’ｌ”Ｖ
線路増幅器等の高周波広帯域。
ル増幅回路の歪または雑音指数のよυ効果的な低減を可
能にする膜回路装置に関するものであり、ＣＡ’ｌ”Ｖ
線路増幅器等の高周波広帯域。
低歪または低雑音増幅に利用されるものである。
（従来技術）
従来、高周波、広帯域、低歪またＬ低雑音増幅器として
、半導体装置の全以上に小さな歪を必散とする場合、第
１図に示す如く、プッシュプル増幅回路が一般的に用い
られていた。位相反転、インピーダンス変換のためのト
ランス１００１次側コイルのり一ド１１に入力端子１５
から入力信号を高周波領域のインピーダンス整合回路４
０を介して加え、２次側コイルのリード１３．１４から
トランジスタ増幅回路２０．３０に出力を加え、トラン
ジスタ増幅回路２０．３０から出力信号を得ている。ト
ランス１００２次側コイルの中点を接地しトランジスタ
増幅回路２０．３０の出力を接続することによシプッシ
ュプル増幅回路を層成して出力端子１６から合成出力を
得ている。尚、トランス１００１次側コイルのり−ド１
２は通常接地される。
、半導体装置の全以上に小さな歪を必散とする場合、第
１図に示す如く、プッシュプル増幅回路が一般的に用い
られていた。位相反転、インピーダンス変換のためのト
ランス１００１次側コイルのり一ド１１に入力端子１５
から入力信号を高周波領域のインピーダンス整合回路４
０を介して加え、２次側コイルのリード１３．１４から
トランジスタ増幅回路２０．３０に出力を加え、トラン
ジスタ増幅回路２０．３０から出力信号を得ている。ト
ランス１００２次側コイルの中点を接地しトランジスタ
増幅回路２０．３０の出力を接続することによシプッシ
ュプル増幅回路を層成して出力端子１６から合成出力を
得ている。尚、トランス１００１次側コイルのり−ド１
２は通常接地される。
このような構成によシ、トランス１０ Ｏ１Ｊ−）”１
４との間では、リード１３と１４と接地間に現われる電
圧は、はぼ位相反転し大きさもほぼ等しいものであるた
め、トランジスタ回路２０ 、３０を単独で用いた場合
よりも１０ｄＢ以上低歪の２次歪の増幅器を４１Ｇ成す
ることかできた０しかしながら、例えば周波数がＩＱＱ
ＭＨｚ以上の高周波においては、トランス１０が磁気結
合から電磁軸合に移行するため、トランス１０と接地と
の間のバランスが悪くなるため、入力端子１５からリー
ド１３までの伝送特性と入力端子１５からリード１４ま
での伝送特性とは、それぞれ第２図、１５１３．１５１
４に示す様に、周波数が高くなる程ずれて米る。その結
果入力側整合回路４０をいかに調整しても、トランジス
タ増幅回路２０゜３０の２次歪を十分低減したプッシュ
プル増幅器ケ実現するのが困難であった０ （ｘＡ明の目的） 本発明の目的は、電圧分離１合成トランスを用いたプッ
シュプルトランジスタ増幅器において、高周波における
上述の２次歪の改！ｆＭ％性の劣化を押え、高周波、広
帯域の低歪トランジスタ増幅器を可能にする膜回路装置
を提供することにある。
４との間では、リード１３と１４と接地間に現われる電
圧は、はぼ位相反転し大きさもほぼ等しいものであるた
め、トランジスタ回路２０ 、３０を単独で用いた場合
よりも１０ｄＢ以上低歪の２次歪の増幅器を４１Ｇ成す
ることかできた０しかしながら、例えば周波数がＩＱＱ
ＭＨｚ以上の高周波においては、トランス１０が磁気結
合から電磁軸合に移行するため、トランス１０と接地と
の間のバランスが悪くなるため、入力端子１５からリー
ド１３までの伝送特性と入力端子１５からリード１４ま
での伝送特性とは、それぞれ第２図、１５１３．１５１
４に示す様に、周波数が高くなる程ずれて米る。その結
果入力側整合回路４０をいかに調整しても、トランジス
タ増幅回路２０゜３０の２次歪を十分低減したプッシュ
プル増幅器ケ実現するのが困難であった０ （ｘＡ明の目的） 本発明の目的は、電圧分離１合成トランスを用いたプッ
シュプルトランジスタ増幅器において、高周波における
上述の２次歪の改！ｆＭ％性の劣化を押え、高周波、広
帯域の低歪トランジスタ増幅器を可能にする膜回路装置
を提供することにある。
（発明の構成）
一本発明の腰回Ｔｈ装鉦は、絶縁性基板の表面に接地導
体を設け、表面に抵抗体、＊、体等の膜回路を設けてな
る膜回路基板と、フェライトコアに絶縁性被膜を被膜し
てなる銅線を巻いた変成器とから成る膜回路装置におい
てｓ ｉｊ配変成器の一次側コイルの一方のリードを接
地し、他力のリードを信号入力端子とし、かつ、２次側
コイルでは一次側コイルの接地したリード端子に対応し
た２次側コイルのリードは前記膜回路基板の表面から離
し、また、−次側コイルの１１号入力端子リードに削応
した２次側コイルのリードは前記膜回路基板上に接触さ
せて、はわせて、それぞれ膜回路の虐望の接続点く接続
されていることを％徴とする。
体を設け、表面に抵抗体、＊、体等の膜回路を設けてな
る膜回路基板と、フェライトコアに絶縁性被膜を被膜し
てなる銅線を巻いた変成器とから成る膜回路装置におい
てｓ ｉｊ配変成器の一次側コイルの一方のリードを接
地し、他力のリードを信号入力端子とし、かつ、２次側
コイルでは一次側コイルの接地したリード端子に対応し
た２次側コイルのリードは前記膜回路基板の表面から離
し、また、−次側コイルの１１号入力端子リードに削応
した２次側コイルのリードは前記膜回路基板上に接触さ
せて、はわせて、それぞれ膜回路の虐望の接続点く接続
されていることを％徴とする。
（実施例）
次に１本発明の実施例を＠３図を用いて具体的に説明す
る。
る。
絶縁性基板１はアルミナでできておシ、裏面には接地導
体膜が設けである。絶縁性基板１０表面上には接続端子
纏体ランド１１１，１２１，１３１，１４１が設けであ
る。更に、絶縁性基板１の表面上には接地導体ランド１
２２が設けられておシ、この接地導体ランド１２２はス
ルーホールによりａ面導体接地曲と２４通をとってあり
、かつ接続端子ランド１２１と接続されている。絶縁性
基板１表面上に設置したトランス１００はコイルが７ラ
ライトコアに巻かれて構成されておシ、その１次側コイ
ルのリード１１０は接続ランド１１１と、１次側コイル
の他のリニド１２０紘接続ランド１２１と接続されて接
地されている０１次コイルの信号入力側リード１１０に
対向した２次側コイルのリード１３０は絶縁性基板１の
表面に接触させて、はわせて、接続ランド１３１と、接
地側リード１２０と対向した２次側コイルのリード端子
１４０は、絶縁性基板の表面から浮かせて、接続端子１
４１にそれぞれ接続されている。接続ランド１３１と１
４１はそれぞれをトランジスタ増幅回路の入力端子に接
続されるべき導体ランドである。
体膜が設けである。絶縁性基板１０表面上には接続端子
纏体ランド１１１，１２１，１３１，１４１が設けであ
る。更に、絶縁性基板１の表面上には接地導体ランド１
２２が設けられておシ、この接地導体ランド１２２はス
ルーホールによりａ面導体接地曲と２４通をとってあり
、かつ接続端子ランド１２１と接続されている。絶縁性
基板１表面上に設置したトランス１００はコイルが７ラ
ライトコアに巻かれて構成されておシ、その１次側コイ
ルのリード１１０は接続ランド１１１と、１次側コイル
の他のリニド１２０紘接続ランド１２１と接続されて接
地されている０１次コイルの信号入力側リード１１０に
対向した２次側コイルのリード１３０は絶縁性基板１の
表面に接触させて、はわせて、接続ランド１３１と、接
地側リード１２０と対向した２次側コイルのリード端子
１４０は、絶縁性基板の表面から浮かせて、接続端子１
４１にそれぞれ接続されている。接続ランド１３１と１
４１はそれぞれをトランジスタ増幅回路の入力端子に接
続されるべき導体ランドである。
第３図の如きトランス１００の配置をした膜回路装置に
おいては、従来の第１図の等膜回路から変って第４図の
如き等膜回路におきかえて見るとよくわかる。第４図に
おいては、各リード端子は第１図に対応して参照番号に
ｇｌｗを付けであるので説明は省略する。第３図の端子
リード１３０は基板１上にはわしであるので対接地容蓋
をもち、絶縁性基板１の誘電率が１１０１であるとする
と、第４図の１３′の如き等膜回路で表わされる。一方
端子リード１４０は絶縁性基板１の表面から浮かせであ
るので浮遊接地容量は少なくインダクタンスＬに見える
ので、１４′の如く等膜回路で表わされる。この様にす
れば、端子１１０から入った信号は接続ランド１３１，
１４１では尚周波においても＃１はバランスをとること
ができ、信号の大きさもそろえることができる。
おいては、従来の第１図の等膜回路から変って第４図の
如き等膜回路におきかえて見るとよくわかる。第４図に
おいては、各リード端子は第１図に対応して参照番号に
ｇｌｗを付けであるので説明は省略する。第３図の端子
リード１３０は基板１上にはわしであるので対接地容蓋
をもち、絶縁性基板１の誘電率が１１０１であるとする
と、第４図の１３′の如き等膜回路で表わされる。一方
端子リード１４０は絶縁性基板１の表面から浮かせであ
るので浮遊接地容量は少なくインダクタンスＬに見える
ので、１４′の如く等膜回路で表わされる。この様にす
れば、端子１１０から入った信号は接続ランド１３１，
１４１では尚周波においても＃１はバランスをとること
ができ、信号の大きさもそろえることができる。
（発明の効果）
以上述べたように、不平衡−平衡変成器を用いて移相反
転する場合、上述の如く、不平衡接地側端子に対向した
平衡側端子リードをよシインダクタンス性にし、不十衡
側伯号端子に対向した平衡側端子リードに対接地容量を
積極的に持たせ伝送Ｉｉｉ＋！路形にすれは、不平慟側
イａ号端子と二つの平衡側端子との間の伝達特性の高周
波におけるバランスの悪化を、押えることができ、この
様な変成器とその配列飯を、膜回路基板上のトランジス
タ増幅回路に用いたプッシュプル増幅回路に用いれば、
入力１１号の分割、出刃信号の合成を、高周波において
も、大きさ９位相のバランスをくずさないで、行うこと
ができ、増幅回路の歪の改善に大きく寄与できる。例え
ば、本発明の膜回路装置を１００〜５００ＭＨｚの広帯
域増幅器に適用すれば、５００ＭＨｚ隋近で従来０プ、
シープル回路が、トランジスタ回路の２次歪よ＃）１０
〜１５ｄＢ改善されるのに対して本発明の膜回路装置で
紘トランジスタ回路の２次歪よシ２０〜２５ｄＢ改善さ
れる。
転する場合、上述の如く、不平衡接地側端子に対向した
平衡側端子リードをよシインダクタンス性にし、不十衡
側伯号端子に対向した平衡側端子リードに対接地容量を
積極的に持たせ伝送Ｉｉｉ＋！路形にすれは、不平慟側
イａ号端子と二つの平衡側端子との間の伝達特性の高周
波におけるバランスの悪化を、押えることができ、この
様な変成器とその配列飯を、膜回路基板上のトランジス
タ増幅回路に用いたプッシュプル増幅回路に用いれば、
入力１１号の分割、出刃信号の合成を、高周波において
も、大きさ９位相のバランスをくずさないで、行うこと
ができ、増幅回路の歪の改善に大きく寄与できる。例え
ば、本発明の膜回路装置を１００〜５００ＭＨｚの広帯
域増幅器に適用すれば、５００ＭＨｚ隋近で従来０プ、
シープル回路が、トランジスタ回路の２次歪よ＃）１０
〜１５ｄＢ改善されるのに対して本発明の膜回路装置で
紘トランジスタ回路の２次歪よシ２０〜２５ｄＢ改善さ
れる。
第５図はこの様子を説明したものである。即ち、人はト
ランジスタ増幅器の２次歪のｆ特性を示し、Ｂ祉Ａと同
じ増幅器を２つ組み合せて従来の変成器とその配置を用
いたプッシュプル増幅器の場合の２次歪特性を示し、Ｃ
は本発明の如く、変成器とその改善されたリード配置を
用いた１人と同じ２次のトランジスタ増幅回路を膜回路
基板上に形成したプッシュプル増幅回路の２次の歪特性
を示す。本発明の膜回路装置を用いれば、高周波になる
程歪の改善効果が着しくなることがわかる。
ランジスタ増幅器の２次歪のｆ特性を示し、Ｂ祉Ａと同
じ増幅器を２つ組み合せて従来の変成器とその配置を用
いたプッシュプル増幅器の場合の２次歪特性を示し、Ｃ
は本発明の如く、変成器とその改善されたリード配置を
用いた１人と同じ２次のトランジスタ増幅回路を膜回路
基板上に形成したプッシュプル増幅回路の２次の歪特性
を示す。本発明の膜回路装置を用いれば、高周波になる
程歪の改善効果が着しくなることがわかる。
以上説明した様に本発明の膜回路装置をＣＡＴＶ線路増
幅器等に用いれは、容易に、２次歪の小δい広帯域増幅
をすることができ有益であることは言を待たない。
幅器等に用いれは、容易に、２次歪の小δい広帯域増幅
をすることができ有益であることは言を待たない。
第１図、第２図はそれぞれ平衡増幅器の入方部にインピ
ーダンス変換トランスを接続したときのトランス周辺の
等価回路と、トランスの伝達特性図、第３図、第４図、
第５図り本発明の膜回路装置の一実施例の構成図、その
トランス都の等価回路、伝達特性図をそれぞれ示す。 １０．１０’・・曲インピーダンス変換トランス、１１
゜１２．１３．１４・・・・・・トランスのリード、２
０゜３０・・・・・・増幅器、４０・・・・・・整合回
路、１５・・・・・・入力端子、１５１３・・・・・・
入力端子１５からリード１３への伝達特性、１５１４・
・・・・・入力端子１５からリード１４への伝達特性、
１・・・・・・絶縁性基板、１１１゜１２１．１３１，
１４１・・・・・・絶縁性基版上の環体ランド、１００
・・・・・・トランス、１１０，１２０，１３０，１４
０・・・・・・トランス１００のリード、１３’、１４
’・・・・・・リード端子１３０，１４０の尋価回路。 Ｚｔ 図 わ２図
ーダンス変換トランスを接続したときのトランス周辺の
等価回路と、トランスの伝達特性図、第３図、第４図、
第５図り本発明の膜回路装置の一実施例の構成図、その
トランス都の等価回路、伝達特性図をそれぞれ示す。 １０．１０’・・曲インピーダンス変換トランス、１１
゜１２．１３．１４・・・・・・トランスのリード、２
０゜３０・・・・・・増幅器、４０・・・・・・整合回
路、１５・・・・・・入力端子、１５１３・・・・・・
入力端子１５からリード１３への伝達特性、１５１４・
・・・・・入力端子１５からリード１４への伝達特性、
１・・・・・・絶縁性基板、１１１゜１２１．１３１，
１４１・・・・・・絶縁性基版上の環体ランド、１００
・・・・・・トランス、１１０，１２０，１３０，１４
０・・・・・・トランス１００のリード、１３’、１４
’・・・・・・リード端子１３０，１４０の尋価回路。 Ｚｔ 図 わ２図
Claims (1)
- 絶縁性基板の裏面に接地導体を設けた膜回路基板と、該
膜回路基板に設置されたインピーダンス変成器と會含む
膜回路装置において、前記変成器の１次側コイルに入力
信号を加え、２次側コイルの一力の出力リードは、前記
膜回路基板の表面から＾１［シて、また、他力の出力リ
ードは前記膜回路ｍ＆上に接触させて、基板上をはわせ
て、それぞれ膜回路の所望の接続点に接続されているこ
とを他機とする膜回路装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5980284A JPS60202982A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 膜回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5980284A JPS60202982A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 膜回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202982A true JPS60202982A (ja) | 1985-10-14 |
| JPH0310210B2 JPH0310210B2 (ja) | 1991-02-13 |
Family
ID=13123760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5980284A Granted JPS60202982A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 膜回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202982A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151024A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | エツチング方法 |
| JPS63100006U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | ||
| JP2007536739A (ja) * | 2004-05-04 | 2007-12-13 | レイセオン カンパニー | 中心タップを備える差動モードインダクタ |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP5980284A patent/JPS60202982A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151024A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | エツチング方法 |
| JPS63100006U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | ||
| JPH0450007Y2 (ja) * | 1986-12-19 | 1992-11-25 | ||
| JP2007536739A (ja) * | 2004-05-04 | 2007-12-13 | レイセオン カンパニー | 中心タップを備える差動モードインダクタ |
| JP4750106B2 (ja) * | 2004-05-04 | 2011-08-17 | レイセオン カンパニー | 中心タップを備える差動モードインダクタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0310210B2 (ja) | 1991-02-13 |
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