JPS60114811A - 光導波路およびその製造方法 - Google Patents
光導波路およびその製造方法Info
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- JPS60114811A JPS60114811A JP58222074A JP22207483A JPS60114811A JP S60114811 A JPS60114811 A JP S60114811A JP 58222074 A JP58222074 A JP 58222074A JP 22207483 A JP22207483 A JP 22207483A JP S60114811 A JPS60114811 A JP S60114811A
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光通信、光情報処理分野で用いられる光来積回
路に必要な光導波路に係υ、脣に広い範囲にわたって屈
折率の制御が可能な光学材料を用いた光導波路ならびに
その製造方法に関する。
路に必要な光導波路に係υ、脣に広い範囲にわたって屈
折率の制御が可能な光学材料を用いた光導波路ならびに
その製造方法に関する。
光導波路は基板材料の上に光を導波するコア部と、これ
工すも低い屈折率を有するクラッド部から構成されてい
る。したがっていかなる構造を持とうとも、屈折率の異
なる２棟以上の透明な材料が必要で１、これらの材料は
いずれも薄膜でなければならない。そしてこれらの間の
屈折率差は多くの場合、高々数チ以内でろる。光導波路
材料としては従来、半導体１強誘電体、ガラス、有機物
など非常に多くのものが報舌されており、目的に応じて
適当な屈折率差を有する材料の組み曾わせが選択されて
きた。しかしながら光導波路の構造、各部分の屈折率差
１作製方法などを考慮したとき、実際に適用可能な薄膜
材料の組み会わせは非常に限られたものとなってしまう
。換言すると材料の制約によって）゛０導波路の構造の
設計は著しい制約を受けることを意味する。
工すも低い屈折率を有するクラッド部から構成されてい
る。したがっていかなる構造を持とうとも、屈折率の異
なる２棟以上の透明な材料が必要で１、これらの材料は
いずれも薄膜でなければならない。そしてこれらの間の
屈折率差は多くの場合、高々数チ以内でろる。光導波路
材料としては従来、半導体１強誘電体、ガラス、有機物
など非常に多くのものが報舌されており、目的に応じて
適当な屈折率差を有する材料の組み曾わせが選択されて
きた。しかしながら光導波路の構造、各部分の屈折率差
１作製方法などを考慮したとき、実際に適用可能な薄膜
材料の組み会わせは非常に限られたものとなってしまう
。換言すると材料の制約によって）゛０導波路の構造の
設計は著しい制約を受けることを意味する。
不発明の目的は同一の製造装置お工びスパッタガスの組
成比以外は同一の製法で広い範囲にわたって屈折率の１
直が制御可能な透明な光学材料を用いることによって、
設計の自由度を大巾に増した構造の光導波路を提供する
と共に、従来の材料および製造方法では実現が困−でめ
った構造を有する光導波路を提供し、且つこれを簡単に
作製できる方法を提供することにおる。
成比以外は同一の製法で広い範囲にわたって屈折率の１
直が制御可能な透明な光学材料を用いることによって、
設計の自由度を大巾に増した構造の光導波路を提供する
と共に、従来の材料および製造方法では実現が困−でめ
った構造を有する光導波路を提供し、且つこれを簡単に
作製できる方法を提供することにおる。
石英ガラス（Ｓｉ０２ガラス）は波長０．６３３／ｊｍ
において１．４５８の屈折率を持ち、スパッタ法おるい
はＣＶＤ法などに工って比較的容易に高純度の、従って
光の伝搬損失の低い薄膜が作製できるので光導波路材料
として広く用いられている。一方屈折率が波長０．６３
３μｒｎで２．２３という値を持つ窒化硅素（Ｓ ｍｓ
Ｎ４） Ｉ［ハ、 Ｉ Ｃ用ハックベーション膜とし
てプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタ法で作製されてい
る。
において１．４５８の屈折率を持ち、スパッタ法おるい
はＣＶＤ法などに工って比較的容易に高純度の、従って
光の伝搬損失の低い薄膜が作製できるので光導波路材料
として広く用いられている。一方屈折率が波長０．６３
３μｒｎで２．２３という値を持つ窒化硅素（Ｓ ｍｓ
Ｎ４） Ｉ［ハ、 Ｉ Ｃ用ハックベーション膜とし
てプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタ法で作製されてい
る。
Ｓｉ０ｇ膜のスパッタは、通常、８ｊＯｚガラスのター
ゲットをＡｔガス中でスパッタして形成している。Ｓｉ
３Ｎ４膜のスパッタは、５ｉ３Ｎ４ターゲツトとＡｔガ
ス雰囲気の組み合わせの他に、Ｎ２ガス中で８１ターゲ
ツトをスパッタする反応性スパッタによっても可能でる
る。
ゲットをＡｔガス中でスパッタして形成している。Ｓｉ
３Ｎ４膜のスパッタは、５ｉ３Ｎ４ターゲツトとＡｔガ
ス雰囲気の組み合わせの他に、Ｎ２ガス中で８１ターゲ
ツトをスパッタする反応性スパッタによっても可能でる
る。
本発明は上記の事実に着目し、Ｓｉをターゲットトシ、
スパッタガスの組成をＮ２ガスと０２ガスの混合ガスと
し、これらの組成比を制御することによってＳｉｇｈ膜
とｆ３ｉＢＮａ膜との間の任意の屈折率を有する、酸化
硅素と窒化硅素の混合膜（以下オキシナイトライド膜と
呼ぶ）の作製を可能としたものである。
スパッタガスの組成をＮ２ガスと０２ガスの混合ガスと
し、これらの組成比を制御することによってＳｉｇｈ膜
とｆ３ｉＢＮａ膜との間の任意の屈折率を有する、酸化
硅素と窒化硅素の混合膜（以下オキシナイトライド膜と
呼ぶ）の作製を可能としたものである。
以下本発明の基本となる災験結果について図面を用いて
詳細に説明を行う。ガラス基板上に多結晶シリコンをタ
ーゲットとし、次の条件でオキシナイトライド膜を形成
した。
詳細に説明を行う。ガラス基板上に多結晶シリコンをタ
ーゲットとし、次の条件でオキシナイトライド膜を形成
した。
ＲＦ パワー ；５００Ｗ。
スパッタ圧力 ； ５ Ｐ ａ＊
スパッタガス組成（流量比） ＦＯ２／ ＣＦｏｇ十Ｆ
ｍ５） ； ０〜１゜Ｆｏｇ 、 ＦｇはそれぞれＣｈ
、Ｎ鵞の流量を示す。
ｍ５） ； ０〜１゜Ｆｏｇ 、 ＦｇはそれぞれＣｈ
、Ｎ鵞の流量を示す。
以上のようにスパッタガスの組成を変えて６種の試料を
作製し、透過分光特性番測定した。膜訟面の反射光と膜
透過後の反射光の干渉を用φた周知の屈折率測定法にニ
ジ、透過率の極大、極小の位置お工び膜厚から、各々の
波長におけるオキシナイトライド膜の屈折率をめた。第
１図に波長０．６３３μｍにおけるオキシナイトライド
膜の屈折率の、膜形成時におけるスパッタガス組成に対
する変化を示す。第１図に示す工うにスノくツタで形成
したオキシナイトライド膜の屈折率は、２．２３から１
．４５８まで連続的に変化している。Ｎ２ガスにくらべ
０２ガスの活性度が筒いことを反映して、少量の０２ガ
スの導入にＬって屈折率は急激に減少している。以上の
結果は、５ｉ０２ガラスの屈折率をＳ ｊｓ Ｎａ膜の
屈折率の間の任意の屈折率を持つオキシナイトライド膜
が、スノ（ツタ雰囲気のＮ２と０２の比を選択すること
１Ｃ工υ単一の方法お工び装置で作製可能なことを意味
している。
作製し、透過分光特性番測定した。膜訟面の反射光と膜
透過後の反射光の干渉を用φた周知の屈折率測定法にニ
ジ、透過率の極大、極小の位置お工び膜厚から、各々の
波長におけるオキシナイトライド膜の屈折率をめた。第
１図に波長０．６３３μｍにおけるオキシナイトライド
膜の屈折率の、膜形成時におけるスパッタガス組成に対
する変化を示す。第１図に示す工うにスノくツタで形成
したオキシナイトライド膜の屈折率は、２．２３から１
．４５８まで連続的に変化している。Ｎ２ガスにくらべ
０２ガスの活性度が筒いことを反映して、少量の０２ガ
スの導入にＬって屈折率は急激に減少している。以上の
結果は、５ｉ０２ガラスの屈折率をＳ ｊｓ Ｎａ膜の
屈折率の間の任意の屈折率を持つオキシナイトライド膜
が、スノ（ツタ雰囲気のＮ２と０２の比を選択すること
１Ｃ工υ単一の方法お工び装置で作製可能なことを意味
している。
なお、本発明の光導波路を製造する場合の、オキ７ナイ
トライド膜のスパッタ条件は、スノくツタガスを、得ら
れるオキシナイトライド膜の屈折率が所望の値になる分
圧比のＯ３とＮ！の混合ガスとすればよく、他は周知の
８ｉ０＊お工び８ｉｓＮａ膜を作成する場合の反応性ス
パッタの条件を用いれば工い。また、光導波路を形成す
る基板は、従来用いられていたものを用φて差支えない
。
トライド膜のスパッタ条件は、スノくツタガスを、得ら
れるオキシナイトライド膜の屈折率が所望の値になる分
圧比のＯ３とＮ！の混合ガスとすればよく、他は周知の
８ｉ０＊お工び８ｉｓＮａ膜を作成する場合の反応性ス
パッタの条件を用いれば工い。また、光導波路を形成す
る基板は、従来用いられていたものを用φて差支えない
。
また、オキシナイトライド膜を被着する基板は、既にそ
の表面上に下部クラッド層（９１えは第２図の１１）を
有するもの、あるいは下部クラッド層と光導波層（例え
ば第２図の１２）の両者を有するものでもよい。前者の
場合は、オキ７ナイトライド層にニジ光導波層と上部ク
ラッド層を形成し、後者の場合は、オキシナイトライド
層にニジ上部クラッド層を形成することになる。もちろ
ん、上記クラッドノー等が形成されてなり基板を用−て
、その上にオキシナイトライド層に工９下部クラッド層
、光導波層お工び上部クラッドノーを形成しても↓い。
の表面上に下部クラッド層（９１えは第２図の１１）を
有するもの、あるいは下部クラッド層と光導波層（例え
ば第２図の１２）の両者を有するものでもよい。前者の
場合は、オキ７ナイトライド層にニジ光導波層と上部ク
ラッド層を形成し、後者の場合は、オキシナイトライド
層にニジ上部クラッド層を形成することになる。もちろ
ん、上記クラッドノー等が形成されてなり基板を用−て
、その上にオキシナイトライド層に工９下部クラッド層
、光導波層お工び上部クラッドノーを形成しても↓い。
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
実施例１
第２図に示すごとく、石英の基板ｌＯ上にＳｉをターゲ
ットとして、雰囲気をＮ８と０３との混合ガスとした反
応性スパッタにニジ、第１図からめた関係によって雰囲
気を調節して屈折率を制御した３層のオキシナイトライ
ド膜１１，１２゜１３を連続的に作製した。スパッタ膜
１１，１２゜１３の各々の膜の屈折率お工び膜厚の測定
値は次のとおシでめった。スパッタ条件は前記と同様に
以上のようにして作製した平面光導波路に図の矢印１４
の方向から２０倍の対物レンズでＨｅ −Ｎｅレーザ光
を入射し、光導波層１２を導波する光の伝搬損失を測定
したところ、約１．６ｄＢ／ｃｒｒ１と、非常に低損失
な値を示した。以上の結果はスパッタ法で形成したオキ
シナイトライド膜が、光導波路用材料として十分に透明
であることを示している。
ットとして、雰囲気をＮ８と０３との混合ガスとした反
応性スパッタにニジ、第１図からめた関係によって雰囲
気を調節して屈折率を制御した３層のオキシナイトライ
ド膜１１，１２゜１３を連続的に作製した。スパッタ膜
１１，１２゜１３の各々の膜の屈折率お工び膜厚の測定
値は次のとおシでめった。スパッタ条件は前記と同様に
以上のようにして作製した平面光導波路に図の矢印１４
の方向から２０倍の対物レンズでＨｅ −Ｎｅレーザ光
を入射し、光導波層１２を導波する光の伝搬損失を測定
したところ、約１．６ｄＢ／ｃｒｒ１と、非常に低損失
な値を示した。以上の結果はスパッタ法で形成したオキ
シナイトライド膜が、光導波路用材料として十分に透明
であることを示している。
なお、オキシナイトライド膜１１．１２．１３はそれぞ
れ下部り２ラド層、光導波層、上部クラッド層でおる。
れ下部り２ラド層、光導波層、上部クラッド層でおる。
実施例２
石英ガラス基板２０上に前述の工うに５ｔｔ−タ−ゲッ
トとし、０２ガスとＮ２ガスの混合ガスをスパッタガス
として厚さ３μｍのオキシナイトライド膜を形成した。
トとし、０２ガスとＮ２ガスの混合ガスをスパッタガス
として厚さ３μｍのオキシナイトライド膜を形成した。
このとき０２ガスとＮ２ガスの混合比を時間と共に変化
させて第３図に示すように膜厚方向に上下対称なグレー
デッド型の屈折率分布の光導波路２２を作製した。この
工うに膜−厚方向に対称なグレーデッド屋屈折率分布を
有する光導波路は、従来の拡散法やイオン打込み法では
作製が非常に困難であったのに対し、本発明ではスパッ
タ時のガスの組成を時間的に変えるのみで簡単に作製で
きる。ここではグレーデッド型の例を示したが、本発明
によれば膜厚方向にいかなる屈折率分布を有する光導波
路をも、スパッタ時のガスの組成を時間と共に変化させ
るのみで、簡単に作製することができる。
させて第３図に示すように膜厚方向に上下対称なグレー
デッド型の屈折率分布の光導波路２２を作製した。この
工うに膜−厚方向に対称なグレーデッド屋屈折率分布を
有する光導波路は、従来の拡散法やイオン打込み法では
作製が非常に困難であったのに対し、本発明ではスパッ
タ時のガスの組成を時間的に変えるのみで簡単に作製で
きる。ここではグレーデッド型の例を示したが、本発明
によれば膜厚方向にいかなる屈折率分布を有する光導波
路をも、スパッタ時のガスの組成を時間と共に変化させ
るのみで、簡単に作製することができる。
なお、本実施例におけるオキシナイトライド膜の屈折率
は最高１．５０．最低１．４７とし、クラッド部に相当
する屈折率−足部分の厚さはそれぞれ０．５μｍとした
。
は最高１．５０．最低１．４７とし、クラッド部に相当
する屈折率−足部分の厚さはそれぞれ０．５μｍとした
。
実施例３
本実施例ではＩ、１ＮｂＯｓ基板の表面にＴｉを拡散し
て作製した光導波層の上にオキシナイトライド膜を形成
することに工って、従来は困難でβっ九九導波層の膜厚
の厚い単一モードＬ ｉ ＮｂＯ５光導波路作製につい
て述べる。
て作製した光導波層の上にオキシナイトライド膜を形成
することに工って、従来は困難でβっ九九導波層の膜厚
の厚い単一モードＬ ｉ ＮｂＯ５光導波路作製につい
て述べる。
厚さ４００μｉｎのＹ−カットＬｊＮｂＯｓ基板上にＴ
ｉを３００人蒸漬し、１０８０ｔ；’で６時間熱処理を
行い、ＴｉをＬｉＮｂＯ５基板に拡散させて平面光導波
路を作製した。この光導波路にＨｅ−４Ｊｅのレーザ光
を入射し、ニヤフィールドパターンを観測したところ、
モード数は３個でめった。また干渉顕微鏡の測定から光
尋収層の屈折率はＬ ｉ Ｎ ｂ ０３基板の２２１４
に対し、２．２３６でめり、光４−波路巾は２．３μｍ
であった。この光４阪路の上に、屈折率を２．２３０に
調整したオキシナイトライド膜を前述したスパッタ条件
で０．５μｍの厚さに形成し、上と同様の方法でニヤフ
ィールドパターンを観測したところ、単一モードとなっ
ていることが確認できた。
ｉを３００人蒸漬し、１０８０ｔ；’で６時間熱処理を
行い、ＴｉをＬｉＮｂＯ５基板に拡散させて平面光導波
路を作製した。この光導波路にＨｅ−４Ｊｅのレーザ光
を入射し、ニヤフィールドパターンを観測したところ、
モード数は３個でめった。また干渉顕微鏡の測定から光
尋収層の屈折率はＬ ｉ Ｎ ｂ ０３基板の２２１４
に対し、２．２３６でめり、光４−波路巾は２．３μｍ
であった。この光４阪路の上に、屈折率を２．２３０に
調整したオキシナイトライド膜を前述したスパッタ条件
で０．５μｍの厚さに形成し、上と同様の方法でニヤフ
ィールドパターンを観測したところ、単一モードとなっ
ていることが確認できた。
一般に光導波路の単一モード条件は、基板、光導波層、
その上のクラッド層の屈折率を各々ｎ、。
その上のクラッド層の屈折率を各々ｎ、。
ｎｊ、［１，としたとき、導波ノーの厚みをり、波長を
λとしたとき次の式で秋わされる。（但しｎ。
λとしたとき次の式で秋わされる。（但しｎ。
＞ｎ、＞ｎ、）
Ｔｉ拡散ＬｉＮｂＯ５の場合、口、＝２．２１４．口ｆ
＝２．２３６、クラッド層は通常の作製法の場合窒気で
めるからｎ６＝１でめるから、λ＝０．６３３μｍとし
たとき、単一モード動作ｔするためには、光導波層の厚
さが１．５μｍ以下でなければならない。しかしながら
他の光部品、たとえば光源や光７７°イバなどと効率良
く結合を行うためには、光導波層の巾が広いことが望ま
しい。このためには、クラッド層の屈折率を光導波層の
値に近づければ良いことは上式から直ちに導出されるが
、従来適当なりラッド材が無かったために、単一モード
動作のはんい内で光導波層の厚さを任意の値にすること
はほとんど不可能でめったが、本発明ｖｃ工れば、Ｌｉ
ＮｂＯ５基板上に作製し九九導波路のみならず、他の材
料を用いて作製した光導波路においても光導波層の厚さ
が数ミクロン程匿以上の、したがって他の光部品と効率
良く結合することが可能な光導波路を容易に作製するこ
とができる。
＝２．２３６、クラッド層は通常の作製法の場合窒気で
めるからｎ６＝１でめるから、λ＝０．６３３μｍとし
たとき、単一モード動作ｔするためには、光導波層の厚
さが１．５μｍ以下でなければならない。しかしながら
他の光部品、たとえば光源や光７７°イバなどと効率良
く結合を行うためには、光導波層の巾が広いことが望ま
しい。このためには、クラッド層の屈折率を光導波層の
値に近づければ良いことは上式から直ちに導出されるが
、従来適当なりラッド材が無かったために、単一モード
動作のはんい内で光導波層の厚さを任意の値にすること
はほとんど不可能でめったが、本発明ｖｃ工れば、Ｌｉ
ＮｂＯ５基板上に作製し九九導波路のみならず、他の材
料を用いて作製した光導波路においても光導波層の厚さ
が数ミクロン程匿以上の、したがって他の光部品と効率
良く結合することが可能な光導波路を容易に作製するこ
とができる。
本発明によれば屈折率が１．４５８から２．２３０にわ
たる範囲内で任意に選択可能なオキシナイトライド膜を
簡単に作製でき、これを光導波路に用いることに裏って
シロ来はほとんど不可能であった任意の屈折率の領お工
び任意の１４折率分布を持つ光導波路をきわめて簡単な
方法で作製できる。本発明によって光導波路の投網の自
由度は大巾に増大する。
たる範囲内で任意に選択可能なオキシナイトライド膜を
簡単に作製でき、これを光導波路に用いることに裏って
シロ来はほとんど不可能であった任意の屈折率の領お工
び任意の１４折率分布を持つ光導波路をきわめて簡単な
方法で作製できる。本発明によって光導波路の投網の自
由度は大巾に増大する。
第１図はスパッタ雰囲気の組成と得られたオキシナイト
ライド膜の屈折率との関係を示すグラフ、第２図は本発
明の一実施例における先導波路の概略斜視図、第３図は
本発明の他の実施例における光導波路の屈折率分布を示
す図である。 ｌＯ・・・基板、１１・・・下部クラッド層、１２・・
・光導波層、１３・・・上部クラッド層、２０・・・基
板、２２・・・光導波路。 Ｙ １ 目 ｐ両 、ｓ（ρ２ １）２／ど／２す／Ｖ２） 第 ２ 日 ＋、。 第 ３ 目 ＼ （ 第１頁の続き ■発明者 長妻 −之 ＠発明者本郷 晃史
ライド膜の屈折率との関係を示すグラフ、第２図は本発
明の一実施例における先導波路の概略斜視図、第３図は
本発明の他の実施例における光導波路の屈折率分布を示
す図である。 ｌＯ・・・基板、１１・・・下部クラッド層、１２・・
・光導波層、１３・・・上部クラッド層、２０・・・基
板、２２・・・光導波路。 Ｙ １ 目 ｐ両 、ｓ（ρ２ １）２／ど／２す／Ｖ２） 第 ２ 日 ＋、。 第 ３ 目 ＼ （ 第１頁の続き ■発明者 長妻 −之 ＠発明者本郷 晃史
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に作られた薄膜盤の光導波路において、酸化
硅素と屋化硅素からなるオキシナイトライド膜をコアま
たはクラッドの少なくとも一部に用いたことを特徴とす
る光導波路。 ２ 上記基板上に、第１の上記オキシナイトライド膜を
設け、その上に該第１のオキシナイトライド膜Ｌ９Ｎの
含有量の多い第２の上記オキシナイトライド膜を設け、
さらにその上に該第２のオキシナイト２イド膜工りＮの
含有量の少ない第３の上記オキシナイトライド膜を設け
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導波
路。 ３、上記基板上に設けられた上記オキシナイトライド膜
のＮ含有量が、基板との界面から離れるに従って高くな
り、極太値に達してから、さらに該オキシナイトライド
膜の表面に近附くに従って再び低くなるように構成され
てなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
導波路。 ４、表面に光導波層を有する上記基板上に、該光導波層
より屈折率の低い上記オキ７ナイトライド膜を設けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導波路。 ５、表面（下部クラッド層を有する上記基板上に該下部
クラッド層エリ屈折率の高い上記オキシナイトライド膜
を設け、さらにその上にこれよりＮ含有量の低い上記オ
キシナイトライド膜を設けたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光導波路。 ６．８ｉをターゲットとし、所定の比率のＮ２と０２を
含有してなるガスをスパッタガスとして、スパッタ法に
工９、基板上に所定の屈折率を有する、酸化硅素と窒化
硅素からなるオキシナイトライド膜を形成する工程を有
することを特徴とする光導波路の製造方法。 ７、上記基板上に、第１の上記オキシナイトライド膜を
形成し、その上にスパッタガス中のＮ量を増加して該第
１のオキシナイトライド膜ニジＮの含有量の多い第２の
上記オキシナイトライド膜を形成し、さらにその上にス
パッタガス中のＮ量を減少せしめて該第２のオキシナイ
トライド膜よりＮの言南量の少ない第３の上記オキシナ
イトライド膜を形成する工程を有することを特徴とする
特許請求の範囲第６項記載の光導波路の製造方法。 ８、上記基板上に上記オキシナイトライド膜を形成する
に際し、スパッタガス中のＮ量を漸次増加せしめながら
、ついで該Ｎ量を漸次減少せしめながらスパッタリング
を行ない、Ｎ含有量が基板との界面から離れるに従って
高くなり、極大値に達してから、さらに表面に近附くに
従って再び低くなる咳オキシナイト２イド腺を形成する
工程ヶ肩することを特徴とする特許請求の範囲第６項記
載の光導波路の製造方法。 ９、上記基板が表面に光尋波ノーを有するものでらり、
該基板上に上記２バツタ法にニジ該光導波層ニジ屈折率
の低い上記オキシナイトライド膜を形成する工程を有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の光導波
路の製造方法。 １０、上記基板が表面に下部クラッド層を有するもので
おシ、該基板上に上記スパッタ法にニジ該下部りラッド
層！屈折率の高い上記オキシナイトライド膜を形成し、
さらにその上にスノ（ツタガス中のＮｔを減少せしめて
これ工りＮ含有量の低い上記オキシナイトライド膜を形
成する工程を有することを特徴とする特許請求の範囲第
６項記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JP58222074A JPS60114811A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 光導波路およびその製造方法 |
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