JPS60114811A - 光導波路およびその製造方法 - Google Patents
光導波路およびその製造方法Info
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- JPS60114811A JPS60114811A JP58222074A JP22207483A JPS60114811A JP S60114811 A JPS60114811 A JP S60114811A JP 58222074 A JP58222074 A JP 58222074A JP 22207483 A JP22207483 A JP 22207483A JP S60114811 A JPS60114811 A JP S60114811A
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- optical waveguide
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
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- G02—OPTICS
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光通信、光情報処理分野で用いられる光来積回
路に必要な光導波路に係υ、脣に広い範囲にわたって屈
折率の制御が可能な光学材料を用いた光導波路ならびに
その製造方法に関する。
路に必要な光導波路に係υ、脣に広い範囲にわたって屈
折率の制御が可能な光学材料を用いた光導波路ならびに
その製造方法に関する。
光導波路は基板材料の上に光を導波するコア部と、これ
工すも低い屈折率を有するクラッド部から構成されてい
る。したがっていかなる構造を持とうとも、屈折率の異
なる2棟以上の透明な材料が必要で1、これらの材料は
いずれも薄膜でなければならない。そしてこれらの間の
屈折率差は多くの場合、高々数チ以内でろる。光導波路
材料としては従来、半導体1強誘電体、ガラス、有機物
など非常に多くのものが報舌されており、目的に応じて
適当な屈折率差を有する材料の組み曾わせが選択されて
きた。しかしながら光導波路の構造、各部分の屈折率差
1作製方法などを考慮したとき、実際に適用可能な薄膜
材料の組み会わせは非常に限られたものとなってしまう
。換言すると材料の制約によって)゛0導波路の構造の
設計は著しい制約を受けることを意味する。
工すも低い屈折率を有するクラッド部から構成されてい
る。したがっていかなる構造を持とうとも、屈折率の異
なる2棟以上の透明な材料が必要で1、これらの材料は
いずれも薄膜でなければならない。そしてこれらの間の
屈折率差は多くの場合、高々数チ以内でろる。光導波路
材料としては従来、半導体1強誘電体、ガラス、有機物
など非常に多くのものが報舌されており、目的に応じて
適当な屈折率差を有する材料の組み曾わせが選択されて
きた。しかしながら光導波路の構造、各部分の屈折率差
1作製方法などを考慮したとき、実際に適用可能な薄膜
材料の組み会わせは非常に限られたものとなってしまう
。換言すると材料の制約によって)゛0導波路の構造の
設計は著しい制約を受けることを意味する。
不発明の目的は同一の製造装置お工びスパッタガスの組
成比以外は同一の製法で広い範囲にわたって屈折率の1
直が制御可能な透明な光学材料を用いることによって、
設計の自由度を大巾に増した構造の光導波路を提供する
と共に、従来の材料および製造方法では実現が困−でめ
った構造を有する光導波路を提供し、且つこれを簡単に
作製できる方法を提供することにおる。
成比以外は同一の製法で広い範囲にわたって屈折率の1
直が制御可能な透明な光学材料を用いることによって、
設計の自由度を大巾に増した構造の光導波路を提供する
と共に、従来の材料および製造方法では実現が困−でめ
った構造を有する光導波路を提供し、且つこれを簡単に
作製できる方法を提供することにおる。
石英ガラス(Si02ガラス)は波長0.633/jm
において1.458の屈折率を持ち、スパッタ法おるい
はCVD法などに工って比較的容易に高純度の、従って
光の伝搬損失の低い薄膜が作製できるので光導波路材料
として広く用いられている。一方屈折率が波長0.63
3μrnで2.23という値を持つ窒化硅素(S ms
N4) I[ハ、 I C用ハックベーション膜とし
てプラズマCVD法あるいはスパッタ法で作製されてい
る。
において1.458の屈折率を持ち、スパッタ法おるい
はCVD法などに工って比較的容易に高純度の、従って
光の伝搬損失の低い薄膜が作製できるので光導波路材料
として広く用いられている。一方屈折率が波長0.63
3μrnで2.23という値を持つ窒化硅素(S ms
N4) I[ハ、 I C用ハックベーション膜とし
てプラズマCVD法あるいはスパッタ法で作製されてい
る。
Si0g膜のスパッタは、通常、8jOzガラスのター
ゲットをAtガス中でスパッタして形成している。Si
3N4膜のスパッタは、5i3N4ターゲツトとAtガ
ス雰囲気の組み合わせの他に、N2ガス中で81ターゲ
ツトをスパッタする反応性スパッタによっても可能でる
る。
ゲットをAtガス中でスパッタして形成している。Si
3N4膜のスパッタは、5i3N4ターゲツトとAtガ
ス雰囲気の組み合わせの他に、N2ガス中で81ターゲ
ツトをスパッタする反応性スパッタによっても可能でる
る。
本発明は上記の事実に着目し、Siをターゲットトシ、
スパッタガスの組成をN2ガスと02ガスの混合ガスと
し、これらの組成比を制御することによってSigh膜
とf3iBNa膜との間の任意の屈折率を有する、酸化
硅素と窒化硅素の混合膜(以下オキシナイトライド膜と
呼ぶ)の作製を可能としたものである。
スパッタガスの組成をN2ガスと02ガスの混合ガスと
し、これらの組成比を制御することによってSigh膜
とf3iBNa膜との間の任意の屈折率を有する、酸化
硅素と窒化硅素の混合膜(以下オキシナイトライド膜と
呼ぶ)の作製を可能としたものである。
以下本発明の基本となる災験結果について図面を用いて
詳細に説明を行う。ガラス基板上に多結晶シリコンをタ
ーゲットとし、次の条件でオキシナイトライド膜を形成
した。
詳細に説明を行う。ガラス基板上に多結晶シリコンをタ
ーゲットとし、次の条件でオキシナイトライド膜を形成
した。
RF パワー ;500W。
スパッタ圧力 ; 5 P a*
スパッタガス組成(流量比) FO2/ CFog十F
m5) ; 0〜1゜Fog 、 FgはそれぞれCh
、N鵞の流量を示す。
m5) ; 0〜1゜Fog 、 FgはそれぞれCh
、N鵞の流量を示す。
以上のようにスパッタガスの組成を変えて6種の試料を
作製し、透過分光特性番測定した。膜訟面の反射光と膜
透過後の反射光の干渉を用φた周知の屈折率測定法にニ
ジ、透過率の極大、極小の位置お工び膜厚から、各々の
波長におけるオキシナイトライド膜の屈折率をめた。第
1図に波長0.633μmにおけるオキシナイトライド
膜の屈折率の、膜形成時におけるスパッタガス組成に対
する変化を示す。第1図に示す工うにスノくツタで形成
したオキシナイトライド膜の屈折率は、2.23から1
.458まで連続的に変化している。N2ガスにくらべ
02ガスの活性度が筒いことを反映して、少量の02ガ
スの導入にLって屈折率は急激に減少している。以上の
結果は、5i02ガラスの屈折率をS js Na膜の
屈折率の間の任意の屈折率を持つオキシナイトライド膜
が、スノ(ツタ雰囲気のN2と02の比を選択すること
1C工υ単一の方法お工び装置で作製可能なことを意味
している。
作製し、透過分光特性番測定した。膜訟面の反射光と膜
透過後の反射光の干渉を用φた周知の屈折率測定法にニ
ジ、透過率の極大、極小の位置お工び膜厚から、各々の
波長におけるオキシナイトライド膜の屈折率をめた。第
1図に波長0.633μmにおけるオキシナイトライド
膜の屈折率の、膜形成時におけるスパッタガス組成に対
する変化を示す。第1図に示す工うにスノくツタで形成
したオキシナイトライド膜の屈折率は、2.23から1
.458まで連続的に変化している。N2ガスにくらべ
02ガスの活性度が筒いことを反映して、少量の02ガ
スの導入にLって屈折率は急激に減少している。以上の
結果は、5i02ガラスの屈折率をS js Na膜の
屈折率の間の任意の屈折率を持つオキシナイトライド膜
が、スノ(ツタ雰囲気のN2と02の比を選択すること
1C工υ単一の方法お工び装置で作製可能なことを意味
している。
なお、本発明の光導波路を製造する場合の、オキ7ナイ
トライド膜のスパッタ条件は、スノくツタガスを、得ら
れるオキシナイトライド膜の屈折率が所望の値になる分
圧比のO3とN!の混合ガスとすればよく、他は周知の
8i0*お工び8isNa膜を作成する場合の反応性ス
パッタの条件を用いれば工い。また、光導波路を形成す
る基板は、従来用いられていたものを用φて差支えない
。
トライド膜のスパッタ条件は、スノくツタガスを、得ら
れるオキシナイトライド膜の屈折率が所望の値になる分
圧比のO3とN!の混合ガスとすればよく、他は周知の
8i0*お工び8isNa膜を作成する場合の反応性ス
パッタの条件を用いれば工い。また、光導波路を形成す
る基板は、従来用いられていたものを用φて差支えない
。
また、オキシナイトライド膜を被着する基板は、既にそ
の表面上に下部クラッド層(91えは第2図の11)を
有するもの、あるいは下部クラッド層と光導波層(例え
ば第2図の12)の両者を有するものでもよい。前者の
場合は、オキ7ナイトライド層にニジ光導波層と上部ク
ラッド層を形成し、後者の場合は、オキシナイトライド
層にニジ上部クラッド層を形成することになる。もちろ
ん、上記クラッドノー等が形成されてなり基板を用−て
、その上にオキシナイトライド層に工9下部クラッド層
、光導波層お工び上部クラッドノーを形成しても↓い。
の表面上に下部クラッド層(91えは第2図の11)を
有するもの、あるいは下部クラッド層と光導波層(例え
ば第2図の12)の両者を有するものでもよい。前者の
場合は、オキ7ナイトライド層にニジ光導波層と上部ク
ラッド層を形成し、後者の場合は、オキシナイトライド
層にニジ上部クラッド層を形成することになる。もちろ
ん、上記クラッドノー等が形成されてなり基板を用−て
、その上にオキシナイトライド層に工9下部クラッド層
、光導波層お工び上部クラッドノーを形成しても↓い。
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
実施例1
第2図に示すごとく、石英の基板lO上にSiをターゲ
ットとして、雰囲気をN8と03との混合ガスとした反
応性スパッタにニジ、第1図からめた関係によって雰囲
気を調節して屈折率を制御した3層のオキシナイトライ
ド膜11,12゜13を連続的に作製した。スパッタ膜
11,12゜13の各々の膜の屈折率お工び膜厚の測定
値は次のとおシでめった。スパッタ条件は前記と同様に
以上のようにして作製した平面光導波路に図の矢印14
の方向から20倍の対物レンズでHe −Neレーザ光
を入射し、光導波層12を導波する光の伝搬損失を測定
したところ、約1.6dB/crr1と、非常に低損失
な値を示した。以上の結果はスパッタ法で形成したオキ
シナイトライド膜が、光導波路用材料として十分に透明
であることを示している。
ットとして、雰囲気をN8と03との混合ガスとした反
応性スパッタにニジ、第1図からめた関係によって雰囲
気を調節して屈折率を制御した3層のオキシナイトライ
ド膜11,12゜13を連続的に作製した。スパッタ膜
11,12゜13の各々の膜の屈折率お工び膜厚の測定
値は次のとおシでめった。スパッタ条件は前記と同様に
以上のようにして作製した平面光導波路に図の矢印14
の方向から20倍の対物レンズでHe −Neレーザ光
を入射し、光導波層12を導波する光の伝搬損失を測定
したところ、約1.6dB/crr1と、非常に低損失
な値を示した。以上の結果はスパッタ法で形成したオキ
シナイトライド膜が、光導波路用材料として十分に透明
であることを示している。
なお、オキシナイトライド膜11.12.13はそれぞ
れ下部り2ラド層、光導波層、上部クラッド層でおる。
れ下部り2ラド層、光導波層、上部クラッド層でおる。
実施例2
石英ガラス基板20上に前述の工うに5tt−タ−ゲッ
トとし、02ガスとN2ガスの混合ガスをスパッタガス
として厚さ3μmのオキシナイトライド膜を形成した。
トとし、02ガスとN2ガスの混合ガスをスパッタガス
として厚さ3μmのオキシナイトライド膜を形成した。
このとき02ガスとN2ガスの混合比を時間と共に変化
させて第3図に示すように膜厚方向に上下対称なグレー
デッド型の屈折率分布の光導波路22を作製した。この
工うに膜−厚方向に対称なグレーデッド屋屈折率分布を
有する光導波路は、従来の拡散法やイオン打込み法では
作製が非常に困難であったのに対し、本発明ではスパッ
タ時のガスの組成を時間的に変えるのみで簡単に作製で
きる。ここではグレーデッド型の例を示したが、本発明
によれば膜厚方向にいかなる屈折率分布を有する光導波
路をも、スパッタ時のガスの組成を時間と共に変化させ
るのみで、簡単に作製することができる。
させて第3図に示すように膜厚方向に上下対称なグレー
デッド型の屈折率分布の光導波路22を作製した。この
工うに膜−厚方向に対称なグレーデッド屋屈折率分布を
有する光導波路は、従来の拡散法やイオン打込み法では
作製が非常に困難であったのに対し、本発明ではスパッ
タ時のガスの組成を時間的に変えるのみで簡単に作製で
きる。ここではグレーデッド型の例を示したが、本発明
によれば膜厚方向にいかなる屈折率分布を有する光導波
路をも、スパッタ時のガスの組成を時間と共に変化させ
るのみで、簡単に作製することができる。
なお、本実施例におけるオキシナイトライド膜の屈折率
は最高1.50.最低1.47とし、クラッド部に相当
する屈折率−足部分の厚さはそれぞれ0.5μmとした
。
は最高1.50.最低1.47とし、クラッド部に相当
する屈折率−足部分の厚さはそれぞれ0.5μmとした
。
実施例3
本実施例ではI、1NbOs基板の表面にTiを拡散し
て作製した光導波層の上にオキシナイトライド膜を形成
することに工って、従来は困難でβっ九九導波層の膜厚
の厚い単一モードL i NbO5光導波路作製につい
て述べる。
て作製した光導波層の上にオキシナイトライド膜を形成
することに工って、従来は困難でβっ九九導波層の膜厚
の厚い単一モードL i NbO5光導波路作製につい
て述べる。
厚さ400μinのY−カットLjNbOs基板上にT
iを300人蒸漬し、1080t;’で6時間熱処理を
行い、TiをLiNbO5基板に拡散させて平面光導波
路を作製した。この光導波路にHe−4Jeのレーザ光
を入射し、ニヤフィールドパターンを観測したところ、
モード数は3個でめった。また干渉顕微鏡の測定から光
尋収層の屈折率はL i N b 03基板の2214
に対し、2.236でめり、光4−波路巾は2.3μm
であった。この光4阪路の上に、屈折率を2.230に
調整したオキシナイトライド膜を前述したスパッタ条件
で0.5μmの厚さに形成し、上と同様の方法でニヤフ
ィールドパターンを観測したところ、単一モードとなっ
ていることが確認できた。
iを300人蒸漬し、1080t;’で6時間熱処理を
行い、TiをLiNbO5基板に拡散させて平面光導波
路を作製した。この光導波路にHe−4Jeのレーザ光
を入射し、ニヤフィールドパターンを観測したところ、
モード数は3個でめった。また干渉顕微鏡の測定から光
尋収層の屈折率はL i N b 03基板の2214
に対し、2.236でめり、光4−波路巾は2.3μm
であった。この光4阪路の上に、屈折率を2.230に
調整したオキシナイトライド膜を前述したスパッタ条件
で0.5μmの厚さに形成し、上と同様の方法でニヤフ
ィールドパターンを観測したところ、単一モードとなっ
ていることが確認できた。
一般に光導波路の単一モード条件は、基板、光導波層、
その上のクラッド層の屈折率を各々n、。
その上のクラッド層の屈折率を各々n、。
nj、[1,としたとき、導波ノーの厚みをり、波長を
λとしたとき次の式で秋わされる。(但しn。
λとしたとき次の式で秋わされる。(但しn。
>n、>n、)
Ti拡散LiNbO5の場合、口、=2.214.口f
=2.236、クラッド層は通常の作製法の場合窒気で
めるからn6=1でめるから、λ=0.633μmとし
たとき、単一モード動作tするためには、光導波層の厚
さが1.5μm以下でなければならない。しかしながら
他の光部品、たとえば光源や光77°イバなどと効率良
く結合を行うためには、光導波層の巾が広いことが望ま
しい。このためには、クラッド層の屈折率を光導波層の
値に近づければ良いことは上式から直ちに導出されるが
、従来適当なりラッド材が無かったために、単一モード
動作のはんい内で光導波層の厚さを任意の値にすること
はほとんど不可能でめったが、本発明vc工れば、Li
NbO5基板上に作製し九九導波路のみならず、他の材
料を用いて作製した光導波路においても光導波層の厚さ
が数ミクロン程匿以上の、したがって他の光部品と効率
良く結合することが可能な光導波路を容易に作製するこ
とができる。
=2.236、クラッド層は通常の作製法の場合窒気で
めるからn6=1でめるから、λ=0.633μmとし
たとき、単一モード動作tするためには、光導波層の厚
さが1.5μm以下でなければならない。しかしながら
他の光部品、たとえば光源や光77°イバなどと効率良
く結合を行うためには、光導波層の巾が広いことが望ま
しい。このためには、クラッド層の屈折率を光導波層の
値に近づければ良いことは上式から直ちに導出されるが
、従来適当なりラッド材が無かったために、単一モード
動作のはんい内で光導波層の厚さを任意の値にすること
はほとんど不可能でめったが、本発明vc工れば、Li
NbO5基板上に作製し九九導波路のみならず、他の材
料を用いて作製した光導波路においても光導波層の厚さ
が数ミクロン程匿以上の、したがって他の光部品と効率
良く結合することが可能な光導波路を容易に作製するこ
とができる。
本発明によれば屈折率が1.458から2.230にわ
たる範囲内で任意に選択可能なオキシナイトライド膜を
簡単に作製でき、これを光導波路に用いることに裏って
シロ来はほとんど不可能であった任意の屈折率の領お工
び任意の14折率分布を持つ光導波路をきわめて簡単な
方法で作製できる。本発明によって光導波路の投網の自
由度は大巾に増大する。
たる範囲内で任意に選択可能なオキシナイトライド膜を
簡単に作製でき、これを光導波路に用いることに裏って
シロ来はほとんど不可能であった任意の屈折率の領お工
び任意の14折率分布を持つ光導波路をきわめて簡単な
方法で作製できる。本発明によって光導波路の投網の自
由度は大巾に増大する。
第1図はスパッタ雰囲気の組成と得られたオキシナイト
ライド膜の屈折率との関係を示すグラフ、第2図は本発
明の一実施例における先導波路の概略斜視図、第3図は
本発明の他の実施例における光導波路の屈折率分布を示
す図である。 lO・・・基板、11・・・下部クラッド層、12・・
・光導波層、13・・・上部クラッド層、20・・・基
板、22・・・光導波路。 Y 1 目 p両 、s(ρ2 1)2/ど/2す/V2) 第 2 日 +、。 第 3 目 \ ( 第1頁の続き ■発明者 長妻 −之 @発明者本郷 晃史
ライド膜の屈折率との関係を示すグラフ、第2図は本発
明の一実施例における先導波路の概略斜視図、第3図は
本発明の他の実施例における光導波路の屈折率分布を示
す図である。 lO・・・基板、11・・・下部クラッド層、12・・
・光導波層、13・・・上部クラッド層、20・・・基
板、22・・・光導波路。 Y 1 目 p両 、s(ρ2 1)2/ど/2す/V2) 第 2 日 +、。 第 3 目 \ ( 第1頁の続き ■発明者 長妻 −之 @発明者本郷 晃史
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に作られた薄膜盤の光導波路において、酸化
硅素と屋化硅素からなるオキシナイトライド膜をコアま
たはクラッドの少なくとも一部に用いたことを特徴とす
る光導波路。 2 上記基板上に、第1の上記オキシナイトライド膜を
設け、その上に該第1のオキシナイトライド膜L9Nの
含有量の多い第2の上記オキシナイトライド膜を設け、
さらにその上に該第2のオキシナイト2イド膜工りNの
含有量の少ない第3の上記オキシナイトライド膜を設け
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光導波
路。 3、上記基板上に設けられた上記オキシナイトライド膜
のN含有量が、基板との界面から離れるに従って高くな
り、極太値に達してから、さらに該オキシナイトライド
膜の表面に近附くに従って再び低くなるように構成され
てなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光
導波路。 4、表面に光導波層を有する上記基板上に、該光導波層
より屈折率の低い上記オキ7ナイトライド膜を設けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光導波路。 5、表面(下部クラッド層を有する上記基板上に該下部
クラッド層エリ屈折率の高い上記オキシナイトライド膜
を設け、さらにその上にこれよりN含有量の低い上記オ
キシナイトライド膜を設けたことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の光導波路。 6.8iをターゲットとし、所定の比率のN2と02を
含有してなるガスをスパッタガスとして、スパッタ法に
工9、基板上に所定の屈折率を有する、酸化硅素と窒化
硅素からなるオキシナイトライド膜を形成する工程を有
することを特徴とする光導波路の製造方法。 7、上記基板上に、第1の上記オキシナイトライド膜を
形成し、その上にスパッタガス中のN量を増加して該第
1のオキシナイトライド膜ニジNの含有量の多い第2の
上記オキシナイトライド膜を形成し、さらにその上にス
パッタガス中のN量を減少せしめて該第2のオキシナイ
トライド膜よりNの言南量の少ない第3の上記オキシナ
イトライド膜を形成する工程を有することを特徴とする
特許請求の範囲第6項記載の光導波路の製造方法。 8、上記基板上に上記オキシナイトライド膜を形成する
に際し、スパッタガス中のN量を漸次増加せしめながら
、ついで該N量を漸次減少せしめながらスパッタリング
を行ない、N含有量が基板との界面から離れるに従って
高くなり、極大値に達してから、さらに表面に近附くに
従って再び低くなる咳オキシナイト2イド腺を形成する
工程ヶ肩することを特徴とする特許請求の範囲第6項記
載の光導波路の製造方法。 9、上記基板が表面に光尋波ノーを有するものでらり、
該基板上に上記2バツタ法にニジ該光導波層ニジ屈折率
の低い上記オキシナイトライド膜を形成する工程を有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の光導波
路の製造方法。 10、上記基板が表面に下部クラッド層を有するもので
おシ、該基板上に上記スパッタ法にニジ該下部りラッド
層!屈折率の高い上記オキシナイトライド膜を形成し、
さらにその上にスノ(ツタガス中のNtを減少せしめて
これ工りN含有量の低い上記オキシナイトライド膜を形
成する工程を有することを特徴とする特許請求の範囲第
6項記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58222074A JPS60114811A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 光導波路およびその製造方法 |
US06/674,770 US4737015A (en) | 1983-11-28 | 1984-11-26 | Optical waveguide having a silicon oxi-nitride layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP58222074A JPS60114811A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 光導波路およびその製造方法 |
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JPS60114811A true JPS60114811A (ja) | 1985-06-21 |
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JP58222074A Pending JPS60114811A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 光導波路およびその製造方法 |
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