JPS59125622A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS59125622A JPS59125622A JP57231639A JP23163982A JPS59125622A JP S59125622 A JPS59125622 A JP S59125622A JP 57231639 A JP57231639 A JP 57231639A JP 23163982 A JP23163982 A JP 23163982A JP S59125622 A JPS59125622 A JP S59125622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sub
- pattern
- field
- size
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の技術分野
本発明は、電子ビーム露光方法に関し、特に始点とパタ
ーンの大きさをパターンデータとして与えパターンをサ
ブフィールドに自動的に分割して露光することt%徴と
する電子ビーム露光方法に関する。
ーンの大きさをパターンデータとして与えパターンをサ
ブフィールドに自動的に分割して露光することt%徴と
する電子ビーム露光方法に関する。
(2)技術の背景
電子ビーム露光装置を用いて高速にIC回路等のパター
ン?描画する方式と1〜で、従来、メインフィールドお
よびサブフィールドのデュアル偏向方式が用いられてい
る。このデュアル偏向方式を用いた電子ビーム露光装置
が第1図に示される。
ン?描画する方式と1〜で、従来、メインフィールドお
よびサブフィールドのデュアル偏向方式が用いられてい
る。このデュアル偏向方式を用いた電子ビーム露光装置
が第1図に示される。
第1図の装置において、電子ビームBMは、カノード1
、グリッド2およびアノード3により発生させらnる。
、グリッド2およびアノード3により発生させらnる。
発生させられた電子ビームBM tri第1のスリット
4によりビーム断面の形状が矩形化された後レンズ5に
より焦束させられてスリットデフレクタ6會通過する。
4によりビーム断面の形状が矩形化された後レンズ5に
より焦束させられてスリットデフレクタ6會通過する。
さらに、電子ビームBMは、スリットデフレクタ6によ
り偏向させられた後第2スリツト7を通過する。スリッ
トデフレクタ6の偏向量に応じて第1スリツト4と第2
スリツト7のM、!ll1合う部分の大きさすなわちビ
ーム断面の大きさが調整される。さらに、電子ビームB
Mはレンズ8および9を通過し、アパーチャ1011′
i:より散乱ビームが除去されてた後に、リフオーカス
レンズ11を通過する。リフオーカスレンズ11を通過
した電子ビームBMば、メインデフレクタ12およびサ
ブデフレクタ13により偏向させられて、乾板14上の
所定の位置に照射させられるO 第1図の電子ビーム露光装置において、一般に、メイン
デフレクタ12としてはコイルが用いらn偏向速度は遅
い〃−大きな偏向?行うことができ、サブデフレクタ1
3としては平行電極板が用いられ偏向量は小であるが高
速の偏向を行うことができる。従って、メインデフレク
タ12U−’に子ビームBM′(I:メインフィールド
(例えば10mmX10++u++の領域)内で偏向さ
せることができ、サブデフレクタ13は、サブフィール
ド(例えば、lOμm×10μmの領域9内で偏向させ
ることができる。第1図の電子ビーム露光装置により1
つのメインフィールド内のパターン全描画する場合、最
初に、例えば第2図に示されるようなメインフィールド
において、電子ビームをメインデフレクタ13により最
も隅にあるサブフィールドに偏向させる。次にそのサブ
フィールド内のパターン全サブデフレクタ14を用いて
露光する。1つのサブフィールド内のすべてのパターン
の露光が終了すると、メインデフレクタ13により隣接
したサブフィールドへ電子ビームを移動させ、−1様に
してサブデフレクタ13によりそのサブフィールド内の
パターン全露光させる。以下同様にしてメインフィール
ド内のすべてのサブフィールドについてパターンの露光
を行う。
り偏向させられた後第2スリツト7を通過する。スリッ
トデフレクタ6の偏向量に応じて第1スリツト4と第2
スリツト7のM、!ll1合う部分の大きさすなわちビ
ーム断面の大きさが調整される。さらに、電子ビームB
Mはレンズ8および9を通過し、アパーチャ1011′
i:より散乱ビームが除去されてた後に、リフオーカス
レンズ11を通過する。リフオーカスレンズ11を通過
した電子ビームBMば、メインデフレクタ12およびサ
ブデフレクタ13により偏向させられて、乾板14上の
所定の位置に照射させられるO 第1図の電子ビーム露光装置において、一般に、メイン
デフレクタ12としてはコイルが用いらn偏向速度は遅
い〃−大きな偏向?行うことができ、サブデフレクタ1
3としては平行電極板が用いられ偏向量は小であるが高
速の偏向を行うことができる。従って、メインデフレク
タ12U−’に子ビームBM′(I:メインフィールド
(例えば10mmX10++u++の領域)内で偏向さ
せることができ、サブデフレクタ13は、サブフィール
ド(例えば、lOμm×10μmの領域9内で偏向させ
ることができる。第1図の電子ビーム露光装置により1
つのメインフィールド内のパターン全描画する場合、最
初に、例えば第2図に示されるようなメインフィールド
において、電子ビームをメインデフレクタ13により最
も隅にあるサブフィールドに偏向させる。次にそのサブ
フィールド内のパターン全サブデフレクタ14を用いて
露光する。1つのサブフィールド内のすべてのパターン
の露光が終了すると、メインデフレクタ13により隣接
したサブフィールドへ電子ビームを移動させ、−1様に
してサブデフレクタ13によりそのサブフィールド内の
パターン全露光させる。以下同様にしてメインフィール
ド内のすべてのサブフィールドについてパターンの露光
を行う。
(3)従来技術と問題点
前記のデュアル偏向方式の電子ビーム露光装置を用いて
パターンの描画を行う方法としては、従来、パターンデ
ータとしてメインフィールド位置、サブフィールド位置
、サブフィールド内のパターンサイズをメモリに記憶さ
せておく方法が用いらnている。ところで、この方法に
よジ10倍しチクルパターンケ描画しようとすると、1
枚のレチクルの面積が100鵬X100+++mであり
サブフィールドが100μ1XIUoμ電 とすると全
体で106個のサブフィールドがあることに729.1
枚のレチクルのパターンデータは膨大なものとなってし
まう。
パターンの描画を行う方法としては、従来、パターンデ
ータとしてメインフィールド位置、サブフィールド位置
、サブフィールド内のパターンサイズをメモリに記憶さ
せておく方法が用いらnている。ところで、この方法に
よジ10倍しチクルパターンケ描画しようとすると、1
枚のレチクルの面積が100鵬X100+++mであり
サブフィールドが100μ1XIUoμ電 とすると全
体で106個のサブフィールドがあることに729.1
枚のレチクルのパターンデータは膨大なものとなってし
まう。
(4)発明の目的
本発明の目的は、前記の問題点にかんがみ、サブフィー
ルドよりも大きなパターン全描画する際にパターンデー
タとしてパターンの始点位置とノくターンデータだけt
メモリに記憶させておき、こバ?もとにパターンをサブ
フィールドに自動的に分割して露光することにより、ノ
(ターンデータのメモリ量を大幅に低減させることQで
ある。
ルドよりも大きなパターン全描画する際にパターンデー
タとしてパターンの始点位置とノくターンデータだけt
メモリに記憶させておき、こバ?もとにパターンをサブ
フィールドに自動的に分割して露光することにより、ノ
(ターンデータのメモリ量を大幅に低減させることQで
ある。
(5)発明の構成
本発明においては、メイン露光フィールド内の複数のサ
ブ露光フィールドのうち、1つのサブ露光フィールドを
指定するためのメイン偏向手段と、指定されたサブ露光
フィールド内の所望の位置に電子ビームを偏向するため
のサブ偏向手段と、露光すベキパターンの該メイン露光
フィールド内における基準位置データと該パターンのサ
イズのデータを蓄積するメモリ金儲え、該メモリから露
光すべきパターンのデータ全貌み出し、露光すべきパタ
ーンのサイズが該サブ露光フィールドのサイズよりも大
である場合には、該メイン偏向手段により、該基準位置
全始点として該パターン金談サブ露光フィールドのサイ
ズ内it子ビームで順次露光し、該サブ露光フィールド
のサイズに満たない該パターンの余りの部分は該サブ、
4元フィールドより小さいサイズ内?心子ビームで露光
するようにしたこと?特徴とする電子ビーム露光方法が
提供される。
ブ露光フィールドのうち、1つのサブ露光フィールドを
指定するためのメイン偏向手段と、指定されたサブ露光
フィールド内の所望の位置に電子ビームを偏向するため
のサブ偏向手段と、露光すベキパターンの該メイン露光
フィールド内における基準位置データと該パターンのサ
イズのデータを蓄積するメモリ金儲え、該メモリから露
光すべきパターンのデータ全貌み出し、露光すべきパタ
ーンのサイズが該サブ露光フィールドのサイズよりも大
である場合には、該メイン偏向手段により、該基準位置
全始点として該パターン金談サブ露光フィールドのサイ
ズ内it子ビームで順次露光し、該サブ露光フィールド
のサイズに満たない該パターンの余りの部分は該サブ、
4元フィールドより小さいサイズ内?心子ビームで露光
するようにしたこと?特徴とする電子ビーム露光方法が
提供される。
(6) 発明の実ノ瓜例
本発明の実7J気例としての゛電子ビーム露光方法全以
下に説明する。第3図には、本発明の方法により露光さ
九るパターンの一例が示される。 パターンPTのデー
タとして、パターンの始点X、、Y。
下に説明する。第3図には、本発明の方法により露光さ
九るパターンの一例が示される。 パターンPTのデー
タとして、パターンの始点X、、Y。
およびパターンサイズX2 + F2がメモリに記憶さ
れている。
れている。
標準サブフィールドサイズX s + Y s(例えば
Xs=・Ys=100ttm )として、X2> Xs
、 F2 > Ysであるとする。パターンPTKお
贋で、最初にパターン自体の始点Ah (X+ 、Y+
) k始点とするサブフィールドF1全体がサブデフ
レクタ13により塗りつぶされ、イ欠にメインデフレク
タ12によりサブフィールドの中心がA2を始点とする
ザブフィールドF2の中心C2に移動され、サブフィー
ルドF2全体が塗りつぶされる。以下同様にサブフィー
k MF 3 、 F 4龜、 F5と塗ジつぶされ
る。サブフィールドF5においては、標準サイズのサブ
フィールド(Xs、Ys)の代りに特別サイズ(X8’
、Ys)のサブフィールドが塗ジつぶざ九る。以下、同
様にして、サブフィールドの塗りつぶしが行ゎ几、サブ
フィールドF16まで塗りっぷ丁ことに二よりパターン
PTの描画が完了する。
Xs=・Ys=100ttm )として、X2> Xs
、 F2 > Ysであるとする。パターンPTKお
贋で、最初にパターン自体の始点Ah (X+ 、Y+
) k始点とするサブフィールドF1全体がサブデフ
レクタ13により塗りつぶされ、イ欠にメインデフレク
タ12によりサブフィールドの中心がA2を始点とする
ザブフィールドF2の中心C2に移動され、サブフィー
ルドF2全体が塗りつぶされる。以下同様にサブフィー
k MF 3 、 F 4龜、 F5と塗ジつぶされ
る。サブフィールドF5においては、標準サイズのサブ
フィールド(Xs、Ys)の代りに特別サイズ(X8’
、Ys)のサブフィールドが塗ジつぶざ九る。以下、同
様にして、サブフィールドの塗りつぶしが行ゎ几、サブ
フィールドF16まで塗りっぷ丁ことに二よりパターン
PTの描画が完了する。
以上の動作における、メインデフレクタの中心位@C、
ザブデフレクタ内の始点GZ fii A 、サブフィ
ールドの太ささSk丑とめると、2人のよう番でなる0 番 号 CA、 S以上に述
べたように不発明による露光方法においては、標準サブ
フィールドより’1w大@7flパターン全1〃自山j
−j−るJ易合のパターンブータフ)メモリ有ンが減少
される。
ザブデフレクタ内の始点GZ fii A 、サブフィ
ールドの太ささSk丑とめると、2人のよう番でなる0 番 号 CA、 S以上に述
べたように不発明による露光方法においては、標準サブ
フィールドより’1w大@7flパターン全1〃自山j
−j−るJ易合のパターンブータフ)メモリ有ンが減少
される。
(7)発明の幼果
本発明によノ′Lぽ、デュアル)(11向方式のIこ子
ビームjfK f Rl?(VCおいて、パターンデー
タトシテパターンの始点とパターンの大きざ?与えるこ
とKよりパターンをザブフィールドに自動的に分割する
ことができ、パターンデータのメモリ量ヲ低減させるこ
とができる。
ビームjfK f Rl?(VCおいて、パターンデー
タトシテパターンの始点とパターンの大きざ?与えるこ
とKよりパターンをザブフィールドに自動的に分割する
ことができ、パターンデータのメモリ量ヲ低減させるこ
とができる。
第1図は、一般的なデュアル偏向方式の電子ビーム露)
゛シ妓Iの構成を示す図、 第2図は、従来のデュアル偏向方式の電子ビーム露光方
法を説明する図、 @3図は、本発明による電子ビームGg光方法全説明す
る図である。 (符号の説明り に力〉′−ド、2ニゲリツド、3ニアノード、4.7:
スリット、5,8,9:レンズ、6:スリットデフレク
タ、lOニアバーチづ・、11 : 17フオーカスレ
ンズ、12:メインデフレクタ、13:サブデフレクタ
、14:乾板。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 −1ず 木 朗 弁理士 西 和’4 2u 之 弁理士 円 1)幸 力 弁理士 山 口 昭 之 第1図 第2同
゛シ妓Iの構成を示す図、 第2図は、従来のデュアル偏向方式の電子ビーム露光方
法を説明する図、 @3図は、本発明による電子ビームGg光方法全説明す
る図である。 (符号の説明り に力〉′−ド、2ニゲリツド、3ニアノード、4.7:
スリット、5,8,9:レンズ、6:スリットデフレク
タ、lOニアバーチづ・、11 : 17フオーカスレ
ンズ、12:メインデフレクタ、13:サブデフレクタ
、14:乾板。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 −1ず 木 朗 弁理士 西 和’4 2u 之 弁理士 円 1)幸 力 弁理士 山 口 昭 之 第1図 第2同
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 メイン露光フィールド内の複轄のサブ露光フィールドの
うち、1つのサブ露光フィールドを指定するためのメイ
ン偏向手段と、指定されたサブ露光フィールド内の所望
の位置に電子ビーム全偏向するためのサブ偏向手段と、 露光すべきパターンの該メイン露光フィールド内におけ
る基準位置データと該パターンのサイズのデータを蓄積
するメモリ金偏え、 該メモリから露光すべきパターンのデータを読み出し、 露光すべきパターンのサイズが該サブ露光フィールドの
サイズよりも犬である場合[fl、該メイン偏向手段に
より、該基準位置全始点として該)くターン?該サブ露
光フィールドのサイズ内を電子ビームで順次露光し、該
サブ露光フィールドのサイズに満たない該パターンの余
りの部分は該サブ露光フィールドより小さいサイズ内全
電子ビームで露光するようにしたこと全特徴とする電子
ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57231639A JPS59125622A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57231639A JPS59125622A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59125622A true JPS59125622A (ja) | 1984-07-20 |
Family
ID=16926648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57231639A Pending JPS59125622A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59125622A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60244024A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | 電子線露光装置 |
EP0213920A2 (en) * | 1985-08-23 | 1987-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of drawing a pattern on wafer with charged beam |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57202731A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Jeol Ltd | Electron ray exposure device |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57231639A patent/JPS59125622A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57202731A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Jeol Ltd | Electron ray exposure device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60244024A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | 電子線露光装置 |
EP0213920A2 (en) * | 1985-08-23 | 1987-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of drawing a pattern on wafer with charged beam |
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