JPS59125622A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS59125622A JPS59125622A JP57231639A JP23163982A JPS59125622A JP S59125622 A JPS59125622 A JP S59125622A JP 57231639 A JP57231639 A JP 57231639A JP 23163982 A JP23163982 A JP 23163982A JP S59125622 A JPS59125622 A JP S59125622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sub
- pattern
- field
- size
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、電子ビーム露光方法に関し、特に始点とパタ
ーンの大きさをパターンデータとして与えパターンをサ
ブフィールドに自動的に分割して露光することｔ％徴と
する電子ビーム露光方法に関する。
ーンの大きさをパターンデータとして与えパターンをサ
ブフィールドに自動的に分割して露光することｔ％徴と
する電子ビーム露光方法に関する。
（２）技術の背景
電子ビーム露光装置を用いて高速にＩＣ回路等のパター
ン？描画する方式と１〜で、従来、メインフィールドお
よびサブフィールドのデュアル偏向方式が用いられてい
る。このデュアル偏向方式を用いた電子ビーム露光装置
が第１図に示される。
ン？描画する方式と１〜で、従来、メインフィールドお
よびサブフィールドのデュアル偏向方式が用いられてい
る。このデュアル偏向方式を用いた電子ビーム露光装置
が第１図に示される。
第１図の装置において、電子ビームＢＭは、カノード１
、グリッド２およびアノード３により発生させらｎる。
、グリッド２およびアノード３により発生させらｎる。
発生させられた電子ビームＢＭ ｔｒｉ第１のスリット
４によりビーム断面の形状が矩形化された後レンズ５に
より焦束させられてスリットデフレクタ６會通過する。
４によりビーム断面の形状が矩形化された後レンズ５に
より焦束させられてスリットデフレクタ６會通過する。
さらに、電子ビームＢＭは、スリットデフレクタ６によ
り偏向させられた後第２スリツト７を通過する。スリッ
トデフレクタ６の偏向量に応じて第１スリツト４と第２
スリツト７のＭ、！ｌｌ１合う部分の大きさすなわちビ
ーム断面の大きさが調整される。さらに、電子ビームＢ
Ｍはレンズ８および９を通過し、アパーチャ１０１１′
ｉ：より散乱ビームが除去されてた後に、リフオーカス
レンズ１１を通過する。リフオーカスレンズ１１を通過
した電子ビームＢＭば、メインデフレクタ１２およびサ
ブデフレクタ１３により偏向させられて、乾板１４上の
所定の位置に照射させられるＯ 第１図の電子ビーム露光装置において、一般に、メイン
デフレクタ１２としてはコイルが用いらｎ偏向速度は遅
い〃−大きな偏向？行うことができ、サブデフレクタ１
３としては平行電極板が用いられ偏向量は小であるが高
速の偏向を行うことができる。従って、メインデフレク
タ１２Ｕ−’に子ビームＢＭ′（Ｉ：メインフィールド
（例えば１０ｍｍＸ１０＋＋ｕ＋＋の領域）内で偏向さ
せることができ、サブデフレクタ１３は、サブフィール
ド（例えば、ｌＯμｍ×１０μｍの領域９内で偏向させ
ることができる。第１図の電子ビーム露光装置により１
つのメインフィールド内のパターン全描画する場合、最
初に、例えば第２図に示されるようなメインフィールド
において、電子ビームをメインデフレクタ１３により最
も隅にあるサブフィールドに偏向させる。次にそのサブ
フィールド内のパターン全サブデフレクタ１４を用いて
露光する。１つのサブフィールド内のすべてのパターン
の露光が終了すると、メインデフレクタ１３により隣接
したサブフィールドへ電子ビームを移動させ、−１様に
してサブデフレクタ１３によりそのサブフィールド内の
パターン全露光させる。以下同様にしてメインフィール
ド内のすべてのサブフィールドについてパターンの露光
を行う。
り偏向させられた後第２スリツト７を通過する。スリッ
トデフレクタ６の偏向量に応じて第１スリツト４と第２
スリツト７のＭ、！ｌｌ１合う部分の大きさすなわちビ
ーム断面の大きさが調整される。さらに、電子ビームＢ
Ｍはレンズ８および９を通過し、アパーチャ１０１１′
ｉ：より散乱ビームが除去されてた後に、リフオーカス
レンズ１１を通過する。リフオーカスレンズ１１を通過
した電子ビームＢＭば、メインデフレクタ１２およびサ
ブデフレクタ１３により偏向させられて、乾板１４上の
所定の位置に照射させられるＯ 第１図の電子ビーム露光装置において、一般に、メイン
デフレクタ１２としてはコイルが用いらｎ偏向速度は遅
い〃−大きな偏向？行うことができ、サブデフレクタ１
３としては平行電極板が用いられ偏向量は小であるが高
速の偏向を行うことができる。従って、メインデフレク
タ１２Ｕ−’に子ビームＢＭ′（Ｉ：メインフィールド
（例えば１０ｍｍＸ１０＋＋ｕ＋＋の領域）内で偏向さ
せることができ、サブデフレクタ１３は、サブフィール
ド（例えば、ｌＯμｍ×１０μｍの領域９内で偏向させ
ることができる。第１図の電子ビーム露光装置により１
つのメインフィールド内のパターン全描画する場合、最
初に、例えば第２図に示されるようなメインフィールド
において、電子ビームをメインデフレクタ１３により最
も隅にあるサブフィールドに偏向させる。次にそのサブ
フィールド内のパターン全サブデフレクタ１４を用いて
露光する。１つのサブフィールド内のすべてのパターン
の露光が終了すると、メインデフレクタ１３により隣接
したサブフィールドへ電子ビームを移動させ、−１様に
してサブデフレクタ１３によりそのサブフィールド内の
パターン全露光させる。以下同様にしてメインフィール
ド内のすべてのサブフィールドについてパターンの露光
を行う。
（３）従来技術と問題点
前記のデュアル偏向方式の電子ビーム露光装置を用いて
パターンの描画を行う方法としては、従来、パターンデ
ータとしてメインフィールド位置、サブフィールド位置
、サブフィールド内のパターンサイズをメモリに記憶さ
せておく方法が用いらｎている。ところで、この方法に
よジ１０倍しチクルパターンケ描画しようとすると、１
枚のレチクルの面積が１００鵬Ｘ１００＋＋＋ｍであり
サブフィールドが１００μ１ＸＩＵｏμ電 とすると全
体で１０６個のサブフィールドがあることに７２９．１
枚のレチクルのパターンデータは膨大なものとなってし
まう。
パターンの描画を行う方法としては、従来、パターンデ
ータとしてメインフィールド位置、サブフィールド位置
、サブフィールド内のパターンサイズをメモリに記憶さ
せておく方法が用いらｎている。ところで、この方法に
よジ１０倍しチクルパターンケ描画しようとすると、１
枚のレチクルの面積が１００鵬Ｘ１００＋＋＋ｍであり
サブフィールドが１００μ１ＸＩＵｏμ電 とすると全
体で１０６個のサブフィールドがあることに７２９．１
枚のレチクルのパターンデータは膨大なものとなってし
まう。
（４）発明の目的
本発明の目的は、前記の問題点にかんがみ、サブフィー
ルドよりも大きなパターン全描画する際にパターンデー
タとしてパターンの始点位置とノくターンデータだけｔ
メモリに記憶させておき、こバ？もとにパターンをサブ
フィールドに自動的に分割して露光することにより、ノ
（ターンデータのメモリ量を大幅に低減させることＱで
ある。
ルドよりも大きなパターン全描画する際にパターンデー
タとしてパターンの始点位置とノくターンデータだけｔ
メモリに記憶させておき、こバ？もとにパターンをサブ
フィールドに自動的に分割して露光することにより、ノ
（ターンデータのメモリ量を大幅に低減させることＱで
ある。
（５）発明の構成
本発明においては、メイン露光フィールド内の複数のサ
ブ露光フィールドのうち、１つのサブ露光フィールドを
指定するためのメイン偏向手段と、指定されたサブ露光
フィールド内の所望の位置に電子ビームを偏向するため
のサブ偏向手段と、露光すベキパターンの該メイン露光
フィールド内における基準位置データと該パターンのサ
イズのデータを蓄積するメモリ金儲え、該メモリから露
光すべきパターンのデータ全貌み出し、露光すべきパタ
ーンのサイズが該サブ露光フィールドのサイズよりも大
である場合には、該メイン偏向手段により、該基準位置
全始点として該パターン金談サブ露光フィールドのサイ
ズ内ｉｔ子ビームで順次露光し、該サブ露光フィールド
のサイズに満たない該パターンの余りの部分は該サブ、
４元フィールドより小さいサイズ内？心子ビームで露光
するようにしたこと？特徴とする電子ビーム露光方法が
提供される。
ブ露光フィールドのうち、１つのサブ露光フィールドを
指定するためのメイン偏向手段と、指定されたサブ露光
フィールド内の所望の位置に電子ビームを偏向するため
のサブ偏向手段と、露光すベキパターンの該メイン露光
フィールド内における基準位置データと該パターンのサ
イズのデータを蓄積するメモリ金儲え、該メモリから露
光すべきパターンのデータ全貌み出し、露光すべきパタ
ーンのサイズが該サブ露光フィールドのサイズよりも大
である場合には、該メイン偏向手段により、該基準位置
全始点として該パターン金談サブ露光フィールドのサイ
ズ内ｉｔ子ビームで順次露光し、該サブ露光フィールド
のサイズに満たない該パターンの余りの部分は該サブ、
４元フィールドより小さいサイズ内？心子ビームで露光
するようにしたこと？特徴とする電子ビーム露光方法が
提供される。
（６） 発明の実ノ瓜例
本発明の実７Ｊ気例としての゛電子ビーム露光方法全以
下に説明する。第３図には、本発明の方法により露光さ
九るパターンの一例が示される。 パターンＰＴのデー
タとして、パターンの始点Ｘ、、Ｙ。
下に説明する。第３図には、本発明の方法により露光さ
九るパターンの一例が示される。 パターンＰＴのデー
タとして、パターンの始点Ｘ、、Ｙ。
およびパターンサイズＸ２ ＋ Ｆ２がメモリに記憶さ
れている。
れている。
標準サブフィールドサイズＸ ｓ ＋ Ｙ ｓ（例えば
Ｘｓ＝・Ｙｓ＝１００ｔｔｍ ）として、Ｘ２＞ Ｘｓ
、 Ｆ２ ＞ Ｙｓであるとする。パターンＰＴＫお
贋で、最初にパターン自体の始点Ａｈ （Ｘ＋ 、Ｙ＋
） ｋ始点とするサブフィールドＦ１全体がサブデフ
レクタ１３により塗りつぶされ、イ欠にメインデフレク
タ１２によりサブフィールドの中心がＡ２を始点とする
ザブフィールドＦ２の中心Ｃ２に移動され、サブフィー
ルドＦ２全体が塗りつぶされる。以下同様にサブフィー
ｋ ＭＦ ３ 、 Ｆ ４龜、 Ｆ５と塗ジつぶされ
る。サブフィールドＦ５においては、標準サイズのサブ
フィールド（Ｘｓ、Ｙｓ）の代りに特別サイズ（Ｘ８’
、Ｙｓ）のサブフィールドが塗ジつぶざ九る。以下、同
様にして、サブフィールドの塗りつぶしが行ゎ几、サブ
フィールドＦ１６まで塗りっぷ丁ことに二よりパターン
ＰＴの描画が完了する。
Ｘｓ＝・Ｙｓ＝１００ｔｔｍ ）として、Ｘ２＞ Ｘｓ
、 Ｆ２ ＞ Ｙｓであるとする。パターンＰＴＫお
贋で、最初にパターン自体の始点Ａｈ （Ｘ＋ 、Ｙ＋
） ｋ始点とするサブフィールドＦ１全体がサブデフ
レクタ１３により塗りつぶされ、イ欠にメインデフレク
タ１２によりサブフィールドの中心がＡ２を始点とする
ザブフィールドＦ２の中心Ｃ２に移動され、サブフィー
ルドＦ２全体が塗りつぶされる。以下同様にサブフィー
ｋ ＭＦ ３ 、 Ｆ ４龜、 Ｆ５と塗ジつぶされ
る。サブフィールドＦ５においては、標準サイズのサブ
フィールド（Ｘｓ、Ｙｓ）の代りに特別サイズ（Ｘ８’
、Ｙｓ）のサブフィールドが塗ジつぶざ九る。以下、同
様にして、サブフィールドの塗りつぶしが行ゎ几、サブ
フィールドＦ１６まで塗りっぷ丁ことに二よりパターン
ＰＴの描画が完了する。
以上の動作における、メインデフレクタの中心位＠Ｃ、
ザブデフレクタ内の始点ＧＺ ｆｉｉ Ａ 、サブフィ
ールドの太ささＳｋ丑とめると、２人のよう番でなる０ 番 号 ＣＡ、 Ｓ以上に述
べたように不発明による露光方法においては、標準サブ
フィールドより’１ｗ大＠７ｆｌパターン全１〃自山ｊ
−ｊ−るＪ易合のパターンブータフ）メモリ有ンが減少
される。
ザブデフレクタ内の始点ＧＺ ｆｉｉ Ａ 、サブフィ
ールドの太ささＳｋ丑とめると、２人のよう番でなる０ 番 号 ＣＡ、 Ｓ以上に述
べたように不発明による露光方法においては、標準サブ
フィールドより’１ｗ大＠７ｆｌパターン全１〃自山ｊ
−ｊ−るＪ易合のパターンブータフ）メモリ有ンが減少
される。
（７）発明の幼果
本発明によノ′Ｌぽ、デュアル）（１１向方式のＩこ子
ビームｊｆＫ ｆ Ｒｌ？（ＶＣおいて、パターンデー
タトシテパターンの始点とパターンの大きざ？与えるこ
とＫよりパターンをザブフィールドに自動的に分割する
ことができ、パターンデータのメモリ量ヲ低減させるこ
とができる。
ビームｊｆＫ ｆ Ｒｌ？（ＶＣおいて、パターンデー
タトシテパターンの始点とパターンの大きざ？与えるこ
とＫよりパターンをザブフィールドに自動的に分割する
ことができ、パターンデータのメモリ量ヲ低減させるこ
とができる。
第１図は、一般的なデュアル偏向方式の電子ビーム露）
゛シ妓Ｉの構成を示す図、 第２図は、従来のデュアル偏向方式の電子ビーム露光方
法を説明する図、 ＠３図は、本発明による電子ビームＧｇ光方法全説明す
る図である。 （符号の説明り に力〉′−ド、２ニゲリツド、３ニアノード、４．７：
スリット、５，８，９：レンズ、６：スリットデフレク
タ、ｌＯニアバーチづ・、１１ ： １７フオーカスレ
ンズ、１２：メインデフレクタ、１３：サブデフレクタ
、１４：乾板。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 −１ず 木 朗 弁理士 西 和’４ ２ｕ 之 弁理士 円 １）幸 力 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２同
゛シ妓Ｉの構成を示す図、 第２図は、従来のデュアル偏向方式の電子ビーム露光方
法を説明する図、 ＠３図は、本発明による電子ビームＧｇ光方法全説明す
る図である。 （符号の説明り に力〉′−ド、２ニゲリツド、３ニアノード、４．７：
スリット、５，８，９：レンズ、６：スリットデフレク
タ、ｌＯニアバーチづ・、１１ ： １７フオーカスレ
ンズ、１２：メインデフレクタ、１３：サブデフレクタ
、１４：乾板。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 −１ず 木 朗 弁理士 西 和’４ ２ｕ 之 弁理士 円 １）幸 力 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２同
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 メイン露光フィールド内の複轄のサブ露光フィールドの
うち、１つのサブ露光フィールドを指定するためのメイ
ン偏向手段と、指定されたサブ露光フィールド内の所望
の位置に電子ビーム全偏向するためのサブ偏向手段と、 露光すべきパターンの該メイン露光フィールド内におけ
る基準位置データと該パターンのサイズのデータを蓄積
するメモリ金偏え、 該メモリから露光すべきパターンのデータを読み出し、 露光すべきパターンのサイズが該サブ露光フィールドの
サイズよりも犬である場合［ｆｌ、該メイン偏向手段に
より、該基準位置全始点として該）くターン？該サブ露
光フィールドのサイズ内を電子ビームで順次露光し、該
サブ露光フィールドのサイズに満たない該パターンの余
りの部分は該サブ露光フィールドより小さいサイズ内全
電子ビームで露光するようにしたこと全特徴とする電子
ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231639A JPS59125622A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231639A JPS59125622A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125622A true JPS59125622A (ja) | 1984-07-20 |
Family
ID=16926648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231639A Pending JPS59125622A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125622A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244024A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | 電子線露光装置 |
| EP0213920A2 (en) * | 1985-08-23 | 1987-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of drawing a pattern on wafer with charged beam |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57202731A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Jeol Ltd | Electron ray exposure device |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57231639A patent/JPS59125622A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57202731A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Jeol Ltd | Electron ray exposure device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244024A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | 電子線露光装置 |
| EP0213920A2 (en) * | 1985-08-23 | 1987-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of drawing a pattern on wafer with charged beam |
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