JPS5882452A - 表面像観測方法および装置 - Google Patents
表面像観測方法および装置Info
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- JPS5882452A JPS5882452A JP56180512A JP18051281A JPS5882452A JP S5882452 A JPS5882452 A JP S5882452A JP 56180512 A JP56180512 A JP 56180512A JP 18051281 A JP18051281 A JP 18051281A JP S5882452 A JPS5882452 A JP S5882452A
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- Pending
Links
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- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract 2
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は走査電子顕微鏡(以下8BMという)等の観測
時に電子照射により帯電する絶縁物領域をもつ試料表面
の表面像観測方法および装置に関する。
時に電子照射により帯電する絶縁物領域をもつ試料表面
の表面像観測方法および装置に関する。
従来、8EMを用いて絶縁物が露出している試料表面の
観測を行なう場合、その絶縁物の表面が画像調整や観測
時勢の電子照射により帯電し観測が行ないにくくなると
いうことが多々あった。特に、8EMでIC(集積回路
)やLSI等の内部回路の電位分布などを観測するとき
には、絶縁物でできているパシベーシ曹ン膜あるいは試
料表面に露出した層間絶縁膜などの帯電が観測結果に悪
影響をおよぼし良好な観測が行なえ表くなるという問題
が生じていた。
観測を行なう場合、その絶縁物の表面が画像調整や観測
時勢の電子照射により帯電し観測が行ないにくくなると
いうことが多々あった。特に、8EMでIC(集積回路
)やLSI等の内部回路の電位分布などを観測するとき
には、絶縁物でできているパシベーシ曹ン膜あるいは試
料表面に露出した層間絶縁膜などの帯電が観測結果に悪
影響をおよぼし良好な観測が行なえ表くなるという問題
が生じていた。
本発明の目的は、これらの問題を解決し、電子照射によ
る試料表面の絶縁物の帯電を除去できるようにした表面
像観測方法および装置を提供することにある。
る試料表面の絶縁物の帯電を除去できるようにした表面
像観測方法および装置を提供することにある。
本発明の表面像観測方法は、試料の表面像を電子ビーム
で二次元的に査査しその試料が発生する二次電子信号に
よってその試料の表面像を得る表面像観測装置を用いて
電子照射により帯電しうる絶縁物領域のある試料表面を
観測する観測方法において、前記電子照射により帯電し
た少なくとも観測領域内にある絶縁物領域に導電性物質
を接触させて、その絶縁物の表面電荷を放電させ、その
絶縁物の表面を一定電位にして前記試料の表面像を観測
することを特徴とするものである。
で二次元的に査査しその試料が発生する二次電子信号に
よってその試料の表面像を得る表面像観測装置を用いて
電子照射により帯電しうる絶縁物領域のある試料表面を
観測する観測方法において、前記電子照射により帯電し
た少なくとも観測領域内にある絶縁物領域に導電性物質
を接触させて、その絶縁物の表面電荷を放電させ、その
絶縁物の表面を一定電位にして前記試料の表面像を観測
することを特徴とするものである。
本発明の表面像観測装置は試料表面を電子ビームにより
走査しその試料の発生する二次電子信号によりその試料
の表面像を得る表面像観測装置において、前記試料の設
置される試料室内に、前記試料表面に接触する導電性先
端を有しその導電性先端に所定電位を供給できる導電手
段と、この導電手段の導電性先端を前記試料表面に接触
するように移動させる可動手段とを備えることを特徴と
するものである。
走査しその試料の発生する二次電子信号によりその試料
の表面像を得る表面像観測装置において、前記試料の設
置される試料室内に、前記試料表面に接触する導電性先
端を有しその導電性先端に所定電位を供給できる導電手
段と、この導電手段の導電性先端を前記試料表面に接触
するように移動させる可動手段とを備えることを特徴と
するものである。
以下、本発明を図面により詳細に説明する。
第1図は本発明の詳細な説明する8BM試料室の断面図
である。この図は、試料室lの内に対物レンズ磁極2と
二次電子検出器3と試料台4とを備えた通常の8EMに
、導電性物質ででき喪先端の接触子7とこの接触子7の
保持及び試料方向への瞬時的な伸縮運動を行なわせる瞬
時伸縮機構8とこの瞬時伸縮機構8を支持棒9によシ三
次元的に動かすための移動機構10とこの移動機構lO
を制御位置調整つまみ11とを備え試料5の帯電した絶
縁物表面の電荷を放電する装置(以下放電装置という)
6を付加したものを示している。またPEは一次電子ビ
ーb、8Bは試料からの放出二次電子を示している。
である。この図は、試料室lの内に対物レンズ磁極2と
二次電子検出器3と試料台4とを備えた通常の8EMに
、導電性物質ででき喪先端の接触子7とこの接触子7の
保持及び試料方向への瞬時的な伸縮運動を行なわせる瞬
時伸縮機構8とこの瞬時伸縮機構8を支持棒9によシ三
次元的に動かすための移動機構10とこの移動機構lO
を制御位置調整つまみ11とを備え試料5の帯電した絶
縁物表面の電荷を放電する装置(以下放電装置という)
6を付加したものを示している。またPEは一次電子ビ
ーb、8Bは試料からの放出二次電子を示している。
この接触子7の位置調整は試料室の外に設けた位置調整
つまみ11を操作し移動機構lOにより支持棒9及び瞬
時伸縮機構8を1例えば前後、左右、上下の三方向に二
次元的に勤か丁ことで何なわれる。また、瞬時伸縮機構
8により接触子7の部分が試料5の方向に伸縮される。
つまみ11を操作し移動機構lOにより支持棒9及び瞬
時伸縮機構8を1例えば前後、左右、上下の三方向に二
次元的に勤か丁ことで何なわれる。また、瞬時伸縮機構
8により接触子7の部分が試料5の方向に伸縮される。
以下、接触子7が試料方向に伸びた状態を伸状態、縮ん
だ状態を縮状態という。この放電装置6の調整は、位置
調整つまみ11を操作し、接触子7が伸状態のときにそ
れが観測領域内にある試料5の表面と充分な接触面を持
ち、縮状態では七nが試料表面から光分離れるように行
う。
だ状態を縮状態という。この放電装置6の調整は、位置
調整つまみ11を操作し、接触子7が伸状態のときにそ
れが観測領域内にある試料5の表面と充分な接触面を持
ち、縮状態では七nが試料表面から光分離れるように行
う。
この試料5の表面が一次電子ビームPEの照射により帯
電してくるとその試料からの放出二次電子8gの量が変
化し表面像のコントラストが劣化する。そこで試料表面
が帯電してくると前述の位置合わせを行なりた接触子7
を瞬時の間伸状態にしてその試料表面と接触子7を充分
に接触させ、その接触面内の試料表面電荷を放電させ試
料表面を観測初期の状態に返すか又は接触子7を通して
適当な一定電位にする。このようにして試料表面像のコ
ントラストが良くなg、ICなどの内部回路の電位分布
等の観測でも帯電の影響のない結果が得られるようにな
る。
電してくるとその試料からの放出二次電子8gの量が変
化し表面像のコントラストが劣化する。そこで試料表面
が帯電してくると前述の位置合わせを行なりた接触子7
を瞬時の間伸状態にしてその試料表面と接触子7を充分
に接触させ、その接触面内の試料表面電荷を放電させ試
料表面を観測初期の状態に返すか又は接触子7を通して
適当な一定電位にする。このようにして試料表面像のコ
ントラストが良くなg、ICなどの内部回路の電位分布
等の観測でも帯電の影響のない結果が得られるようにな
る。
第2図は第1図の瞬時伸縮機構8の一例を示す断面構造
図で、第1図と同一構成要素は同一番号で示している。
図で、第1図と同一構成要素は同一番号で示している。
この例では、接触子7は導電性の支持針21の一端に固
定されており%また接触子7に電圧を印加するために支
持針21の他端に゛は電圧印加用のリード線22が接続
されている。この支持針21は電磁コイル25のコア2
4の中を貫きばね止め2゛7と一諸に止めねじ23でコ
ア24に固定されている。ばね26は接触子7を縮状態
に保つ九めにばね止め27と保持具29の間に入ってい
る。またコア24が保持具29から抜けないように抜は
止め28をコア24に取り着けている。さらに保持具2
9は支持棒9にねじで固定されている。
定されており%また接触子7に電圧を印加するために支
持針21の他端に゛は電圧印加用のリード線22が接続
されている。この支持針21は電磁コイル25のコア2
4の中を貫きばね止め2゛7と一諸に止めねじ23でコ
ア24に固定されている。ばね26は接触子7を縮状態
に保つ九めにばね止め27と保持具29の間に入ってい
る。またコア24が保持具29から抜けないように抜は
止め28をコア24に取り着けている。さらに保持具2
9は支持棒9にねじで固定されている。
電磁コイル25に電流Iを流すとコア24がその中に引
込まれ、それにつれて支持針21と接触子7も伸びる。
込まれ、それにつれて支持針21と接触子7も伸びる。
を要電流lが流れてないとコア24や接触子7はばね2
6によってもとの状態に縮まる。これらの状態は接触子
7の伸状態、縮状態に相当してお#)%電流Iをパルス
化することで瞬時の伸縮が可能である。またこのような
機構とすることにより、接触子7の傾きやストロークを
試料5や試料台4の状態に合わせて適当な状態に設定で
きることは明らかであろう。この接触子7は試料表面と
の接触時にそこへ損傷を負わせないような導電性物質、
たとえば導電性ゴムのような柔かいものであり、ここに
はリード線22から任意電位を印加することができ試料
表面との接触時にそこの表面電位を電位に設定すること
ができる。
6によってもとの状態に縮まる。これらの状態は接触子
7の伸状態、縮状態に相当してお#)%電流Iをパルス
化することで瞬時の伸縮が可能である。またこのような
機構とすることにより、接触子7の傾きやストロークを
試料5や試料台4の状態に合わせて適当な状態に設定で
きることは明らかであろう。この接触子7は試料表面と
の接触時にそこへ損傷を負わせないような導電性物質、
たとえば導電性ゴムのような柔かいものであり、ここに
はリード線22から任意電位を印加することができ試料
表面との接触時にそこの表面電位を電位に設定すること
ができる。
移動機構lOは8EM−&どの試料台の移動機構と同じ
ものでよい。放電装置6の試料室内での設置位置は第1
図にも示しているように試料5を隔てて二次電子検出器
3と正反対のところが最良であるが、試料5と二次電子
検出器3との間に接触子7が入らないようにすれば試料
室内のどこでもよい、また接触子7の形はここでは球で
示したが。
ものでよい。放電装置6の試料室内での設置位置は第1
図にも示しているように試料5を隔てて二次電子検出器
3と正反対のところが最良であるが、試料5と二次電子
検出器3との間に接触子7が入らないようにすれば試料
室内のどこでもよい、また接触子7の形はここでは球で
示したが。
この形に限定されるものではない。
本発明は以上説明したように1通常の8EM試料室に放
電装置を組込み電子照射により帯電した試料表面の絶縁
物に導電性物質を瞬時の間接触させそこの表面電荷を放
電し1表面型位を一定にすることで観測を容易にする効
果がある。
電装置を組込み電子照射により帯電した試料表面の絶縁
物に導電性物質を瞬時の間接触させそこの表面電荷を放
電し1表面型位を一定にすることで観測を容易にする効
果がある。
なお、本発明の実施例としてSBMについて説明したが
、オージェ電子分光装置など他の表面像観測装置にも本
発明が適用できることは明らかである。
、オージェ電子分光装置など他の表面像観測装置にも本
発明が適用できることは明らかである。
第1図は本発明の詳細な説明する8EM試料室の断面図
、第2図は第1図に示した瞬時伸縮機構8の一例を示す
断面構造図である。図において、1・・・・・・試料室
、2・・・・・・対物レンズ磁極、3・・・・・・二次
電子検出器、4・・・・・・試料台、5・・・・・・被
観測試料、6・・・・・・放電装置、7・・・・・・接
触子、8・・・・・・瞬時伸縮機構、9・・・・・・支
持棒、10・・・1移動機構、11・・・・・・位置調
整つまみ、21・・・・・・支持針、22・・印・リー
ド線、23・・・・・・止めねじ、24・川・・コア、
25・・・・・・電磁コイル、26・・・・・・ばね%
27・・・・・・ばね止め、28・・・・・・抜は止
め、29・・・・・・保持具である。
、第2図は第1図に示した瞬時伸縮機構8の一例を示す
断面構造図である。図において、1・・・・・・試料室
、2・・・・・・対物レンズ磁極、3・・・・・・二次
電子検出器、4・・・・・・試料台、5・・・・・・被
観測試料、6・・・・・・放電装置、7・・・・・・接
触子、8・・・・・・瞬時伸縮機構、9・・・・・・支
持棒、10・・・1移動機構、11・・・・・・位置調
整つまみ、21・・・・・・支持針、22・・印・リー
ド線、23・・・・・・止めねじ、24・川・・コア、
25・・・・・・電磁コイル、26・・・・・・ばね%
27・・・・・・ばね止め、28・・・・・・抜は止
め、29・・・・・・保持具である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l)試料の表面を電子ビームで二次元的に走査しその試
料が発生する二次電子信号によってその試料の表面像を
得る表面像観測装置を用いて電子照射により帯電しうる
絶縁物領域のある試料表面を観測する観測方法において
、前記電子照射により帯電した少なくとも観測領域内に
ある絶縁物領域に導電性物質を接触させて、その絶縁物
の表面電荷を放電させ、その絶縁物の表面を一定電位に
して前記試料の表面像を観測することを特徴とする表面
像観測方法。 2)試料表面を電子ビームにより走査しその試料の発生
する二次電子信号によりその試料の表面像を得る表面偉
観側装置において、前記試料の設置される試料室内に、
前記試料表面に接触する導電性先端を有しその導電性先
端に所定電位を供給できる導電手段と、この導電手段の
導電性先端を前記試料表面に接触するように移動させる
可動手段とを備えることを特徴とする表面偉観側装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56180512A JPS5882452A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 表面像観測方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56180512A JPS5882452A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 表面像観測方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5882452A true JPS5882452A (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=16084541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56180512A Pending JPS5882452A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 表面像観測方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5882452A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246012A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 帯電電位測定方法、及び荷電粒子顕微鏡 |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP56180512A patent/JPS5882452A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246012A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 帯電電位測定方法、及び荷電粒子顕微鏡 |
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