JPS586142A - 混成集積回路の封止方法 - Google Patents
混成集積回路の封止方法Info
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- JPS586142A JPS586142A JP10481181A JP10481181A JPS586142A JP S586142 A JPS586142 A JP S586142A JP 10481181 A JP10481181 A JP 10481181A JP 10481181 A JP10481181 A JP 10481181A JP S586142 A JPS586142 A JP S586142A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成S積回路の封止方法に関する。
従来の1成集積回路では第1図6=示す如(、温威集穂
回W&&板(1)上に付着したシツVi7スタ(2詭や
抵抗体(8)をシブコン樹脂(4をIk布して被覆した
後。
回W&&板(1)上に付着したシツVi7スタ(2詭や
抵抗体(8)をシブコン樹脂(4をIk布して被覆した
後。
金体喀;エボキV樹脂粉末を吹き付けて加熱硬化したエ
ボキvllll脂(5)で封止していた。
ボキvllll脂(5)で封止していた。
斯る混成集積回路ではVSコV樹脂(4)が表1iiI
ll力書二より球状となり、且つりt″=yy=yy樹
脂エボ命V樹脂粉末のなじみが悪いために第1@II?
:、示す如くvシコン樹脂(4の一部がエポやvltl
t(5)より謔出されて一耐性が著しく劣化していた。
ll力書二より球状となり、且つりt″=yy=yy樹
脂エボ命V樹脂粉末のなじみが悪いために第1@II?
:、示す如くvシコン樹脂(4の一部がエポやvltl
t(5)より謔出されて一耐性が著しく劣化していた。
本発明は断点ζ;鑑みてな害れ、従来の欠点を完全に除
去した混成集積回路の封止方法tP寓堝するものである
。以下に第2図乃遍第4−を参緘して本発明の一*m例
を詳述する。
去した混成集積回路の封止方法tP寓堝するものである
。以下に第2図乃遍第4−を参緘して本発明の一*m例
を詳述する。
本発明の1i!11の工程は12園ζ;承す如く、a成
Sa回#&基板alの一生函書二保−t#必饗とする回
路素子(11)を付着することにある。I&成集積−絡
城板(11としてはセフミッタ等のsag基板や11k
亀性の良い表面を絶縁処理した1#ミニワ^基板を用い
る。
Sa回#&基板alの一生函書二保−t#必饗とする回
路素子(11)を付着することにある。I&成集積−絡
城板(11としてはセフミッタ等のsag基板や11k
亀性の良い表面を絶縁処理した1#ミニワ^基板を用い
る。
斯る1板四の一主画1;導体皇料をスクリーン印刷して
形成した導体や、抵am料をスクリーン印刷して焼成し
たカーボン抵抗体を設け、j[に導体上4:トランジス
タやXOを回着すゐ、斯るトランジスタ、xO1あるい
はカーボン抵抗体等の回路素子u1)は素子の特性の安
定化のためにvyコV樹脂亀;より被覆されて保護され
る必俵がある。
形成した導体や、抵am料をスクリーン印刷して焼成し
たカーボン抵抗体を設け、j[に導体上4:トランジス
タやXOを回着すゐ、斯るトランジスタ、xO1あるい
はカーボン抵抗体等の回路素子u1)は素子の特性の安
定化のためにvyコV樹脂亀;より被覆されて保護され
る必俵がある。
本発明の第2の工程は第S図は、示す如<、*−を必唆
とする回路素子10上に選択的にνヲコy樹脂(1mを
スクリーン印刷して付着することにある。
とする回路素子10上に選択的にνヲコy樹脂(1mを
スクリーン印刷して付着することにある。
スクリーyは70声−のポリエステル又はナイロンを用
いた200)IVs−とし、νす:ry4Iilllは
スフ9−)/印刷できる限界内で粘度を大きく遥び、第
3−に示す如く選択的ζニスク9−)/印刷して平担で
且つその表面に約6μ以上の凹凸を形成する。
いた200)IVs−とし、νす:ry4Iilllは
スフ9−)/印刷できる限界内で粘度を大きく遥び、第
3−に示す如く選択的ζニスク9−)/印刷して平担で
且つその表面に約6μ以上の凹凸を形成する。
本工程により従来のシリコン樹脂03の塗布工程を暮り
l−V印刷に置換でき同時4二選択的付着を可−とでき
、量産性を向上できる。
l−V印刷に置換でき同時4二選択的付着を可−とでき
、量産性を向上できる。
せて金体をエボキV樹脂0で封止することにある。
削工程で設けたシリコン樹脂Uaが平担で且つ凹凸を有
する表面であるので、エボqv樹脂0粉末は賽墨にシリ
コン樹脂(l湯表面にも堆積し全体なエポキシ樹脂a場
で封止できる。具体的(;は本発明ζ;依ればV9コy
lllluLi:、に約IQprn厚ノエポキV樹脂0
を付着できた。
する表面であるので、エボqv樹脂0粉末は賽墨にシリ
コン樹脂(l湯表面にも堆積し全体なエポキシ樹脂a場
で封止できる。具体的(;は本発明ζ;依ればV9コy
lllluLi:、に約IQprn厚ノエポキV樹脂0
を付着できた。
以上に詳述した如く1本発明に依ればシリコン樹脂をス
クリーン印刷す番ことにより付着害れたpgコy樹脂I
表面を平担礁;シ且つMf!sを廖成するのでエボキV
樹脂11sを全体に付着できる。この結果完全な封止状
態を実理でN1番有益なものである。
クリーン印刷す番ことにより付着害れたpgコy樹脂I
表面を平担礁;シ且つMf!sを廖成するのでエボキV
樹脂11sを全体に付着できる。この結果完全な封止状
態を実理でN1番有益なものである。
第1IIは従来例を説明する断固図、第2W17IJ量
第4図は本発明を説明する断固1である。 Qlは渦成集積回路晶板、 11は囲路素子、as−r
リコy樹贈%0はエポキvlll!IIであゐ。
第4図は本発明を説明する断固1である。 Qlは渦成集積回路晶板、 11は囲路素子、as−r
リコy樹贈%0はエポキvlll!IIであゐ。
Claims (1)
- t 拠成集積回路晶板上にシタコン樹脂の保−を必聾と
する回路素子を付着した混成集積回路に於いて、a妃回
路素子上にII]IIIaVリコy樹脂をスクリーン印
刷により付着した後全体なエポキV樹ms末により封止
することを特徴とする混成集積−路の封止方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10481181A JPS586142A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 混成集積回路の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10481181A JPS586142A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 混成集積回路の封止方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS586142A true JPS586142A (ja) | 1983-01-13 |
JPS6142415B2 JPS6142415B2 (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=14390793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10481181A Granted JPS586142A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 混成集積回路の封止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS586142A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0322588A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Mitsubishi Materials Corp | ピンレスグリッドアレイ型多層混成集積回路 |
US5219795A (en) * | 1989-02-07 | 1993-06-15 | Fujitsu Limited | Dual in-line packaging and method of producing the same |
EP0890988A2 (de) * | 1997-07-11 | 1999-01-13 | Alcatel | In einem Gehäuse angeordnete elektrische Schaltungsanordnung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5114045A (en) * | 1974-07-25 | 1976-02-04 | Mitsui Shipbuilding Eng | Kaitentaino kaitentanichichokusetsushijisochi |
JPS5472463A (en) * | 1977-11-22 | 1979-06-09 | Fujitsu Ltd | Method of trimming function of hybrid integrated circuit |
JPS5588359A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Fujitsu Ltd | Hybrid ic package |
JPS5650546A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-07 | Sharp Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-07-03 JP JP10481181A patent/JPS586142A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5114045A (en) * | 1974-07-25 | 1976-02-04 | Mitsui Shipbuilding Eng | Kaitentaino kaitentanichichokusetsushijisochi |
JPS5472463A (en) * | 1977-11-22 | 1979-06-09 | Fujitsu Ltd | Method of trimming function of hybrid integrated circuit |
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US5219795A (en) * | 1989-02-07 | 1993-06-15 | Fujitsu Limited | Dual in-line packaging and method of producing the same |
JPH0322588A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Mitsubishi Materials Corp | ピンレスグリッドアレイ型多層混成集積回路 |
EP0890988A2 (de) * | 1997-07-11 | 1999-01-13 | Alcatel | In einem Gehäuse angeordnete elektrische Schaltungsanordnung |
EP0890988A3 (de) * | 1997-07-11 | 1999-12-08 | Alcatel | In einem Gehäuse angeordnete elektrische Schaltungsanordnung |
US6157544A (en) * | 1997-07-11 | 2000-12-05 | Alcatel | Electrical circuit configuration arranged in a casing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6142415B2 (ja) | 1986-09-20 |
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