JPS582322A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS582322A JPS582322A JP10267581A JP10267581A JPS582322A JP S582322 A JPS582322 A JP S582322A JP 10267581 A JP10267581 A JP 10267581A JP 10267581 A JP10267581 A JP 10267581A JP S582322 A JPS582322 A JP S582322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- phenol
- ion content
- equivalent
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイオード、トランジスター、l01LSIな
どの半導体素子な封止するために使用する半等体封止用
エポキシ樹脂組成物に関するものである。
どの半導体素子な封止するために使用する半等体封止用
エポキシ樹脂組成物に関するものである。
近年、ダイオード、トランジスター、IQ。
LSIなどのいわゆる半導体を、安価に封止するために
、セラミック対重やキャン封止に代り、レジン封止が行
なわれるようになった。また、使用されるレジンも経済
性および特性の曲より、エポキシ樹脂が、最も多く用い
られている。
、セラミック対重やキャン封止に代り、レジン封止が行
なわれるようになった。また、使用されるレジンも経済
性および特性の曲より、エポキシ樹脂が、最も多く用い
られている。
このような半導体対+h用エポキシ樹脂としては、従来
、クレゾールノボラックエポキシ樹1階、ビスフェノー
ルエポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂とフェノール樹脂
、酸無水物、アミン等を配合してなるものがよく用いら
れている。しかし、これらエポキシ樹脂もその適用機種
や使用条件によっては使用不可能な場合がある。
、クレゾールノボラックエポキシ樹1階、ビスフェノー
ルエポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂とフェノール樹脂
、酸無水物、アミン等を配合してなるものがよく用いら
れている。しかし、これらエポキシ樹脂もその適用機種
や使用条件によっては使用不可能な場合がある。
特に最近では、半導体封止体を回wt基板に実装する際
に270〜300℃程度の半田浴に長時間さらされるた
め、半導体素子の特性変動や半導体素子の破壊、封止樹
脂の破壊などを起こすことが、重大な問題となっており
、従来技術の封止用樹脂ではこのような要求に対処でき
ないものであった。
に270〜300℃程度の半田浴に長時間さらされるた
め、半導体素子の特性変動や半導体素子の破壊、封止樹
脂の破壊などを起こすことが、重大な問題となっており
、従来技術の封止用樹脂ではこのような要求に対処でき
ないものであった。
本発明者達は、上記した従来の樹脂組成物の欠を改良し
緒特性が良好であり、かつ半田を処した時も半導体素子
との適倉性の艮好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
鋭意検討した栢果本発明に到達した。即ち本発明は fa)軟1ヒ点65℃以上、ナトリウムイオン含有量1
0PPtviI杖F、クロルイオン含有門110PP思
干、エポキシ当1d2051d下好ましくは180〜2
00のフェノールノボラックエポキシ樹脂と、 (1))軟化点65℃以上、水酸基当[110以下好ま
しくは105〜107、ナトリウムイオン含有量110
PP[下、クロルイオン含有1tloppM以下、フリ
−フェノール12cfi6重を以下のフェノールノボラ
ックを 上記エポキシ樹脂のエポキシ基1当檄に対し、フェノー
ルノボラックの水酸基0.7〜1.3当敞の割合で倉荷
してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するもの
である。
緒特性が良好であり、かつ半田を処した時も半導体素子
との適倉性の艮好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
鋭意検討した栢果本発明に到達した。即ち本発明は fa)軟1ヒ点65℃以上、ナトリウムイオン含有量1
0PPtviI杖F、クロルイオン含有門110PP思
干、エポキシ当1d2051d下好ましくは180〜2
00のフェノールノボラックエポキシ樹脂と、 (1))軟化点65℃以上、水酸基当[110以下好ま
しくは105〜107、ナトリウムイオン含有量110
PP[下、クロルイオン含有1tloppM以下、フリ
−フェノール12cfi6重を以下のフェノールノボラ
ックを 上記エポキシ樹脂のエポキシ基1当檄に対し、フェノー
ルノボラックの水酸基0.7〜1.3当敞の割合で倉荷
してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するもの
である。
本発明により得られる組成物は、通常微粉末状として提
供され、好ましくはトランスファーモールドにより半導
体素子な封止することができる。
供され、好ましくはトランスファーモールドにより半導
体素子な封止することができる。
本発明において、フェノールノボラックエポキシ樹脂の
軟化点を65℃以上0jli常上;長鎖は90℃)と限
定し、またフェノールノボラックの1文化点を65℃以
上(上限値は通常125℃)と限定した理由は、65℃
以下のものを使用するとこの尭明により得ら肚る組成物
を用いて半導体素子をモールドし、半導体対正体とした
とき、この対重体の半田時の耐熱性に劣るからである、
。
軟化点を65℃以上0jli常上;長鎖は90℃)と限
定し、またフェノールノボラックの1文化点を65℃以
上(上限値は通常125℃)と限定した理由は、65℃
以下のものを使用するとこの尭明により得ら肚る組成物
を用いて半導体素子をモールドし、半導体対正体とした
とき、この対重体の半田時の耐熱性に劣るからである、
。
またフェノールノボラックエポキシ樹脂およびフェノー
ルノボランクのナトリウムイオン含有量なIOPPM以
下と限定し、クロルイオン含有量を10P10PP下と
限定すると共にフェノールノボラックのフリーフェノー
ル量を2重L%以Fと1我定した理由は、これら以外で
は得ら1する組成・物を用いて半導体素子を封止すると
、該素子が劣化し、高温時のバイアス特性等電気的特1
生が劣化するからである。
ルノボランクのナトリウムイオン含有量なIOPPM以
下と限定し、クロルイオン含有量を10P10PP下と
限定すると共にフェノールノボラックのフリーフェノー
ル量を2重L%以Fと1我定した理由は、これら以外で
は得ら1する組成・物を用いて半導体素子を封止すると
、該素子が劣化し、高温時のバイアス特性等電気的特1
生が劣化するからである。
さらにフェノールノボラックエポキシ樹脂のエポキシ当
量を205以下と限定した理由は、205以上のエポキ
シ樹脂を用いると半田耐熱性に劣るようになるからであ
る。
量を205以下と限定した理由は、205以上のエポキ
シ樹脂を用いると半田耐熱性に劣るようになるからであ
る。
本発明において用いられるフェノールノボラックエボキ
シill指のエポキシ通掛の下I涙1直は通常170と
される2゜ 本発明において用いられるフェノールノボラックの水、
唆基当t’ttto+ユ下と1a定した理由は、110
嵐トのもの4・用いると半田時の耐熱1生が低下するか
らである。
シill指のエポキシ通掛の下I涙1直は通常170と
される2゜ 本発明において用いられるフェノールノボラックの水、
唆基当t’ttto+ユ下と1a定した理由は、110
嵐トのもの4・用いると半田時の耐熱1生が低下するか
らである。
フェノールノボラックの水酸基当量の上限値は通常10
2とされる。
2とされる。
また本発明において用いられるフェノールノボラックD
分子量は通常204〜1,000程度である。
分子量は通常204〜1,000程度である。
本発明において、フェノールノボラックエポキシ樹脂に
配合されるフェノールノボラックの蝋をエボキン基】当
量に対し、水酸基0.7〜!、3当置と限定1.た理由
は、この範囲?はす1Lると半田時の耐熱性が低下する
からである。
配合されるフェノールノボラックの蝋をエボキン基】当
量に対し、水酸基0.7〜!、3当置と限定1.た理由
は、この範囲?はす1Lると半田時の耐熱性が低下する
からである。
本発明においてフェノールノボラックエポキシ樹脂とフ
ェノールノボラックより樹脂組成物を製造するには、た
とえば両者を攪拌肩付あるいはミキシングロールにより
混合し、必要により公知の粉砕機を用いて微粉末状とす
ればよい。
ェノールノボラックより樹脂組成物を製造するには、た
とえば両者を攪拌肩付あるいはミキシングロールにより
混合し、必要により公知の粉砕機を用いて微粉末状とす
ればよい。
また本発明においては、組成物中に公知の添加剤を添加
することができる。たとえば硬化促進剤、好ましくは2
・4・6−ジメチルアミノメチルフェノール、2−フェ
ニルイミタソール、1.8−ジアザ−ビンクロ(5・4
・0)クンデセン−7を単独もしくは混合して全組成物
基準で0.3〜0.5重量%添加することができる。
することができる。たとえば硬化促進剤、好ましくは2
・4・6−ジメチルアミノメチルフェノール、2−フェ
ニルイミタソール、1.8−ジアザ−ビンクロ(5・4
・0)クンデセン−7を単独もしくは混合して全組成物
基準で0.3〜0.5重量%添加することができる。
離型剤、好ましくはモンタン酸エチレンジアミドな全組
成物基準で0,3〜0.5gg%含有させるこ、とがで
きる。
成物基準で0,3〜0.5gg%含有させるこ、とがで
きる。
線膨張率を小さくする目的で、たとえばジルコン粉、シ
リカ粉、石英ガラス粉、アルミナ粉、タルク粉、ケイ酸
カルVニーム粉、炭酸カルシニーム粉、マグネシア粉、
好ましくは溶融シリカ粉、結晶シリカ粉の如きフィラー
を全組成物基準で60〜80重量%の範囲で含有させる
ことができこのときフィラーの粒径は149fi以上0
゜5直置%)伏下、46声以下40〜90重社%とし、
且つカトリウムイオン含有;辻、クロルイオ含有量を各
々10P P lvl Id下とするのが好ましい。
リカ粉、石英ガラス粉、アルミナ粉、タルク粉、ケイ酸
カルVニーム粉、炭酸カルシニーム粉、マグネシア粉、
好ましくは溶融シリカ粉、結晶シリカ粉の如きフィラー
を全組成物基準で60〜80重量%の範囲で含有させる
ことができこのときフィラーの粒径は149fi以上0
゜5直置%)伏下、46声以下40〜90重社%とし、
且つカトリウムイオン含有;辻、クロルイオ含有量を各
々10P P lvl Id下とするのが好ましい。
また難燃剤好ましくは二酸化アンチモンとブロム化エポ
キシ樹脂の混合@(混合物中に占める三酸化アンチモン
の量的割合は一般に40〜60重に%)を全組成物基準
で2〜7重量%含有させることができる。
キシ樹脂の混合@(混合物中に占める三酸化アンチモン
の量的割合は一般に40〜60重に%)を全組成物基準
で2〜7重量%含有させることができる。
さらにシランカップリング剤、好ましくはエポキシシラ
ン(ユニオンカーバイド辻製へ−186、A−187等
)を全組成物基準でO63〜0.5重、It%含有させ
ることができる。
ン(ユニオンカーバイド辻製へ−186、A−187等
)を全組成物基準でO63〜0.5重、It%含有させ
ることができる。
なお本発明において上記添加剤を組成物に含有させる場
會、組成物中のエポキシ樹脂とフェノールノボラックの
合it瀘は、全組成物1基準で通常15重社%以上とさ
れる。
會、組成物中のエポキシ樹脂とフェノールノボラックの
合it瀘は、全組成物1基準で通常15重社%以上とさ
れる。
本発明において上記したイオン含有量は次の手段により
測定できる。
測定できる。
ナトリウムイオン含有1は、試料をクロロホルムで溶解
もしくは抽出し、さらに純水を加えて分離させ、次いで
分離した水1一部を炎光分光分析することにより測定で
きる。
もしくは抽出し、さらに純水を加えて分離させ、次いで
分離した水1一部を炎光分光分析することにより測定で
きる。
またクロルイオン含有量は、試料をアセトンで溶解もし
くは抽出し、次いで硝酸銀溶液にて電位差滴定すること
により求めることができる。
くは抽出し、次いで硝酸銀溶液にて電位差滴定すること
により求めることができる。
本発明は以上のように構成したので1本発明により得ら
れる組成物を用いて半導体を封止したとき得られる半導
体封止物は各種特性、特に耐半田特性に優れる。
れる組成物を用いて半導体を封止したとき得られる半導
体封止物は各種特性、特に耐半田特性に優れる。
以下本発明を実施例を用いて具体的に説明する。
実施例中の部は重置部である。
実施例1〜6および比較例1〜11
実施例および比較例で用いるエポキシ樹i旧の種類を、
各物性値と共に下記第1表に記載する。
各物性値と共に下記第1表に記載する。
第 1 表
0
実施例および比較例で扇いるフェノールノボラックの物
性値を下記第2表に記載する。
性値を下記第2表に記載する。
第2表
下記−3辰に示す如き配合物を80℃のミキシングロー
゛ルにて10分間“混練し、ンート状にした後粉砕して
6メツシーパスの半導体封止用エポキシ樹脂組成物粉末
を得た。
゛ルにて10分間“混練し、ンート状にした後粉砕して
6メツシーパスの半導体封止用エポキシ樹脂組成物粉末
を得た。
このようにして得られた樹脂粉末を用い、低圧トランス
ファーモールド成形機により、圧カフ0ψj温度175
℃、3分間の条件で14リードリニアーI(3を封止成
形し、さらVc180℃で6時間アフターキーアーして
半導体素子封止物を得た。
ファーモールド成形機により、圧カフ0ψj温度175
℃、3分間の条件で14リードリニアーI(3を封止成
形し、さらVc180℃で6時間アフターキーアーして
半導体素子封止物を得た。
得られた封theの初期リーク特性?評価し、さらに、
この封止物を300℃の半田浴に30秒間浸漬した後再
びリーク特性を評価した。
この封止物を300℃の半田浴に30秒間浸漬した後再
びリーク特性を評価した。
半田浴浸漬後のリーク特性が初期値に比べて10%以上
変動したものを不良とした。
変動したものを不良とした。
テストサンプル40ケ中の不良個数を第3表に併記した
。
。
第3辰より、本発明の組成物を用いて半導体素子を封止
して得らnた封止物は耐半田性に優れていることがわか
る。
して得らnた封止物は耐半田性に優れていることがわか
る。
特許出願人
日東電気工業株式会社
代表者土方三部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (a)軟化点65℃以上、ナトリウムイオン含有量11
0PP以下、クロルイオン含有量110PP以下、エポ
キシ当量2051a下のフェノールノボラックエポキシ
樹脂と、 (b)軟化点65℃以上、水酸基当量110以下、ナト
リクムイオン含有111oppM以下、クロルイオン含
有量110PP以下、フリーフェノール量2重量%以下
のフェノールノボラックを、上記エポキシ樹脂のエポキ
シ基1当皺に対し、フェノールノボラックの水酸基0.
7〜1.3当量の割合で含有してなる半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10267581A JPS582322A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10267581A JPS582322A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS582322A true JPS582322A (ja) | 1983-01-07 |
JPS6217604B2 JPS6217604B2 (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=14333801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10267581A Granted JPS582322A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS582322A (ja) |
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- 1981-06-30 JP JP10267581A patent/JPS582322A/ja active Granted
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JPS6217604B2 (ja) | 1987-04-18 |
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