JPS58145193A - 低温動作用回路基板実装構造 - Google Patents
低温動作用回路基板実装構造Info
- Publication number
- JPS58145193A JPS58145193A JP2964282A JP2964282A JPS58145193A JP S58145193 A JPS58145193 A JP S58145193A JP 2964282 A JP2964282 A JP 2964282A JP 2964282 A JP2964282 A JP 2964282A JP S58145193 A JPS58145193 A JP S58145193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- mounting structure
- low temperature
- board mounting
- operating circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回路基板とこれら回路基板を多数装置した筐体
の構造に関し、特に低温度に冷却して誤りなく動作させ
ることができる構造に関する。
の構造に関し、特に低温度に冷却して誤りなく動作させ
ることができる構造に関する。
コンピュータなどの情報Vヌデムでは、益々高速動作が
要求され、回路の高密度化−高集積化が進められている
が、シリコン集積回路などでは材質からくる限界があっ
て、現在では微細加工技術にその活路を見い出すべく鋭
意検討がなされている。しかし、一方、上記の限界を打
破する他の方向として、極低温度に冷却すると高速動作
する回路素子が開発されており、例えばジョセフソン素
子は液体ヘリムラ(I(、e)温度(4K)において超
高速動作する素子であ如、また消費電力も非常に小さい
ことが知られている。また、最近提唱された11 E
M T (Ejgh Elaotron Mobili
ty Transistor )は新たな動作機構をも
つ素子で、これも低温度即ち液体窒素(N2)温度(7
7K)で高速に動作する素子である。
要求され、回路の高密度化−高集積化が進められている
が、シリコン集積回路などでは材質からくる限界があっ
て、現在では微細加工技術にその活路を見い出すべく鋭
意検討がなされている。しかし、一方、上記の限界を打
破する他の方向として、極低温度に冷却すると高速動作
する回路素子が開発されており、例えばジョセフソン素
子は液体ヘリムラ(I(、e)温度(4K)において超
高速動作する素子であ如、また消費電力も非常に小さい
ことが知られている。また、最近提唱された11 E
M T (Ejgh Elaotron Mobili
ty Transistor )は新たな動作機構をも
つ素子で、これも低温度即ち液体窒素(N2)温度(7
7K)で高速に動作する素子である。
とのような素子を高密度に実装して小型化した超高速コ
ンピュータが近い将来出現する可能性は大きく、そのた
め電子回路基板を低温度に保持して、信頼性高く動作さ
せることが是非必要となる。
ンピュータが近い将来出現する可能性は大きく、そのた
め電子回路基板を低温度に保持して、信頼性高く動作さ
せることが是非必要となる。
ところで、既存する回路基板とこれを実装する筐体は主
として室温で動作する構造として作成されているから、
激しい温度冷却に対処することができず、特に回路基板
と筐体との接続部(コネクタ)で熱収縮のため接続が外
れて動作が不能となったり、外れなくても接触抵抗が増
加して高速動作が害されることになる。
として室温で動作する構造として作成されているから、
激しい温度冷却に対処することができず、特に回路基板
と筐体との接続部(コネクタ)で熱収縮のため接続が外
れて動作が不能となったり、外れなくても接触抵抗が増
加して高速動作が害されることになる。
したがって、このような温度変化の大きい場合の接続法
として、以前から水銀接点法があるが、それは高速動作
のだめの微細な高密度構造とすることが難しく、また構
造が弱体で、水銀はまた有毒物でもある。
として、以前から水銀接点法があるが、それは高速動作
のだめの微細な高密度構造とすることが難しく、また構
造が弱体で、水銀はまた有毒物でもある。
(d) 発明の目的
本発明はかような問題点を除去し、低温度で高速動作か
えられる高密度実装の回路基板とその筐体の構造を提案
するものである。
えられる高密度実装の回路基板とその筐体の構造を提案
するものである。
(0) 発明の構成
その目的は、回路基板と平行する筐体の外囲板は回路基
板と比べて温度収縮の大きな材料から構成されて、且つ
四路基板が該基板に垂直な筐体外はテーパー状で、その
面上に接続リードが設けられ、更にこれを挾持する筐体
内の挾持面もテーパー状で、その挾持面に上記の接続リ
ードに対接するリード端部が設けられた回路紙板実装構
造によって達成させることができる。
板と比べて温度収縮の大きな材料から構成されて、且つ
四路基板が該基板に垂直な筐体外はテーパー状で、その
面上に接続リードが設けられ、更にこれを挾持する筐体
内の挾持面もテーパー状で、その挾持面に上記の接続リ
ードに対接するリード端部が設けられた回路紙板実装構
造によって達成させることができる。
(f) 発明の実施例
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第1図は本発明にか覧る回路基板1とこれを装着した筐
体2の斜視図で、回路基板1は温度収縮の小さな材料、
例えばセラミック基板で形成され、それにジョセフソン
素子又はHEMT素子等の低温動作電子部品(図示せず
)が装着されており、その両側端ITは両面テーパー状
となっている。この回路基板1はこれに垂直な筐体外囲
板8で支持され、テーパー状の基板両側に嵌合する■形
状の支持部で挾持される。篩体2の回路紙板1と平行な
外囲板4は温度収縮の大きな材料例えばテフロン板で形
成される。
体2の斜視図で、回路基板1は温度収縮の小さな材料、
例えばセラミック基板で形成され、それにジョセフソン
素子又はHEMT素子等の低温動作電子部品(図示せず
)が装着されており、その両側端ITは両面テーパー状
となっている。この回路基板1はこれに垂直な筐体外囲
板8で支持され、テーパー状の基板両側に嵌合する■形
状の支持部で挾持される。篩体2の回路紙板1と平行な
外囲板4は温度収縮の大きな材料例えばテフロン板で形
成される。
このような構造とすれば、常温で回路基板1′Fr:筺
体2に無力で投入することができるが、動作時に4K又
は77に−に冷却すれば外囲板4は収縮が大きく、回路
が;板1は収縮が小さいから支持部に大きな圧力が生じ
る。したがって、第2図に示す支持部分の断面図のよう
に、回路基板1の表面に金や銅の薄膜又は厚膜による接
続リード5を形成し、これに対接する同材質のリード端
部6を筐体2の外囲板8に設けて、接触すると低温動作
用に適した接続部が形成される。この場合、筺体2の外
囲板4の長さに比べて、回路基板lを支持する外囲板8
の回路基板間の幅は充分小さく、例えば外囲板4の長さ
を20Qにとし、回路基板間の幅を数紹程度とすれば、
外囲板8の収縮は差程問題とはならない。
体2に無力で投入することができるが、動作時に4K又
は77に−に冷却すれば外囲板4は収縮が大きく、回路
が;板1は収縮が小さいから支持部に大きな圧力が生じ
る。したがって、第2図に示す支持部分の断面図のよう
に、回路基板1の表面に金や銅の薄膜又は厚膜による接
続リード5を形成し、これに対接する同材質のリード端
部6を筐体2の外囲板8に設けて、接触すると低温動作
用に適した接続部が形成される。この場合、筺体2の外
囲板4の長さに比べて、回路基板lを支持する外囲板8
の回路基板間の幅は充分小さく、例えば外囲板4の長さ
を20Qにとし、回路基板間の幅を数紹程度とすれば、
外囲板8の収縮は差程問題とはならない。
第8図は回路基板1の部分平面図を示し、テーパー状側
端ITでは、接続リード5の幅を数lOμ78程度とし
て、基板面上の配線幅より広くして、接触抵抗をできる
だけ小さくする。このような回路基板1は部品素子を搭
載するためにも、低温度り基板の他に、シリコン基板、
エポキシ樹脂板などが好適である。
端ITでは、接続リード5の幅を数lOμ78程度とし
て、基板面上の配線幅より広くして、接触抵抗をできる
だけ小さくする。このような回路基板1は部品素子を搭
載するためにも、低温度り基板の他に、シリコン基板、
エポキシ樹脂板などが好適である。
また、大きく収縮させて接触圧を強める外囲板4は上記
のテフロンの他にナイロンが適した材料で、次表に湿度
収縮率を他の材料と比較して示しており、またこれらの
ナイロン、テフロンは急冷などの温度変化に強い材料で
もある。
のテフロンの他にナイロンが適した材料で、次表に湿度
収縮率を他の材料と比較して示しており、またこれらの
ナイロン、テフロンは急冷などの温度変化に強い材料で
もある。
(g) 発明の効果
以上の実施例の説明から判るように、本発明は低温度に
おける熱収縮を利用して接続部の接触抵抗を低下させる
構造で、しかも非常に単純な構造であるから、微細パタ
ーンを形成し、高密度回路構成に最適である。
おける熱収縮を利用して接続部の接触抵抗を低下させる
構造で、しかも非常に単純な構造であるから、微細パタ
ーンを形成し、高密度回路構成に最適である。
したがって、本発明は超高速コンピュータの作
第1図は回路基板と筐体との斜視図、第2図は回路基板
の支持部分の断面図、第8図は回路基板の部分平面図で
ある。図中、■は回路基板、2は篩体、3は基板に垂直
な外囲板、4は基板に平行な外囲板、5は接続リード、
6はリード端部、ITは回路基板の側端部を示す。 代理人 弁理士 松 岡 宏四部 第1図 第2閏
の支持部分の断面図、第8図は回路基板の部分平面図で
ある。図中、■は回路基板、2は篩体、3は基板に垂直
な外囲板、4は基板に平行な外囲板、5は接続リード、
6はリード端部、ITは回路基板の側端部を示す。 代理人 弁理士 松 岡 宏四部 第1図 第2閏
Claims (1)
- 回路基板が実装される筐体において、回路基板と平行す
る外囲板は内蔵する回路基板と比べて温度収縮の大きな
材料から構成され、且つ該回路基板が該回路基板に垂直
な筐体外囲板で両端を支持されて、該回路基板の被支持
面はテーパー状として、その面上に接続リードが設けら
れ、更にこれを挾持する筐体内の挾持面もテーパー状と
して、その挾持面に上記接続リードに対接するリード端
部が設けられたことを特徴とする低温動作用回路基板実
装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2964282A JPS58145193A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 低温動作用回路基板実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2964282A JPS58145193A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 低温動作用回路基板実装構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58145193A true JPS58145193A (ja) | 1983-08-29 |
Family
ID=12281734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2964282A Pending JPS58145193A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 低温動作用回路基板実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58145193A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5904952A (en) * | 1987-07-15 | 1999-05-18 | The Boc Group, Inc. | Method of plasma enhanced silicon oxide deposition |
-
1982
- 1982-02-23 JP JP2964282A patent/JPS58145193A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5904952A (en) * | 1987-07-15 | 1999-05-18 | The Boc Group, Inc. | Method of plasma enhanced silicon oxide deposition |
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