JPH1142540A - 半導体ウェーハの加工方法及びその装置 - Google Patents
半導体ウェーハの加工方法及びその装置Info
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- JPH1142540A JPH1142540A JP20164197A JP20164197A JPH1142540A JP H1142540 A JPH1142540 A JP H1142540A JP 20164197 A JP20164197 A JP 20164197A JP 20164197 A JP20164197 A JP 20164197A JP H1142540 A JPH1142540 A JP H1142540A
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウェーハの裏面研削時に生成された加工
変質層を、半導体ウェーハを破損させることなく除去す
る。 【解決手段】本発明は、まず、半導体ウェーハ22を吸
着テーブル12に保持させて、半導体ウェーハ22の裏
面22Bをカップ型砥石24によって研削加工する。そ
して、研削加工終了後、吸着テーブル12で半導体ウェ
ーハ22を保持した状態で、半導体ウェーハ22の裏面
22Bを研磨布42で研磨加工する。本発明は、共通の
吸着テーブル12で保持した状態で研磨するので、半導
体ウェーハ22を破損させることなく加工変質層を除去
することができる。
変質層を、半導体ウェーハを破損させることなく除去す
る。 【解決手段】本発明は、まず、半導体ウェーハ22を吸
着テーブル12に保持させて、半導体ウェーハ22の裏
面22Bをカップ型砥石24によって研削加工する。そ
して、研削加工終了後、吸着テーブル12で半導体ウェ
ーハ22を保持した状態で、半導体ウェーハ22の裏面
22Bを研磨布42で研磨加工する。本発明は、共通の
吸着テーブル12で保持した状態で研磨するので、半導
体ウェーハ22を破損させることなく加工変質層を除去
することができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの加
工方法及びその装置に係り、特に半導体ウェーハの製造
最終工程で半導体ウェーハの裏面を研削加工する加工方
法及びその装置に関する。
工方法及びその装置に係り、特に半導体ウェーハの製造
最終工程で半導体ウェーハの裏面を研削加工する加工方
法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーハの製造最終工程では、半
導体ウェーハの裏面研削加工が行われている。裏面研削
終了した半導体ウェーハは、酸化膜形成処理等のウェー
ハ処理が施された後、ダイシング工程に送られる。
導体ウェーハの裏面研削加工が行われている。裏面研削
終了した半導体ウェーハは、酸化膜形成処理等のウェー
ハ処理が施された後、ダイシング工程に送られる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウェーハの加工方法では、半導体ウェーハの裏面
研削に起因して半導体ウェーハの裏面に加工変質層が生
成され、この加工変質層によって半導体ウェーハが破損
する場合があるという欠点がある。このような不具合
は、半導体ウェーハの研削加工終了後に、この半導体ウ
ェーハを研削装置から研磨装置に移送し、そして研磨装
置で裏面を研磨して加工変質層を除去することにより防
止できる。しかし、この方法では、移送時に半導体ウェ
ーハが破損したり、半導体ウェーハを研磨装置に保持さ
せる際に破損したりするという欠点がある。
半導体ウェーハの加工方法では、半導体ウェーハの裏面
研削に起因して半導体ウェーハの裏面に加工変質層が生
成され、この加工変質層によって半導体ウェーハが破損
する場合があるという欠点がある。このような不具合
は、半導体ウェーハの研削加工終了後に、この半導体ウ
ェーハを研削装置から研磨装置に移送し、そして研磨装
置で裏面を研磨して加工変質層を除去することにより防
止できる。しかし、この方法では、移送時に半導体ウェ
ーハが破損したり、半導体ウェーハを研磨装置に保持さ
せる際に破損したりするという欠点がある。
【0004】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、半導体ウェーハを破損させることなく加工変
質層を除去することができる半導体ウェーハの加工方法
及びその装置を提供することを目的とする。
たもので、半導体ウェーハを破損させることなく加工変
質層を除去することができる半導体ウェーハの加工方法
及びその装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
するために、半導体ウェーハをテーブルで保持して該半
導体ウェーハの片面を研削用砥石で研削加工し、研削加
工終了後、前記半導体ウェーハを、共通の前記テーブル
で保持した状態で、該半導体ウェーハの片面を研磨体で
研磨加工することを特徴としている。
するために、半導体ウェーハをテーブルで保持して該半
導体ウェーハの片面を研削用砥石で研削加工し、研削加
工終了後、前記半導体ウェーハを、共通の前記テーブル
で保持した状態で、該半導体ウェーハの片面を研磨体で
研磨加工することを特徴としている。
【0006】また、本発明は、前記目的を達成するため
に、半導体ウェーハを保持するテーブルと、前記テーブ
ルに保持された前記半導体ウェーハの片面に押し付けら
れて、該半導体ウェーハの片面を研削加工する研削用砥
石と、前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの
片面に押し付けられて、該半導体ウェーハの片面を研磨
加工する研磨体と、を備え、前記研削用砥石による研削
加工終了後、共通の前記テーブルで半導体ウェーハを保
持した状態で、半導体ウェーハの片面を前記研磨体で研
磨加工することを特徴としている。
に、半導体ウェーハを保持するテーブルと、前記テーブ
ルに保持された前記半導体ウェーハの片面に押し付けら
れて、該半導体ウェーハの片面を研削加工する研削用砥
石と、前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの
片面に押し付けられて、該半導体ウェーハの片面を研磨
加工する研磨体と、を備え、前記研削用砥石による研削
加工終了後、共通の前記テーブルで半導体ウェーハを保
持した状態で、半導体ウェーハの片面を前記研磨体で研
磨加工することを特徴としている。
【0007】本発明によれば、まず、半導体ウェーハを
テーブルに保持させて、半導体ウェーハの片面を研削用
砥石によって研削加工する。そして、研削加工終了後、
前記テーブルで半導体ウェーハを保持した状態で、半導
体ウェーハの片面を研磨体で研磨加工する。このよう
に、本発明は、研削加工終了した半導体ウェーハを研磨
装置に移送することなく、共通のテーブルで保持した状
態で研磨するようにしたので、半導体ウェーハを破損さ
せることなく加工変質層を除去することができる。
テーブルに保持させて、半導体ウェーハの片面を研削用
砥石によって研削加工する。そして、研削加工終了後、
前記テーブルで半導体ウェーハを保持した状態で、半導
体ウェーハの片面を研磨体で研磨加工する。このよう
に、本発明は、研削加工終了した半導体ウェーハを研磨
装置に移送することなく、共通のテーブルで保持した状
態で研磨するようにしたので、半導体ウェーハを破損さ
せることなく加工変質層を除去することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る半導体ウェーハの加工方法及びその装置の好ましい実
施の形態について詳説する。図1は、本発明の実施の形
態の半導体ウェーハの加工装置を示す全体構造図であ
る。同図に示す半導体ウェーハの加工装置10は、主と
して吸着テーブル12、研削装置14、及び研削装置1
6から構成される。
る半導体ウェーハの加工方法及びその装置の好ましい実
施の形態について詳説する。図1は、本発明の実施の形
態の半導体ウェーハの加工装置を示す全体構造図であ
る。同図に示す半導体ウェーハの加工装置10は、主と
して吸着テーブル12、研削装置14、及び研削装置1
6から構成される。
【0009】前記吸着テーブル12は円盤状に形成さ
れ、その下面にモータ18の出力軸20が吸着テーブル
12の中心軸と同軸上に取り付けられている。この吸着
テーブル12は、モータ18の駆動力によって図中矢印
A方向に回転される。また、吸着テーブル12の上面に
は、図示しないバッキングプレートが設けられ、このバ
ッキングプレートに半導体ウェーハ22の表面22Aが
吸着されている。これにより、半導体ウェーハ22は、
吸着テーブル12上に保持されて、吸着テーブル12と
共に回転される。
れ、その下面にモータ18の出力軸20が吸着テーブル
12の中心軸と同軸上に取り付けられている。この吸着
テーブル12は、モータ18の駆動力によって図中矢印
A方向に回転される。また、吸着テーブル12の上面に
は、図示しないバッキングプレートが設けられ、このバ
ッキングプレートに半導体ウェーハ22の表面22Aが
吸着されている。これにより、半導体ウェーハ22は、
吸着テーブル12上に保持されて、吸着テーブル12と
共に回転される。
【0010】前記研削装置14は、カップ型砥石24、
モータ26、及びエアシリンダ28等から構成される。
前記カップ型砥石24は、吸着テーブル12で吸着保持
された半導体ウェーハ22の裏面22Bを研削加工する
砥石であり、砥石部分25を下向きにして設けられてい
る。また、カップ型砥石24は、上面にモータ26の出
力軸30がカップ型砥石24の中心軸と同軸上に取り付
けられ、このモータ26の駆動力によって図中矢印B方
向に回転される。
モータ26、及びエアシリンダ28等から構成される。
前記カップ型砥石24は、吸着テーブル12で吸着保持
された半導体ウェーハ22の裏面22Bを研削加工する
砥石であり、砥石部分25を下向きにして設けられてい
る。また、カップ型砥石24は、上面にモータ26の出
力軸30がカップ型砥石24の中心軸と同軸上に取り付
けられ、このモータ26の駆動力によって図中矢印B方
向に回転される。
【0011】前記モータ26の上部には、エアシリンダ
28のピストン32が取り付けられている。したがっ
て、エアシリンダ28を駆動してピストン32を伸縮動
作させると、カップ型砥石24を半導体ウェーハ22に
対して進退移動させることができる。よって、カップ型
砥石24を半導体ウェーハ22の裏面22Bに押圧当接
させて送り動作させることにより、半導体ウェーハ22
の裏面22Bをカップ型砥石24で研削することができ
る。
28のピストン32が取り付けられている。したがっ
て、エアシリンダ28を駆動してピストン32を伸縮動
作させると、カップ型砥石24を半導体ウェーハ22に
対して進退移動させることができる。よって、カップ型
砥石24を半導体ウェーハ22の裏面22Bに押圧当接
させて送り動作させることにより、半導体ウェーハ22
の裏面22Bをカップ型砥石24で研削することができ
る。
【0012】前記エアシリンダ28は、L字状に形成さ
れた支柱34上に固定されている。この支柱34は、加
工装置本体11上に形成されたガイド溝36に摺動自在
に支持され、吸着テーブル12に対して進退移動自在に
設けられている。したがって、研削装置14全体が半導
体ウェーハ22の研削位置に対して進退移動するように
構成されている。また、前記支柱34には、エアシリン
ダ38のピストン40が接続されている。よって、前記
ピストン40を伸長(図1の状態)させると、研削装置
14全体が半導体ウェーハ22の研削位置に進出移動
し、ピストン40を収縮(図2の状態)させると、研削
装置14全体が半導体ウェーハ22の研削位置から退避
移動する。
れた支柱34上に固定されている。この支柱34は、加
工装置本体11上に形成されたガイド溝36に摺動自在
に支持され、吸着テーブル12に対して進退移動自在に
設けられている。したがって、研削装置14全体が半導
体ウェーハ22の研削位置に対して進退移動するように
構成されている。また、前記支柱34には、エアシリン
ダ38のピストン40が接続されている。よって、前記
ピストン40を伸長(図1の状態)させると、研削装置
14全体が半導体ウェーハ22の研削位置に進出移動
し、ピストン40を収縮(図2の状態)させると、研削
装置14全体が半導体ウェーハ22の研削位置から退避
移動する。
【0013】前記研磨装置16は、研磨布42、モータ
44、及びエアシリンダ46等から構成される。前記研
磨布42は、吸着テーブル12で吸着保持された半導体
ウェーハ22の裏面22Bを研磨加工する研磨体であ
り、図示しないノズルから半導体ウェーハ22の裏面2
2Bに純水を供給して研磨する。なお、本実施の形態で
は、研磨体として研磨布42を適用したが、これに限ら
れるものではなく、研磨体として研磨砥石を適用しても
良い。この場合には、スラリーを供給しながら半導体ウ
ェーハ22の裏面22Bを研磨する。
44、及びエアシリンダ46等から構成される。前記研
磨布42は、吸着テーブル12で吸着保持された半導体
ウェーハ22の裏面22Bを研磨加工する研磨体であ
り、図示しないノズルから半導体ウェーハ22の裏面2
2Bに純水を供給して研磨する。なお、本実施の形態で
は、研磨体として研磨布42を適用したが、これに限ら
れるものではなく、研磨体として研磨砥石を適用しても
良い。この場合には、スラリーを供給しながら半導体ウ
ェーハ22の裏面22Bを研磨する。
【0014】研磨布42は定盤48の下面に設けられ、
この定盤48の上面にはモータ44の出力軸50が定盤
48の中心軸と同軸上に取り付けられている。したがっ
て、研磨布42は、モータ44の駆動力によって図中矢
印C方向に回転される。モータ44の上部には、エアシ
リンダ46のピストン52が取り付けられている。した
がって、エアシリンダ46を駆動してピストン52を伸
縮動作させると、研磨布42を半導体ウェーハ22に対
して進退移動させることができる。よって、研磨布42
を半導体ウェーハ22の裏面22Bに押圧当接させるこ
とにより、半導体ウェーハ22の裏面22Bを研磨布4
2で研磨することができる。
この定盤48の上面にはモータ44の出力軸50が定盤
48の中心軸と同軸上に取り付けられている。したがっ
て、研磨布42は、モータ44の駆動力によって図中矢
印C方向に回転される。モータ44の上部には、エアシ
リンダ46のピストン52が取り付けられている。した
がって、エアシリンダ46を駆動してピストン52を伸
縮動作させると、研磨布42を半導体ウェーハ22に対
して進退移動させることができる。よって、研磨布42
を半導体ウェーハ22の裏面22Bに押圧当接させるこ
とにより、半導体ウェーハ22の裏面22Bを研磨布4
2で研磨することができる。
【0015】前記エアシリンダ46は、L字状に形成さ
れた支柱54上に固定されている。支柱54は、加工装
置本体11上に形成されたガイド溝56に摺動自在に支
持され、吸着テーブル12に対して進退移動自在に設け
られている。したがって、研磨装置16全体が半導体ウ
ェーハ22の研磨位置に対して進退移動するように構成
されている。また、支柱54には、エアシリンダ58の
ピストン60が接続されている。よって、ピストン60
を収縮(図1の状態)させると、研磨装置16全体が半
導体ウェーハ22の研磨位置から退避移動し、ピストン
60を伸長(図2の状態)させると、研磨装置16全体
が半導体ウェーハ22の研磨位置に進出移動する。
れた支柱54上に固定されている。支柱54は、加工装
置本体11上に形成されたガイド溝56に摺動自在に支
持され、吸着テーブル12に対して進退移動自在に設け
られている。したがって、研磨装置16全体が半導体ウ
ェーハ22の研磨位置に対して進退移動するように構成
されている。また、支柱54には、エアシリンダ58の
ピストン60が接続されている。よって、ピストン60
を収縮(図1の状態)させると、研磨装置16全体が半
導体ウェーハ22の研磨位置から退避移動し、ピストン
60を伸長(図2の状態)させると、研磨装置16全体
が半導体ウェーハ22の研磨位置に進出移動する。
【0016】次に、前記の如く構成された半導体ウェー
ハの加工装置10の作用について説明する。図1に示す
ように、まず、加工対象の半導体ウェーハ22をその表
面22Aを下向きにして吸着テーブル12の上面に吸着
保持させる。次に、半導体ウェーハ22をモータ18で
回転させると共に、カップ型砥石24をモータ26で回
転させる。次いで、カップ型砥石24を、エアシリンダ
28のピストン32を伸長させることにより下降移動さ
せて、カップ型砥石24の砥石部分25を半導体ウェー
ハ22の裏面22Bに押圧当接させる。これにより、カ
ップ型砥石24による裏面研削が開始される。
ハの加工装置10の作用について説明する。図1に示す
ように、まず、加工対象の半導体ウェーハ22をその表
面22Aを下向きにして吸着テーブル12の上面に吸着
保持させる。次に、半導体ウェーハ22をモータ18で
回転させると共に、カップ型砥石24をモータ26で回
転させる。次いで、カップ型砥石24を、エアシリンダ
28のピストン32を伸長させることにより下降移動さ
せて、カップ型砥石24の砥石部分25を半導体ウェー
ハ22の裏面22Bに押圧当接させる。これにより、カ
ップ型砥石24による裏面研削が開始される。
【0017】そして、裏面22Bの研削加工が終了する
と、まず、モータ26を停止してカップ型砥石24の回
転を停止させる。次に、ピストン32を収縮させてカッ
プ型砥石24を半導体ウェーハ22から退避移動させ
る。次いで、エアシリンダ38のピストン40を収縮さ
せてカップ型砥石24を研削位置から図中右方向に所定
量退避移動させる。これにより、研削装置14による研
削工程が終了する。
と、まず、モータ26を停止してカップ型砥石24の回
転を停止させる。次に、ピストン32を収縮させてカッ
プ型砥石24を半導体ウェーハ22から退避移動させ
る。次いで、エアシリンダ38のピストン40を収縮さ
せてカップ型砥石24を研削位置から図中右方向に所定
量退避移動させる。これにより、研削装置14による研
削工程が終了する。
【0018】次に、研磨装置16による研磨加工を行う
場合には、半導体ウェーハ22を吸着テーブル12で吸
着した状態で、まず、図示しない洗浄ノズルから半導体
ウェーハ22の裏面22Bに洗浄液を噴射して、裏面2
2B上の研削屑等のごみを洗い流す。そして、裏面22
Bの洗浄が終了すると、まず、エアシリンダ58のピス
トン50を伸長させて研磨布42を退避位置から図中右
方向に所定量進出移動させて、研磨布42を半導体ウェ
ーハ22の研磨位置の上方に位置させる。次に、エアシ
リンダ46のピストン52を伸長させて研磨布42を、
回転中の半導体ウェーハ22の裏面22Aに押圧当接さ
せると共に、モータ44を駆動して研磨布42を回転さ
せる。この状態が図2に示されている。これにより、研
磨布42による研磨が開始される。
場合には、半導体ウェーハ22を吸着テーブル12で吸
着した状態で、まず、図示しない洗浄ノズルから半導体
ウェーハ22の裏面22Bに洗浄液を噴射して、裏面2
2B上の研削屑等のごみを洗い流す。そして、裏面22
Bの洗浄が終了すると、まず、エアシリンダ58のピス
トン50を伸長させて研磨布42を退避位置から図中右
方向に所定量進出移動させて、研磨布42を半導体ウェ
ーハ22の研磨位置の上方に位置させる。次に、エアシ
リンダ46のピストン52を伸長させて研磨布42を、
回転中の半導体ウェーハ22の裏面22Aに押圧当接さ
せると共に、モータ44を駆動して研磨布42を回転さ
せる。この状態が図2に示されている。これにより、研
磨布42による研磨が開始される。
【0019】そして、研磨布22による研磨加工が終了
すると、モータ44を停止して研磨布42の回転を停止
させ、ピストン52を収縮させて研磨布42を半導体ウ
ェーハ22の上方に退避移動させ、エアシリンダ58の
ピストン60を収縮させて研磨布42を研磨位置から図
中左右方向に退避移動させる。これにより、研磨装置1
4による研磨工程が終了する。
すると、モータ44を停止して研磨布42の回転を停止
させ、ピストン52を収縮させて研磨布42を半導体ウ
ェーハ22の上方に退避移動させ、エアシリンダ58の
ピストン60を収縮させて研磨布42を研磨位置から図
中左右方向に退避移動させる。これにより、研磨装置1
4による研磨工程が終了する。
【0020】研磨終了した半導体ウェーハ22は、吸着
テーブル12から取り外されて、ウェーハ処理工程等の
次工程に移送される。この移送時において、半導体ウェ
ーハ22は、研削時に生成された裏面22Bの加工変質
層が研磨布42によって除去されているので破損しな
い。本実施の形態では、研削加工終了した半導体ウェー
ハ22を研磨装置に移送することなく、共通の吸着テー
ブル12で保持した状態で研磨布42により研磨するよ
うにしたので、半導体ウェーハ22を破損させることな
く加工変質層を除去することができる。
テーブル12から取り外されて、ウェーハ処理工程等の
次工程に移送される。この移送時において、半導体ウェ
ーハ22は、研削時に生成された裏面22Bの加工変質
層が研磨布42によって除去されているので破損しな
い。本実施の形態では、研削加工終了した半導体ウェー
ハ22を研磨装置に移送することなく、共通の吸着テー
ブル12で保持した状態で研磨布42により研磨するよ
うにしたので、半導体ウェーハ22を破損させることな
く加工変質層を除去することができる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウェーハの加工方法及びその装置によれば、研削加工終
了した半導体ウェーハを研磨装置に移送することなく、
共通のテーブルで保持した状態で研磨するようにしたの
で、半導体ウェーハを破損させることなく加工変質層を
除去することができる。
ウェーハの加工方法及びその装置によれば、研削加工終
了した半導体ウェーハを研磨装置に移送することなく、
共通のテーブルで保持した状態で研磨するようにしたの
で、半導体ウェーハを破損させることなく加工変質層を
除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの加
工装置で研削加工を実施している状態を示す全体図
工装置で研削加工を実施している状態を示す全体図
【図2】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの加
工装置で研磨加工を実施している状態を示す全体図
工装置で研磨加工を実施している状態を示す全体図
10…半導体ウェーハの加工装置 12…吸着テーブル 14…研削装置 16…研磨装置 22…半導体ウェーハ 24…カップ型砥石(研削用砥石) 42…研磨布(研磨体)
Claims (2)
- 【請求項1】半導体ウェーハをテーブルで保持して該半
導体ウェーハの片面を研削用砥石で研削加工し、 研削加工終了後、前記半導体ウェーハを、共通の前記テ
ーブルで保持した状態で、該半導体ウェーハの片面を研
磨体で研磨加工することを特徴とする半導体ウェーハの
加工方法。 - 【請求項2】半導体ウェーハを保持するテーブルと、 前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの片面に
押し付けられて、該半導体ウェーハの片面を研削加工す
る研削用砥石と、 前記テーブルに保持された前記半導体ウェーハの片面に
押し付けられて、該半導体ウェーハの片面を研磨加工す
る研磨体と、 を備え、前記研削用砥石による研削加工終了後、共通の
前記テーブルで半導体ウェーハを保持した状態で、半導
体ウェーハの片面を前記研磨体で研磨加工することを特
徴とする半導体ウェーハの加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20164197A JPH1142540A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 半導体ウェーハの加工方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20164197A JPH1142540A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 半導体ウェーハの加工方法及びその装置 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002042247A Division JP2002305164A (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 半導体ウェーハの破損を防止する方法 |
JP2002042246A Division JP2002305172A (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 半導体ウェーハの加工方法及びその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1142540A true JPH1142540A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16444462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP20164197A Pending JPH1142540A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 半導体ウェーハの加工方法及びその装置 |
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JP (1) | JPH1142540A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101327527B1 (ko) * | 2012-03-21 | 2013-11-08 | 주식회사 케이엔제이 | 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법 |
KR101347027B1 (ko) * | 2012-03-21 | 2014-01-07 | 주식회사 케이엔제이 | 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법 |
KR101347029B1 (ko) * | 2012-03-21 | 2014-01-07 | 주식회사 케이엔제이 | 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법 |
KR101347030B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2014-01-07 | 주식회사 케이엔제이 | 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법 |
KR101347026B1 (ko) * | 2012-03-21 | 2014-01-07 | 주식회사 케이엔제이 | 반도체 패키지 슬리밍장치 및 방법 |
KR101362243B1 (ko) * | 2012-03-21 | 2014-02-13 | 주식회사 케이엔제이 | 반도체 패키지 슬리밍장치 |
-
1997
- 1997-07-28 JP JP20164197A patent/JPH1142540A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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