JPH11238678A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH11238678A JPH11238678A JP10041538A JP4153898A JPH11238678A JP H11238678 A JPH11238678 A JP H11238678A JP 10041538 A JP10041538 A JP 10041538A JP 4153898 A JP4153898 A JP 4153898A JP H11238678 A JPH11238678 A JP H11238678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- manufacturing apparatus
- foreign matter
- semiconductor wafer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 写真製版におけるリソグラフィ工程の露光に
際して、ウェハ裏面に付着した異物によって生じるフォ
ーカスぼけによるレジストパターン不良を未然に防止す
ることができる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 レジスト塗布機１でレジスト塗布された
半導体ウェハ２はステージ４上で露光されるが、これに
先立ち、露光待機中の半導体ウェハ５は、異物検出装置
６でその裏面にごみ系の異物が付着しているかが検査さ
れる。異物が付着していた場合はそのウェハの露光処理
を中断するか、その場で異物が除去された後露光され
る。
際して、ウェハ裏面に付着した異物によって生じるフォ
ーカスぼけによるレジストパターン不良を未然に防止す
ることができる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 レジスト塗布機１でレジスト塗布された
半導体ウェハ２はステージ４上で露光されるが、これに
先立ち、露光待機中の半導体ウェハ５は、異物検出装置
６でその裏面にごみ系の異物が付着しているかが検査さ
れる。異物が付着していた場合はそのウェハの露光処理
を中断するか、その場で異物が除去された後露光され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の製造装置に
関するものであり、特に、半導体装置の製造工程におい
てリソグラフィ工程の半導体製造装置のうち露光装置に
関するものである。
関するものであり、特に、半導体装置の製造工程におい
てリソグラフィ工程の半導体製造装置のうち露光装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】写真製版におけるリソグラフィ工程の露
光装置は、微細加工に必要なレジストパターンを形成
し、出来映えを決定する最も重要な半導体製造装置であ
る。
光装置は、微細加工に必要なレジストパターンを形成
し、出来映えを決定する最も重要な半導体製造装置であ
る。
【０００３】図２は、従来の露光装置の構成の概略を示
したものである。同図において、レジスト塗布機１でレ
ジスト塗布された半導体ウェハ２は、露光機３の中のス
テージ４上で露光される。
したものである。同図において、レジスト塗布機１でレ
ジスト塗布された半導体ウェハ２は、露光機３の中のス
テージ４上で露光される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来例の半導体製造装置においては、レジスト塗
布機で、またはレジスト塗布機を使用する以前の工程
で、半導体ウェハの裏面にごみ系の異物が付着した場合
には、露光時においてそのごみ系の異物が付着した箇所
が盛り上がってフォーカスがぼけてしまい、レジストパ
ターン不良を引き起こすという可能性がある。また、半
導体ウェハの裏面に付着していたごみ系の異物が露光機
のステージに付着した場合には、それ以降に露光処理を
する全ての半導体ウェハにフォーカスボケが発生してし
まい、レジストパターン不良を引き起こす。
ような従来例の半導体製造装置においては、レジスト塗
布機で、またはレジスト塗布機を使用する以前の工程
で、半導体ウェハの裏面にごみ系の異物が付着した場合
には、露光時においてそのごみ系の異物が付着した箇所
が盛り上がってフォーカスがぼけてしまい、レジストパ
ターン不良を引き起こすという可能性がある。また、半
導体ウェハの裏面に付着していたごみ系の異物が露光機
のステージに付着した場合には、それ以降に露光処理を
する全ての半導体ウェハにフォーカスボケが発生してし
まい、レジストパターン不良を引き起こす。
【０００５】現状の半導体メーカーではロットのレジス
ト塗布、露光そして現像の処理後に簡易な顕微鏡による
目視検査を行うこととしているが、完全に発見するのが
困難であり、また次工程にロットを進め最終的にパター
ニング不良となる可能性がある。またフォーカスぼけを
未然に防ぐために定期的にステージの状態を検査するが
検査と検査の間に発生するフォーカスぼけは防ぐことが
できない。
ト塗布、露光そして現像の処理後に簡易な顕微鏡による
目視検査を行うこととしているが、完全に発見するのが
困難であり、また次工程にロットを進め最終的にパター
ニング不良となる可能性がある。またフォーカスぼけを
未然に防ぐために定期的にステージの状態を検査するが
検査と検査の間に発生するフォーカスぼけは防ぐことが
できない。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、ウェハ裏面にごみ系の異物が付着したときにリア
ルタイムで知り、処理を中断またはその異物の除去を行
うことによって、レジストパターン不良を未然に防ぐこ
とができる優れた半導体製造装置を提供することを目的
とする。
ので、ウェハ裏面にごみ系の異物が付着したときにリア
ルタイムで知り、処理を中断またはその異物の除去を行
うことによって、レジストパターン不良を未然に防ぐこ
とができる優れた半導体製造装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を解決するため
に本発明の半導体製造装置は、レジスト塗布された半導
体ウェハを露光する半導体製造装置において、前記半導
体ウェハの裏面の異物を検出する機能を具備することを
特徴とする。
に本発明の半導体製造装置は、レジスト塗布された半導
体ウェハを露光する半導体製造装置において、前記半導
体ウェハの裏面の異物を検出する機能を具備することを
特徴とする。
【０００８】そして、ウェハ裏面にごみ系の異物を検出
したときはリアルタイムで異常を知り、処理を中断し、
またはその異物を除去することによって、レジストパタ
ーン不良を未然に防ぐことが可能となる。
したときはリアルタイムで異常を知り、処理を中断し、
またはその異物を除去することによって、レジストパタ
ーン不良を未然に防ぐことが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、写真製版におけるリソ
グラフィ工程の露光装置に半導体ウェハ裏面のごみ系の
異物を検出する機能を備えたものであり、更に、異物を
検出した場合には、その異物を除去し、又は露光を中断
し、又は警告を発する機能をも併せ備える。これによ
り、半導体ウェハ裏面にごみ系の異物が付着したときに
はリアルタイムでそれを知り、処理を中断またはその異
物を除去することによって、レジストパターン不良を未
然に防ぐという作用を有する。
グラフィ工程の露光装置に半導体ウェハ裏面のごみ系の
異物を検出する機能を備えたものであり、更に、異物を
検出した場合には、その異物を除去し、又は露光を中断
し、又は警告を発する機能をも併せ備える。これによ
り、半導体ウェハ裏面にごみ系の異物が付着したときに
はリアルタイムでそれを知り、処理を中断またはその異
物を除去することによって、レジストパターン不良を未
然に防ぐという作用を有する。
【００１０】以下、本発明の実施の形態について、図１
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１１】（実施の形態１）図１は本発明の半導体製
造装置の構成を示した概略図である。
造装置の構成を示した概略図である。
【００１２】レジスト塗布機１でレジスト塗布された半
導体ウェハは露光機３に送られる。露光機３では、ま
ず、レジスト塗布され露光待機中の半導体ウェハ５の裏
面にごみ系の異物が付着しているか否かを異物検出装置
６が検査する。検査は、例えば半導体レーザまたは画像
処理によって行うことができる。
導体ウェハは露光機３に送られる。露光機３では、ま
ず、レジスト塗布され露光待機中の半導体ウェハ５の裏
面にごみ系の異物が付着しているか否かを異物検出装置
６が検査する。検査は、例えば半導体レーザまたは画像
処理によって行うことができる。
【００１３】異物が検出された場合には、そのウェハの
露光処理を進めずに、風のブローやスクラバー洗浄によ
る裏面洗浄や半導体レーザによる除去を行う。かかる異
物除去機能は、異物検出装置６が有していてもよいし、
それを行う別の装置を別途設けてもよい。そして、異物
除去後、通常通り露光を行う。
露光処理を進めずに、風のブローやスクラバー洗浄によ
る裏面洗浄や半導体レーザによる除去を行う。かかる異
物除去機能は、異物検出装置６が有していてもよいし、
それを行う別の装置を別途設けてもよい。そして、異物
除去後、通常通り露光を行う。
【００１４】また、異物が検出された場合には、そのウ
ェハの露光処理を中断し、及び／又は、警告を発して、
必要な処置を採れるようにしてもよい。
ェハの露光処理を中断し、及び／又は、警告を発して、
必要な処置を採れるようにしてもよい。
【００１５】以上のように、本発明によれば、半導体ウ
ェハの裏面に付着した異物をリアルタイムで知り、処理
を中断し、またはその異物を除去することによってレジ
ストパターン不良を未然に防ぐことができる。
ェハの裏面に付着した異物をリアルタイムで知り、処理
を中断し、またはその異物を除去することによってレジ
ストパターン不良を未然に防ぐことができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、露光装置に半導
体ウェハ裏面のごみ系の異物を検出する機能を備え、更
に好ましくは、異物が検出された場合はその異物を除去
し、又は露光を中断し、又は警告を発する機能を備えた
半導体製造装置としたことにより、ウェハ裏面に異物が
付着した場合にはリアルタイムで異常を知り、処理を中
断または異物除去することができ、パターン不良を未然
に防ぐことができる優れた半導体製造装置を提供でき
る。
体ウェハ裏面のごみ系の異物を検出する機能を備え、更
に好ましくは、異物が検出された場合はその異物を除去
し、又は露光を中断し、又は警告を発する機能を備えた
半導体製造装置としたことにより、ウェハ裏面に異物が
付着した場合にはリアルタイムで異常を知り、処理を中
断または異物除去することができ、パターン不良を未然
に防ぐことができる優れた半導体製造装置を提供でき
る。
【図１】 本発明の半導体製造装置の一例の構成の概略
を示した概念図である。
を示した概念図である。
【図２】 従来の半導体製造装置の構成の概略を示した
概念図である。
概念図である。
１ レジスト塗布機 ２ レジスト塗布された半導体ウェハ ３ 露光機 ４ ステージ ５ レジスト塗布され、露光待機中の半導体ウェハ ６ 異物検出装置（または、異物検出装置及び異物除去
装置）
装置）
Claims (4)
- 【請求項１】 レジスト塗布された半導体ウェハを露光
する半導体製造装置において、前記半導体ウェハの裏面
の異物を検出する機能を具備することを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項２】 前記半導体ウェハの裏面の異物が検出さ
れた場合には前記異物を除去する機能を有することを特
徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記半導体ウェハの裏面の異物が検出さ
れた場合には露光を中断する機能を有することを特徴と
する請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記半導体ウェハの裏面の異物が検出さ
れた場合には警告を発する機能を有することを特徴とす
る請求項１に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10041538A JPH11238678A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10041538A JPH11238678A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238678A true JPH11238678A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12611203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10041538A Pending JPH11238678A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238678A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246300A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | 半導体製造装置 |
| KR100701996B1 (ko) * | 2000-11-02 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스 제조용 노광 설비 |
-
1998
- 1998-02-24 JP JP10041538A patent/JPH11238678A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100701996B1 (ko) * | 2000-11-02 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스 제조용 노광 설비 |
| JP2002246300A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | 半導体製造装置 |
| JP4567216B2 (ja) * | 2001-02-20 | 2010-10-20 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体製造装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003287875A5 (ja) | ||
| JPH07240363A (ja) | 反射型マスクの作製方法と製造装置およびこれを用いた反射型マスク、該反射型マスクを用いた露光装置と半導体デバイス | |
| US20030155077A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US6724476B1 (en) | Low defect metrology approach on clean track using integrated metrology | |
| JPH11238678A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH07280739A (ja) | 異物検査方法 | |
| JP2005217062A (ja) | フォトリソプロセス装置および欠陥検査方法 | |
| JPS6323539B2 (ja) | ||
| US8148054B2 (en) | Immersion multiple-exposure method and immersion exposure system for separately performing multiple exposure of micropatterns and non-micropatterns | |
| JP4011371B2 (ja) | 半導体露光装置 | |
| JPH10246951A (ja) | レチクルの欠陥検査方法及びその装置 | |
| JP2000049081A (ja) | 荷電粒子線投影露光装置 | |
| JP3166320B2 (ja) | レジスト塗膜の異物検査方法及び装置 | |
| JP2000098621A (ja) | 露光装置 | |
| US20030235764A1 (en) | Planar reticle design/fabrication method for rapid inspection and cleaning | |
| JP2012208185A (ja) | レジスト検査装置及びマスク基板の欠陥検査方法 | |
| JP2002365786A (ja) | マスクの欠陥検査方法 | |
| JP2007303971A (ja) | 薬液起因の欠陥検出方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH046937B2 (ja) | ||
| JP2002246300A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001236493A (ja) | 外観検査装置 | |
| Ishihara et al. | High-speed reticle qualification system | |
| JP2766098B2 (ja) | レチクルマスクの欠陥検出方法 | |
| JPH11191524A (ja) | フォトリソプロセス装置 | |
| JP2720437B2 (ja) | パターン転写方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050131 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061128 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070329 |