JPH1074688A - レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細なレジストパターンを精度よく形成する
ことができ、かつ、現像欠陥を有効に抑えることができ
るレジスト塗布方法およびレジスト塗布装置を提供す
る。 【解決手段】 レジスト塗布室１内においてウェーハ３
上にレジスト供給ノズル５からレジストを吐出し、塗布
する場合に、あらかじめレジスト塗布室１内にＮ₂ ガス
などの不活性ガスを導入して大気圧よりも高くレジスト
供給ノズル５内の圧力以下の圧力にしておき、この圧力
下でレジスト供給ノズル５からレジストを吐出する。レ
ジスト塗布後、ウェーハ３を最初に加熱する工程まで
は、この圧力下で行う。あるいは、レジスト塗布後、レ
ジスト塗布室１内の圧力を５分以上の時間をかけて大気
圧まで減圧し、その後ウェーハ３を加熱する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、レジスト塗布方
法およびレジスト塗布装置に関し、例えば、半導体装置
の製造工程におけるレジストの塗布に適用して好適なも
のである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの集積度の向上とともにそのデザ
インルールは縮小し、それに伴ってＬＳＩ製造工程にお
けるリソグラフィー工程に用いられるレジストの性能お
よびレジスト現像方法も、より高度なものが要求されて
いる。

【０００３】レジストの性能は、一般に、現像時の露光
部と未露光部との溶解速度の差、すなわちいわゆる溶解
コントラストが大きいほどよいとされている。それは、
この溶解コントラストが大きいほど現像により得られる
レジストパターンの断面形状は矩形に近くなるが、この
ように現像により得られるレジストパターンの断面形状
が矩形に近いほど、次の工程、例えばエッチング工程に
おいてこのレジストパターンをマスクとして行われるエ
ッチング時のパターン変換差やばらつきが小さくなり、
高精度の加工が可能となるからである。また、溶解コン
トラストが大きいほど、レジストの解像度は高く、より
微細なパターンの形成が可能となる。

【０００４】これまで、この溶解コントラストを大きく
するために、レジストに様々な改良が加えられてきた。
その一つに、レジストに表面難溶化効果を持たせること
が挙げられる。これは、未露光部のレジストに現像液が
接触すると、レジストの溶解速度が極端に減少するとい
う効果である。この表面難溶化効果をレジストに持たせ
ることにより、レジストの解像度や現像により得られる
レジストパターンの形状は大きく向上した。

【０００５】一方、レジストの現像方法も、より微細な
パターンを精度よく形成するために改良が加えられた。
一般に、レジストの解像度やレジストパターンの断面形
状は現像液の攪拌が少ない方がよく、また、現像の均一
性についてはできるだけレジストに物理的アタックを与
えない方がよいことがわかっている。

【０００６】そこで、レジストに対する物理的アタック
を少なくし、レジスト上によりソフトに現像液を盛るこ
とができ、微細なレジストパターンを精度よく形成する
ことができるレジスト現像方法およびそれに用いる現像
液供給ノズル（以下「現像ノズル」ともいう。）が開発
され、実用化されている。その一例について、図４、図
５および図６を参照しながら説明する。ここで、図４は
平面図、図５は側面図、図６は図４および図５に示す現
像ノズルの拡大底面図である。

【０００７】図４、図５および図６に示すように、この
従来のレジスト現像方法においては、現像を行うべき露
光済みのレジスト（図示せず）が形成されたウェーハ３
１の一直径上にこの直径とほぼ同一の長さを有する現像
ノズル３２を配置し、この現像ノズル３２の底部に互い
に隣接して一列に多数設けられた現像液吐出用の穴３３
からウェーハ３１上に現像液を吐出した状態でこのウェ
ーハ３１を１／２回転させることにより、ウェーハ３１
の全面に現像液を供給し、レジストの現像を行う。

【０００８】図７および図８は、レジストに対する物理
的アタックを少なくした従来のレジスト現像方法の他の
例を示す。図７および図８に示すように、この従来のレ
ジスト現像方法においては、現像を行うべき露光済みの
レジスト（図示せず）が形成されたウェーハ４１の中心
付近の真上に現像ノズル４２がくるようにし、ウェーハ
４１を回転させながら、現像ノズル４２の先端に設けら
れた５個の現像液吐出用の穴４３からウェーハ４１上に
現像液を図７および図８中矢印で示すように吐出するこ
とにより、ウェーハ４１の全面に現像液を供給し、レジ
ストの現像を行う。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、溶解コ
ントラストが高い高解像度レジストを用い、しかもレジ
ストに対する物理的アタックが少ないレジスト現像方法
を採用することにより高集積度のＬＳＩの製造が可能に
なったが、新たな問題としてレジストの現像欠陥が発生
するようになった。

【００１０】ここで、この現像欠陥とは、コンタクトホ
ール形成用のフォトマスクを用いて露光されたレジスト
を現像したときに、ウェーハ上数個から数十個のコンタ
クトホールが開口されない現象である。この現像欠陥に
ついてより具体的に説明すると、次の通りである。すな
わち、図９Ａに示すように、ウェーハ５１上にレジスト
５２を塗布した後、図示省略したフォトマスクを用いて
このレジスト５２の露光を行うと、このレジスト５２に
潜像５３が形成される。次に、図９Ｂに示すように、レ
ジスト５２の現像を行うために、ウェーハ５１上に現像
ノズル（図示せず）から現像液５４を吐出すると、潜像
５３が形成された部分のレジスト５２が溶解する。この
とき、現像ノズルからの吐出時に圧力が加えられた現像
液５４がウェーハ５１上に供給されて大気圧に戻ること
により、この現像液５４中に溶存していた気体が溶出し
て泡となり、いわゆるマイクロバブル５５が形成され
る。そして、このマイクロバブル５５が、レジスト５２
のうちの溶解すべき部分、すなわち潜像５３が形成され
た部分の上にかぶさると、この部分に対する現像液５４
の供給が不十分となり、現像が進まなくなる。この結
果、図９Ｃに示すように、現像により得られるレジスト
パターン５６にコンタクトホール５６ａが開口されない
部分、すなわち現像欠陥５７が発生する。

【００１１】溶解コントラストが高い高解像度レジスト
を用いたときに現像欠陥５７が発生するのは、次のよう
な理由による。すなわち、一般に、溶解コントラストが
高い高解像度レジストは表面の疎水性が高く、表面難溶
化層が形成されやすい。このため、レジストの表面とこ
の表面に付着したマイクロバブルとの隙間に現像液が入
り込めないことから、マイクロバブルは長時間付着した
状態になり、これによって現像欠陥が発生する。また、
物理的アタックの少ないレジスト現像方法を用いたとき
に現像欠陥５７が発生するのは、次のような理由によ
る。すなわち、このレジスト現像方法においては、レジ
ストに対する物理的アタックを弱くするために、そのア
タックの強さの分布がウェーハ上で不均一になってしま
う。この結果、レジスト表面に付着したマイクロバブル
を除去することができず、現像欠陥が発生してしまう。

【００１２】一方、レジスト膜厚むらが周期的に放射状
に発生する、いわゆるストライエーションを防止する目
的でレジスト中に界面活性剤を添加することがあるが、
この界面活性剤の影響でレジスト表面の疎水性が高くな
り過ぎることによっても、同様な現像欠陥が発生してい
る。さらに、ウェーハ上に現像液を盛るときの現像液の
ぶつかり合いにより現像液中に空気が巻き込まれ、マイ
クロバブルとなる現象も確認されている。

【００１３】以上のようなマイクロバブルによる現像欠
陥の発生は、ＬＳＩの製造歩留まりを確実に低下させる
大きな問題であることから、微細なレジストパターンを
精度よく形成し、かつ、現像欠陥を抑える技術が強く望
まれている。

【００１４】したがって、この発明の目的は、微細なレ
ジストパターンを精度よく形成することができ、かつ、
現像欠陥を有効に抑えることができるレジスト塗布方法
およびレジスト塗布装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以
下にその概要を説明する。本発明者の知見によれば、現
像欠陥の原因となるマイクロバブルが発生する一つの原
因は、レジスト供給ノズルからレジストが吐出されると
きに生ずる急激な圧力差による気体の溶解度の変化であ
る。すなわち、従来、レジスト供給ノズルからのレジス
トの吐出は大気圧下で行われているが、レジスト供給ノ
ズル内の圧力は例えば約１．９６×１０⁵ Ｐａ（２ｋｇ
／ｃｍ² ）と高いため、レジスト供給ノズルから大気中
にレジストが吐出されたときには約１×１０⁵ Ｐａ（約
１ｋｇ／ｃｍ² ）の圧力差が生じ、それによりレジスト
中の気体の溶解度が大幅に増加し、これがマイクロバブ
ルの発生の原因となる。したがって、レジスト供給ノズ
ルからレジストが吐出されるときに生ずる急激な圧力差
を少なくし、気体の溶解度の変化を少なくすれば、マイ
クロバブルの発生の低減を図ることができる。そして、
このためには、レジスト供給ノズルからのレジストの吐
出を、レジスト供給ノズル内の圧力を超えない範囲で大
気圧よりも高い圧力下で行うのが有効である。

【００１６】また、このように大気圧よりも高い圧力下
でレジストの吐出を行う場合においては、吐出後、レジ
ストが流動性を保持している状態で急激に大気圧に戻す
と、そのときの圧力変化によりマイクロバブルが発生す
るおそれがあることから、レジスト塗布後に最初に行わ
れる加熱によりレジストの流動性がなくなるまでは、大
気圧に戻さず、吐出時の圧力のまま保持するのが好まし
い。一方、レジスト塗布後、徐々に、具体的には５分以
上の時間をかけて大気圧に戻すことにより、マイクロバ
ブルの発生を防止することができる。この発明は以上の
検討に基づいて案出されたものである。

【００１７】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明の第１の発明は、基板上にレジスト供給ノズルか
らレジストを吐出し、塗布するようにしたレジスト塗布
方法において、大気圧よりも高くレジスト供給ノズル内
の圧力以下の圧力下でレジスト供給ノズルからレジスト
を吐出するようにしたことを特徴とするものである。

【００１８】この発明の第１の発明の一実施形態におい
ては、レジストを吐出する工程から基板を最初に加熱す
る工程までを、大気圧よりも高くレジスト供給ノズル内
の圧力以下の圧力下で行う。

【００１９】この発明の第１の発明の他の一実施形態に
おいては、レジストを塗布する容器内で基板上にレジス
トを塗布した後、レジストを塗布する容器内の圧力を５
分以上の時間をかけて大気圧まで減圧し、その後基板を
加熱する。

【００２０】この発明の第２の発明は、基板上にレジス
ト供給ノズルからレジストを吐出し、塗布するようにし
たレジスト塗布装置において、大気圧よりも高くレジス
ト供給ノズル内の圧力以下の圧力下でレジスト供給ノズ
ルからレジストを吐出するようにしたことを特徴とする
ものである。

【００２１】この発明の第２の発明において、レジスト
塗布装置は、典型的には、基板上にレジストを塗布した
後、レジストが塗布された基板を最初に加熱する工程ま
での間に基板の周辺の雰囲気が大気圧にならないように
構成される。

【００２２】この発明の第２の発明の一実施形態におい
ては、レジスト塗布装置は、基板上にレジストを塗布す
るための加圧および減圧可能な第１の容器と、基板を加
熱するための加圧および減圧可能な第２の容器とを有
し、第１の容器と第２の容器との間で基板を途中で大気
にさらすことなく搬送することができるように構成され
る。

【００２３】この発明の第２の発明の他の一実施形態に
おいては、レジスト塗布装置は、基板上にレジストを塗
布する部分と基板を加熱する部分とを備えた加圧および
減圧可能な第１の容器と、レジストを塗布すべき基板を
一旦収納するための加圧および減圧可能な第２の容器と
を有し、第１の容器と第２の容器との間で基板を途中で
大気にさらすことなく搬送することができるように構成
される。

【００２４】この発明の第２の発明のさらに他の一実施
形態においては、レジスト塗布装置は、基板上にレジス
トを塗布するための加圧および減圧可能な容器を有し、
その容器内で基板上にレジストを塗布した後、その容器
の外部で基板を加熱するように構成される。

【００２５】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、大気圧よりも高くレジスト供給ノズル内の圧力以下
の圧力下でレジスト供給ノズルからレジストを吐出する
ようにしていることにより、レジスト供給ノズルからレ
ジストが吐出されるときに生ずる圧力差を従来に比べて
少なくすることができ、この圧力差による気体の溶解度
の変化を少なくすることができる。これによって、マイ
クロバブルの発生の低減を図ることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
においては、同一または対応する部分には同一の符号を
付す。

【００２７】まず、この発明の第１の実施形態によるレ
ジスト塗布装置について説明する。図１はこのレジスト
塗布装置を示す略線図である。図１に示すように、この
レジスト塗布装置は、レジスト塗布室１と加熱室２とを
有している。レジスト塗布室１内には、ウェーハ３を保
持するウェーハチャック４がその中心軸の周りに回転可
能に設けられている。ウェーハチャック４の上方の部分
におけるレジスト塗布室１の上部には、レジストを吐出
するレジスト供給ノズル５が設けられている。また、レ
ジスト塗布室１の上部には、ガス導入管６とガス排出管
７とが設けられている。そして、ガス導入管６から不活
性ガス、例えばＮ₂ ガス、Ａｒガス、Ｈｅガスなどをレ
ジスト塗布室１内に導入し、加圧することができるよう
になっている。また、ガス排出管７に接続された外部真
空ポンプ（図示せず）によって、レジスト塗布室１内を
減圧することができるようになっている。また、レジス
ト塗布室１の一側面には、ウェーハ３を導入するための
ドア８が設けられている。

【００２８】一方、加熱室２内にはウェーハ３を加熱す
るためのオーブン９が設けられている。また、加熱室２
の上部には、レジスト塗布室１と同様に、ガス導入管１
０とガス排出管１１とが設けられている。そして、ガス
導入管１０から不活性ガス、例えばＮ₂ ガス、Ａｒガ
ス、Ｈｅガスなどを加熱室２内に導入し、加圧すること
ができるようになっている。また、ガス排出管１１に接
続された外部真空ポンプ（図示せず）によって、加熱室
２内を減圧することができるようになっている。加熱室
２の一側面には、ウェーハ３を搬出するためのドア１２
が設けられている。また、上述のレジスト塗布室１と加
熱室２とは、ドア１３を備えた隔壁１４によって仕切ら
れている。

【００２９】次に、この発明の第１の実施形態によるレ
ジスト塗布方法について説明する。この第１の実施形態
によるレジスト塗布方法においては、図１に示すレジス
ト塗布装置を用いて、次のようにしてレジストの塗布を
行う。すなわち、まず、ウェーハ３を収納したキャリア
１５をレジスト塗布装置の所定位置にセットする。次
に、レジスト塗布室１のドア８を開け、このドア８を通
じてキャリア１５からウェーハ３をレジスト塗布室１内
に搬送し、ウェーハチャック４上に載せる。次に、ドア
８を閉めた後、レジスト塗布室１内にガス導入管６を通
じて不活性ガスを導入し、このレジスト塗布室１内を大
気圧よりも高くレジスト供給ノズル５内の圧力以下の圧
力に加圧する。例えば、レジスト供給ノズル５内の圧力
が１．９６×１０⁵ Ｐａ（２ｋｇ／ｃｍ² ）である場
合、このレジスト塗布室１内の圧力は１．０１×１０⁵
Ｐａ（１．０３ｋｇ／ｃｍ² ）〜１．９６×１０⁵ Ｐａ
（２ｋｇ／ｃｍ² ）に設定する。次に、レジスト供給ノ
ズル５より所定量のレジスト（図示せず）をウェーハ３
上に吐出する。その後、ウェーハチャック４をその中心
軸の周りに回転させ、この回転による遠心力によってレ
ジストをウェーハ３上に均一に広げる。これによって、
ウェーハ３上の全面にレジストが均一に塗布される。

【００３０】次に、レジスト塗布室１のドア１３を開
け、上述のようにしてレジストが塗布されたウェーハ３
を、図示省略したウェーハ搬送機構を用いて、ドア１３
を通じてレジスト塗布室１から加熱室２内に設けられた
オーブン９上に搬送した後、ドア１３を閉める。このと
き、加熱室２内にはあらかじめガス導入管１０を通じて
不活性ガスを導入しておき、レジスト塗布室１内の圧力
と同等の圧力に加圧しておく。

【００３１】次に、加熱室２に移されたウェーハ３をオ
ーブン９によって例えば５０〜１５０℃に加熱した後、
この加熱室２内の不活性ガスをガス排出管１１を通じて
排出し、加熱室２内の圧力を大気圧に戻す。次に、ドア
１２を開け、このドア１２を通じてウェーハ３を加熱室
２から搬出する。この後、レジストの露光および現像の
工程を経て、ウェーハ３上にレジストパターンが形成さ
れる。

【００３２】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、レジスト塗布室１内を大気圧よりも高くレジスト供
給ノズル５内の圧力以下の圧力に加圧し、この圧力下で
レジスト供給ノズル５からレジストをウェーハ３上に吐
出し、塗布するようにしていることにより、大気圧下で
レジストを吐出する従来のレジスト塗布方法に比べ、レ
ジスト供給ノズル５からレジストが吐出されるときのレ
ジストの圧力の変化を少なくすることができる。このた
め、レジスト中のマイクロバブルの発生の低減を図るこ
とができ、以後の工程で行われるレジスト現像の際の現
像欠陥の発生を大幅に、例えば従来の半分以下に抑える
ことができる。これによって、ウェーハ３を用いて製造
される半導体装置、例えばＬＳＩの製造歩留りを大幅に
向上させることができる。

【００３３】次に、この発明の第２の実施形態によるレ
ジスト塗布装置について説明する。図２はこのレジスト
塗布装置を示す略線図である。図２に示すように、この
レジスト塗布装置は、レジスト塗布部と加熱部とにより
構成されているレジスト塗布・加熱室１６と、処理され
るべきウェーハ３が一旦収納される予備室１７とを有し
ている。レジスト塗布・加熱室１６内においては、レジ
スト塗布部にウェーハチャック４が設けられ、加熱部に
オーブン９が設けられ、さらにウェーハチャック４とオ
ーブン９との間にウェーハ３を搬送するためのアーム１
８が設けられている。また、レジスト塗布・加熱室１６
の上部においては、ウェーハチャック４の上方の部分に
レジスト供給ノズル５が設けられているとともに、オー
ブン９の上方の部分にガス導入管６とガス排出管７とが
設けられている。第１の実施形態と同様に、ガス導入管
６からレジスト塗布・加熱室１６内に不活性ガスを導入
し、加圧することができるようになっている。また、ガ
ス排出管７に接続された外部真空ポンプ（図示せず）に
よって、レジスト塗布・加熱室１６内を減圧することが
できるようになっている。また、レジスト塗布・加熱室
１６の一側面には、ウェーハ３を搬出するためのドア２
０が設けられている。

【００３４】一方、予備室１７内にはアーム１９が設け
られており、このアーム１９を用いてウェーハ３をレジ
スト塗布・加熱室１６に搬送することができるようにな
っている。この予備室１７の上部には、ガス導入管１０
とガス排出管１１とが設けられている。そして、ガス導
入管１０から予備室１７内に不活性ガスを導入し、加圧
することができるようになっている。また、ガス排出管
１１に接続された外部真空ポンプによって、予備室１７
内を減圧することができるようになっている。さらに、
予備室１７の一側面には、ウェーハ３を導入するための
ドア２１が設けられている。また、上述のレジスト塗布
・加熱室１６と予備室１７とはドア２２を備えた隔壁２
３によって仕切られている。

【００３５】次に、この発明の第２の実施形態によるレ
ジスト塗布方法について説明する。この第２の実施形態
によるレジスト塗布方法においては、図２に示すレジス
ト塗布装置を用いて、次のようにしてレジストの塗布を
行う。すなわち、まず、ウェーハ３を収納したキャリア
１５をレジスト塗布装置の所定位置にセットする。次
に、予備室１７のドア２１を開け、このドア２１を通じ
てウェーハ３をキャリア１５から予備室１７内に搬送
し、アーム１９上に載せる。次に、ドア２１を閉めた
後、ガス導入管１０を通じて予備室１７内に不活性ガス
を導入し、第１の実施形態と同様の圧力に加圧する。

【００３６】次に、ドア２２を開けた後、アーム１９に
よって予備室１７からウェーハ３をドア１３を通じてレ
ジスト塗布・加熱室１６内に搬送し、ウェーハチャック
４上に載せ、ドア２２を閉める。このとき、レジスト塗
布・加熱室１６にはあらかじめガス導入管６を通じて不
活性ガスを導入しておき、予備室１７内の圧力と同等の
圧力に加圧しておく。

【００３７】次に、第１の実施形態と同様にして、レジ
スト供給ノズル５からレジストをウェーハ３上に吐出
し、塗布した後、アーム１８を用いて、オーブン９上に
ウェーハ３を搬送する。次に、ウェーハ３をオーブン９
によって５０〜１５０℃に加熱した後、ガス排出管７を
通じてレジスト塗布・加熱室１６内の不活性ガスを排出
し、レジスト塗布・加熱室１６内の圧力を大気圧に戻
す。次に、レジスト塗布・加熱室１６のドア２０を開
け、このドア２０を通じてウェーハ３をレジスト塗布・
加熱室１６から搬出する。

【００３８】この後、レジストの露光および現像の工程
を経て、ウェーハ３上にレジストパターンが形成され
る。以上のように、この第２の実施形態によれば、大気
圧よりも高くレジスト供給ノズル５内の圧力以下の圧力
下でレジスト供給ノズル５からウェーハ３上にレジスト
を吐出し、塗布するようにしていることにより、第１の
実施形態と同様な利点を得ることができる。

【００３９】次に、この発明の第３の実施形態によるレ
ジスト塗布装置について説明する。図３はこのレジスト
塗布装置を示す略線図である。図３に示すように、この
レジスト塗布装置は、レジスト塗布室１とオーブン９と
を有している。レジスト塗布室１においては、ウェーハ
３を保持するウェーハチャック４がその中心軸の周りに
回転可能に設けられている。また、ウェーハチャック４
の上方の部分におけるレジスト塗布室１の上部には、レ
ジスト供給ノズル５が設けられているとともに、ガス導
入管６とガス排出管７とが設けられている。そして、第
１の実施形態と同様に、ガス導入管６から不活性ガスを
レジスト塗布室１内に導入し、加圧することができるよ
うになっている。また、ガス排出管７に接続された外部
真空ポンプ（図示せず）によって、レジスト塗布室１内
を減圧することができるようになっている。また、レジ
スト塗布室１の一側面にはウェーハ３を導入するための
ドア２４が設けられ、他の一側面にはウェーハ３を搬出
するためのドア２５が設けられている。

【００４０】さらに、ドア２５に隣接してアーム２６が
設けられており、このアーム２６を用いて、ウェーハ３
を搬送することができるようになっている。また、オー
ブン９は大気圧下に置かれており、ウェーハ３を加熱す
る工程を大気圧下で行うようになっている。

【００４１】次に、この発明の第３の実施形態によるレ
ジスト塗布方法について説明する。この第３の実施形態
によるレジスト塗布方法においては、図３に示すレジス
ト塗布装置を用いて、次のようにしてレジストの塗布を
行う。すなわち、まず、ウェーハ３を収納したキャリア
１５をレジスト塗布装置の所定位置にセットする。次
に、レジスト塗布室１のドア２４を開け、このドア２４
を通じてキャリア１５からウェーハ３をレジスト塗布室
１内に搬送し、ウェーハチャック４上に載せる。次に、
ドア２４を閉めた後、ガス導入管６を通じてレジスト塗
布室１内に不活性ガスを導入し、第１の実施形態と同様
の圧力まで加圧した後、第１の実施形態と同様にしてウ
ェーハ３上にレジストを塗布する。次に、レジスト塗布
室１内の不活性ガスをガス排出管７を通じて排出し、レ
ジスト塗布室１内の圧力を大気圧に戻す。このとき、こ
の大気圧への減圧は、好適には、一定の速さで、５分以
上の時間をかけて行う。このようにすることにより、こ
の大気圧への減圧の際に生ずる圧力変化によりレジスト
にマイクロバブルが発生するのを抑えることができる。

【００４２】次に、ドア２５を開け、アーム２６によっ
てウェーハ３をレジスト塗布室１から搬出し、オーブン
９の上に載せる。その後、ウェーハ３を大気圧下で例え
ば５０〜１５０℃に加熱する。この後、レジストの露光
および現像の工程を経て、ウェーハ３上にレジストパタ
ーンが形成される。

【００４３】以上のように、この第３の実施形態によれ
ば、大気圧よりも高くレジスト供給ノズル５内の圧力以
下の圧力下でレジスト供給ノズル５からウェーハ３上に
レジストを吐出し、塗布するようにしていることによ
り、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

【００４４】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。

【００４５】例えば、上述の第１〜第３の実施形態によ
るレジスト塗布装置の構成はあくまでも例に過ぎず、必
要に応じてこれらと異なる構成のレジスト塗布装置を用
いてもよい。一例を挙げると、第３の実施形態によるレ
ジスト塗布装置において、レジスト塗布室１とは別に加
熱室を設け、この加熱室内にオーブン９を設けてもよ
い。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、大気圧よりも高くレジスト供給ノズル内の圧力以下
の圧力下でレジスト供給ノズルから基板上にレジストを
吐出するようにしていることにより、レジスト供給ノズ
ルからレジストが吐出されるときに生ずる圧力差を少な
くすることができ、この圧力差による気体の溶解度の変
化を少なくすることができる。これによって、マイクロ
バブルの発生を抑えることができるので、微細なレジス
トパターンを精度よく形成することができ、かつ、現像
欠陥を抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態によるレジスト塗布
装置を示す略線図である。

【図２】この発明の第２の実施形態によるレジスト塗布
装置を示す略線図である。

【図３】この発明の第３の実施形態によるレジスト塗布
装置を示す略線図である。

【図４】従来のレジスト現像方法の一例を説明するため
の平面図である。

【図５】従来のレジスト現像方法の一例を説明するため
の側面図である。

【図６】従来のレジスト現像方法の一例を説明するため
の拡大底面図である。

【図７】従来のレジスト現像方法の他の例を説明するた
めの平面図である。

【図８】従来のレジスト現像方法の他の例を説明するた
めの側面図である。

【図９】従来のレジスト現像方法によりレジストの現像
を行った場合に発生する現像欠陥を説明するための断面
図である。

【符号の説明】

１・・・レジスト塗布室、２・・・加熱室、３・・・ウ
ェーハ、５・・・レジスト供給ノズル、６、１０・・・
ガス導入管、７、１１・・・ガス排出管、９・・・オー
ブン

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にレジスト供給ノズルからレジス
   トを吐出し、塗布するようにしたレジスト塗布方法にお
   いて、 大気圧よりも高く上記レジスト供給ノズル内の圧力以下
   の圧力下で上記レジスト供給ノズルから上記レジストを
   吐出するようにしたことを特徴とするレジスト塗布方
   法。
2. 【請求項２】 上記レジストを吐出する工程から上記基
   板を最初に加熱する工程までを、大気圧よりも高く上記
   レジスト供給ノズル内の圧力以下の圧力下で行うことを
   特徴とする請求項１記載のレジスト塗布方法。
3. 【請求項３】 上記レジストを塗布する容器内で上記基
   板上に上記レジストを塗布した後、上記レジストを塗布
   する容器内の圧力を５分以上の時間をかけて大気圧まで
   減圧し、その後上記基板を加熱することを特徴とする請
   求項１記載のレジスト塗布方法。
4. 【請求項４】 基板上にレジスト供給ノズルからレジス
   トを吐出し、塗布するようにしたレジスト塗布装置にお
   いて、 大気圧よりも高く上記レジスト供給ノズル内の圧力以下
   の圧力下で上記レジスト供給ノズルから上記レジストを
   吐出するようにしたことを特徴とするレジスト塗布装
   置。
5. 【請求項５】 上記基板上に上記レジストを塗布した
   後、上記レジストが塗布された上記基板を最初に加熱す
   る工程までの間に上記基板の周辺の雰囲気が大気圧にな
   らないように構成されていることを特徴とする請求項４
   記載のレジスト塗布装置。
6. 【請求項６】 上記基板上に上記レジストを塗布するた
   めの加圧および減圧可能な第１の容器と、上記基板を加
   熱するための加圧および減圧可能な第２の容器とを有
   し、上記第１の容器と上記第２の容器との間で上記基板
   を途中で大気にさらすことなく搬送することができるよ
   うに構成されていることを特徴とする請求項４記載のレ
   ジスト塗布装置。
7. 【請求項７】 上記基板上に上記レジストを塗布する部
   分と上記基板を加熱する部分とを備えた加圧および減圧
   可能な第１の容器と、上記レジストを塗布すべき上記基
   板を一旦収納するための加圧および減圧可能な第２の容
   器とを有し、上記第１の容器と上記第２の容器との間で
   上記基板を途中で大気にさらすことなく搬送することが
   できるように構成されていることを特徴とする請求項４
   記載のレジスト塗布装置。
8. 【請求項８】 上記基板上に上記レジストを塗布するた
   めの加圧および減圧可能な容器を有し、上記容器内で上
   記基板上に上記レジストを塗布した後、上記容器の外部
   で上記基板を加熱するように構成されていることを特徴
   とする請求項４記載のレジスト塗布装置。