JPH10256230A - ドライエッチング装置、およびエッチングにより発生する反応生成物を捕獲する方法 - Google Patents
ドライエッチング装置、およびエッチングにより発生する反応生成物を捕獲する方法Info
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- JPH10256230A JPH10256230A JP5177797A JP5177797A JPH10256230A JP H10256230 A JPH10256230 A JP H10256230A JP 5177797 A JP5177797 A JP 5177797A JP 5177797 A JP5177797 A JP 5177797A JP H10256230 A JPH10256230 A JP H10256230A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングにより発生する反応生成物を、タ
ーボ分子ポンプ以降の排気側配管に付着するのを防止す
ることができるドライエッチング装置を提供する。 【解決手段】 ドライエッチング装置は、ハロゲンガス
を用いたドライエッチングにより、半導体装置の配線材
料を加工する反応処理室を有する。また、排気側配管を
介して排気することにより、反応処理室を高真空に維持
する排気手段を有する。ここで、反応処理室と排気側配
管との間に、反応生成物を捕獲するための反応生成物捕
獲処理室を設置する。この反応生成物捕獲用処理室は、
反応生成物捕獲部１４と、この反応生成物捕獲部１４を
収納する外壁部１３とからなっている。また、外壁部１
３は、反応生成物捕獲部１４を取り出すことができる開
口部１５を有する本体部１６と、この本体部１６の開口
部１５にはめ込む蓋体部からなる。また、外壁部１３
は、反応生成物の捕獲効率を向上させるために、反応生
成物捕獲部１４を冷却する冷却手段８，９，１０を有す
る。反応生成物捕獲部１４は、反応生成物の捕獲面積を
増加させるためのフィン１１を有する。
ーボ分子ポンプ以降の排気側配管に付着するのを防止す
ることができるドライエッチング装置を提供する。 【解決手段】 ドライエッチング装置は、ハロゲンガス
を用いたドライエッチングにより、半導体装置の配線材
料を加工する反応処理室を有する。また、排気側配管を
介して排気することにより、反応処理室を高真空に維持
する排気手段を有する。ここで、反応処理室と排気側配
管との間に、反応生成物を捕獲するための反応生成物捕
獲処理室を設置する。この反応生成物捕獲用処理室は、
反応生成物捕獲部１４と、この反応生成物捕獲部１４を
収納する外壁部１３とからなっている。また、外壁部１
３は、反応生成物捕獲部１４を取り出すことができる開
口部１５を有する本体部１６と、この本体部１６の開口
部１５にはめ込む蓋体部からなる。また、外壁部１３
は、反応生成物の捕獲効率を向上させるために、反応生
成物捕獲部１４を冷却する冷却手段８，９，１０を有す
る。反応生成物捕獲部１４は、反応生成物の捕獲面積を
増加させるためのフィン１１を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体など
の製造に適用して好適なドライエッチング装置、および
エッチングにより発生する反応生成物を捕獲する方法に
関する。
の製造に適用して好適なドライエッチング装置、および
エッチングにより発生する反応生成物を捕獲する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
半導体装置の配線材量には、Ａｌ（Ａｌ系合金を含
む）、ＷおよびＴｉ系合金を単体若しくは積層の形で用
いるのが一般的であった。また、その加工には、フッ
素、塩素などのハロゲンガスが用いられていた。
半導体装置の配線材量には、Ａｌ（Ａｌ系合金を含
む）、ＷおよびＴｉ系合金を単体若しくは積層の形で用
いるのが一般的であった。また、その加工には、フッ
素、塩素などのハロゲンガスが用いられていた。
【０００３】上記配線材は、ハロゲンガスで比較的容易
に加工できる反面、エッチングの際に発生する反応生成
物の沸点が高いという問題がある。沸点の高い反応生成
物は、比較的低温部分、例えば、高真空排気用補助ポン
プとして使用されるターボ分子ポンプ内や排気側配管内
に積極的に吸着する。
に加工できる反面、エッチングの際に発生する反応生成
物の沸点が高いという問題がある。沸点の高い反応生成
物は、比較的低温部分、例えば、高真空排気用補助ポン
プとして使用されるターボ分子ポンプ内や排気側配管内
に積極的に吸着する。
【０００４】この結果、反応生成物がターボ分子ポンプ
や排気側配管内に堆積することで、装置の排気効率が劣
化し、そのため設定圧力に制御できなくなり、ひいては
加工不良が生じるなどの問題が起きた。
や排気側配管内に堆積することで、装置の排気効率が劣
化し、そのため設定圧力に制御できなくなり、ひいては
加工不良が生じるなどの問題が起きた。
【０００５】よって、反応処理室と同様に、ターボ分子
ポンプや排気側配管内についても定期的なメンテナンス
を施す必要があった。しかし、現状の装置構造では、排
気系のメンテナンス頻度が、他のプロセス装置に比べて
多かった。
ポンプや排気側配管内についても定期的なメンテナンス
を施す必要があった。しかし、現状の装置構造では、排
気系のメンテナンス頻度が、他のプロセス装置に比べて
多かった。
【０００６】また、ターボ分子ポンプのオーバーホール
費用は、概して高価であること、配管内のメンテナンス
に要する時間がかかることなどもあり、コスト面及び装
置のダウンタイムの面からも非常に損失が大きかった。
費用は、概して高価であること、配管内のメンテナンス
に要する時間がかかることなどもあり、コスト面及び装
置のダウンタイムの面からも非常に損失が大きかった。
【０００７】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、エッチングにより発生する反応生成物を、
ターボ分子ポンプ以降の排気側配管に付着するのを防止
することができるドライエッチング装置、およびエッチ
ングにより発生する反応生成物を捕獲する方法を提供す
ることを目的とする。
ものであり、エッチングにより発生する反応生成物を、
ターボ分子ポンプ以降の排気側配管に付着するのを防止
することができるドライエッチング装置、およびエッチ
ングにより発生する反応生成物を捕獲する方法を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、ハロゲンガスを用いたドライエッチングによ
り、半導体装置の配線材料を加工する反応処理室と、排
気側配管を介して排気することにより、反応処理室を高
真空に維持する排気手段を有するドライエッチング装置
において、反応処理室と排気側配管との間に、反応生成
物を捕獲するための反応生成物捕獲処理室を設置するも
のである。
グ装置は、ハロゲンガスを用いたドライエッチングによ
り、半導体装置の配線材料を加工する反応処理室と、排
気側配管を介して排気することにより、反応処理室を高
真空に維持する排気手段を有するドライエッチング装置
において、反応処理室と排気側配管との間に、反応生成
物を捕獲するための反応生成物捕獲処理室を設置するも
のである。
【０００９】また、本発明のエッチングにより発生する
反応生成物を捕獲する方法は、ハロゲンガスを用いたド
ライエッチングにより半導体装置の配線材料を加工する
反応処理室と、排気側配管を介して排気することにより
反応処理室を高真空に維持する排気手段とを有するドラ
イエッチング装置の、反応処理室と排気側配管との間
に、反応生成物を捕獲するための反応生成物捕獲処理室
を設置する方法である。
反応生成物を捕獲する方法は、ハロゲンガスを用いたド
ライエッチングにより半導体装置の配線材料を加工する
反応処理室と、排気側配管を介して排気することにより
反応処理室を高真空に維持する排気手段とを有するドラ
イエッチング装置の、反応処理室と排気側配管との間
に、反応生成物を捕獲するための反応生成物捕獲処理室
を設置する方法である。
【００１０】本発明のドライエッチング装置によれば、
反応処理室と排気側配管との間に、反応生成物を捕獲す
るための反応生成物捕獲処理室を設置することにより、
エッチングにより発生する反応生成物を、ターボ分子ポ
ンプ以降の排気側配管に付着するのを防止することがで
きる。
反応処理室と排気側配管との間に、反応生成物を捕獲す
るための反応生成物捕獲処理室を設置することにより、
エッチングにより発生する反応生成物を、ターボ分子ポ
ンプ以降の排気側配管に付着するのを防止することがで
きる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明ドライエッチング装
置、およびエッチングにより発生する反応生成物を捕獲
する方法の実施例について図１および図２を参照しなが
ら説明する。
置、およびエッチングにより発生する反応生成物を捕獲
する方法の実施例について図１および図２を参照しなが
ら説明する。
【００１２】図１は、本発明のドライエッチング装置の
要部を概念的に示したものである。図１中、上の方にあ
る反応処理室１では、半導体装置の配線材料をドライエ
ッチングにより加工する。半導体装置の配線材量には、
Ａｌ（Ａｌ系合金を含む）、ＷおよびＴｉ系合金を単体
若しくは積層の形で用いる。また、その加工には、フッ
素、塩素などのハロゲンガスを用いたドライエッチング
により行う。
要部を概念的に示したものである。図１中、上の方にあ
る反応処理室１では、半導体装置の配線材料をドライエ
ッチングにより加工する。半導体装置の配線材量には、
Ａｌ（Ａｌ系合金を含む）、ＷおよびＴｉ系合金を単体
若しくは積層の形で用いる。また、その加工には、フッ
素、塩素などのハロゲンガスを用いたドライエッチング
により行う。
【００１３】ここで、配線材は、ハロゲンガスで比較的
容易に加工できる反面、エッチングの際に反応生成物を
発生させる。
容易に加工できる反面、エッチングの際に反応生成物を
発生させる。
【００１４】反応処理室１及び圧力制御用のバタフライ
バルブ２はプロセスに支障を来さない程度の温度に制御
されている。通常は、この温度は６０℃程度に設定す
る。反応生成物が、反応処理室１およびバタフライバル
ブ２の内側表面に付着するのを防止するためである。
バルブ２はプロセスに支障を来さない程度の温度に制御
されている。通常は、この温度は６０℃程度に設定す
る。反応生成物が、反応処理室１およびバタフライバル
ブ２の内側表面に付着するのを防止するためである。
【００１５】上述の反応処理室１は、ターボ分子ポンプ
４および排気側配管５を介して、排気手段（図示せず）
により排気がなされ、高真空が維持される。
４および排気側配管５を介して、排気手段（図示せず）
により排気がなされ、高真空が維持される。
【００１６】反応処理室１とターボ分子ポンプ４との間
には、反応生成物を積極的に捕獲するための小型の反応
生成物捕獲処理室３を設置する。反応生成物捕獲処理室
３の詳細については後に述べる。
には、反応生成物を積極的に捕獲するための小型の反応
生成物捕獲処理室３を設置する。反応生成物捕獲処理室
３の詳細については後に述べる。
【００１７】反応生成物捕獲用処理室３と上流の反応処
理室１との間、および下流のターボ分子ポンプ４との間
には、真空遮断用のゲートバルブ６，６を設け、反応生
成物捕獲用処理室３を真空的に切り離すことができる。
理室１との間、および下流のターボ分子ポンプ４との間
には、真空遮断用のゲートバルブ６，６を設け、反応生
成物捕獲用処理室３を真空的に切り離すことができる。
【００１８】図２は、上述した反応生成物捕獲用処理室
の構成を詳細に示したものである。図に示すように、反
応生成物捕獲用処理室は、外壁部（図２Ａ）と反応生成
物捕獲部（図２Ｂ）とからなっている。
の構成を詳細に示したものである。図に示すように、反
応生成物捕獲用処理室は、外壁部（図２Ａ）と反応生成
物捕獲部（図２Ｂ）とからなっている。
【００１９】図２Ａにおいて、外壁部１３は、反応生成
物捕獲部１４（後に詳述する）を収納するものであり、
円筒状をなしている。また、反応生成物捕獲部１４を外
壁部１３に収納したときは、反応生成物捕獲部の外側表
面と外壁部１３の内側表面を密着させる。
物捕獲部１４（後に詳述する）を収納するものであり、
円筒状をなしている。また、反応生成物捕獲部１４を外
壁部１３に収納したときは、反応生成物捕獲部の外側表
面と外壁部１３の内側表面を密着させる。
【００２０】外壁部１３は少なくとも、２つの部分に分
解できる。すなわち、外壁部１３を分割して、一方の部
分（以下、「蓋体部」という）を取り外すと、図２Ａに
示すように、他方の部分（以下、「本体部」という）に
開口部１５が現れる。この開口部１５から、反応生成物
捕獲部を容易に取り出すことができる。
解できる。すなわち、外壁部１３を分割して、一方の部
分（以下、「蓋体部」という）を取り外すと、図２Ａに
示すように、他方の部分（以下、「本体部」という）に
開口部１５が現れる。この開口部１５から、反応生成物
捕獲部を容易に取り出すことができる。
【００２１】なお、蓋体部を本体部１６の開口部１５に
はめ込んだときは、この蓋体部と本体部１６の間はシー
ルにより真空漏れを防止している。また、本体部１６の
ねじ穴７は、蓋体部を開口部にはめ込んだ後に、蓋体部
を本体部１６に固定するため、ねじをねじ込むための穴
である。
はめ込んだときは、この蓋体部と本体部１６の間はシー
ルにより真空漏れを防止している。また、本体部１６の
ねじ穴７は、蓋体部を開口部にはめ込んだ後に、蓋体部
を本体部１６に固定するため、ねじをねじ込むための穴
である。
【００２２】また、本体部１６の冷却媒体用穴８は、冷
却媒体を流すための管であり、この冷却媒体用穴は蓋体
部にも同様に設けてある。蓋体部を本体部１６の開口部
１５にはめ込んだときは、本体部の冷却媒体用穴８と蓋
体部の冷却媒体用穴は液密状態で連結される。
却媒体を流すための管であり、この冷却媒体用穴は蓋体
部にも同様に設けてある。蓋体部を本体部１６の開口部
１５にはめ込んだときは、本体部の冷却媒体用穴８と蓋
体部の冷却媒体用穴は液密状態で連結される。
【００２３】外壁部１３は、反応生成物の捕獲効率を向
上させるため、上述したように、冷却手段を有してい
る。すなわち、外壁部内に冷却媒体を循環させる機構を
持たせている。冷却媒体としては水を用いる。冷却媒体
の温度は１５〜２０℃の範囲にあることが望ましい。冷
却媒体の温度を１５℃より低くするためには、特殊な配
管が必要で設備費が高くなる欠点があるからであり、２
０℃より高いと捕獲効率が低下するからである。なお、
水以外の冷却媒体を用いることができることはもちろん
である。
上させるため、上述したように、冷却手段を有してい
る。すなわち、外壁部内に冷却媒体を循環させる機構を
持たせている。冷却媒体としては水を用いる。冷却媒体
の温度は１５〜２０℃の範囲にあることが望ましい。冷
却媒体の温度を１５℃より低くするためには、特殊な配
管が必要で設備費が高くなる欠点があるからであり、２
０℃より高いと捕獲効率が低下するからである。なお、
水以外の冷却媒体を用いることができることはもちろん
である。
【００２４】上述したように、反応生成物捕獲部１４を
外壁部１３に収納したときは、反応生成物捕獲部１４の
外側表面と外壁部１３の内側表面は密着しているので、
反応生成物捕獲部１４から外壁部１３への熱伝導が効率
的になされる。
外壁部１３に収納したときは、反応生成物捕獲部１４の
外側表面と外壁部１３の内側表面は密着しているので、
反応生成物捕獲部１４から外壁部１３への熱伝導が効率
的になされる。
【００２５】したがって、外壁部１３内に冷却媒体を循
環することにより、反応生成物捕獲部１４を冷却するこ
とができ、さらにフィン１１（後に詳述する）を冷却す
ることができる。この結果、フィン１１における反応生
成物の捕獲効率を向上させることができる。
環することにより、反応生成物捕獲部１４を冷却するこ
とができ、さらにフィン１１（後に詳述する）を冷却す
ることができる。この結果、フィン１１における反応生
成物の捕獲効率を向上させることができる。
【００２６】反応生成物捕獲部１４は、図２Ｂに示すよ
うに、円筒状（図２Ｂは、円筒の軸方向の断面図を示し
ている）である。また、反応生成物捕獲部１４の内側
は、その表面積を大きくする構造を有している。言い換
えると、反応生成物捕獲部１４の内側の表面積は、反応
生成物捕獲部１４が円筒のみからなると仮定したときの
内側の表面積よりも大きい。すなわち、表面積を拡大す
る部分（以下、「表面積拡大部」という）を設けてい
る。
うに、円筒状（図２Ｂは、円筒の軸方向の断面図を示し
ている）である。また、反応生成物捕獲部１４の内側
は、その表面積を大きくする構造を有している。言い換
えると、反応生成物捕獲部１４の内側の表面積は、反応
生成物捕獲部１４が円筒のみからなると仮定したときの
内側の表面積よりも大きい。すなわち、表面積を拡大す
る部分（以下、「表面積拡大部」という）を設けてい
る。
【００２７】本実施例では、図２Ｂに示すように、反応
生成物捕獲部１４は、排気効率を著しく劣化させない程
度に、表面積拡大部として、フィン１１を設け、反応生
成物捕獲部１４内の表面積を増やし、捕獲効率を向上さ
せている。
生成物捕獲部１４は、排気効率を著しく劣化させない程
度に、表面積拡大部として、フィン１１を設け、反応生
成物捕獲部１４内の表面積を増やし、捕獲効率を向上さ
せている。
【００２８】図２Ｂのフィンは３段構造からなり、下に
行くほど中心に設けた穴の直径が小さくな行っている。
これは、真空の下流側に行くほど接触面積を大きくし
て、反応生成物の捕獲効率を高めるためである。
行くほど中心に設けた穴の直径が小さくな行っている。
これは、真空の下流側に行くほど接触面積を大きくし
て、反応生成物の捕獲効率を高めるためである。
【００２９】なお、フィンの形状は図２Ｂに示したもの
に限るものではない。反応生成物捕獲部を、二重の筒の
形状として両者の間に螺旋状に金属板を設けることもで
きる。 このほか、接触面積を大きくする形状とするこ
とであれば、その他のものを採用できることはもちろん
である。
に限るものではない。反応生成物捕獲部を、二重の筒の
形状として両者の間に螺旋状に金属板を設けることもで
きる。 このほか、接触面積を大きくする形状とするこ
とであれば、その他のものを採用できることはもちろん
である。
【００３０】反応生成物捕獲部１４は、アルミニウムか
らなっている。熱伝導度が大きく、捕獲効率を大きくす
ることができるからである。生成物捕獲部の材質は、上
述のアルミニウムに限らず、ＳＵＳなどその他の金属を
用いることもできる。
らなっている。熱伝導度が大きく、捕獲効率を大きくす
ることができるからである。生成物捕獲部の材質は、上
述のアルミニウムに限らず、ＳＵＳなどその他の金属を
用いることもできる。
【００３１】また、構成材としては、フッ酸処理（Ａｌ
系反応生成物除去に使用）や、過水処理（Ｔｉ系、Ｗ系
反応生成物除去に使用）に耐え得るものであることが望
ましい。
系反応生成物除去に使用）や、過水処理（Ｔｉ系、Ｗ系
反応生成物除去に使用）に耐え得るものであることが望
ましい。
【００３２】なお、外壁部に冷却媒体を循環しなくて
も、面積拡大部の面積が大きいので室温でも反応生成物
を捕獲することができる。
も、面積拡大部の面積が大きいので室温でも反応生成物
を捕獲することができる。
【００３３】以上のことから、本実施例によれば、反応
処理室とターボ分子ポンプとの間に、反応生成物捕獲処
理室を設けることで、ターボ分子ポンプ及び排気側配管
のメンテナンス頻度を低減することが可能となり、コス
ト面及びマシンのダウンタイムなどの設備生産性の面で
効果がある。
処理室とターボ分子ポンプとの間に、反応生成物捕獲処
理室を設けることで、ターボ分子ポンプ及び排気側配管
のメンテナンス頻度を低減することが可能となり、コス
ト面及びマシンのダウンタイムなどの設備生産性の面で
効果がある。
【００３４】また、反応生成物捕獲処理室を真空的に切
り離すことで、反応処理室及びターボ分子ポンプを停止
させることなく、捕獲処理室をオーバーホールできるこ
とにより、メンテナンス性の簡略化、短時間化に効果が
ある。
り離すことで、反応処理室及びターボ分子ポンプを停止
させることなく、捕獲処理室をオーバーホールできるこ
とにより、メンテナンス性の簡略化、短時間化に効果が
ある。
【００３５】なお、本発明は上述の実施例に限らず本発
明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採り得
ることはもちろんである。
明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採り得
ることはもちろんである。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反応処理室とターボ分子ポンプとの間に、反応生成物捕
獲処理室を設けることで、反応生成物がターボ分子ポン
プや排気側配管内に堆積するのを防止でき、装置の排気
効率を高く維持することができる。
反応処理室とターボ分子ポンプとの間に、反応生成物捕
獲処理室を設けることで、反応生成物がターボ分子ポン
プや排気側配管内に堆積するのを防止でき、装置の排気
効率を高く維持することができる。
【００３７】また、ターボ分子ポンプ及び排気側配管の
メンテナンス頻度を低減することが可能となり、コスト
を低減できるとともに、マシンのダウンタイムを短くす
ることができる。
メンテナンス頻度を低減することが可能となり、コスト
を低減できるとともに、マシンのダウンタイムを短くす
ることができる。
【００３８】また、反応生成物捕獲処理室を真空的に切
り離すことで、反応処理室及びターボ分子ポンプを停止
させることなく、捕獲処理室をオーバーホールできるこ
とにより、メンテナンス性の簡略化、短時間化を図るこ
とができる。
り離すことで、反応処理室及びターボ分子ポンプを停止
させることなく、捕獲処理室をオーバーホールできるこ
とにより、メンテナンス性の簡略化、短時間化を図るこ
とができる。
【図１】本発明ドライエッチング装置の要部を示す構成
図である。
図である。
【図２】本発明ドライエッチング装置の反応生成物捕獲
処理室の概略を示す構成図である。
処理室の概略を示す構成図である。
１ 反応処理室、２ バタフライバルブ、３ 反応生成
物捕獲処理室、４ ターボ分子ポンプ、５ 排気側配
管、６ ゲートバルブ、７ ネジ穴、８ 冷却媒体用
穴、９ 冷却媒体入口、１０ 冷却媒体出口、１１ フ
ィン、１３ 外壁部、１４ 反応生成物捕獲部、１５
開口部、１６ 本体部
物捕獲処理室、４ ターボ分子ポンプ、５ 排気側配
管、６ ゲートバルブ、７ ネジ穴、８ 冷却媒体用
穴、９ 冷却媒体入口、１０ 冷却媒体出口、１１ フ
ィン、１３ 外壁部、１４ 反応生成物捕獲部、１５
開口部、１６ 本体部
Claims (18)
- 【請求項１】 ハロゲンガスを用いたドライエッチング
により、半導体装置の配線材料を加工する反応処理室
と、 排気側配管を介して排気することにより、上記反応処理
室を高真空に維持する排気手段を有するドライエッチン
グ装置において、 上記反応処理室と上記排気側配管との間に、反応生成物
を捕獲するための反応生成物捕獲処理室を設置すること
を特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項２】 反応生成物捕獲処理室は、その内側に表
面積拡大部を設けていることを特徴とする請求項１記載
のドライエッチング装置。 - 【請求項３】 反応生成物捕獲処理室は、その内側にフ
ィンを設けていることを特徴とする請求項１記載のドラ
イエッチング装置。 - 【請求項４】 反応生成物捕獲用処理室は、その内側に
表面積拡大部を設けた反応生成物捕獲部と、この反応生
成物捕獲部を収納する外壁部とからなっていることを特
徴とする請求項１記載のドライエッチング装置。 - 【請求項５】 反応生成物捕獲用処理室は、その内側に
表面積拡大部を設けた反応生成物捕獲部と、この反応生
成物捕獲部を収納する外壁部とからなり、 外壁部は、上記反応生成物捕獲部を取り出すことができ
る開口部を有する本体部と、この本体部の開口部にはめ
込む蓋体部からなることを特徴とする請求項１記載のド
ライエッチング装置。 - 【請求項６】 反応生成物捕獲用処理室は、その内側に
表面積拡大部を設けた反応生成物捕獲部と、この反応生
成物捕獲部を収納する外壁部とからなり、 上記反応生成物捕獲用処理室と上流の反応処理室との
間、および下流の排気側配管との間に、真空遮断用のゲ
ートバルブを設けることを特徴とする請求項１記載のド
ライエッチング装置。 - 【請求項７】 反応生成物捕獲用処理室は、反応生成物
捕獲部を冷却する冷却手段を有することを特徴とする請
求項１記載のドライエッチング装置。 - 【請求項８】 反応生成物捕獲用処理室は、反応生成物
捕獲部を冷却する冷却手段を有し、かつ、その内側に表
面積拡大部を設けていることを特徴とする請求項１記載
のドライエッチング装置。 - 【請求項９】 反応生成物捕獲用処理室は、反応生成物
捕獲部を冷却する冷却手段を有し、かつ、その内側にフ
ィンを設けていることを特徴とする請求項１記載のドラ
イエッチング装置。 - 【請求項１０】 反応生成物捕獲用処理室は、反応生成
物捕獲部を冷却する冷却手段を有し、かつ、その内側に
表面積拡大部を設けた反応生成物捕獲部と、この反応生
成物捕獲部を収納する外壁部とからなっていることを特
徴とする請求項１記載のドライエッチング装置。 - 【請求項１１】 反応生成物捕獲用処理室は、反応生成
物捕獲部を冷却する冷却手段を有し、かつ、その内側に
表面積拡大部を設けた反応生成物捕獲部と、この反応生
成物捕獲部を収納する外壁部とからなり、 外壁部は、上記反応生成物捕獲部を取り出すことができ
る開口部を有する本体部と、この本体部の開口部にはめ
込む蓋体部からなることを特徴とする請求項１記載のド
ライエッチング装置。 - 【請求項１２】 反応生成物捕獲用処理室は、反応生成
物捕獲部を冷却する冷却手段を有し、かつ、その内側に
表面積拡大部を設けた反応生成物捕獲部と、この反応生
成物捕獲部を収納する外壁部とからなり、 上記反応生成物捕獲用処理室と上流の反応処理室との
間、および下流の排気側配管との間に、真空遮断用のゲ
ートバルブを設けることを特徴とする請求項１記載のド
ライエッチング装置。 - 【請求項１３】 ハロゲンガスを用いたドライエッチン
グにより半導体装置の配線材料を加工する反応処理室
と、排気側配管を介して排気することにより上記反応処
理室を高真空に維持する排気手段とを有するドライエッ
チング装置の、 上記反応処理室と上記排気側配管との間に、 反応生成物を捕獲するための反応生成物捕獲処理室を設
置することを特徴とするエッチングにより発生する反応
生成物を捕獲する方法。 - 【請求項１４】 反応生成物捕獲処理室は、その内側に
表面積拡大部を設けていることを特徴とする請求項１３
記載のエッチングにより発生する反応生成物を捕獲する
方法。 - 【請求項１５】 反応生成物捕獲処理室は、その内側に
フィンを設けていることを特徴とする請求項１３記載の
エッチングにより発生する反応生成物を捕獲する方法。 - 【請求項１６】 反応生成物捕獲用処理室は、反応生成
物捕獲部を冷却する冷却手段を有することを特徴とする
請求項１３記載のエッチングにより発生する反応生成物
を捕獲する方法。 - 【請求項１７】 反応生成物捕獲用処理室は、反応生成
物捕獲部を冷却する冷却手段を有し、かつ、その内側に
表面積拡大部を設けていることを特徴とする請求項１３
記載のエッチングにより発生する反応生成物を捕獲する
方法。 - 【請求項１８】 反応生成物捕獲用処理室は、反応生成
物捕獲部を冷却する冷却手段を有し、かつ、その内側に
フィンを設けていることを特徴とする請求項１３記載の
エッチングにより発生する反応生成物を捕獲する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5177797A JPH10256230A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | ドライエッチング装置、およびエッチングにより発生する反応生成物を捕獲する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5177797A JPH10256230A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | ドライエッチング装置、およびエッチングにより発生する反応生成物を捕獲する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256230A true JPH10256230A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=12896389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5177797A Pending JPH10256230A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | ドライエッチング装置、およびエッチングにより発生する反応生成物を捕獲する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6478923B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Vacuum operation apparatus |
-
1997
- 1997-03-06 JP JP5177797A patent/JPH10256230A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6478923B1 (en) | 1999-08-20 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Vacuum operation apparatus |
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