JPH10223572A - ダイシング方法および半導体装置 - Google Patents
ダイシング方法および半導体装置Info
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- JPH10223572A JPH10223572A JP2674297A JP2674297A JPH10223572A JP H10223572 A JPH10223572 A JP H10223572A JP 2674297 A JP2674297 A JP 2674297A JP 2674297 A JP2674297 A JP 2674297A JP H10223572 A JPH10223572 A JP H10223572A
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- dicing
- thickness
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハのダイシング時におけるシリコ
ン屑の発生量を抑制する。 【解決手段】 半導体ウェハ１の厚さをＡ、ダイシング
による切り残し量をＢとした場合、Ａ＞Ｂ＞１００μ
ｍ、の関係が成立する切り残し量となるように第１のブ
レードにより半導体ウェハ１をダイシングする第１の工
程と、第１のブレードの刃厚をＣ、第２のブレード３ｂ
の刃厚をＤとした場合、（Ｃ−５μｍ）≧Ｄ＞３０μ
ｍ、の関係が成立する刃厚を有する第２のブレード３ｂ
で第１のブレードによりダイシングされた箇所をさらに
ダイシングして半導体ウェハ１を個々のＬＳＩチップに
分離する第２の工程とでダイシングを実行する。
ン屑の発生量を抑制する。 【解決手段】 半導体ウェハ１の厚さをＡ、ダイシング
による切り残し量をＢとした場合、Ａ＞Ｂ＞１００μ
ｍ、の関係が成立する切り残し量となるように第１のブ
レードにより半導体ウェハ１をダイシングする第１の工
程と、第１のブレードの刃厚をＣ、第２のブレード３ｂ
の刃厚をＤとした場合、（Ｃ−５μｍ）≧Ｄ＞３０μ
ｍ、の関係が成立する刃厚を有する第２のブレード３ｂ
で第１のブレードによりダイシングされた箇所をさらに
ダイシングして半導体ウェハ１を個々のＬＳＩチップに
分離する第２の工程とでダイシングを実行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイシング方法に
関し、特に、ダイシング時におけるシリコン屑の発生抑
制に適用して有効な技術に関する。
関し、特に、ダイシング時におけるシリコン屑の発生抑
制に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体装置は、多数の集積回路が
升目状に形成された半導体ウェハをダイシングによって
個々の半導体チップに切り分け、それぞれについて封止
体でパッケージングし、またはベアチップとして半導体
チップのまま完成品として出荷される。
升目状に形成された半導体ウェハをダイシングによって
個々の半導体チップに切り分け、それぞれについて封止
体でパッケージングし、またはベアチップとして半導体
チップのまま完成品として出荷される。
【０００３】なお、ダイシング技術を詳しく記載してい
る例としては、たとえば、日経ＢＰ社発行、「実践講座
ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」（1993年 5月31
日発行）、 P14〜 P16がある。
る例としては、たとえば、日経ＢＰ社発行、「実践講座
ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」（1993年 5月31
日発行）、 P14〜 P16がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ダイシング時において
は、研削液として使われる純水の比抵抗が高いと、研削
により発生したシリコン屑が静電気を帯びて半導体ウェ
ハに付着しやすくなる。このようなシリコン屑が後工程
へ流れると、予期しないトラブルの発生原因になる。
は、研削液として使われる純水の比抵抗が高いと、研削
により発生したシリコン屑が静電気を帯びて半導体ウェ
ハに付着しやすくなる。このようなシリコン屑が後工程
へ流れると、予期しないトラブルの発生原因になる。
【０００５】つまり、シリコン屑がアルミニウムの電極
表面に付着するとワイヤボンディングの接合不良を起こ
すことがある。また、温度ストレスと電気的ストレスと
を与えて初期故障となるものを除去するバーンインおよ
びテスティングに用いられる導通キャリアにシリコン屑
が付着し、これが半導体チップ表面に再付着すると、回
路部分が損傷したり電極配線が切断されることがある。
表面に付着するとワイヤボンディングの接合不良を起こ
すことがある。また、温度ストレスと電気的ストレスと
を与えて初期故障となるものを除去するバーンインおよ
びテスティングに用いられる導通キャリアにシリコン屑
が付着し、これが半導体チップ表面に再付着すると、回
路部分が損傷したり電極配線が切断されることがある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、半導体ウェハの
ダイシング時におけるシリコン屑の発生量を抑制するこ
とのできる技術を提供することにある。
ダイシング時におけるシリコン屑の発生量を抑制するこ
とのできる技術を提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【０００９】すなわち、本発明によるダイシング方法
は、半導体ウェハの厚さをＡ、ダイシングによる切り残
し量をＢとした場合、Ａ＞Ｂ＞１００μｍ、の関係が成
立する切り残し量となるように第１のブレードにより半
導体ウェハをダイシングする第１の工程と、第１のブレ
ードの刃厚をＣ、第２のブレードの刃厚をＤとした場
合、（Ｃ−５μｍ）≧Ｄ＞３０μｍ、の関係が成立する
刃厚を有する第２のブレードで第１のブレードによりダ
イシングされた箇所をさらにダイシングして半導体ウェ
ハを個々のＬＳＩチップに分離する第２の工程とを有す
ることを特徴とするものである。
は、半導体ウェハの厚さをＡ、ダイシングによる切り残
し量をＢとした場合、Ａ＞Ｂ＞１００μｍ、の関係が成
立する切り残し量となるように第１のブレードにより半
導体ウェハをダイシングする第１の工程と、第１のブレ
ードの刃厚をＣ、第２のブレードの刃厚をＤとした場
合、（Ｃ−５μｍ）≧Ｄ＞３０μｍ、の関係が成立する
刃厚を有する第２のブレードで第１のブレードによりダ
イシングされた箇所をさらにダイシングして半導体ウェ
ハを個々のＬＳＩチップに分離する第２の工程とを有す
ることを特徴とするものである。
【００１０】このダイシング方法において、第１のブレ
ードによる切り残し量は、望ましくは２００±１００μ
ｍ、特に望ましくは２００±５０μｍとする。
ードによる切り残し量は、望ましくは２００±１００μ
ｍ、特に望ましくは２００±５０μｍとする。
【００１１】また、このダイシング方法において、第２
のブレードの刃厚Ｄは、望ましくは（Ｃ−１０μｍ）≧
Ｄ＞４０μｍ、特に望ましくはＣ＝８０μｍ、Ｄ＝５０
μｍとする。
のブレードの刃厚Ｄは、望ましくは（Ｃ−１０μｍ）≧
Ｄ＞４０μｍ、特に望ましくはＣ＝８０μｍ、Ｄ＝５０
μｍとする。
【００１２】さらに、これらのダイシング方法におい
て、第１のブレードの全周にわたって形成された切断面
をテーパ状にすることがよい。
て、第１のブレードの全周にわたって形成された切断面
をテーパ状にすることがよい。
【００１３】上記した手段によれば、半導体ウェハを第
２のブレードでダイシングする際における切断強度を確
保することができるので、ウェハ裏面のチッピングが抑
制されて、シリコン屑の発生量を低減することが可能に
なる。
２のブレードでダイシングする際における切断強度を確
保することができるので、ウェハ裏面のチッピングが抑
制されて、シリコン屑の発生量を低減することが可能に
なる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一の機能を有する部材には同一
の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一の機能を有する部材には同一
の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態であるダイシング方法によりダイシングされる半導
体ウェハを示す概略図、図２は図１の半導体ウェハの切
断前における断面図、図３は図１の半導体ウェハの第１
のブレードによる切断後における断面図、図４は図１の
半導体ウェハの第２のブレードによる切断後における断
面図である。
形態であるダイシング方法によりダイシングされる半導
体ウェハを示す概略図、図２は図１の半導体ウェハの切
断前における断面図、図３は図１の半導体ウェハの第１
のブレードによる切断後における断面図、図４は図１の
半導体ウェハの第２のブレードによる切断後における断
面図である。
【００１６】図１に示すように、集積回路が作り込まれ
た半導体ウェハ１はウェハシート２に貼着固定され、高
速回転するブレード３により、冷却水をかけられながら
ダイシングラインに沿って切削される。
た半導体ウェハ１はウェハシート２に貼着固定され、高
速回転するブレード３により、冷却水をかけられながら
ダイシングラインに沿って切削される。
【００１７】切断される半導体ウェハ１を図２に示す。
半導体ウェハ１はその回路形成面を外方に向けてウェハ
シート２に張り付けられており、たとえば直径が６イン
チ、厚さが４００μｍとなっている。
半導体ウェハ１はその回路形成面を外方に向けてウェハ
シート２に張り付けられており、たとえば直径が６イン
チ、厚さが４００μｍとなっている。
【００１８】本実施の形態において、半導体ウェハ１の
切断は、刃厚の異なる第１のブレード３ａと第２のブレ
ード３ｂにより同一箇所を２回に分けて切断するいわゆ
るステップカット方式で行われる（図３および図４参
照）。ここで、第１のブレード３ａにより切断される半
導体ウェハ１を図３に、第２のブレード３ｂに切断され
る半導体ウェハ１を図４にそれぞれ示す。
切断は、刃厚の異なる第１のブレード３ａと第２のブレ
ード３ｂにより同一箇所を２回に分けて切断するいわゆ
るステップカット方式で行われる（図３および図４参
照）。ここで、第１のブレード３ａにより切断される半
導体ウェハ１を図３に、第２のブレード３ｂに切断され
る半導体ウェハ１を図４にそれぞれ示す。
【００１９】たとえば８０μｍの刃厚Ｃを有する第１の
ブレード３ａでは半導体ウェハ１を２００μｍの深さで
ハーフカットするようになっており、したがって、切り
残し量Ｂは半導体ウェハ１の厚さ４００μｍから２００
μｍを引いた２００μｍとなっている。第１のブレード
３ａでの切断箇所をさらに切断して個片化する第２のブ
レード３ｂは、第１のブレード３ａよりも２０μｍ薄い
たとえば６０μｍの刃厚を有している。
ブレード３ａでは半導体ウェハ１を２００μｍの深さで
ハーフカットするようになっており、したがって、切り
残し量Ｂは半導体ウェハ１の厚さ４００μｍから２００
μｍを引いた２００μｍとなっている。第１のブレード
３ａでの切断箇所をさらに切断して個片化する第２のブ
レード３ｂは、第１のブレード３ａよりも２０μｍ薄い
たとえば６０μｍの刃厚を有している。
【００２０】このような第１および第２のブレード３
ａ，３ｂによるダイシングの結果を表１に示す。
ａ，３ｂによるダイシングの結果を表１に示す。
【００２１】ここでは、第１のブレード３ａ、第２のブ
レード３ｂの刃厚Ｃ，Ｄが、それぞれ８０μｍ、３０μ
ｍの場合、それぞれ８０μｍ、５０μｍの場合（前述の
場合）、および７０μｍ刃厚の単一のブレードを用いた
シングルカットの場合、の３つのケースについてのダイ
シング結果が示されている。切削スピードは８０mm／se
c 、１００mm／sec 、１０mm／sec であり、ステップカ
ットでの第１のブレード３ａの切り残し量Ｂは３５０〜
５０μｍの所定の値に設定した。なお、ウェハシート２
への切り込み量はいずれも１０μｍとした。
レード３ｂの刃厚Ｃ，Ｄが、それぞれ８０μｍ、３０μ
ｍの場合、それぞれ８０μｍ、５０μｍの場合（前述の
場合）、および７０μｍ刃厚の単一のブレードを用いた
シングルカットの場合、の３つのケースについてのダイ
シング結果が示されている。切削スピードは８０mm／se
c 、１００mm／sec 、１０mm／sec であり、ステップカ
ットでの第１のブレード３ａの切り残し量Ｂは３５０〜
５０μｍの所定の値に設定した。なお、ウェハシート２
への切り込み量はいずれも１０μｍとした。
【００２２】
【表１】
【００２３】この表１から分かるように、刃厚７０μｍ
のシングルカットでは切削抵抗が大きく、研削スピード
の下限である１０mm／sec において、ようやく裏面外観
不良（裏面の切断ラインのエッジが不定形破断状態にな
る不良）が発生しないレベルとなった。
のシングルカットでは切削抵抗が大きく、研削スピード
の下限である１０mm／sec において、ようやく裏面外観
不良（裏面の切断ラインのエッジが不定形破断状態にな
る不良）が発生しないレベルとなった。
【００２４】また、ステップカットにおいては、第２の
ブレード３ｂの刃厚Ｄが３０μｍの場合に裏面外観不良
が発生しないレベルとなった。そして、第２のブレード
３ｂの刃厚Ｄが５０μｍの場合には全く問題のないレベ
ルとなった。これは、刃厚３０μｍでのブレード剛性を
“１”とした場合の刃厚５０μｍの場合のブレード剛性
が約“1.６”であり、５０μｍ厚ブレードは３０μｍ厚
ブレードに対して1.６倍曲がりにくいことに起因してい
るものと思われる。したがって、第２のブレード３ｂの
刃厚Ｄが３０μｍ以下となった場合にはブレード剛性が
不足してブレード先端部分に振動が発生し、ウェハ裏面
においてクラックが発生し、シリコン屑を発生させる要
因になる。
ブレード３ｂの刃厚Ｄが３０μｍの場合に裏面外観不良
が発生しないレベルとなった。そして、第２のブレード
３ｂの刃厚Ｄが５０μｍの場合には全く問題のないレベ
ルとなった。これは、刃厚３０μｍでのブレード剛性を
“１”とした場合の刃厚５０μｍの場合のブレード剛性
が約“1.６”であり、５０μｍ厚ブレードは３０μｍ厚
ブレードに対して1.６倍曲がりにくいことに起因してい
るものと思われる。したがって、第２のブレード３ｂの
刃厚Ｄが３０μｍ以下となった場合にはブレード剛性が
不足してブレード先端部分に振動が発生し、ウェハ裏面
においてクラックが発生し、シリコン屑を発生させる要
因になる。
【００２５】これにより、ステップカットでの裏面外観
不良を防止するための第２のブレード３ｂの刃厚Ｄは最
低でも３０μｍ、望ましくは４０μｍ以上、最も望まし
くは５０μｍ以上が必要となる。
不良を防止するための第２のブレード３ｂの刃厚Ｄは最
低でも３０μｍ、望ましくは４０μｍ以上、最も望まし
くは５０μｍ以上が必要となる。
【００２６】また、第２のブレード３ｂの刃厚Ｄの上限
については次のようにして決定することができる。つま
り、第１のブレード３ａによるカット溝に第２のブレー
ド３ｂが入らなかった場合には第２のブレード３ｂにか
かる切削抵抗が大きくなってウェハ裏面にクラックが発
生し、シリコン屑を発生させる要因になる。したがっ
て、第２のブレード３ｂの刃厚Ｄは第１のブレード３ａ
のそれより少なくとも５μｍ以上、望ましくは１０μｍ
以上薄いことが必要となる。そして、前述のように、第
２のブレード３ｂの刃厚Ｄは５０μｍ以上あればベスト
であることからすると、最も望ましくはこの５０μｍ厚
で第１のブレード３ａより３０μｍ程度の薄いこと、つ
まり第１のブレード３ａの刃厚Ｃは８０μｍ程度が必要
となる。
については次のようにして決定することができる。つま
り、第１のブレード３ａによるカット溝に第２のブレー
ド３ｂが入らなかった場合には第２のブレード３ｂにか
かる切削抵抗が大きくなってウェハ裏面にクラックが発
生し、シリコン屑を発生させる要因になる。したがっ
て、第２のブレード３ｂの刃厚Ｄは第１のブレード３ａ
のそれより少なくとも５μｍ以上、望ましくは１０μｍ
以上薄いことが必要となる。そして、前述のように、第
２のブレード３ｂの刃厚Ｄは５０μｍ以上あればベスト
であることからすると、最も望ましくはこの５０μｍ厚
で第１のブレード３ａより３０μｍ程度の薄いこと、つ
まり第１のブレード３ａの刃厚Ｃは８０μｍ程度が必要
となる。
【００２７】これらのことから、第１のブレード３ａの
刃厚Ｃと第２のブレード３ｂの刃厚Ｄとの関係は、 （Ｃ−５μｍ）≧Ｄ＞３０μｍ、 好ましくは、（Ｃ−１０μｍ）≧Ｄ＞４０μｍ、特に好
ましくは、Ｃ＝８０μｍ、Ｄ＝５０μｍ、となる。
刃厚Ｃと第２のブレード３ｂの刃厚Ｄとの関係は、 （Ｃ−５μｍ）≧Ｄ＞３０μｍ、 好ましくは、（Ｃ−１０μｍ）≧Ｄ＞４０μｍ、特に好
ましくは、Ｃ＝８０μｍ、Ｄ＝５０μｍ、となる。
【００２８】また、表１において、第１のブレード３ａ
の刃厚Ｃを７０μｍ、第２のブレード３ｂの刃厚Ｄを５
０μｍに設定した場合では、切り込み量３００μｍつま
り切り残し量Ｂが１００μｍでは裏面外観不良が発生し
ている。また、切り込み量２００μｍつまり切り残し量
Ｂが２００μｍではこのような不良は発生していない。
これは、第１のブレード３ａによる切り残し量Ｂが１０
０μｍ以下では、切り残し部分のシリコンの強度が不足
してしまうことを意味する。そして、ダイシング時にシ
リコン強度が不足すると、ウェハ裏面にクラックが発生
してシリコン屑を発生させることになる。したがって、
第１のブレード３ａによるダイシングでは１００μｍ以
上の切り残し量Ｂが、つまり半導体ウェハ１の厚さをＡ
とすると、Ａ＞Ｂ＞１００μｍの関係が成立する切り残
し量Ｂが必要になる。但し、剛性に劣る第２のブレード
３ｂでのダイシング量は最小限にとどめておきたいの
で、切り残し量Ｂは、好ましくは２００±１００μｍ、
特に好ましくは２００±５０μｍと考えられる。
の刃厚Ｃを７０μｍ、第２のブレード３ｂの刃厚Ｄを５
０μｍに設定した場合では、切り込み量３００μｍつま
り切り残し量Ｂが１００μｍでは裏面外観不良が発生し
ている。また、切り込み量２００μｍつまり切り残し量
Ｂが２００μｍではこのような不良は発生していない。
これは、第１のブレード３ａによる切り残し量Ｂが１０
０μｍ以下では、切り残し部分のシリコンの強度が不足
してしまうことを意味する。そして、ダイシング時にシ
リコン強度が不足すると、ウェハ裏面にクラックが発生
してシリコン屑を発生させることになる。したがって、
第１のブレード３ａによるダイシングでは１００μｍ以
上の切り残し量Ｂが、つまり半導体ウェハ１の厚さをＡ
とすると、Ａ＞Ｂ＞１００μｍの関係が成立する切り残
し量Ｂが必要になる。但し、剛性に劣る第２のブレード
３ｂでのダイシング量は最小限にとどめておきたいの
で、切り残し量Ｂは、好ましくは２００±１００μｍ、
特に好ましくは２００±５０μｍと考えられる。
【００２９】そして、このような条件設定のもとにダイ
シングを行えば、半導体ウェハ１の裏面外観不良が防止
されてチッピングによるシリコン屑の発生量を抑制する
ことができる。
シングを行えば、半導体ウェハ１の裏面外観不良が防止
されてチッピングによるシリコン屑の発生量を抑制する
ことができる。
【００３０】（実施の形態２）図５は本発明の他の実施
の形態であるダイシング方法での第１のブレードによる
切断後における断面図である。
の形態であるダイシング方法での第１のブレードによる
切断後における断面図である。
【００３１】本実施の形態では、第１のブレード３ａの
全周にわたって形成された切断部がテーパ状になってお
り、その径方向の断面形状が略Ｖ字形となっている。な
お、その他の箇所やダイシング条件などは前記した実施
の形態１に示す場合と同様である。
全周にわたって形成された切断部がテーパ状になってお
り、その径方向の断面形状が略Ｖ字形となっている。な
お、その他の箇所やダイシング条件などは前記した実施
の形態１に示す場合と同様である。
【００３２】このように、切断部をテーパ状にすること
で、第１のブレード３ａがダイシングにより偏磨耗する
ことが防止され、一度設定した切断条件を安定して維持
することができる。
で、第１のブレード３ａがダイシングにより偏磨耗する
ことが防止され、一度設定した切断条件を安定して維持
することができる。
【００３３】（実施の形態３）図６は本発明のさらに他
の実施の形態であるダイシング方法での第１のブレード
による切断後における断面図である。
の実施の形態であるダイシング方法での第１のブレード
による切断後における断面図である。
【００３４】図示する場合においては、第１のブレード
３ａの切断部は、径方向の断面形状が台形となるような
テーパ状に形成されている。なお、本実施の形態でも、
第１のブレード３ａ以外の箇所やダイシング条件などは
前記した実施の形態１に示す場合と同様である。
３ａの切断部は、径方向の断面形状が台形となるような
テーパ状に形成されている。なお、本実施の形態でも、
第１のブレード３ａ以外の箇所やダイシング条件などは
前記した実施の形態１に示す場合と同様である。
【００３５】このように、第１のブレード３ａの切断部
のテーパ形状は、この実施の形態で示すように台形断面
など、略Ｖ字形断面以外の種々の断面形状となるように
形成することができる。
のテーパ形状は、この実施の形態で示すように台形断面
など、略Ｖ字形断面以外の種々の断面形状となるように
形成することができる。
【００３６】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
【００３７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【００３８】(1).本発明のダイシング方法によれば、半
導体ウェハを第２のブレードでダイシングする際におけ
る切断強度を確保することができるので、ウェハ裏面の
チッピングが抑制されて、シリコン屑の発生量を低減す
ることができる。
導体ウェハを第２のブレードでダイシングする際におけ
る切断強度を確保することができるので、ウェハ裏面の
チッピングが抑制されて、シリコン屑の発生量を低減す
ることができる。
【００３９】(2).前記した(1) により、シリコン屑に起
因したワイヤ接触不良や回路損傷の発生を防止すること
が可能になる。
因したワイヤ接触不良や回路損傷の発生を防止すること
が可能になる。
【図１】本発明の実施の形態１によるダイシング方法に
よりダイシングされる半導体ウェハを示す概略図であ
る。
よりダイシングされる半導体ウェハを示す概略図であ
る。
【図２】図１の半導体ウェハの切断前における断面図で
ある。
ある。
【図３】図１の半導体ウェハの第１のブレードによる切
断後における断面図である。
断後における断面図である。
【図４】図１の半導体ウェハの第２のブレードによる切
断後における断面図である。
断後における断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２によるダイシング方法で
の第１のブレードによる切断後における断面図である。
の第１のブレードによる切断後における断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３によるダイシング方法で
の第１のブレードによる切断後における断面図である。
の第１のブレードによる切断後における断面図である。
１ 半導体ウェハ ２ ウェハシート ３ ブレード ３ａ 第１のブレード ３ｂ 第２のブレード Ａ 半導体ウェハの厚さ Ｂ 切り残し量 Ｃ 刃厚 Ｄ 刃厚
Claims (7)
- 【請求項１】 集積回路の形成された半導体ウェハのダ
イシング方法であって、 前記半導体ウェハの厚さをＡ、ダイシングによる切り残
し量をＢとした場合、Ａ＞Ｂ＞１００μｍ、の関係が成
立する切り残し量となるように第１のブレードにより前
記半導体ウェハをダイシングする第１の工程と、 前記第１のブレードの刃厚をＣ、第２のブレードの刃厚
をＤとした場合、（Ｃ−５μｍ）≧Ｄ＞３０μｍ、の関
係が成立する刃厚を有する前記第２のブレードで前記第
１のブレードによりダイシングされた箇所をさらにダイ
シングして前記半導体ウェハを個々のＬＳＩチップに分
離する第２の工程とを有することを特徴とするダイシン
グ方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のダイシング方法におい
て、前記第１のブレードによる切り残し量は２００±１
００μｍであることを特徴とするダイシング方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のダイシング方法におい
て、前記第１のブレードによる切り残し量は、２００±
５０μｍであることを特徴とするダイシング方法。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載のダイシング
方法において、前記第２のブレードの刃厚Ｄは、（Ｃ−
１０μｍ）≧Ｄ＞４０μｍであることを特徴とするダイ
シング方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のダイシング方法におい
て、Ｃ＝８０μｍ、Ｄ＝５０μｍであることを特徴とす
るダイシング方法。 - 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載のダ
イシング方法において、前記第１のブレードの全周にわ
たって形成された切断面がテーパ状になっていることを
特徴とするダイシング方法。 - 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５または６記載
のダイシング方法にてダイシングされた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2674297A JPH10223572A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | ダイシング方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2674297A JPH10223572A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | ダイシング方法および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223572A true JPH10223572A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12201764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2674297A Pending JPH10223572A (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | ダイシング方法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223572A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274006A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体チップおよびその製造方法 |
| SG84586A1 (en) * | 1999-04-12 | 2001-11-20 | Tdk Corp | Processing method of device and processing method of slider |
| JP2006286968A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| JP2011044720A (ja) * | 2010-09-17 | 2011-03-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US9805937B2 (en) | 2015-02-26 | 2017-10-31 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| JP2021034499A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 株式会社ディスコ | 複数のチップの製造方法 |
-
1997
- 1997-02-10 JP JP2674297A patent/JPH10223572A/ja active Pending
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