JPH10190324A - Laminated type strip line resonator and its manufacture - Google Patents
Laminated type strip line resonator and its manufactureInfo
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- JPH10190324A JPH10190324A JP8350864A JP35086496A JPH10190324A JP H10190324 A JPH10190324 A JP H10190324A JP 8350864 A JP8350864 A JP 8350864A JP 35086496 A JP35086496 A JP 35086496A JP H10190324 A JPH10190324 A JP H10190324A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、積層型ストリップ
ライン共振器、特に、携帯通信用電話機等の高周波無線
機に用いられる共振回路や高周波回路、フィルタ等に使
用される積層型ストリップライン共振器及びその製造方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated strip line resonator, and more particularly to a laminated strip line resonator used in a high frequency radio device such as a portable communication telephone, a high frequency circuit, and a filter. And its manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】積層型ストリップライン共振器として、
特開平６−１２０７１３号公報に示されるものが知られ
ている。図１７にその斜視図を示す。この図１７によれ
ば第１の誘電体層１０１の上に理想共振器長よりも所定
長さだけ短いストリップライン１０２が形成され、この
ストリップライン１０２の上に第２の誘電体層１０３が
配置される。第１及び第２の誘電体層１０１，１０３の
外周には、背面、下面、上面、右側面、左側面に位置し
てそれぞれアース電極１０４〜１０８が設けられてお
り、ストリップライン１０２の短絡端に接続されてい
る。2. Description of the Related Art As a laminated strip line resonator,
One disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-120713 is known. FIG. 17 shows a perspective view thereof. According to FIG. 17, a strip line 102 shorter than the ideal resonator length by a predetermined length is formed on a first dielectric layer 101, and a second dielectric layer 103 is disposed on the strip line 102. Is done. Ground electrodes 104 to 108 are provided on the outer periphery of the first and second dielectric layers 101 and 103 on the rear surface, the lower surface, the upper surface, the right side surface, and the left side surface, respectively. It is connected to the.
【０００３】第２の誘電体層１０３の上には、第３の誘
電体層１０９が積層されている。第３の誘電体層１０９
の上面には、容量形成用電極１１０が形成されている。
また、第２及び第３の誘電体層１０３，１０９の側面に
は側面電極１１１が形成されており、この側面電極１１
１によりストリップライン１０２と容量形成用電極１１
０とが接続されている。[0003] On the second dielectric layer 103, a third dielectric layer 109 is laminated. Third dielectric layer 109
Is formed on the upper surface of the substrate.
Side electrodes 111 are formed on the side surfaces of the second and third dielectric layers 103 and 109.
1, the strip line 102 and the capacitance forming electrode 11
0 is connected.
【０００４】また、特開平６−１４０８０２号公報に
は、図１８のようなストリップライン共振器が示されて
いる。この共振器では、誘電体基板１２１の裏面から両
側面にかけてアース電極１２２を形成し、主面側にマイ
クロストリップライン１２３を形成している。マイクロ
ストリップライン１２３の幅方向の端部に位置して誘電
体基板１２１の主面側に溝１２４を形成し、この溝１２
４内にマイクロストリップライン１２３と導通する電極
を形成している。Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-140802 discloses a stripline resonator as shown in FIG. In this resonator, a ground electrode 122 is formed from the back surface to both side surfaces of a dielectric substrate 121, and a microstrip line 123 is formed on a main surface side. A groove 124 is formed at the widthwise end of the microstrip line 123 on the main surface side of the dielectric substrate 121, and the groove 12
4, an electrode which is electrically connected to the microstrip line 123 is formed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】前者の場合、ストリッ
プライン共振線路の構造が１層の板状であり、共振線路
を流れる電流は、表皮効果によりストリップライン共振
線路の両端エッジ部分に集中することとなる。したがっ
て、導体損が増加してその結果共振器のＱ値が劣化する
という問題点を有している。In the former case, the structure of the stripline resonance line is a single-layer plate, and the current flowing through the resonance line is concentrated on both end edges of the stripline resonance line by a skin effect. Becomes Therefore, there is a problem that the conductor loss increases, and as a result, the Q value of the resonator deteriorates.
【０００６】また、後者の場合、溝１２４内に形成され
た電極とマイクロストリップライン１２３とが導通して
いるため、溝１２４内に形成された電極の分だけマイク
ロストリップラインの面積が大きくなり、共振器のＱ値
が向上するという利点がある。しかしながら、セラミッ
ク材料で構成される誘電体基板１２１に溝１２４を形成
するための複雑な作業工程を必要とし、実施が困難であ
る。In the latter case, since the electrode formed in the groove 124 and the microstrip line 123 are electrically connected, the area of the microstrip line is increased by the amount of the electrode formed in the groove 124. There is an advantage that the Q value of the resonator is improved. However, it requires a complicated operation process for forming the groove 124 in the dielectric substrate 121 made of a ceramic material, and is difficult to implement.
【０００７】また、このような構造でトリプレート型の
共振器を構成する場合は、主面にストリップライン共振
線路を形成した誘電体基板上に他の誘電体基板を積層し
て貼り合わせることが考えられるが、各誘電体基板間に
ストリップライン共振線路の厚さ分の間隙を生じ、Ｑ値
の劣化や共振周波数のズレを発生する原因となる。ま
た、本願出願人は上述したような従来技術の問題点を解
決するために、ストリップラインの断面形状がＨ型であ
る積層型ストリップライン共振器を提案している。この
ようにした積層型ストリップライン共振器では、ストリ
ップラインの断面構造がＨ型をしているためストリップ
ラインのエッジにおける磁場の変化を緩やかにでき、回
路Ｑを向上させることが可能であるものの、回路Ｑを調
整するための因子がストリップラインの端面に形成され
た電極の高さのみであり、回路Ｑのさらなる向上を期待
することができない。In the case of forming a triplate type resonator with such a structure, another dielectric substrate may be laminated on a dielectric substrate having a stripline resonance line formed on a main surface and bonded together. It is conceivable that a gap corresponding to the thickness of the strip line resonance line is generated between the dielectric substrates, which causes deterioration of the Q value and deviation of the resonance frequency. In addition, in order to solve the above-mentioned problems of the related art, the applicant of the present application has proposed a laminated strip line resonator in which the cross section of the strip line is H-shaped. In such a laminated strip line resonator, since the cross-sectional structure of the strip line is H-shaped, the change in the magnetic field at the edge of the strip line can be moderated, and the circuit Q can be improved. The factor for adjusting the circuit Q is only the height of the electrode formed on the end face of the strip line, and further improvement of the circuit Q cannot be expected.
【０００８】本発明の目的は、小型化を可能とし、回路
Ｑが高く、且つ量産性に適した積層型ストリップライン
共振器を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a laminated strip line resonator which can be miniaturized, has a high circuit Q, and is suitable for mass production.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明に係る積層型スト
リップライン共振器は、主面にアース電極が形成された
第１の誘電体層の上に、主面にストリップラインが形成
された第２の誘電体層を積層し、さらに第２の誘電体層
の上に主面にアース電極が形成された第３の誘電体層が
積層されている。ここで、ストリップラインの幅方向両
端部および両端部より内側に位置して複数の電極形成用
溝を上下方向に延設し、電極形成用溝内にストリップラ
インと導通する複数の電極を形成し、ストリップライン
および複数の電極により複数のＨ型形状が連結された断
面形状のストリップラインを構成している。A laminated strip line resonator according to the present invention has a first dielectric layer having a ground electrode formed on a main surface, and a strip line formed on a main surface having a strip line formed on the first dielectric layer. A second dielectric layer, and a third dielectric layer having a ground electrode formed on the main surface on the second dielectric layer. Here, a plurality of electrode forming grooves are provided in the width direction at both ends and both ends in the width direction of the strip line and extend in the up-down direction, and a plurality of electrodes which are electrically connected to the strip line are formed in the electrode forming grooves. , A strip line and a plurality of electrodes constitute a strip line having a cross-sectional shape in which a plurality of H-shaped shapes are connected.
【００１０】このような構成とすることにより、積層型
ストリップライン共振器において溝内に構成した電極に
よりストリップラインのエッジにおける磁場の変化が緩
和されるので、従来よりも大きな共振器のＱを得ること
ができる。また、このような積層型ストリップライン共
振器は以下のような工程を経て製造することができる。
すなわち、本発明に係る積層型ストリップライン共振器
の製造方法は、（ａ）少なくともセラミックまたはガラ
スセラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能な樹脂
とを含有するスリップを作製する工程と、（ｂ）前記ス
リップを薄層化し、乾燥して絶縁層成形体を形成する工
程と、（ｃ）前記絶縁層成形体に露光処理を施し、絶縁
層成形体を硬化させる工程と、（ｄ）前記（ｃ）の工程
で形成された絶縁層成形体に対して、（ｂ）、（ｃ）の
工程を順次繰り返して前記絶縁層成形体が複数積層され
た第１の誘電体層用の成形体を作製する工程と、（ｅ）
前記第１の誘電体層用の成形体の主面に導電性ペースト
を塗布してアース電極導電部材を形成する工程と、
（ｆ）前記アース電極導電部材が形成された第１の誘電
体層用の成形体に対して、（ｂ）、（ｃ）の工程を順次
繰り返して前記絶縁層成形体が複数積層された第２の誘
電体層用の成形体を作製するとともに、前記第２の誘電
体層用の成形体の上層部における複数の絶縁層成形体の
それぞれに露光現像処理を施して複数の貫通孔を作成し
た後、前記貫通孔に導電性ペーストを充填し、導電性ペ
ーストが充填された下部電極形成用溝を形成する工程
と、（ｇ）第２の誘電体層用の成形体の主面に形成され
た複数の下部電極形成用溝と連続するように導電性ペー
ストを塗布してストリップラインを形成する工程と、
（ｈ）前記ストリップラインが形成された第２の誘電体
層用の成形体に対して、前記スリップを薄層化し乾燥し
て絶縁層成形体を形成し、この絶縁層成形体に露光現像
処理を施し複数の貫通穴を形成し、該貫通穴に導電性ペ
ーストを充填する工程を繰り返して導電性ペーストが充
填された複数の上部電極形成用溝を形成する工程と、
（ｉ）前記導電性ペーストが充填された複数の上部電極
形成用溝を有する絶縁層成形体に対して、（ｂ）、
（ｃ）の工程を順次繰り返して前記絶縁層成形体が複数
積層された第３の誘電体層用の成形体を作製する工程
と、（ｊ）第３の誘電体層用の成形体の主面に導電性ペ
ーストを塗布してアース電極導電部材を形成する工程
と、（ｋ）第１、第２、第３の誘電体層用の成形体が積
層された積層成形体を焼成する工程とを含む。[0010] With such a configuration, the change in the magnetic field at the edge of the strip line is reduced by the electrodes formed in the grooves in the laminated strip line resonator, so that a larger resonator Q than in the related art is obtained. be able to. Further, such a laminated strip line resonator can be manufactured through the following steps.
That is, the method of manufacturing a laminated strip line resonator according to the present invention includes: (a) a step of producing a slip containing at least an insulating layer material made of ceramic or glass ceramic and a photocurable resin; (D) thinning the slip and drying to form an insulating layer molded article; (c) exposing the insulating layer molded article to light to cure the insulating layer molded article; The steps (b) and (c) are sequentially repeated with respect to the insulating layer molded body formed in the step c) to form a first dielectric layer molded body in which a plurality of the insulating layer molded bodies are laminated. The step of producing; and (e)
A step of applying a conductive paste to a main surface of the molded body for the first dielectric layer to form a ground electrode conductive member;
(F) The steps (b) and (c) are sequentially repeated for the first dielectric layer formed body on which the ground electrode conductive member is formed, and a plurality of the insulating layer formed bodies are laminated. And forming a plurality of through-holes by subjecting each of the plurality of insulating layer formed bodies in the upper layer portion of the formed body for the second dielectric layer to exposure and development processing. After that, a step of filling the through hole with a conductive paste to form a groove for forming a lower electrode filled with the conductive paste, and (g) forming a groove on the main surface of the molded body for the second dielectric layer Forming a strip line by applying a conductive paste so as to be continuous with the plurality of formed lower electrode forming grooves,
(H) The slip is thinned and dried with respect to the molded body for the second dielectric layer on which the strip line is formed to form an insulating layer molded body, and this insulating layer molded body is exposed and developed. Forming a plurality of through-holes, forming a plurality of upper electrode forming grooves filled with conductive paste by repeating the step of filling the through-hole with conductive paste,
(I) For an insulating layer molded body having a plurality of upper electrode forming grooves filled with the conductive paste, (b)
(C) sequentially repeating the step of preparing a third dielectric layer molded body in which a plurality of the insulating layer molded bodies are laminated; and (j) forming a third dielectric layer molded body. Applying a conductive paste to the surface to form a ground electrode conductive member; and (k) firing a laminated molded body in which the molded bodies for the first, second, and third dielectric layers are laminated. including.
【００１１】このことにより、小型化に適し、回路Ｑが
高く、量産性に優れた積層型ストリップライン共振器を
容易に製造することが可能となる。また、本発明では、
主面にアース電極が形成された誘電体層の上に、主面に
ストリップラインが形成された誘電体層が積層され、さ
らにストリップラインが形成された誘電体層の上に主面
にアース電極が形成された誘電体層が積層される積層型
ストリップライン共振器である。ここで、ストリップラ
インの幅方向両端部に位置して１対の電極形成用溝を上
下方向に延設し、電極形成用溝内に前記ストリップライ
ンと導通する１対の電極を形成し、電極と導通し、スト
リップラインと平行でかつストリップラインよりも幅方
向長さが小さい第２ストリップラインが電極の上下両端
からそれぞれ延設している。As a result, it is possible to easily manufacture a laminated strip line resonator which is suitable for miniaturization, has a high circuit Q, and is excellent in mass productivity. In the present invention,
A dielectric layer having a strip line formed on the main surface is laminated on a dielectric layer having a ground electrode formed on the main surface, and a ground electrode is formed on the dielectric layer having the strip line formed on the main surface. Is a laminated strip line resonator in which the dielectric layers on which are formed are laminated. At this time, a pair of electrode forming grooves are provided at both ends in the width direction of the strip line to extend in a vertical direction, and a pair of electrodes electrically connected to the strip line are formed in the electrode forming groove. And a second strip line parallel to the strip line and having a smaller width direction length than the strip line extends from both upper and lower ends of the electrode.
【００１２】このことにより、前述した構成の積層型ス
トリップライン共振器と同様に、ストリップラインのエ
ッジにおける磁場の変化が緩和されるので、従来よりも
大きな共振器の回路Ｑを得ることができる。As a result, the change in the magnetic field at the edge of the strip line is reduced as in the case of the laminated strip line resonator having the above-described configuration, so that it is possible to obtain a resonator circuit Q larger than before.
【００１３】[0013]
〔第１実施形態〕本発明に係る積層型ストリップライン
共振器の一実施形態を図に基づいて説明する。第１誘電
体層１は、セラミックまたはガラスセラミックからな
り、第１誘電体層１の主面（図１上面）には、導電性材
料を印刷することによりアース電極１１が形成されてい
る。第１誘電体層１の主面側には、さらに、セラミック
またはガラスセラミックからなる第２誘電体層２が形成
されている。[First Embodiment] An embodiment of a laminated strip line resonator according to the present invention will be described with reference to the drawings. The first dielectric layer 1 is made of ceramic or glass ceramic, and a ground electrode 11 is formed on the main surface (the upper surface in FIG. 1) of the first dielectric layer 1 by printing a conductive material. On the main surface side of the first dielectric layer 1, a second dielectric layer 2 made of ceramic or glass ceramic is further formed.
【００１４】第２誘電体層２の主面には、導電性材料を
印刷することにより１／２波長型ストリップライン共振
線路２１が形成されている。第２誘電体層２の主面に
は、ストリップライン共振線路２１の幅方向両端部およ
び両端部より内側に位置して所定深さの下部電極形成用
溝２２，２２が設けられている。この下部電極形成用溝
２２，２２には、ストリップライン共振線路２１と導通
する下部電極２３，２３が形成されている。A 波長 wavelength strip line resonance line 21 is formed on the main surface of the second dielectric layer 2 by printing a conductive material. On the main surface of the second dielectric layer 2, lower electrode forming grooves 22 having a predetermined depth are provided at both ends in the width direction of the strip line resonance line 21 and inside the both ends. In the lower electrode forming grooves 22, lower electrodes 23, 23 electrically connected to the strip line resonance line 21 are formed.
【００１５】第２誘電体層２の主面側には、さらに第
１、第２誘電体層と同様のセラミックまたはガラスセラ
ミックからなる第３誘電体層３が形成されている。第３
誘電体層３の主面には、導電性材料を印刷することによ
りアース電極３１が形成されている。また、第３誘電体
層３の主面と対向する面（図１下面）には、ストリップ
ライン共振線路２１の幅方向両端部および両端部より内
側に位置して所定深さの上部電極形成用溝３２，３２が
設けられている。この上部電極形成用溝３２，３２に
は、ストリップライン共振線路２１と導通する上部電極
３３，３３が形成されている。このことから、ストリッ
プライン共振線路２１、下部電極２３，２３及び上部電
極３３，３３が互いに導通し、複数のＨ型形状を結合し
たような断面形状のストリップラインを有する共振器を
構成することとなる。On the main surface side of the second dielectric layer 2, a third dielectric layer 3 made of the same ceramic or glass ceramic as the first and second dielectric layers is formed. Third
A ground electrode 31 is formed on the main surface of the dielectric layer 3 by printing a conductive material. On the surface (lower surface in FIG. 1) opposite to the main surface of the third dielectric layer 3, both ends in the width direction of the strip line resonance line 21 and inside the both ends are formed for forming an upper electrode having a predetermined depth. Grooves 32, 32 are provided. In the upper electrode forming grooves 32, upper electrodes 33, 33 which are electrically connected to the strip line resonance line 21, are formed. From this, it is possible to configure a resonator having a strip line having a cross-sectional shape such that the strip line resonance line 21, the lower electrodes 23, 23, and the upper electrodes 33, 33 are electrically connected to each other and a plurality of H-shaped shapes are coupled. Become.
【００１６】このようなストリップライン共振器は、以
下のようにして形成される。まず、図２に示すように、
ガラスやセラミック等の支持基板７上に絶縁層成形体１
０ｄを形成する。この絶縁層成形体１０ｄは、たとえ
ば、セラミック材料、光硬化可能な樹脂、有機バインダ
と、有機溶剤または水とを均質混練したスリップ材を乾
燥後の膜厚が４０〜２００μｍとなるように塗布し、乾
燥して形成する。光硬化可能な樹脂としてはモノマーや
オリゴマーがある。Such a stripline resonator is formed as follows. First, as shown in FIG.
An insulating layer molded body 1 is formed on a support substrate 7 such as glass or ceramic.
0d is formed. This insulating layer molded body 10d is coated, for example, with a slip material obtained by homogeneously kneading a ceramic material, a photocurable resin, an organic binder, and an organic solvent or water so that the film thickness after drying is 40 to 200 μm. , Dried and formed. Photocurable resins include monomers and oligomers.
【００１７】セラミック材料としては、金属元素として
少なくともＭｇ，Ｔｉ，Ｃａを含有する複合酸化物であ
って、その金属元素酸化物による組成式を（１−ｘ）Ｍ
ｇＴｉＯ3 −ｘＣａＴｉＯ3 （但し、式中ｘは重量比を
表し、０．０１≦ｘ≦０．１５）で表される主成分１０
０重量部に対して、硼素含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３
〜３０重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属
炭酸塩換算で１〜２５重量部添加含有してなるものが望
ましい。この場合には、測定周波数７ＧＨｚでのＱ値が
１３００以上、かつ８５０〜１０５０℃の低温でＡｕ、
ＣｕまたはＡｇを主成分とする導電性ペーストと同時焼
成することができ、Ｑ値が高く、高周波領域で優れた電
子部品や基板を得ることができる。この組成の場合に
は、測定周波数７ＧＨｚでのＱ値を３０００以上、特に
は５０００以上とすることも可能となる。The ceramic material is a composite oxide containing at least Mg, Ti, and Ca as metal elements, and the composition formula of the metal element oxide is (1-x) M
gTiO 3 -xCaTiO 3 (where x represents a weight ratio, and 0.01 ≦ x ≦ 0.15).
Relative to 0 parts by weight, the boron-containing compound in terms of B 2 O 3 3
It is desirable to add and contain an alkali metal-containing compound in an amount of 1 to 25 parts by weight in terms of an alkali metal carbonate in an amount of from 30 to 30 parts by weight. In this case, the Q value at the measurement frequency of 7 GHz is 1300 or more, and Au at a low temperature of 850 to 1050 ° C.
It can be co-fired with a conductive paste containing Cu or Ag as a main component, so that an electronic component or substrate having a high Q value and excellent in a high frequency region can be obtained. In the case of this composition, the Q value at the measurement frequency of 7 GHz can be 3000 or more, particularly 5000 or more.
【００１８】また、その他のセラミック材料として、金
属元素として少なくともＣａ，Ｚｒを含有する複合酸化
物であって、これらのモル比による組成式をｘＣａＯ・
ＺｒＯ2 と表したとき、前記ｘが０．８７≦ｘ≦１．３
６を満足する主成分１００重量部に対して、硼素含有化
合物をＢ2 Ｏ3 換算でａ重量部、アルカリ金属含有化合
物をアルカリ金属炭酸塩換算でｂ重量部の範囲で添加含
有してなり、かつ、前記ａ，ｂが０≦ａ≦３０、０≦ｂ
≦２０、１．５≦ａ＋ｂを満足するものがある。この場
合には、９００〜１０５０℃程度の比較的低温でＡｇ系
やＣｕ系、Ａｕ系等の導体金属と同時に焼成でき、誘電
体セラミックスの比誘電率εｒを使用周波数に適したも
のを選べ、かつＱ値が高い等の特徴を有する。Another ceramic material is a composite oxide containing at least Ca and Zr as metal elements, and the compositional formula based on the molar ratio of these is xCaO ·
When expressed as ZrO 2 , x is 0.87 ≦ x ≦ 1.3.
6, based on 100 parts by weight of the main component satisfying 6, the boron-containing compound is added and contained in the range of a part by weight in terms of B 2 O 3 , and the alkali metal-containing compound in the range of b parts by weight in terms of alkali metal carbonate, And a and b are 0 ≦ a ≦ 30, 0 ≦ b
Some satisfies ≦ 20 and 1.5 ≦ a + b. In this case, at a relatively low temperature of about 900 to 1050 ° C., a conductor metal such as Ag-based, Cu-based, or Au-based can be fired at the same time and a dielectric ceramic having a relative permittivity εr suitable for the frequency used can be selected. It has features such as a high Q value.
【００１９】また、金属元素として少なくともＢａ、Ｔ
ｉを含有する複合酸化物であって、これらのモル比によ
る組成式を、ＢａＯ・ｘ（Ｔｉ1-a Ｚｒa ）Ｏ2 と表し
たとき、前記ｘ、ａが、３．５≦ｘ≦４．５、０≦ａ≦
０．２０を満足する主成分１００重量部に対して、亜鉛
含有化合物をＺｎＯ換算で４〜３０重量部、硼素含有化
合物をＢ2 Ｏ3 換算で１〜２０重量部、アルカリ金属含
有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜１０重量部含
有するものがある。この場合には、比誘電率が２０〜４
０で、Ｑｆ値が３００００〔ＧＨｚ〕以上であり、−４
０〜８５℃の温度範囲で共振周波数の温度係数τｆを−
４０〜＋４０〔ｐｐｍ／℃〕の範囲で、かつ、焼成温度
を９５０℃以下とすることが可能となり、Ａｇを主成分
とする導体を具備した電子部品を、誘電体磁器と導体を
同時焼成して形成することが可能となる。アルカリ金属
としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋがある。Further, at least Ba, T
i is a composite oxide containing i, and when a composition formula based on these molar ratios is expressed as BaO · x (Ti 1-a Zr a ) O 2 , the x and a are 3.5 ≦ x ≦ 4.5, 0 ≦ a ≦
Relative to 100 parts by weight of the main component which satisfies 0.20, 4 to 30 parts by weight of zinc-containing compound calculated as ZnO, 1-20 parts by weight of a boron-containing compound in terms of B 2 O 3, the alkali metal-containing compound alkali Some include 1 to 10 parts by weight in terms of metal carbonate. In this case, the relative dielectric constant is 20 to 4
0, the Qf value was 30000 [GHz] or more, and -4
The temperature coefficient τf of the resonance frequency in the temperature range of 0 to 85 ° C.
It is possible to set the firing temperature within the range of 40 to +40 [ppm / ° C.] and the firing temperature at 950 ° C. or lower. Can be formed. Examples of the alkali metal include Li, Na, and K.
【００２０】上述のセラミック材料の他に、スリップ材
の構成材料としては、焼結によって消失される光硬化可
能な樹脂、有機バインダと、さらに、有機溶剤または水
とを含んでいる。有機溶剤を含むスリップ材は溶剤系ス
リップ材といい、また、水を含むスリップ材は水系スリ
ップ材といい、溶剤系スリップ材と水系スリップ材とで
は、光硬化可能な樹脂及び有機バインダとが若干異な
る。In addition to the above-mentioned ceramic materials, the constituent materials of the slip material include a photocurable resin which is lost by sintering, an organic binder, and further, an organic solvent or water. A slip material containing an organic solvent is called a solvent-based slip material, and a slip material containing water is called a water-based slip material.In the solvent-based slip material and the water-based slip material, the photocurable resin and the organic binder are slightly mixed. different.
【００２１】なお、有機溶剤または水は主にスリップの
粘度等を調整するものであり、焼成工程の脱バインダ過
程で完全に消失してしまう。溶剤系スリップ材の光硬化
可能な樹脂は、低温短時間の焼成工程に対応するため
に、熱分解性に優れたものでなくてはならない。光硬化
可能な樹脂としては、スリップ材の塗布・乾燥後の露光
によって、光重合される必要があり、遊離ラジカルの形
成、連鎖生長付加重合が可能で、２級もしくは３級炭素
を有したモノマーが好ましく、たとえば少なくとも１つ
の重合可能なエチレン系基を有するブチルアクリレート
等のアルキルアクリレート及びそれらに対応するアルキ
ルメタクリレートが有効である。また、テトラエチレン
グリコールジアクリレート等のポリエチレングリコール
ジアクリレート及びそれらに対応するメタクリレートも
有効である。光硬化可能な樹脂は、露光で硬化され、現
像で露光以外の部分が容易に除去できるような範囲で添
加され、たとえば、固形分１００重量部に対して５〜１
５重量部以下である。The organic solvent or water mainly adjusts the viscosity of the slip and the like, and is completely lost during the binder removal process in the firing step. The photocurable resin of the solvent-based slip material must have excellent thermal decomposability in order to cope with a low-temperature and short-time baking process. As a photo-curable resin, a monomer that needs to be photopolymerized by exposure after application and drying of a slip material, capable of forming free radicals and chain-growth addition polymerization, and having a secondary or tertiary carbon For example, alkyl acrylates such as butyl acrylate having at least one polymerizable ethylenic group and the corresponding alkyl methacrylates are effective. Further, polyethylene glycol diacrylates such as tetraethylene glycol diacrylate and methacrylates corresponding thereto are also effective. The photocurable resin is cured by exposure, and is added in a range such that portions other than the exposure can be easily removed by development.
5 parts by weight or less.
【００２２】溶剤系スリップ材の有機バインダは、光硬
化可能な樹脂と同様に熱分解性の良好なものでなくては
ならない。同時にスリップの粘性を決めるものであるた
め、固形分との濡れ性も重視せねばならず、本発明者等
の検討によればアクリル酸もしくはメタクリル酸系重合
体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基を備え
たエチレン性不飽和化合物が好ましい。添加量としては
固形分１００重量部に対して２５重量部以下が好まし
い。The organic binder of the solvent-based slip material must have good thermal decomposability like the photocurable resin. At the same time, because it determines the viscosity of the slip, wettability with solids must also be emphasized. According to studies by the present inventors, carboxyl groups such as acrylic acid or methacrylic acid-based polymers, alcoholic hydroxyl groups Preferred are ethylenically unsaturated compounds with The addition amount is preferably 25 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the solid content.
【００２３】また、水系スリップ材の光硬化可能な樹脂
及び有機バインダは、水溶性である必要があり、樹脂及
び有機バインダには、親水性の官能基、たとえばカルボ
キシル基が付加されている。その付加量は酸価で表せば
２〜３００であり、好ましくは５〜１００である。付加
量が少ない場合は水への溶解性、固形成分の粉末の分散
性が悪くなり、多い場合は熱分解性が悪くなるため、付
加量は、水への溶解性、分散性、熱分解性を考慮して、
上述の範囲で適宜付加される。The photocurable resin and the organic binder of the aqueous slip material must be water-soluble, and a hydrophilic functional group, for example, a carboxyl group is added to the resin and the organic binder. The amount of addition is 2 to 300, and preferably 5 to 100 in terms of acid value. If the added amount is small, the solubility in water and the dispersibility of the solid component powder become poor, and if the added amount is large, the thermal decomposability becomes poor. in view of,
It is appropriately added within the above range.
【００２４】いずれの系のスリップ材においても光硬化
可能な樹脂及び有機バインダは上述したように熱分解性
の良好なものでなくてはならないが、具体的には６００
℃以下で熱分解が可能でなくてはならない。さらに好ま
しくは５００℃以下で熱分解が可能なものがよい。熱分
解温度が６００℃を超えると、誘電体層内に残存してし
まい、カーボンとしてトラップし、誘電体層を灰色に変
色させたり、誘電体層の絶縁抵抗までも低下させてしま
う。またボイドとなりデラミネーションを起こすことが
ある。In any of the slip materials, the photocurable resin and the organic binder must have good thermal decomposability as described above.
It must be capable of thermal decomposition below ℃. More preferably, those which can be thermally decomposed at 500 ° C. or lower are preferable. If the thermal decomposition temperature exceeds 600 ° C., it remains in the dielectric layer, is trapped as carbon, changes the color of the dielectric layer to gray, and lowers the insulation resistance of the dielectric layer. In addition, it may become a void and cause delamination.
【００２５】また、スリップ材として、増感剤、光開始
系材料等を必要に応じて添加しても構わない。たとえ
ば、光開始系材料としては、ベンゾフェノン類、アシロ
インエステル類化合物等が挙げられる。上述のように、
セラミック材料、光硬化可能な樹脂、有機バインダさら
に、有機溶剤または水を混合、混練して、溶剤系スリッ
プ材または水系スリップ材が構成される。混合・混練方
法は従来より用いられている方法、たとえば、ボールミ
ルによる方法を用いればよい。スリップ材の薄層化方法
は、たとえば、ドクターブレード法（ナイフコート
法）、ロールコート法、印刷法等により形成され、特に
塗布後の絶縁層成形体の表面が平坦化することが容易な
ドクターブレード法等が好適である。なお、塗布方法に
応じて所定粘度に調整される。As a slip material, a sensitizer, a photoinitiating material or the like may be added as necessary. For example, the photoinitiating material includes benzophenones, acyloin ester compounds, and the like. As mentioned above,
A ceramic material, a photocurable resin, an organic binder, and an organic solvent or water are mixed and kneaded to form a solvent-based slip material or a water-based slip material. The method of mixing and kneading may be a conventionally used method, for example, a method using a ball mill. The slip material can be made thinner by, for example, a doctor blade method (knife coat method), a roll coat method, a printing method, or the like. In particular, a doctor can easily flatten the surface of the molded insulating layer after application. A blade method or the like is suitable. The viscosity is adjusted to a predetermined value according to the application method.
【００２６】乾燥方法としては、バッチ式乾燥炉、イン
ライン式乾燥炉を用いて行われ、乾燥温度は１００℃以
下が望ましい。急激な乾燥は、表面にクラック等を発生
させる可能性があるため、急加熱は避ける必要がある。
次に、絶縁層成形体１０ｄに、下記に示すような露光処
理を施して硬化させる。スリップ材の塗布から露光処理
の工程を繰り返して図３に示すように絶縁層成形体１０
ａ〜１０ｄが積層された第１誘電体層１の成形体１０を
作製する。そして、第１誘電体層１の成形体１０の表面
に、導電性ペーストを塗布してアース電極導電部材５１
を形成する。The drying method is carried out using a batch type drying furnace or an in-line type drying furnace, and the drying temperature is desirably 100 ° C. or less. Since rapid drying may cause cracks or the like on the surface, it is necessary to avoid rapid heating.
Next, the insulating layer molded body 10d is subjected to the following exposure treatment and cured. The process from the application of the slip material to the exposure process is repeated, and as shown in FIG.
A molded body 10 of the first dielectric layer 1 in which a to d are laminated is manufactured. Then, a conductive paste is applied to the surface of the molded body 10 of the first dielectric layer 1 to form a ground electrode conductive member 51.
To form
【００２７】次に、アース電極導電部材５１が形成され
た第１誘電体層１の成形体１０の表面に、前記スリップ
材の塗布から露光処理の工程を繰り返して図４に示すよ
うに硬化された絶縁層成形体２０ｃ，２０ｄを形成す
る。この後、図５に示すように絶縁層成形体２０ｃの上
にスリップ材を塗布し、露光現像を行い、下部電極形成
用溝を構成する貫通穴を作製する。Next, the steps from the application of the slip material to the exposure process are repeated on the surface of the molded body 10 of the first dielectric layer 1 on which the ground electrode conductive member 51 is formed, and the surface is cured as shown in FIG. The formed insulating layer moldings 20c and 20d are formed. Thereafter, as shown in FIG. 5, a slip material is applied on the insulating layer molded body 20c, and exposure and development are performed to form a through-hole forming a groove for forming a lower electrode.
【００２８】具体的には、露光処理は、絶縁層成形体２
０ｂ上に、図６に示すように貫通穴が形成される領域が
遮光されるようなフォトターゲット６１を載置して、超
高圧水銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を光源として用いて露
光を行う。スリップ材に含まれる光硬化性モノマーはネ
ガ型であるため、これにより、貫通穴が形成される領域
の絶縁層成形体２０ｂにおいては、光硬化可能な樹脂の
光重合反応が起こらず、貫通穴が形成される領域以外の
絶縁層成形体２０ｂにおいては、光重合反応が起こる。
ここで光重合反応が起こった部位を不溶化部ｘといい、
光重合反応が起こらない部位を溶化部ｙという。なお、
厚み１００μｍ程度の絶縁層成形体２０ｂは、超高圧水
銀灯（１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を１０〜１５秒程度照射すれ
ば露光を行うことができる。Specifically, the exposure treatment is performed on the insulating layer molded body 2
As shown in FIG. 6, a photo target 61 is placed on Ob so that a region where a through hole is formed is shielded from light, and exposure is performed using an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW / cm 2 ) as a light source. Since the photocurable monomer contained in the slip material is a negative type, the photopolymerization reaction of the photocurable resin does not occur in the insulating layer molded body 20b in the region where the through hole is formed, and the through hole is not formed. The photopolymerization reaction occurs in the insulating layer molded body 20b other than the region where is formed.
Here, the site where the photopolymerization reaction has occurred is referred to as an insolubilized portion x,
A site where no photopolymerization reaction occurs is referred to as a solubilized portion y. In addition,
The insulating layer molded body 20b having a thickness of about 100 μm can be exposed by irradiating an ultra-high pressure mercury lamp (10 mW / cm 2 ) for about 10 to 15 seconds.
【００２９】現像処理は、絶縁層成形体２０ｂの溶化部
ｙを現像液で除去するもので、具体的には１，１，１−
トリクロロエタンを用いてスプレー法で現像を行う。そ
の後、絶縁層成形体２０ｂを現像によって生じる不要な
カス等を洗浄、乾燥工程により完全に除去し、図７に示
すように絶縁層成形体２０ｂに貫通穴６２を作製する。The developing treatment is to remove the solubilized portion y of the molded insulating layer 20b with a developing solution.
The development is performed by a spray method using trichloroethane. Thereafter, unnecessary debris and the like generated by the development of the insulating layer molded body 20b are completely removed by washing and drying processes, and a through hole 62 is formed in the insulating layer molded body 20b as shown in FIG.
【００３０】次に、貫通穴６２内に導体ペーストをスク
リーン印刷方式にて充填し乾燥した後、スリップ材を塗
布し、さらに露光現像し、図８に示すように、絶縁層成
形体２０ａに貫通穴６３を作製し、上記したように導体
ペーストを塗布する。絶縁層成形体２０ａ，２０ｂの貫
通穴により下部電極形成用溝が形成され、これらの貫通
穴に充填された導電部材５３により下部電極が形成され
ることになる（図９参照）。Next, after the conductor paste is filled into the through holes 62 by screen printing and dried, a slip material is applied, and further exposed and developed, and as shown in FIG. A hole 63 is formed, and the conductive paste is applied as described above. The lower electrode forming groove is formed by the through holes of the insulating layer molded bodies 20a and 20b, and the lower electrode is formed by the conductive member 53 filled in these through holes (see FIG. 9).
【００３１】そして、一対の導電部材５３の間に導体ペ
ーストを塗布し、図９に示すように、一対の導電部材５
３を導通させるストリップライン５５を形成する。絶縁
層成形体２０ａ〜２０ｄは、第２誘電体層２の成形体２
０を構成する。この後、ストリップライン５５が形成さ
れた絶縁層成形体２０の表面に、前記スリップ材を塗布
し、露光現像し、絶縁層成形体３０ｄに貫通穴を作製
し、図１０に示すように、導体ペーストを塗布する。さ
らに、絶縁層成形体３０ｄの上面にスリップ材を塗布
し、露光現像し、絶縁層成形体３０ｃに貫通穴を作製
し、導体ペーストを塗布する。絶縁層成形体３０ｃ，３
０ｄの貫通穴により上部電極形成用溝が形成され、これ
らの貫通穴に充填された導電部材５７により上部電極が
形成されることになる（図１１参照）。Then, a conductive paste is applied between the pair of conductive members 53, and as shown in FIG.
Then, a strip line 55 for conducting 3 is formed. The insulating layer molded bodies 20a to 20d are formed of the molded body 2 of the second dielectric layer 2.
0. Thereafter, the slip material is applied to the surface of the insulating layer molded body 20 on which the strip line 55 is formed, exposed and developed, and a through hole is formed in the insulating layer molded body 30d, as shown in FIG. Apply paste. Further, a slip material is applied to the upper surface of the insulating layer formed body 30d, exposed and developed, a through hole is formed in the insulating layer formed body 30c, and a conductor paste is applied. Insulating layer molded body 30c, 3
The upper electrode forming groove is formed by the through hole of 0d, and the upper electrode is formed by the conductive member 57 filled in these through holes (see FIG. 11).
【００３２】次に、絶縁層成形体３０ｃの表面にスリッ
プ材を塗布し露光し硬化させ、さらに同様の工程を繰り
返し、図１１に示すように、絶縁層成形体３０ａ，３０
ｂを形成する。絶縁層成形体３０ａ〜３０ｄにより、第
３誘電体層となる成形体３０を形成することとなる。そ
して、図１２に示すように第３誘電体層となる成形体３
０の表面に導体ペーストを塗布し、乾燥してアース電極
用導電部材５９を形成する。上記のようにして第１〜第
３誘電体層の成形体が積層された積層成形体が作製でき
る。Next, a slip material is applied to the surface of the insulating layer molded body 30c, exposed and cured, and the same steps are repeated to form the insulating layer molded bodies 30a, 30a as shown in FIG.
b is formed. The molded body 30 to be the third dielectric layer is formed by the insulating layer molded bodies 30a to 30d. Then, as shown in FIG. 12, the molded body 3 to be the third dielectric layer
Then, a conductive paste is applied to the surface of No. 0 and dried to form a conductive member 59 for an earth electrode. As described above, a laminated molded body in which the molded bodies of the first to third dielectric layers are laminated can be manufactured.
【００３３】次に、支持基板７を取り外す。そして、必
要に応じて、積層成形体をプレスで形状を整えたり、分
割溝を形成したりする。次に、焼成を行う。焼成は、脱
バインダ工程と、本焼成工程からなる。脱バインダ工程
は、概ね６００℃以下の温度領域であり、絶縁層成形体
１０ａ〜１０ｄ、２０ａ〜２０ｄ、３０ａ〜３０ｄ及び
アース電極用導電部材５１，５９、下部電極となる導電
部材５３、上部電極となる導電部材５７、ストリップラ
イン５５の導電性ペーストに含まれている有機バイン
ダ、光硬化可能な樹脂を消失させる過程であり、本焼成
工程は、ピーク温度８５０〜１０５０℃、たとえば、９
００℃３０分ピークの焼成過程である。Next, the support substrate 7 is removed. Then, if necessary, the shape of the laminated molded product is adjusted by a press, or a divided groove is formed. Next, baking is performed. The firing includes a binder removing step and a main firing step. The binder removal step is performed in a temperature range of about 600 ° C. or lower, and includes insulating layer molded bodies 10 a to 10 d, 20 a to 20 d, 30 a to 30 d, conductive members 51 and 59 for ground electrode, conductive member 53 serving as a lower electrode, and upper electrode This is a process of eliminating the conductive member 57, the organic binder, and the photo-curable resin contained in the conductive paste of the strip line 55. The main baking step is performed at a peak temperature of 850 to 1050 ° C., for example, 9 ° C.
This is a firing process at a peak of 00 ° C. for 30 minutes.
【００３４】なお、アース電極用導電部材５１，５９、
下部電極となる導電部材５３、上部電極となる導電部材
５７、ストリップライン５５の導電性ペーストは金、
銀、銅もしくはその合金のうち少なくとも１つの金属材
料の粉末と、低融点ガラス成分と、有機バインダと有機
溶剤とを均質混練したものが使用される。特に、焼成温
度が８５０〜１０５０℃の場合には、金属材料としては
比較的低融点であり、かつ低抵抗材料が選択され、ま
た、低融点ガラス成分も絶縁層成形体（スリップ材を塗
布、乾燥したもの）との焼結挙動を考慮して、その屈伏
点が７００℃前後となるものが使用される。The conductive members 51, 59 for the ground electrode,
The conductive member 53 serving as the lower electrode, the conductive member 57 serving as the upper electrode, and the conductive paste of the strip line 55 are gold,
A material obtained by homogeneously kneading powder of at least one metal material of silver, copper or an alloy thereof, a low-melting glass component, an organic binder and an organic solvent is used. In particular, when the firing temperature is 850 to 1050 ° C., a metal material having a relatively low melting point and a low resistance material is selected, and the low-melting glass component is also used as an insulating layer molded product (a slip material is applied. Taking into consideration the sintering behavior of the dried material, a material having a deformation point of about 700 ° C. is used.
【００３５】〔第１実施例〕上述のようにして作成され
る積層型ストリップライン共振器を、比誘電率εr＝１
９，Ｑｆ＝１６０００，導電率＝３４．２×１０-9Ω・
ｍの誘電体材料を用いて、図１３に示すように、ストリ
ップライン共振線路２１の幅Ｗ１＝１ｍｍ，下部電極２
３及び上部電極３３の上下方向の長さＴ１＝０．１ｍ
ｍ，電極２３，３３から誘電体層２，３の端面までの距
離Ｗ２＝５ｍｍ，ストリップライン共振線路２１とアー
ス電極１１，３１との距離Ｈ１＝０．５ｍｍに設定し、
共振周波数１ＧＨｚの１／２波長型共振器を構成した。[First Embodiment] The laminated strip line resonator manufactured as described above is used for a dielectric constant εr = 1.
9, Qf = 16000, conductivity = 34.2 × 10 −9 Ω ·
As shown in FIG. 13, the width W1 of the strip line resonance line 21 is 1 mm and the lower electrode 2 is
3 and the length T1 of the upper electrode 33 in the vertical direction T1 = 0.1 m
m, the distance W2 from the electrodes 23, 33 to the end faces of the dielectric layers 2, 3 is set to 5 mm, and the distance H1 between the stripline resonance line 21 and the ground electrodes 11, 31 is set to 0.5 mm.
A half-wavelength resonator having a resonance frequency of 1 GHz was configured.
【００３６】比較例として、図１６に示すような主面に
アース電極２１１が形成された第１誘電体層２１０と、
主面にストリップライン共振線路２２１が形成された第
２誘電体層２２０と、主面にアース電極２３１が形成さ
れた第３誘電体層２３０とを積層したストリップライン
共振器を構成した。ここでは、上述の実施例と同様に、
比誘電率εr ＝１９，Ｑｆ＝１６０００，導電率＝３
４．２×１０-9Ω・ｍの誘電体材料を用い、ストリップ
ライン共振線路２２１の幅Ｗ１＝１ｍｍ，ストリップラ
イン共振線路２２１の幅方向端部から誘電体層２２０，
２３０の端面までの距離Ｗ２＝５ｍｍ，ストリップライ
ン共振線路２２１とアース電極２１１，２３１と距離Ｈ
１＝０．５ｍｍに設定し、共振周波数１ＧＨｚの１／２
波長型共振器を構成した。As a comparative example, a first dielectric layer 210 having a ground electrode 211 formed on a main surface as shown in FIG.
A strip line resonator was formed by laminating a second dielectric layer 220 having a main surface on which a strip line resonance line 221 was formed and a third dielectric layer 230 having a main surface on which a ground electrode 231 was formed. Here, similar to the above-described embodiment,
Relative permittivity εr = 19, Qf = 16000, conductivity = 3
Using a dielectric material of 4.2 × 10 −9 Ω · m, the width W1 of the strip line resonance line 221 is 1 mm, and the dielectric layer 220 is formed from the width direction end of the strip line resonance line 221.
The distance W2 to the end face of W 230 = 5 mm, the distance H between the strip line resonance line 221 and the ground electrodes 211 and 231
1 = 0.5 mm, 、 of resonance frequency 1 GHz
A wavelength resonator was constructed.
【００３７】上述の実施例及び比較例の回路Ｑを有限要
素法を用いて解析比較したところ、実施例の共振器の方
が比較例の共振器よりも回路Ｑが２０以上向上した。こ
の実施形態においては、電極形成用溝の深さ、数、間隔
を変更することで、電極の上下方向の長さ、数、間隔を
変更でき、電極とアース電極との間に発生する電磁誘導
相互作用により電極のエッジに磁場が集中して回路Ｑが
劣化することを緩和することができる。 〔第２実施形態〕本発明に係る積層型ストリップライン
共振器の他の実施形態を図１４、図１５に基づいて説明
する。Analysis and comparison of the circuit Q of the above-described embodiment and the comparative example using the finite element method showed that the circuit Q of the resonator of the example was improved by 20 or more than that of the comparative example. In this embodiment, by changing the depth, the number, and the interval of the electrode forming groove, the length, the number, and the interval of the electrode in the vertical direction can be changed, and the electromagnetic induction generated between the electrode and the ground electrode can be changed. It is possible to reduce the deterioration of the circuit Q due to the concentration of the magnetic field at the edge of the electrode due to the interaction. [Second Embodiment] Another embodiment of the laminated strip line resonator according to the present invention will be described with reference to FIGS.
【００３８】第１実施形態と同様に、セラミックまたは
ガラスセラミックからなる第１誘電体層６０の主面（図
１４上面）には、導電性材料を印刷することによりアー
ス電極６１が形成されている。第１誘電体層６０の主面
側には、さらに、セラミックまたはガラスセラミックか
らなる第２誘電体層７０および第３誘電体層７１が形成
されている。As in the first embodiment, a ground electrode 61 is formed on the main surface (upper surface in FIG. 14) of the first dielectric layer 60 made of ceramic or glass ceramic by printing a conductive material. . On the main surface side of the first dielectric layer 60, a second dielectric layer 70 and a third dielectric layer 71 made of ceramic or glass ceramic are further formed.
【００３９】第３誘電体層７１の主面には、導電性材料
を印刷することにより１／２波長型ストリップライン共
振線路７２が形成されている。第３誘電体層７１には、
ストリップライン共振線路７２の幅方向両端部に位置し
て下部電極形成用溝７３，７３が設けられている。この
下部電極形成用溝７３，７３には、ストリップライン共
振線路７２と導通する下部電極７４，７４が形成されて
いる。On the main surface of the third dielectric layer 71, a 波長 wavelength strip line resonance line 72 is formed by printing a conductive material. In the third dielectric layer 71,
Lower electrode forming grooves 73 are provided at both ends in the width direction of the strip line resonance line 72. In the lower electrode forming grooves 73, lower electrodes 74, 74 that are electrically connected to the strip line resonance line 72 are formed.
【００４０】第３誘電体層７１の主面側には、さらに第
１、第２、第３誘電体層と同様のセラミックまたはガラ
スセラミックからなる第４誘電体層８０および第５誘電
体層８１が形成されている。第５誘電体層８１の主面に
は、導電性材料を印刷することによりアース電極８２が
形成されている。また、第４誘電体層８０には、ストリ
ップライン共振線路７１の幅方向両端部に位置して上部
電極形成用溝８３，８３が設けられている。この上部電
極形成用溝８３，８３には、ストリップライン共振線路
７１と導通する上部電極８４，８４が形成されている。On the main surface side of the third dielectric layer 71, a fourth dielectric layer 80 and a fifth dielectric layer 81 made of the same ceramic or glass ceramic as the first, second, and third dielectric layers are further provided. Are formed. A ground electrode 82 is formed on the main surface of the fifth dielectric layer 81 by printing a conductive material. Further, the fourth dielectric layer 80 is provided with upper electrode forming grooves 83, 83 located at both ends in the width direction of the strip line resonance line 71. In the upper electrode forming grooves 83, upper electrodes 84, 84 which are electrically connected to the strip line resonance line 71 are formed.
【００４１】さらに、第２誘電体層７０および第４誘電
体層８０の主面には、ストリップライン共振線路７１の
幅方向長さよりも小さい幅方向の長さを持つ第２ストリ
ップライン７５、７６、８５、８６がそれぞれ形成され
ている。第２ストリップライン７５、７６は、それぞれ
下部電極７４、７４に導通するように第２誘電体層７０
の主面に形成されており、第２ストリップライン８５、
８６は、それぞれ上部電極８４、８４に導通するように
第４誘電体層８０の主面に形成されている。Further, on the main surfaces of the second dielectric layer 70 and the fourth dielectric layer 80, the second strip lines 75, 76 having a width in the width direction smaller than the width of the strip line resonance line 71. , 85, 86 are formed respectively. The second strip lines 75 and 76 are connected to the second dielectric layer 70 so as to be electrically connected to the lower electrodes 74 and 74, respectively.
And the second strip line 85,
86 is formed on the main surface of the fourth dielectric layer 80 so as to be electrically connected to the upper electrodes 84, 84, respectively.
【００４２】このようにした本発明の第２の実施形態で
は、第１の実施形態と同様に、ガラスやセラミック等の
支持基板上に、セラミック材料、光硬化可能な樹脂、有
機バインダと、有機溶剤または水とを均質混練したスリ
ップ材を塗布し、乾燥して形成した絶縁層成形体に、露
光処理を施して硬化させる。スリップ材の塗布から露光
処理の工程を繰り返して絶縁層成形体が積層された第１
誘電体層６０の成形体を作成し、第１誘電体層６０成形
体の表面に、アース電極６１となる導電性ペーストを塗
布する。In the second embodiment of the present invention, as in the first embodiment, a ceramic material, a photocurable resin, an organic binder, and an organic binder are provided on a supporting substrate such as glass or ceramic. A slip material obtained by homogeneously kneading a solvent or water is applied, and the formed insulating layer formed by drying is subjected to an exposure treatment to be cured. The first step in which the insulating layer molded body is laminated by repeating the steps from the application of the slip material to the exposure processing
A molded body of the dielectric layer 60 is formed, and a conductive paste to be the ground electrode 61 is applied to the surface of the molded body of the first dielectric layer 60.
【００４３】次に、アース電極６１となる導電性ペース
トが塗布された第１誘電体層６０の成形体の表面に、前
記スリップ材の塗布から露光処理の工程を繰り返して第
２誘電体層７０の成形体を形成する。この第２誘電体層
７０の成形体の主面に第２ストリップライン７５、７６
となる導電性ペーストを塗布する。さらに、第２誘電体
層７０の成形体の主面に前述と同様の絶縁層成形体を形
成し、所定の領域が遮光されるようなフォトターゲット
を載置して、露光を行い、硬化したなかった部分を除去
して下部電極形成用の貫通穴を作製する。次に、この貫
通穴内に導体ペーストをスクリーン印刷方式にて充填し
乾燥した後、スリップ材を塗布し、さらに露光現像して
貫通穴を形成する工程を繰り返して、第３誘電体層７１
の成形体を形成するとともに、下部電極形成用溝７３、
７３とこれらの貫通穴に充填された下部電極７４、７４
用の導電部材を形成する。Next, on the surface of the molded body of the first dielectric layer 60 on which the conductive paste to be the ground electrode 61 is applied, the steps from the application of the slip material to the exposure processing are repeated to form the second dielectric layer 70. To form a compact. Second strip lines 75 and 76 are provided on the main surface of the molded body of the second dielectric layer 70.
Is applied. Further, an insulating layer molded body similar to that described above was formed on the main surface of the molded body of the second dielectric layer 70, a photo target in which a predetermined area was shielded from light was placed, exposed, and cured. The remaining portion is removed to form a through-hole for forming a lower electrode. Next, the conductive paste is filled in the through-holes by a screen printing method and dried, then, a step of applying a slip material, and further performing exposure and development to form the through-holes is repeated.
And a lower electrode forming groove 73,
73 and lower electrodes 74, 74 filled in these through holes
A conductive member for use.
【００４４】そして、第３誘電体層７１の主面であって
下部電極７４、７４との間に位置して導体ペーストを塗
布し、この下部電極７４、７４の導電部材と導通するス
トリップライン共振線路７２を形成する。この後、スト
リップライン共振線路７２が形成された第３誘電体層７
１の成形体の主面に前記スリップ材を塗布し、露光現像
して貫通穴を作製し、導体ペーストを塗布する工程を繰
り返して、第４誘電体層８０を形成するとともに、上部
電極形成用溝８３、８３およびこれらの貫通穴に充填さ
れた上部電極８４、８４となる導電部材を形成する。さ
らに、第４誘電体層８０の主面に、第２ストリップライ
ン８５、８６となる導電性ペーストを塗布する。A conductive paste is applied on the main surface of the third dielectric layer 71 and between the lower electrodes 74, 74, and strip line resonance is conducted to the conductive members of the lower electrodes 74, 74. The line 72 is formed. Thereafter, the third dielectric layer 7 on which the stripline resonance line 72 is formed
The process of applying the slip material to the main surface of the molded article 1, exposing and developing to form a through hole, and applying a conductive paste is repeated to form the fourth dielectric layer 80 and to form the upper electrode. A conductive member to be the upper electrodes 84, 84 filled in the grooves 83, 83 and these through holes is formed. Further, a conductive paste that becomes the second strip lines 85 and 86 is applied to the main surface of the fourth dielectric layer 80.
【００４５】次に、第４誘電体層８０の成形体の表面に
スリップ材を塗布し露光し硬化させ、さらに同様の工程
を繰り返し、第５誘電体層８１の成形体を形成する。そ
して、この第５誘電体層８１の成形体の表面に導体ペー
ストを塗布し、乾燥してアース電極８２を形成する。こ
のようにして、第１〜第５誘電体層の成形体が積層され
た積層成形体から支持基板７を取り外し、焼成を行っ
て、積層型ストリップライン共振器を得る。Next, a slip material is applied to the surface of the molded body of the fourth dielectric layer 80, exposed and cured, and the same steps are repeated to form a molded body of the fifth dielectric layer 81. Then, a conductor paste is applied to the surface of the molded body of the fifth dielectric layer 81 and dried to form the ground electrode 82. In this way, the support substrate 7 is removed from the laminated molded body in which the molded bodies of the first to fifth dielectric layers are laminated, and the resultant is fired to obtain a laminated strip line resonator.
【００４６】本実施形態では、電極形成用溝内の電極と
アース電極との間に発生する電磁誘導相互作用により電
極のエッジに磁場が集中することを緩和し、回路Ｑを向
上させることができる。また、第２ストリップライン７
５、７６、８５、８６の線路幅を調整することで、回路
Ｑを調整することが可能となる。In this embodiment, the concentration of the magnetic field at the edge of the electrode due to the electromagnetic induction interaction generated between the electrode in the electrode forming groove and the ground electrode can be reduced, and the circuit Q can be improved. . Also, the second strip line 7
By adjusting the line widths of 5, 76, 85 and 86, the circuit Q can be adjusted.
【００４７】[0047]
【発明の効果】本発明に係る積層型ストリップライン共
振器では、ストリップラインのエッジにおける磁場の変
化が緩和されるので、従来よりも大きな共振器の回路Ｑ
を得ることができる。In the multilayer stripline resonator according to the present invention, since the change in the magnetic field at the edge of the stripline is reduced, the circuit Q of the resonator is larger than in the prior art.
Can be obtained.
【図１】本発明の一実施形態の斜視図。FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 2 is a process chart showing a manufacturing method of the present invention.
【図３】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 3 is a process chart showing the manufacturing method of the present invention.
【図４】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 4 is a process chart showing the manufacturing method of the present invention.
【図５】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 5 is a process chart showing the manufacturing method of the present invention.
【図６】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 6 is a process chart showing the manufacturing method of the present invention.
【図７】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 7 is a process chart showing the manufacturing method of the present invention.
【図８】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 8 is a process chart showing the manufacturing method of the present invention.
【図９】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 9 is a process chart showing the manufacturing method of the present invention.
【図１０】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 10 is a process chart showing the manufacturing method of the present invention.
【図１１】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 11 is a process chart showing the manufacturing method of the present invention.
【図１２】本発明の製造方法を示す工程図。FIG. 12 is a process chart showing the manufacturing method of the present invention.
【図１３】図１の縦断面概略構成図。FIG. 13 is a schematic configuration diagram in a longitudinal section of FIG. 1;
【図１４】第２実施形態の斜視図。FIG. 14 is a perspective view of a second embodiment.
【図１５】その縦断面概略構成図。FIG. 15 is a schematic configuration diagram of a vertical section thereof.
【図１６】比較例の縦断面概略構成図。FIG. 16 is a schematic configuration diagram of a longitudinal section of a comparative example.
【図１７】従来例を示す斜視図。FIG. 17 is a perspective view showing a conventional example.
【図１８】他の従来例を示す斜視図。FIG. 18 is a perspective view showing another conventional example.
１ 第１誘電体層 ２ 第２誘電体層 ３ 第３誘電体層 １１ アース電極 ２１ ストリップライン共振線路 ２２ 下部電極形成用溝 ２３ 下部電極 ３１ アース電極 ３２ 上部電極形成用溝 ３３ 上部電極 REFERENCE SIGNS LIST 1 first dielectric layer 2 second dielectric layer 3 third dielectric layer 11 ground electrode 21 stripline resonance line 22 lower electrode forming groove 23 lower electrode 31 ground electrode 32 upper electrode forming groove 33 upper electrode
Claims (3)
体層の上に、主面にストリップラインが形成された第２
の誘電体層を積層し、さらに前記第２の誘電体層の上に
主面にアース電極が形成された第３の誘電体層が積層さ
れる積層型ストリップライン共振器であって、 前記ストリップラインの幅方向両端部および両端部より
内側に位置して複数の電極形成用溝を上下方向に延設
し、前記電極形成用溝内に前記ストリップラインと導通
する複数の電極を形成し、前記ストリップラインおよび
複数の電極により複数のＨ型形状が連結された断面形状
のストリップラインを構成する積層型ストリップライン
共振器。A first dielectric layer having a main surface on which a ground electrode is formed, and a second dielectric layer having a main surface on which a strip line is formed.
And a third dielectric layer having a ground electrode formed on a main surface on the second dielectric layer, wherein the third dielectric layer is laminated on the second dielectric layer. A plurality of electrode forming grooves are provided extending in the vertical direction at both ends in the width direction both ends and both ends of the line, and a plurality of electrodes which are electrically connected to the strip line are formed in the electrode forming grooves. A stacked stripline resonator that forms a stripline having a cross-sectional shape in which a plurality of H-shaped shapes are connected by a stripline and a plurality of electrodes.
セラミックからなる絶縁層材料と、光硬化可能な樹脂と
を含有するスリップを作製する工程と、（ｂ）前記スリ
ップを薄層化し、乾燥して絶縁層成形体を形成する工程
と、（ｃ）前記絶縁層成形体に露光処理を施し、絶縁層
成形体を硬化させる工程と、（ｄ）前記（ｃ）の工程で
形成された絶縁層成形体に対して、（ｂ）、（ｃ）の工
程を順次繰り返して前記絶縁層成形体が複数積層された
第１の誘電体層用の成形体を作製する工程と、（ｅ）前
記第１の誘電体層用の成形体の主面に導電性ペーストを
塗布してアース電極導電部材を形成する工程と、（ｆ）
前記アース電極導電部材が形成された第１の誘電体層用
の成形体に対して、（ｂ）、（ｃ）の工程を順次繰り返
して前記絶縁層成形体が複数積層された第２の誘電体層
用の成形体を作製するとともに、前記第２の誘電体層用
の成形体の上層部における複数の絶縁層成形体のそれぞ
れについて露光現像処理を施して複数の貫通孔を形成し
た後、前記貫通孔に導電性ペーストを充填し、導電性ペ
ーストが充填された下部電極形成用溝を形成する工程
と、（ｇ）第２の誘電体層用の成形体の主面に形成され
た複数の下部電極形成用溝と連続するように導電性ペー
ストを塗布してストリップラインを形成する工程と、
（ｈ）前記ストリップラインが形成された第２の誘電体
層用の成形体に対して、前記スリップを薄層化し乾燥し
て絶縁層成形体を形成し、この絶縁層成形体に露光現像
処理を施し複数の貫通穴を形成し、該貫通穴に導電性ペ
ーストを充填する工程を繰り返して導電性ペーストが充
填された複数の上部電極形成用溝を形成する工程と、
（ｉ）前記導電性ペーストが充填された複数の上部電極
形成用溝を有する絶縁層成形体に対して、（ｂ）、
（ｃ）の工程を順次繰り返して前記絶縁層成形体が複数
積層された第３の誘電体層用の成形体を作製する工程
と、（ｊ）第３の誘電体層用の成形体の主面に導電性ペ
ーストを塗布してアース電極導電部材を形成する工程
と、（ｋ）第１、第２、第３の誘電体層用の成形体が積
層された積層成形体を焼成する工程と、を具備すること
を特徴とする積層型ストリップライン共振器の製造方
法。2. A step of producing a slip containing at least an insulating layer material made of ceramic or glass ceramic and a photocurable resin; and (b) thinning the slip and drying the slip. A step of forming a layer molded body, (c) a step of subjecting the insulating layer molded body to exposure treatment and curing the insulating layer molded body, and (d) a step of forming the insulating layer molded body (c). (B) and (c) are sequentially repeated to produce a molded body for a first dielectric layer in which a plurality of the insulating layer molded bodies are laminated; and (e) forming the first dielectric layer molded body. Applying a conductive paste to the main surface of the molded body for the dielectric layer to form a ground electrode conductive member; (f)
The steps (b) and (c) are sequentially repeated for the first dielectric layer formed body on which the ground electrode conductive member is formed, and a second dielectric layer formed by laminating a plurality of the insulating layer formed bodies is formed. After forming a molded body for the body layer, after performing exposure and development processing on each of the plurality of insulating layer molded bodies in the upper layer portion of the molded body for the second dielectric layer to form a plurality of through holes, Filling the through hole with a conductive paste to form a lower electrode forming groove filled with the conductive paste; and (g) forming a plurality of grooves formed on the main surface of the second dielectric layer molded body. Forming a strip line by applying a conductive paste so as to be continuous with the lower electrode forming groove,
(H) The slip is thinned and dried with respect to the molded body for the second dielectric layer on which the strip line is formed to form an insulating layer molded body, and this insulating layer molded body is exposed and developed. Forming a plurality of through-holes, forming a plurality of upper electrode forming grooves filled with conductive paste by repeating the step of filling the through-hole with conductive paste,
(I) an insulating layer molded body having a plurality of upper electrode forming grooves filled with the conductive paste;
(C) sequentially repeating the step of preparing a third dielectric layer molded body in which a plurality of the insulating layer molded bodies are stacked; and (j) forming a third dielectric layer molded body. Applying a conductive paste to the surface to form a ground electrode conductive member; and (k) firing a laminated molded body in which the molded bodies for the first, second, and third dielectric layers are laminated. And a method for manufacturing a laminated strip line resonator.
上に、主面にストリップラインが形成された誘電体層が
積層され、さらに前記ストリップラインが形成された誘
電体層の上に主面にアース電極が形成された誘電体層が
積層される積層型ストリップライン共振器であって、 前記ストリップラインの幅方向両端部に位置して１対の
電極形成用溝を上下方向に延設し、前記電極形成用溝内
に前記ストリップラインと導通する１対の電極を形成
し、前記電極と導通し、前記ストリップラインと平行で
かつ前記ストリップラインよりも幅方向長さが小さい第
２ストリップラインが前記電極の上下両端からそれぞれ
延設されている、積層型ストリップライン共振器。3. A dielectric layer having a main surface on which a strip line is formed, a dielectric layer having a main surface on which a strip line is formed, and a dielectric layer having a main surface on which a strip line is formed. A laminated strip line resonator in which a dielectric layer having a ground electrode formed on a main surface is laminated, wherein a pair of electrode forming grooves are formed at both ends in the width direction of the strip line in a vertical direction. A pair of electrodes extending and forming a pair of electrodes in the electrode forming groove, which are electrically connected to the strip line, are electrically connected to the electrode, and are parallel to the strip line and have a smaller width direction length than the strip line. A laminated strip line resonator, wherein two strip lines extend from both upper and lower ends of the electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35086496A JP3416436B2 (en) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Stacked stripline resonator and method of manufacturing the same |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190324A true JPH10190324A (en) | 1998-07-21 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008160751A (en) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Toshiba Corp | Microwave circuit board |
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1996
- 1996-12-27 JP JP35086496A patent/JP3416436B2/en not_active Expired - Fee Related
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