JPH10173280A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH10173280A JPH10173280A JP33234996A JP33234996A JPH10173280A JP H10173280 A JPH10173280 A JP H10173280A JP 33234996 A JP33234996 A JP 33234996A JP 33234996 A JP33234996 A JP 33234996A JP H10173280 A JPH10173280 A JP H10173280A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振器端面に保護膜が形成される半導体レー
ザを、量産的に製造できるようにする。 【解決手段】 複数の半導体レーザ構成部が、その共振
器長方向が一方向に沿うように配列された半導体基板を
用意する工程と、この半導体基板上に、複数のストライ
プ状のマスク層を所要の幅および間隔をもって共振器長
方向と交叉する方向に延長するように平行配列して被着
形成するマスク層の形成工程と、上記複数のストライプ
状マスク層間において、これらマスク層に沿って半導体
基板を分断してそれぞれ複数の半導体レーザ構成部が配
列された複数の棒状半導体を得る工程と、これら棒状半
導体を、それぞれ棒状半導体を収容する第１の凹部が配
列された支持体上に、マスク層を有する側を第１の凹部
の開口側として第１の凹部に収容して配置し、棒状半導
体の分断されて露呈した側面に、保護膜を気相成長する
工程とを採って目的とする半導体レーザを得る。
ザを、量産的に製造できるようにする。 【解決手段】 複数の半導体レーザ構成部が、その共振
器長方向が一方向に沿うように配列された半導体基板を
用意する工程と、この半導体基板上に、複数のストライ
プ状のマスク層を所要の幅および間隔をもって共振器長
方向と交叉する方向に延長するように平行配列して被着
形成するマスク層の形成工程と、上記複数のストライプ
状マスク層間において、これらマスク層に沿って半導体
基板を分断してそれぞれ複数の半導体レーザ構成部が配
列された複数の棒状半導体を得る工程と、これら棒状半
導体を、それぞれ棒状半導体を収容する第１の凹部が配
列された支持体上に、マスク層を有する側を第１の凹部
の開口側として第１の凹部に収容して配置し、棒状半導
体の分断されて露呈した側面に、保護膜を気相成長する
工程とを採って目的とする半導体レーザを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザの製
造方法に係わる。
造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザにおいては、その光共振器
の両端面となる半導体チップの両側面に、この端面を保
護し、かつ所要の反射率、例えば３０％の反射率を有す
る共振器端面を形成するための所要の厚さのＡｌ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等の保護膜の形成がなされ
る。ところで、この保護膜は、この共振器端面から出射
するレーザ光の波長光に対しては、低い吸収性を有し、
高出力光を取り出すことができるようにすることが望ま
れる。
の両端面となる半導体チップの両側面に、この端面を保
護し、かつ所要の反射率、例えば３０％の反射率を有す
る共振器端面を形成するための所要の厚さのＡｌ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等の保護膜の形成がなされ
る。ところで、この保護膜は、この共振器端面から出射
するレーザ光の波長光に対しては、低い吸収性を有し、
高出力光を取り出すことができるようにすることが望ま
れる。
【０００３】このように、発振するレーザ光に対し低い
吸収性を示す保護膜としては、活性層のバンドギャップ
より高いバンドギャップを有する材料層によって形成す
ることが望まれ、またＡｌＧａＡｓ系や、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザを製造する場合においては、これら半
導体レーザの各半導体層を形成するＭＯＣＶＤ（Metal
Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属化学的気
相成長）法と、同様の方法によって形成することが、製
造装置、作業の簡易化から望ましい。
吸収性を示す保護膜としては、活性層のバンドギャップ
より高いバンドギャップを有する材料層によって形成す
ることが望まれ、またＡｌＧａＡｓ系や、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザを製造する場合においては、これら半
導体レーザの各半導体層を形成するＭＯＣＶＤ（Metal
Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属化学的気
相成長）法と、同様の方法によって形成することが、製
造装置、作業の簡易化から望ましい。
【０００４】しかしがら、従来このような半導体レーザ
を量産的に製造する方法の提案が未だなされていない。
を量産的に製造する方法の提案が未だなされていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、保護膜が形
成される半導体レーザを、量産的に、例えばＭＯＣＶＤ
法等によっても形成することができるようにした半導体
レーザの製造方法を提供する。
成される半導体レーザを、量産的に、例えばＭＯＣＶＤ
法等によっても形成することができるようにした半導体
レーザの製造方法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザの製造方法は、複数の半導体レーザ構成部が、その共
振器長方向が一方向に沿うように配列された半導体基板
を用意する工程と、この半導体基板上に、複数のストラ
イプ状のマスク層を所要の幅および間隔をもって共振器
長方向と交叉する方向に延長するように平行配列して被
着形成するマスク層の形成工程と、上記複数のストライ
プ状マスク層間において、これらマスク層に沿って半導
体基板を分断してそれぞれ複数の半導体レーザ構成部が
配列された複数の棒状半導体を得る工程と、これら棒状
半導体を、それぞれ棒状半導体を収容する第１の凹部が
配列された支持体上に、マスク層を有する側を第１の凹
部の開口側として第１の凹部に収容して配置し、棒状半
導体の分断されて露呈した側面に、保護膜を気相成長す
る工程とを採って目的とする半導体レーザを得る。
ザの製造方法は、複数の半導体レーザ構成部が、その共
振器長方向が一方向に沿うように配列された半導体基板
を用意する工程と、この半導体基板上に、複数のストラ
イプ状のマスク層を所要の幅および間隔をもって共振器
長方向と交叉する方向に延長するように平行配列して被
着形成するマスク層の形成工程と、上記複数のストライ
プ状マスク層間において、これらマスク層に沿って半導
体基板を分断してそれぞれ複数の半導体レーザ構成部が
配列された複数の棒状半導体を得る工程と、これら棒状
半導体を、それぞれ棒状半導体を収容する第１の凹部が
配列された支持体上に、マスク層を有する側を第１の凹
部の開口側として第１の凹部に収容して配置し、棒状半
導体の分断されて露呈した側面に、保護膜を気相成長す
る工程とを採って目的とする半導体レーザを得る。
【０００７】上述の本発明方法によれば、棒状半導体の
状態で、複数個の半導体レーザに関して同時に保護膜の
形成を行うものであるので、量産的に製造できるもので
あり、また、この保護膜の形成においては、この棒状半
導体を支持する支持体の凹部に棒状半導体を収容してそ
の露呈した棒状半導体の側面に気相成長によって保護膜
の形成を行うようにしたので、半導体レーザ構成部を構
成する各半導体層の製造における気相成長と同様の工程
を採ることができることから、製造装置の簡易化および
作業性の向上をはかることができる。
状態で、複数個の半導体レーザに関して同時に保護膜の
形成を行うものであるので、量産的に製造できるもので
あり、また、この保護膜の形成においては、この棒状半
導体を支持する支持体の凹部に棒状半導体を収容してそ
の露呈した棒状半導体の側面に気相成長によって保護膜
の形成を行うようにしたので、半導体レーザ構成部を構
成する各半導体層の製造における気相成長と同様の工程
を採ることができることから、製造装置の簡易化および
作業性の向上をはかることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明による半導体レーザの製造
方法の実施の形態を説明する。図面を参照して本発明方
法によって、例えばＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザを
製造する場合の一例を説明する。この場合、先ず、図１
に斜視図を示すように、例えば厚さが３５０μｍ〜５０
０μｍ程度のｎ型ＧａＡｓによる半導体基体１上に、全
面的に順次例えばそれぞれＭＯＣＶＤによって、ｎ型の
ＡｌＧａＩｎＰよりなるｎ型の第１のクラッド層２、例
えばＭＱＷ(Multi Quantum Well)構造による活性層３、
ＡｌＧａＩｎＰよりなるｐ型の第２のクラッド層４、ｐ
型のＧａＩｎＰよりなる中間層６、ｐ型のＧａＡｓによ
るキャップ層６をエピタキシャル成長する。その後、所
要の間隔を保持して複数のストライプ状リッジ９を形成
するように、複数の溝７を所要の間隔をもって平行に、
それぞれ第２のクラッド層５に至る深さにエッチングし
て形成する。そして、これら溝７内に、ｎ型のＧａＡｓ
による電流狭搾層８を成長し、キャップ層９を露呈させ
る平坦化を行う。
方法の実施の形態を説明する。図面を参照して本発明方
法によって、例えばＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザを
製造する場合の一例を説明する。この場合、先ず、図１
に斜視図を示すように、例えば厚さが３５０μｍ〜５０
０μｍ程度のｎ型ＧａＡｓによる半導体基体１上に、全
面的に順次例えばそれぞれＭＯＣＶＤによって、ｎ型の
ＡｌＧａＩｎＰよりなるｎ型の第１のクラッド層２、例
えばＭＱＷ(Multi Quantum Well)構造による活性層３、
ＡｌＧａＩｎＰよりなるｐ型の第２のクラッド層４、ｐ
型のＧａＩｎＰよりなる中間層６、ｐ型のＧａＡｓによ
るキャップ層６をエピタキシャル成長する。その後、所
要の間隔を保持して複数のストライプ状リッジ９を形成
するように、複数の溝７を所要の間隔をもって平行に、
それぞれ第２のクラッド層５に至る深さにエッチングし
て形成する。そして、これら溝７内に、ｎ型のＧａＡｓ
による電流狭搾層８を成長し、キャップ層９を露呈させ
る平坦化を行う。
【０００９】このようにして、最終的に複数の半導体レ
ーザを構成する各レーザ構成部が、その共振器長方向、
すなわちストライプ状リッジ９が延長する方向が一方向
に沿うように平行に配列形成された半導体基板１０を形
成する。
ーザを構成する各レーザ構成部が、その共振器長方向、
すなわちストライプ状リッジ９が延長する方向が一方向
に沿うように平行に配列形成された半導体基板１０を形
成する。
【００１０】図２に斜視図を示すように、半導体基板１
０上に、全面的に、ＳｉＯ2 等のマスク層１１を被着形
成し、これの上に、平行配列された複数のストライプ状
リッジ９を横切る方向に延びるストライプ状のエッチン
グマスク層１２を、所要の幅および間隔を保持して例え
ばフォトレジストの塗布、パターン露光、現像によって
形成する。このエッチングマスク層１２をマスクとし
て、エッチングによってマスク層１１のエッチングを行
う。この場合、そのエッチングを化学的エッチングによ
って行い、かつそのエッチング時間を選定することによ
ってマスク層１１に対するエッチングの進行に応じてそ
のエッチング幅が小となるエッチングを行う。すなわ
ち、このようにして形成されたマスク層１１は、その断
面が台形状をなすように形成する。
０上に、全面的に、ＳｉＯ2 等のマスク層１１を被着形
成し、これの上に、平行配列された複数のストライプ状
リッジ９を横切る方向に延びるストライプ状のエッチン
グマスク層１２を、所要の幅および間隔を保持して例え
ばフォトレジストの塗布、パターン露光、現像によって
形成する。このエッチングマスク層１２をマスクとし
て、エッチングによってマスク層１１のエッチングを行
う。この場合、そのエッチングを化学的エッチングによ
って行い、かつそのエッチング時間を選定することによ
ってマスク層１１に対するエッチングの進行に応じてそ
のエッチング幅が小となるエッチングを行う。すなわ
ち、このようにして形成されたマスク層１１は、その断
面が台形状をなすように形成する。
【００１１】このエッチングを行って後、エッチングマ
スク層１２を除去する。このようにすると、図３にその
斜視図を示すように、複数のストライプ状マスク層１１
が、平行配列されて形成される。
スク層１２を除去する。このようにすると、図３にその
斜視図を示すように、複数のストライプ状マスク層１１
が、平行配列されて形成される。
【００１２】この複数のストライプ状マスク層１１が、
平行配列されて形成されたウエファ１０を、その基板１
１の裏面側からラッピングしてその厚さを２００μｍ程
度以下の例えば１５０μｍ程度に薄くする。その後、各
ストライプ状マスク層１１間において、図３に鎖線
ａ1 ，ａ2 ，ａ3 ・・・で示す面に沿って分断し、それ
ぞれ図４にその斜視図を示す、複数の棒状半導体１３
（図４においては、一本の棒状半導体１３のみを示して
いる。）を形成する。この分断は、予め半導体基板１０
の結晶方向を選定して置くことによって劈開面による劈
開によって行うことができる。
平行配列されて形成されたウエファ１０を、その基板１
１の裏面側からラッピングしてその厚さを２００μｍ程
度以下の例えば１５０μｍ程度に薄くする。その後、各
ストライプ状マスク層１１間において、図３に鎖線
ａ1 ，ａ2 ，ａ3 ・・・で示す面に沿って分断し、それ
ぞれ図４にその斜視図を示す、複数の棒状半導体１３
（図４においては、一本の棒状半導体１３のみを示して
いる。）を形成する。この分断は、予め半導体基板１０
の結晶方向を選定して置くことによって劈開面による劈
開によって行うことができる。
【００１３】このようにして形成された棒状半導体１３
は、共振器長方向が平行し、かつこの棒状半導体１３の
幅によって各共振器長が設定された最終的に得る複数の
半導体レーザのレーザ構成部が配列された構成となる。
すなわち、各棒状半導体１３の長手方向に沿う相対向す
る側面Ｓ1 およびＳ2 、すなわち上述の分断面が、最終
的に得る半導体レーザの共振器の両端面となる。
は、共振器長方向が平行し、かつこの棒状半導体１３の
幅によって各共振器長が設定された最終的に得る複数の
半導体レーザのレーザ構成部が配列された構成となる。
すなわち、各棒状半導体１３の長手方向に沿う相対向す
る側面Ｓ1 およびＳ2 、すなわち上述の分断面が、最終
的に得る半導体レーザの共振器の両端面となる。
【００１４】そして、これら棒状半導体１３の両側面Ｓ
1 およびＳ2 に、保護膜の被着を行う。この保護膜は、
活性層３のバンドギャップより大きいバンドギャップを
有する材料、望ましくは上述の第１および第２のクラッ
ド層２および４の構成材料と同じでノンドープのＡｌＧ
ａＩｎＰをＭＯＣＶＤによって所要の厚さに成膜するこ
とよって形成できる。
1 およびＳ2 に、保護膜の被着を行う。この保護膜は、
活性層３のバンドギャップより大きいバンドギャップを
有する材料、望ましくは上述の第１および第２のクラッ
ド層２および４の構成材料と同じでノンドープのＡｌＧ
ａＩｎＰをＭＯＣＶＤによって所要の厚さに成膜するこ
とよって形成できる。
【００１５】図５は、このＭＯＣＶＤ装置、いわゆるＭ
ＯＶＰＥ（Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: 有機金
属気相エピタキシー）装置の構成図を示し、このＭＯＶ
ＰＥ装置は、石英よりなる反応管２０に、キャリアガス
を供給する供給管２１、原料ガスを供給する供給管２２
が設けられると共に、反応管２０内を排気する排気ポン
プ（図示せず）に連結される排気管２３が連結されてな
る。また、反応管２０内において、気相成長がなされる
上述の棒状半導体が載置支持される回転支持台２４が、
配置される。
ＯＶＰＥ（Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: 有機金
属気相エピタキシー）装置の構成図を示し、このＭＯＶ
ＰＥ装置は、石英よりなる反応管２０に、キャリアガス
を供給する供給管２１、原料ガスを供給する供給管２２
が設けられると共に、反応管２０内を排気する排気ポン
プ（図示せず）に連結される排気管２３が連結されてな
る。また、反応管２０内において、気相成長がなされる
上述の棒状半導体が載置支持される回転支持台２４が、
配置される。
【００１６】この回転支持台２４は、図６にその概略平
面図を示し、図７にその要部の断面図を示すように、棒
状半導体１３をそれぞれ収容配置することのできる複数
の第１の凹部２５が設けられる。これら第１の凹部２５
は、それぞれ棒状半導体１３を収容することができるよ
うに、棒状半導体１３の外周側面の輪郭形状に対応する
内周形状に形成する。これら第１の凹部２５は、回転支
持体２４の上面に向かって開口し、この凹部２５に棒状
半導体１３を収容させた状態で、その両側面Ｓ1 および
Ｓ2 に対向する凹部２５の両側面が、開口側に向かって
漸次広がる傾斜面とされて、これら凹部２５の側面と、
棒状半導体１３の両側面Ｓ1 およびＳ2 との間に間隙ｇ
が形成されるようにする。
面図を示し、図７にその要部の断面図を示すように、棒
状半導体１３をそれぞれ収容配置することのできる複数
の第１の凹部２５が設けられる。これら第１の凹部２５
は、それぞれ棒状半導体１３を収容することができるよ
うに、棒状半導体１３の外周側面の輪郭形状に対応する
内周形状に形成する。これら第１の凹部２５は、回転支
持体２４の上面に向かって開口し、この凹部２５に棒状
半導体１３を収容させた状態で、その両側面Ｓ1 および
Ｓ2 に対向する凹部２５の両側面が、開口側に向かって
漸次広がる傾斜面とされて、これら凹部２５の側面と、
棒状半導体１３の両側面Ｓ1 およびＳ2 との間に間隙ｇ
が形成されるようにする。
【００１７】また、これら第１の凹部２５の底面にはそ
れぞれ吸引口２６が形成され、これら吸引口は図示しな
いが排気ポンプに連結され、棒状半導体１３を真空吸引
するようになされる。この状態で、回転支持体２４を回
転しながら、例えばＡｌＧａＩｎＰの気相成長を行う。
このようにすると、図８に示すように、各棒状半導体１
３の側面Ｓ1 およびＳ2 を含んで棒状半導体１３の表面
にそれぞれＡｌＧａＩｎＰによる保護膜１４が形成され
る。
れぞれ吸引口２６が形成され、これら吸引口は図示しな
いが排気ポンプに連結され、棒状半導体１３を真空吸引
するようになされる。この状態で、回転支持体２４を回
転しながら、例えばＡｌＧａＩｎＰの気相成長を行う。
このようにすると、図８に示すように、各棒状半導体１
３の側面Ｓ1 およびＳ2 を含んで棒状半導体１３の表面
にそれぞれＡｌＧａＩｎＰによる保護膜１４が形成され
る。
【００１８】このように、保護膜１４が形成された棒状
半導体１３を、反応管２０から取出し、図９にその断面
図を示す他の治具３１に形成した第２の凹部３２に収容
する。この治具３１は、例えば板状をなし、その上面に
臨んで第２の凹部３２が形成される。この第２の凹部３
２は、棒状半導体１３の外周側面の輪郭形状に対応する
内周形状に形成するが、その大きさを棒状半導体１３よ
りやや大きく形成する。そして、図１０にその断面図を
示すように、各第２の凹部３２内にそれぞれフォトレジ
スト等の棒状半導体１３を接着保持できる接着性材料層
３３を介して収容保持する。このとき、フォトレジスト
棒状半導体１３の頂面すなわちマスク層１１上が、治具
３１の上面より突出するようになされる。
半導体１３を、反応管２０から取出し、図９にその断面
図を示す他の治具３１に形成した第２の凹部３２に収容
する。この治具３１は、例えば板状をなし、その上面に
臨んで第２の凹部３２が形成される。この第２の凹部３
２は、棒状半導体１３の外周側面の輪郭形状に対応する
内周形状に形成するが、その大きさを棒状半導体１３よ
りやや大きく形成する。そして、図１０にその断面図を
示すように、各第２の凹部３２内にそれぞれフォトレジ
スト等の棒状半導体１３を接着保持できる接着性材料層
３３を介して収容保持する。このとき、フォトレジスト
棒状半導体１３の頂面すなわちマスク層１１上が、治具
３１の上面より突出するようになされる。
【００１９】図１１にその断面図を示すように、全面的
に各棒状半導体１３を覆ってポジティブ型のフォトレジ
スト層３４を例えば回転塗布法によって塗布する。この
ようにすると、棒状半導体１３の頂面が、治具３１の上
面より突出していることにより、この棒状半導体１３
上、すなわちマスク層１１上においては、フォトレジス
ト層３４の塗布厚が他部に比し小となる。このフォトレ
ジスト層３４の厚さの相違を利用して、フォトレジスト
層３４に対する露光量を適当に選定して全面的に露光し
て、マスク層１１上におけるフォトレジスト層３４に関
しては充分に露光し、他部においては、露光量が不足す
るようにする。
に各棒状半導体１３を覆ってポジティブ型のフォトレジ
スト層３４を例えば回転塗布法によって塗布する。この
ようにすると、棒状半導体１３の頂面が、治具３１の上
面より突出していることにより、この棒状半導体１３
上、すなわちマスク層１１上においては、フォトレジス
ト層３４の塗布厚が他部に比し小となる。このフォトレ
ジスト層３４の厚さの相違を利用して、フォトレジスト
層３４に対する露光量を適当に選定して全面的に露光し
て、マスク層１１上におけるフォトレジスト層３４に関
しては充分に露光し、他部においては、露光量が不足す
るようにする。
【００２０】この状態でフォトレジスト層３４に対する
現像を行って、図１２に示すように、充分な露光がなさ
れたマスク層１１上のフォトレジスト層３４のみを除去
してここに開口３４Ｗを形成し、他部においてはフォト
レジスト３４および接着剤３３によって覆った状態とす
る。このようにして形成された開口３４Ｗの両側縁に
は、マスク層１１が、断面台形とされていることによっ
て、これの除去によってこの形状に対応するひさし３４
Ｈが、開口３４の中央に向かって突設された形状とな
る。
現像を行って、図１２に示すように、充分な露光がなさ
れたマスク層１１上のフォトレジスト層３４のみを除去
してここに開口３４Ｗを形成し、他部においてはフォト
レジスト３４および接着剤３３によって覆った状態とす
る。このようにして形成された開口３４Ｗの両側縁に
は、マスク層１１が、断面台形とされていることによっ
て、これの除去によってこの形状に対応するひさし３４
Ｈが、開口３４の中央に向かって突設された形状とな
る。
【００２１】図１３に示すように、開口３４を通じて例
えばＳｉＯ2 よりなるマスク層１１を弗酸等によってエ
ッチング除去して、棒状半導体１３のキャップ層６を露
呈させる。治具３１は、このエッチングに際し侵蝕され
ることがない、例えばポリエチレン、ポリエステル等の
樹脂によって形成しておく。
えばＳｉＯ2 よりなるマスク層１１を弗酸等によってエ
ッチング除去して、棒状半導体１３のキャップ層６を露
呈させる。治具３１は、このエッチングに際し侵蝕され
ることがない、例えばポリエチレン、ポリエステル等の
樹脂によって形成しておく。
【００２２】図１４に示すように、キャップ層６上を含
めて全面的に半導体レーザの一方の電極を構成する電極
層３５を、蒸着等によって形成する。この金属層３５
は、例えばＴｉ層とＰｔＡｕ合金層の積層構造とするこ
とができる。
めて全面的に半導体レーザの一方の電極を構成する電極
層３５を、蒸着等によって形成する。この金属層３５
は、例えばＴｉ層とＰｔＡｕ合金層の積層構造とするこ
とができる。
【００２３】その後、治具３１を、フォトレジストの溶
液例えばアセトンに浸漬する。このようにすると、フォ
トレジスト層３４と、同様にフォトレジストによる接着
性材料層３３が溶解することによって、フォトレジスト
層３４とともに、これの上の電極層３５がリフトオフさ
れ、図１５に斜視図を示すように、そのキャップ層６を
有する側の面にのみ電極層３５による一方の電極すなわ
ちｐ型電極３６がオーミックに被着形成された棒状半導
体１３が、治具３１より取り出される。このようにし
て、形成された電極３６は、図１３で示したように電極
層３５の形成において、フォトレジスト層３４の開口３
４Ｗに、ひさし３２Ｈが突設することから、棒状半導体
１３の側面Ｓ1 およびＳ2 より充分内側に入り込んだ位
置に形成される。そして、棒状半導体１３の裏面には、
他方の電極３７をオーミックに被着する。
液例えばアセトンに浸漬する。このようにすると、フォ
トレジスト層３４と、同様にフォトレジストによる接着
性材料層３３が溶解することによって、フォトレジスト
層３４とともに、これの上の電極層３５がリフトオフさ
れ、図１５に斜視図を示すように、そのキャップ層６を
有する側の面にのみ電極層３５による一方の電極すなわ
ちｐ型電極３６がオーミックに被着形成された棒状半導
体１３が、治具３１より取り出される。このようにし
て、形成された電極３６は、図１３で示したように電極
層３５の形成において、フォトレジスト層３４の開口３
４Ｗに、ひさし３２Ｈが突設することから、棒状半導体
１３の側面Ｓ1 およびＳ2 より充分内側に入り込んだ位
置に形成される。そして、棒状半導体１３の裏面には、
他方の電極３７をオーミックに被着する。
【００２４】その後、棒状半導体１３を各リッジ９間に
おいて、図１５に鎖線ｂ1 ，ｂ2 ，ｂ3 ・・・で示す面
に沿って劈開分断してチップ化し、図１６に斜視図を示
す目的とする半導体レーザＬＤを複数個得る。
おいて、図１５に鎖線ｂ1 ，ｂ2 ，ｂ3 ・・・で示す面
に沿って劈開分断してチップ化し、図１６に斜視図を示
す目的とする半導体レーザＬＤを複数個得る。
【００２５】このようにして、その光出射端面となる共
振器端面が臨む半導体チップの端面に、保護膜１４が形
成された目的とする半導体レーザＬＤが形成されるもの
であり、この保護膜１４としては、活性層３のバンドギ
ャップより大なるバンドギャップを有する例えば半導体
レーザのクラッド層と同一材料を、ＭＯＣＶＤによって
形成できる方法によることから、この保護膜１４におけ
る出射レーザ光の吸収を効果的に回避できるものであ
り、しかもこの保護膜１４の形成を、複数の半導体レー
ザを構成する棒状半導体１３の状態で成膜できるので、
量産的に形成することができる。
振器端面が臨む半導体チップの端面に、保護膜１４が形
成された目的とする半導体レーザＬＤが形成されるもの
であり、この保護膜１４としては、活性層３のバンドギ
ャップより大なるバンドギャップを有する例えば半導体
レーザのクラッド層と同一材料を、ＭＯＣＶＤによって
形成できる方法によることから、この保護膜１４におけ
る出射レーザ光の吸収を効果的に回避できるものであ
り、しかもこの保護膜１４の形成を、複数の半導体レー
ザを構成する棒状半導体１３の状態で成膜できるので、
量産的に形成することができる。
【００２６】また、上述した製造方法においては、マス
ク層１１を断面台形状に形成したことにより、図１３で
示したように、ひさし（庇）３４Ｈを突設させるように
することによって、棒状半導体１３の側面Ｓ1 およびＳ
2 より充分内側に入り込んだ位置に電極３６を形成でき
るので、図示しないが、この半導体レーザＬＤを、ヘッ
ダー等の基台に半田付け等によってマウントするに際し
て、この電極３６が、半導体チップの側面にはみ出るこ
とによって、短絡事故やリークの発生を来すような不都
合を回避でき、信頼性の高い半導体レーザを得ることが
できるものである。
ク層１１を断面台形状に形成したことにより、図１３で
示したように、ひさし（庇）３４Ｈを突設させるように
することによって、棒状半導体１３の側面Ｓ1 およびＳ
2 より充分内側に入り込んだ位置に電極３６を形成でき
るので、図示しないが、この半導体レーザＬＤを、ヘッ
ダー等の基台に半田付け等によってマウントするに際し
て、この電極３６が、半導体チップの側面にはみ出るこ
とによって、短絡事故やリークの発生を来すような不都
合を回避でき、信頼性の高い半導体レーザを得ることが
できるものである。
【００２７】尚、上述した例では、本発明をＡｌＧａＩ
ｎＰ半導体レーザに適用した場合であるが、ＡｌＧａＡ
ｓあるいはＩＩ−ＶＩ族半導体レーザに適用することも
できるし、上述した構造の半導体レーザに限られるもの
ではなく、活性層とクラッド層との間にガイド層が介在
されるＳＣＨ(Separate Confinement Heterostructure)
構造等各種構造による半導体レーザの製造に本発明を適
用することができる。
ｎＰ半導体レーザに適用した場合であるが、ＡｌＧａＡ
ｓあるいはＩＩ−ＶＩ族半導体レーザに適用することも
できるし、上述した構造の半導体レーザに限られるもの
ではなく、活性層とクラッド層との間にガイド層が介在
されるＳＣＨ(Separate Confinement Heterostructure)
構造等各種構造による半導体レーザの製造に本発明を適
用することができる。
【００２８】
【発明の効果】上述したように、本発明方法によれば、
棒状半導体の状態で、複数個の半導体レーザに関して同
時に保護膜の形成を行うものであるので、量産的に製造
できるものであり、また、この保護膜の形成において
は、この棒状半導体を支持する支持体の凹部に棒状半導
体を収容してその露呈した棒状半導体の側面に気相成長
によって保護膜の形成を行うようにしたので、半導体レ
ーザ構成部を構成する各半導体層の製造における気相成
長と同様の工程を採ることができることから、製造装置
の簡易化および作業性の向上をはかることができる。
棒状半導体の状態で、複数個の半導体レーザに関して同
時に保護膜の形成を行うものであるので、量産的に製造
できるものであり、また、この保護膜の形成において
は、この棒状半導体を支持する支持体の凹部に棒状半導
体を収容してその露呈した棒状半導体の側面に気相成長
によって保護膜の形成を行うようにしたので、半導体レ
ーザ構成部を構成する各半導体層の製造における気相成
長と同様の工程を採ることができることから、製造装置
の簡易化および作業性の向上をはかることができる。
【図１】本発明製造方法の一工程における一部を断面と
する要部の斜視図である。
する要部の斜視図である。
【図２】本発明製造方法の一工程における一部を断面と
する要部の斜視図である。
する要部の斜視図である。
【図３】本発明製造方法の一工程における一部を断面と
する要部の斜視図である。
する要部の斜視図である。
【図４】本発明製造方法の一工程における一部を断面と
する要部の斜視図である。
する要部の斜視図である。
【図５】本発明製造方法を実施する気相成長装置の一例
の構成図である。
の構成図である。
【図６】本発明製造方法を実施する気相成長装置の一例
の回転支持体の平面図である。
の回転支持体の平面図である。
【図７】本発明製造方法の一工程における要部の断面図
である。
である。
【図８】本発明製造方法の一工程における要部の断面図
である。
である。
【図９】本発明製造方法の一工程における要部の断面図
である。
である。
【図１０】本発明製造方法の一工程における要部の断面
図である。
図である。
【図１１】本発明製造方法の一工程における要部の断面
図である。
図である。
【図１２】本発明製造方法の一工程における要部の断面
図である。
図である。
【図１３】本発明製造方法の一工程における要部の断面
図である。
図である。
【図１４】本発明製造方法の一工程における要部の断面
図である。
図である。
【図１５】本発明製造方法の一工程における一部を断面
とする要部の斜視図である。
とする要部の斜視図である。
【図１６】本発明製造方法によって得た半導体レーザの
一例の斜視図である。
一例の斜視図である。
１ 半導体基体、２ 第１のクラッド層、３ 活性層、
４ 第２のクラッド層、５ 中間層、６ キャップ層、
８ 電流狭窄層、１１ マスク層、１４ 保護膜、２０
反応管、２１，２２ 供給管、２３ 排気管、２４
回転支持体、２５ 第１の凹部、３１ 治具、３２ 第
２の凹部
４ 第２のクラッド層、５ 中間層、６ キャップ層、
８ 電流狭窄層、１１ マスク層、１４ 保護膜、２０
反応管、２１，２２ 供給管、２３ 排気管、２４
回転支持体、２５ 第１の凹部、３１ 治具、３２ 第
２の凹部
Claims (8)
- 【請求項１】 複数の半導体レーザ構成部が、その共振
器長方向が一方向に沿うように配列された半導体基板を
用意する工程と、 該半導体基板上に、複数のストライプ状のマスク層を所
要の幅および間隔をもって上記共振器長方向と交叉する
方向に延長するように平行配列して被着形成するマスク
層の形成工程と、 上記複数のストライプ状マスク層間において、上記マス
ク層に沿って上記半導体基板を分断してそれぞれ複数の
半導体レーザ構成部が配列された複数の棒状半導体を得
る工程と、 該棒状半導体を、それぞれ該棒状半導体を収容する第１
の凹部が配列された支持体上に、上記マスク層を有する
側を上記第１の凹部の開口側として上記第１の凹部に収
容して配置し、上記棒状半導体の上記分断されて露呈し
た側面に、保護膜を気相成長する工程とを有することを
特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 上記支持体が回転支持体であり、該回転
支持体を回転させながら上記保護膜の気相成長を行うこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項３】 上記保護膜は、上記半導体レーザ構成部
の活性層のバンドギャップより広いバンドギャップを有
する材料層によって構成することを特徴とする請求項１
に記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 上記保護膜は、上記半導体レーザ構成部
のクラッド層と同一材料によって構成することを特徴と
する請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項５】 上記回転支持体の上記第１の凹部は、上
記棒状半導体の上記マスク層を有する側とは反対側の底
面に対応する底面に選定され、上記棒状半導体の上記分
断側面と対向する側面が上記第１の凹部の開口側に向か
って漸次広がる傾斜面とされたことを特徴とする請求項
１に記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項６】 上記保護膜が形成された棒状半導体上の
上記マスク層を除去する工程と、該除去部に半導体レー
ザの一方の電極を形成する工程とを有することを特徴と
する請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項７】 上記保護膜が形成された棒状半導体上の
上記マスク層の除去工程において、 上記各棒状半導体を、該棒状半導体を収容する第２の凹
部を有する治具に、フォトレジスト層によって覆って配
置する工程と、 上記マスク層上の上記フォトレジスト層に開口を形成す
る工程と、 該開口を通じて上記フォトレジストをエッチングレジス
トとして上記マスク層をエッチング除去する工程と、 該除去部に半導体レーザの一方の電極を形成する工程
と、 上記治具を除去する工程と、 上記フォトレジストを除去する工程とを有することを特
徴とする請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項８】 上記第２の凹部の少なくとも上記棒状半
導体の分断側面と対向する側面が、該第２の凹部の開口
側に向かって漸次広がる傾斜面とされたことを特徴とす
る請求項７に記載の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33234996A JPH10173280A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33234996A JPH10173280A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173280A true JPH10173280A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18253973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33234996A Pending JPH10173280A (ja) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10173280A (ja) |
-
1996
- 1996-12-12 JP JP33234996A patent/JPH10173280A/ja active Pending
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