JPH10135307A - Treating device - Google Patents
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- JPH10135307A JPH10135307A JP8305491A JP30549196A JPH10135307A JP H10135307 A JPH10135307 A JP H10135307A JP 8305491 A JP8305491 A JP 8305491A JP 30549196 A JP30549196 A JP 30549196A JP H10135307 A JPH10135307 A JP H10135307A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板等の被処理体に対して塗布・現像のよう
な処理を施す処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for performing processing such as coating and development on a processing target such as a semiconductor wafer or an LCD substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
シリコン基板に代表される半導体ウエハに対し、処理液
例えばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ
技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト
膜を露光し、これを現像処理する一連の処理を施す工程
が存在する。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process,
A processing liquid, for example, a photoresist liquid is applied to a semiconductor wafer typified by a silicon substrate, a circuit pattern is reduced by using a photolithography technique, the photoresist film is exposed, and a series of processings for developing the same are performed. There is a step of applying.
【0003】このような塗布・現像を行う処理システム
は、被処理体としての半導体ウエハをカセットから搬出
し、カセットへ搬入するカセット・ステーションと、ウ
エハを洗浄する洗浄ユニットと、ウエハの表面を疎水化
処理するアドヒージョンユニットと、ウエハを所定温度
に冷却する冷却ユニット、ウエハの表面にレジスト液を
塗布するレジスト塗布ユニットと、レジスト液塗布の前
後でウエハを加熱するプリベークまたはポストベークを
行うベーキングユニットと、ウエハの周縁部のレジスト
を除去するための周辺露光ユニットと、隣接する露光装
置との間でウエハの受渡しを行うためのウエハ受渡し台
と、露光処理済みのウエハを現像液に晒してレジストの
感光部または非感光部を選択的に現像液に溶解せしめる
現像ユニットとを一体に集約化した構成を有しており、
これにより作業の向上を図っている。A processing system for performing such coating / developing includes a cassette station for unloading a semiconductor wafer as an object to be processed from a cassette and loading the semiconductor wafer into the cassette, a cleaning unit for cleaning the wafer, and a process for making the surface of the wafer hydrophobic. Unit for cooling, a cooling unit for cooling the wafer to a predetermined temperature, a resist coating unit for coating the surface of the wafer with a resist solution, and baking for pre-baking or post-baking for heating the wafer before and after applying the resist solution. A unit, a peripheral exposure unit for removing the resist on the peripheral portion of the wafer, a wafer delivery table for delivering the wafer between adjacent exposure apparatuses, and exposing the exposed wafer to a developing solution. A developing unit for selectively dissolving the exposed or unexposed portions of the resist in a developing solution; Has a consolidation with the structures in the body,
This is intended to improve work.
【0004】このような処理システムとしては、従来、
システムの中央部に長手方向に沿って配設されるウエハ
搬送路が設けられ、上記複数のユニットを搬送路の両側
に各々正面を向けた状態で配設され、各ユニットにウエ
ハを搬送するためのウエハ搬送体がウエハ搬送路上を移
動するように構成されたものが一般的に用いられてい
る。したがって、水平方向に延びるウエハ搬送路に沿っ
て各種処理ユニットが配列される横長のシステム構成と
なるため、システム全体の占有スペースが大きくなり、
クリーンルームコストが高くつくという問題がある。特
に、この種の処理システムに有効な垂直層流方式によっ
てシステム全体ないし各部の清浄度を高めようとする
と、スペースが大きいため、空調器またはフィルタ等の
イニシャルコストおよびメンテナンスコストが非常に高
くつ。[0004] As such a processing system, conventionally,
A wafer transfer path is provided in the center of the system along the longitudinal direction, and the plurality of units are disposed on both sides of the transfer path with their fronts facing each other, for transferring a wafer to each unit. Is generally used so that the wafer transfer body moves on the wafer transfer path. Therefore, since a horizontally long system configuration in which various processing units are arranged along the wafer transfer path extending in the horizontal direction, the occupied space of the entire system is increased,
There is a problem that a clean room cost is high. In particular, when the cleanliness of the entire system or each part is increased by a vertical laminar flow system effective for this type of processing system, the initial cost and maintenance cost of an air conditioner or a filter are very high because the space is large.
【0005】そこで、ウエハ搬送体を垂直方向に移動可
能で垂直軸の回りに回転可能にし、このウエハ搬送体の
周囲に各処理ユニットを多段に配置した処理システムが
提案されている(特開平4−85812号公報)。この
ような処理システムによれば、システムの占有スペース
が縮小するので、クリーンルームコストが低下するとと
もに、搬送速度およびアクセス速度を高速化することが
可能となり、スループットの向上を図ることができる。Therefore, a processing system has been proposed in which a wafer carrier is movable in a vertical direction and rotatable around a vertical axis, and each processing unit is arranged in multiple stages around the wafer carrier (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 4 (1994) -104). -85812). According to such a processing system, the space occupied by the system is reduced, so that the clean room cost is reduced, the transport speed and the access speed can be increased, and the throughput can be improved.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな処理システムにおいては、多数の処理ユニットが積
層されて設けられており、かつ加熱ユニット、冷却ユニ
ット、搬送ユニットおよびアドヒージョンユニットなど
はオープン型のユニットであるため、これら処理ユニッ
ト間で相互に影響を受け合い、適正な処理が行われなく
なるおそれがある。特に、アドヒージョン処理などのガ
スを使用する処理の場合、漏出したガスが他の処理ユニ
ットに侵入し、被処理体である半導体ウエハに悪影響を
与えるおそれがある。本発明はかかる事情に鑑みてなさ
れたものであって、ガス処理ユニットが他の処理ユニッ
トに影響を及ぼすことがない処理装置を提供することを
目的とする。However, in such a processing system, a large number of processing units are stacked and provided, and a heating unit, a cooling unit, a transfer unit, an adhesion unit and the like are of an open type. Therefore, there is a possibility that the processing units may be affected by each other and appropriate processing may not be performed. In particular, in the case of a process using a gas such as an adhesion process, the leaked gas may enter another processing unit and adversely affect a semiconductor wafer as a processing target. The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a processing apparatus in which a gas processing unit does not affect other processing units.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第1発明は、被処理体に対して複数工程からなる処
理を施す処理装置であって、鉛直方向に沿って延在する
搬送路と、この搬送路の周囲に配置され、各々被処理体
に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方
向に積層して構成される複数の処理部と、前記搬送路を
移動するとともに、前記複数の処理部の各処理ユニット
に対して前記被処理体を搬入出する搬送機構と、前記搬
送路にダウンフローを形成するダウンフロー形成手段
と、を具備し、前記処理部のうち少なくとも1つは、加
熱または冷却するための複数の熱的ユニットと、ガス処
理ユニットと、装置外に対して被処理体の搬入出を行う
搬送ユニットとを有し、前記ガス処理ユニットが熱的ユ
ニットおよび搬送ユニットより下方位置に配置されてい
ることを特徴とする処理装置を提供する。According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a process including a plurality of steps on an object to be processed. A path, a plurality of processing units arranged around the transport path, and a plurality of processing units configured to vertically stack a plurality of processing units each performing a predetermined process on an object to be processed, and moving the transport path. A transport mechanism for loading and unloading the object to and from each processing unit of the plurality of processing units; and a downflow forming unit configured to form a downflow in the transport path. At least one of the thermal processing units includes a plurality of thermal units for heating or cooling, a gas processing unit, and a transport unit for loading and unloading an object to be processed outside the apparatus. Unit and transport unit To provide a processing apparatus characterized by that from Tsu bets are placed in the lower position.
【0010】第2発明は、第1発明の処理装置におい
て、前記複数の熱的ユニットが、加熱するためのユニッ
トより下に冷却するためのユニットが位置する配置を有
し、それより下方位置に搬送ユニットが配置されている
ことを特徴とする処理装置を提供する。According to a second aspect, in the processing apparatus according to the first aspect, the plurality of thermal units have an arrangement in which a cooling unit is located below a heating unit, and the thermal unit is located below the heating unit. Provided is a processing device, wherein a transport unit is disposed.
【0011】第3発明は、被処理体に対して塗布・現像
処理を施す処理装置であって、鉛直方向に沿って延在す
る搬送路と、この搬送路の周囲に配置され、被処理体に
レジストを塗布するレジスト塗布ユニットおよびレジス
トのパターンを現像する現像ユニットを含む処理ユニッ
トが鉛直方向に積層されてなる少なくとも一つの第1の
処理部と、被処理体を加熱する加熱ユニットと、半導体
ウエハを冷却する冷却ユニットと、装置外に対して被処
理体の搬入出を行う搬送ユニットと、被処理体に対して
疎水化処理を行うアドヒージョン処理ユニットとが鉛直
方向に積層されてなる少なくとも一つの第2の処理部
と、前記搬送路を移動するとともに、前記複数の処理部
の各処理ユニットに対して前記被処理体を搬入出する搬
送機構と、前記搬送路にダウンフローを形成するダウン
フロー形成手段と、を具備し、前記第2の処理部は、下
方からアドヒージョン処理ユニット、搬送ユニット、冷
却ユニット、加熱ユニットの順に配置されていることを
特徴とする処理装置を提供する。A third aspect of the present invention is a processing apparatus for performing a coating / developing process on an object to be processed, and includes a transport path extending in a vertical direction, and a processing path disposed around the transport path. At least one first processing unit in which a processing unit including a resist coating unit for coating a resist on the substrate and a developing unit for developing a pattern of the resist is vertically stacked, a heating unit for heating the object to be processed, and a semiconductor At least one of a cooling unit that cools a wafer, a transfer unit that loads and unloads a target object to and from the outside of the apparatus, and an adhesion processing unit that performs a hydrophobic treatment on the target object is vertically stacked. Two second processing units, a transport mechanism that moves along the transport path, and loads and unloads the object to and from each processing unit of the plurality of processing units; And a downflow forming means for forming a downflow in the second processing unit, wherein the second processing unit is arranged from the bottom in the order of an adhesion processing unit, a transport unit, a cooling unit, and a heating unit. Provide equipment.
【0012】第4発明は、上記第1ないし第3発明のい
ずれか一つの処理装置において、前記ダウンフロー形成
手段は、前記搬送路の上端に設けられた気体取り入れ口
と、前記搬送路の下端に設けられた排気口と、前記気体
取り入れ口に設けられ、取り入れられた気体を清浄化す
るフィルタ機構とを有することを特徴とする処理装置を
提供する。According to a fourth aspect, in the processing apparatus of any one of the first to third aspects, the downflow forming means includes a gas inlet provided at an upper end of the transport path, and a lower end of the transport path. And a filter mechanism provided at the gas intake and for purifying the introduced gas.
【0013】第1発明においては、鉛直方向に沿って延
在する搬送路にダウンフローを形成するとともに、加熱
または冷却するための複数の熱的ユニットと、ガス処理
ユニットと、装置外に対して被処理体の搬入出を行う搬
送ユニットとが鉛直方向に積層して構成される処理部に
おいて、ガス処理ユニットを熱的ユニットおよび搬送ユ
ニットの下に配置したので、ガス処理ユニットから漏出
したガスがダウンフローによって下方に流れ、上方の熱
的ユニットおよび搬送ユニットにガスの影響を及ぼすこ
とを回避することができる。In the first invention, a downflow is formed in a transport path extending along the vertical direction, and a plurality of thermal units for heating or cooling, a gas processing unit, and In the processing unit configured by vertically stacking the transport unit that carries in and out the object, the gas processing unit is arranged below the thermal unit and the transport unit. The downflow allows the gas to flow downward and to avoid the influence of gas on the upper thermal unit and the transport unit.
【0014】第2発明においては、第1発明に加え、複
数の熱的ユニットを、加熱するためのユニットの下に冷
却するユニットが位置する配置とし、その下に搬送ユニ
ットを配置したので、熱的な相互干渉をより少なくする
ことができる。In the second invention, in addition to the first invention, the plurality of thermal units are arranged such that a cooling unit is located below a unit for heating, and a transport unit is arranged therebelow. Mutual interference can be further reduced.
【0015】第3発明においては、被処理体に対して塗
布・現像処理を施す処理装置において、鉛直方向に沿っ
て延在する搬送路にダウンフローを形成するとともに、
加熱ユニットと、冷却ユニットと、搬送ユニットと、ア
ドヒージョン処理ユニットとが鉛直方向に積層されてな
る第2の処理部の配置を、下方からアドヒージョン処理
ユニット、搬送ユニット、冷却ユニット、加熱ユニット
の順にしたので、ガス処理ユニットから漏出したガスが
ダウンフローによって下方に流れ、他の処理ユニットに
影響を及ぼすことが回避されるとともに熱的な相互干渉
を防止することができる。According to a third aspect of the present invention, in a processing apparatus for performing a coating / developing process on an object to be processed, a down flow is formed in a transport path extending along a vertical direction.
The arrangement of the second processing unit in which the heating unit, the cooling unit, the transport unit, and the adhesion processing unit are vertically stacked is arranged in the order of the adhesion processing unit, the transport unit, the cooling unit, and the heating unit from below. Therefore, it is possible to prevent the gas leaked from the gas processing unit from flowing downward due to the downflow and to affect other processing units, and also to prevent thermal mutual interference.
【0016】第4発明においては、ダウンフロー形成手
段が、気体取り入れ口に設けられ、取り入れられた気体
を清浄化するフィルタ機構を有し、清浄化された気体が
搬送路下端の排出口から排出されるので、常に清浄化さ
れた気体のダウンフローが形成され、極めて清浄度の高
い処理を行うことができる。In the fourth invention, the downflow forming means is provided at the gas intake port and has a filter mechanism for purifying the introduced gas, and the purified gas is discharged from the discharge port at the lower end of the transport path. Therefore, a downflow of the purified gas is always formed, so that processing with extremely high cleanliness can be performed.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の処理装置を半導体
ウエハへのレジスト塗布・現像処理システムに適用した
実施形態を添付図面に基いて詳細に説明する。図1は本
実施の形態に係るレジスト塗布・現像処理システムを示
す概略平面図、図2は図1の正面図、図3は図1の背面
図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the processing apparatus of the present invention is applied to a system for applying and developing a resist on a semiconductor wafer will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing a resist coating and developing system according to the present embodiment, FIG. 2 is a front view of FIG. 1, and FIG. 3 is a rear view of FIG.
【0018】この処理システムは、カセットステーショ
ン10と、複数の処理ユニットを有する処理ステーショ
ン20と、処理ステーション20と隣接して設けられる
露光装置(図示せず)との間でウエハWを受け渡すため
のインター・フェース部30とを具備している。This processing system transfers wafers W between a cassette station 10, a processing station 20 having a plurality of processing units, and an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 20. And an interface unit 30.
【0019】上記カセットステーション10は、被処理
体としての半導体ウエハWを複数枚例えば25枚単位で
ウエハカセット1に搭載された状態で他のシステムから
このシステムへ搬入またはこのシステムから他のシステ
ムへ搬出したり、ウエハカセット1と処理ステーション
20との間でウエハWの搬送を行うためのものである。The cassette station 10 loads a plurality of semiconductor wafers W as objects to be processed, for example, in units of 25 wafers, into the wafer cassette 1 from another system, or from this system to another system. This is for unloading and carrying the wafer W between the wafer cassette 1 and the processing station 20.
【0020】このカセットステーション10において
は、図1に示すように、カセット載置台2上に図中X方
向に沿って複数(図では4個)の突起3が形成されてお
り、この突起3の位置にウエハカセット1がそれぞれの
ウエハ出入口を処理ステーション20側に向けて一列に
載置可能となっている。ウエハカセット1においてはウ
エハWが垂直方向(Z方向)に配列されている。また、
カセットステーション10は、ウエハカセット載置台2
と処理ステーション20との間に位置するウエハ搬送機
構4を有している。このウエハ搬送機構4は、カセット
配列方向(X方向)およびその中のウエハWのウエハ配
列方向(Z方向)に移動可能なウエハ搬送用アーム4a
を有しており、このアーム4aによりいずれかのウエハ
カセット1に対して選択的にアクセス可能となってい
る。また、ウエハ搬送用アーム4aは、θ方向に回転可
能に構成されており、後述する処理ステーション20側
のグループG3に属する搬送ユニット(TR)46との
間でウエハWを搬送することができる。In the cassette station 10, as shown in FIG. 1, a plurality of (four in the figure) projections 3 are formed on the cassette mounting table 2 along the X direction in the figure. The wafer cassettes 1 can be placed at a position in a line with the respective wafer entrances facing the processing station 20 side. In the wafer cassette 1, the wafers W are arranged in a vertical direction (Z direction). Also,
The cassette station 10 includes the wafer cassette mounting table 2
And a wafer transfer mechanism 4 located between the processing station 20. The wafer transfer mechanism 4 includes a wafer transfer arm 4a movable in a cassette arrangement direction (X direction) and a wafer arrangement direction (Z direction) of wafers W therein.
The arm 4a allows any one of the wafer cassettes 1 to be selectively accessed. The wafer transfer arm 4a is configured to be rotatable in the θ direction, and can transfer the wafer W to and from a transfer unit (TR) 46 belonging to a group G3 on the processing station 20 side described later.
【0021】上記処理ステーション20は、半導体ウエ
ハWへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハW
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション20は、
図1に示すように、中心部に垂直方向に移動可能な主ウ
エハ搬送機構21が設けられ、この主ウエハ搬送機構2
1のウエハ搬送路22の周りに全ての処理ユニットが配
置されている。これら複数の処理ユニットは、複数の処
理部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが
鉛直方向に沿って多段に配置されている。この態様にお
いては、5個の処理部G1,G2,G3,G4およびG
5がウエハ搬送路22の周囲に配置されており、ウエハ
搬送路22が略閉鎖された空間となっている。The processing station 20 includes a plurality of processing units for performing a series of steps for performing a coating and a phenomenon on the semiconductor wafer W. These processing units are arranged at predetermined positions in multiple stages. The semiconductor wafer W
Are processed one by one. This processing station 20
As shown in FIG. 1, a main wafer transfer mechanism 21 which is movable in a vertical direction is provided at a central portion.
All the processing units are arranged around one wafer transfer path 22. The plurality of processing units are divided into a plurality of processing units, and each processing unit includes a plurality of processing units arranged in multiple stages along a vertical direction. In this embodiment, five processing units G1, G2, G3, G4 and G
5 are arranged around the wafer transfer path 22, and the wafer transfer path 22 is a substantially closed space.
【0022】これらのうち、処理部G1,G2はシステ
ム正面(図1において手前)側に並列に配置され、処理
部G3はカセットステーション10に隣接して配置さ
れ、処理部G4はインター・フェース部30に隣接して
配置され、処理部G5は背部側に配置されている。Of these, the processing units G1 and G2 are arranged in parallel on the front side of the system (in FIG. 1), the processing unit G3 is arranged adjacent to the cassette station 10, and the processing unit G4 is an interface unit. The processing unit G5 is disposed adjacent to the processing unit 30, and the processing unit G5 is disposed on the back side.
【0023】この場合、図2に示すように、処理部G1
では、カップ23内でウエハWをスピンチャック(図示
せず)に載置して所定の処理を行う2台のスピナ型処理
ユニットが上下に配置されており、この態様において
は、ウエハWにレジストを塗布するレジスト塗布ユニッ
ト(COT)およびレジストのパターンを現像する現像
ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられてい
る。処理部G2も同様に、2台のスピナ型処理ユニット
としてレジスト塗布ユニット(COT)及び現像ユニッ
ト(DEV)が下から順に2段に重ねられている。この
ようにレジスト塗布ユニット(COT)を下段側に配置
する理由は、レジスト液の廃液が機構的にもメンテナン
スの上でも現像液の廃液よりも本質的に複雑であり、こ
のように塗布ユニット(COT)を下段に配置すること
によりその複雑さが緩和されるからである。しかし、必
要に応じてレジスト塗布ユニット(COT)を上段に配
置することも可能である。In this case, as shown in FIG.
In this embodiment, two spinner-type processing units for performing a predetermined process by placing the wafer W on a spin chuck (not shown) in the cup 23 are vertically arranged. And a developing unit (DEV) for developing a resist pattern are stacked in two stages from the bottom. Similarly, in the processing section G2, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom as two spinner type processing units. The reason for disposing the resist coating unit (COT) on the lower side in this way is that the waste liquid of the resist liquid is inherently more complicated than the waste liquid of the developer both mechanically and in terms of maintenance. This is because by arranging (COT) in the lower stage, its complexity is reduced. However, if necessary, a resist coating unit (COT) can be arranged in the upper stage.
【0024】処理部G3においては、図3に示すよう
に、ウエハWを載置台24(図1参照)に載置して所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニットが7段配置され
ている。具体的には、下から順にアドヒージョン処理ユ
ニット(AD)47、搬送ユニット(TR)46、2つ
のチルプレートユニット(CP)44,45、および3
つのホットプレートユニット(HP)41,42,43
が配置されている。In the processing section G3, as shown in FIG. 3, seven stages of oven-type processing units for performing a predetermined process by mounting the wafer W on the mounting table 24 (see FIG. 1) are arranged. Specifically, in order from the bottom, an adhesion processing unit (AD) 47, a transport unit (TR) 46, two chill plate units (CP) 44, 45, and 3
Hot plate units (HP) 41, 42, 43
Is arranged.
【0025】これらのうち、ホットプレートユニット
(HP)41,42,43は、半導体ウエハWに対して
プリベーク処理またはポストベーク処理のような加熱処
理を施すものであり、チルプレートユニット(CP)4
4,45は、半導体ウエハWを冷却するものであり、搬
送ユニット(TR)46は半導体ウエハWを搬送するた
めのものである。また、アドヒージョン処理ユニット
(AD)47は、後述するように、半導体ウエハWに対
して疎水化処理を施すものである。Of these, the hot plate units (HP) 41, 42, and 43 are for subjecting the semiconductor wafer W to a heating process such as a pre-bake process or a post-bake process, and the chill plate unit (CP) 4
Reference numerals 4 and 45 are for cooling the semiconductor wafer W, and the transfer unit (TR) 46 is for transferring the semiconductor wafer W. The adhesion processing unit (AD) 47 performs a hydrophobic treatment on the semiconductor wafer W as described later.
【0026】処理部G4も同様に、図3に示すように、
オーブン型の処理ユニットが7段配置されている。具体
的には、下から順に、搬送・チルプレートユニット(T
R・CP)54、チルプレートユニット(CP)53、
および5つのホットプレートユニット(HP)52,5
1,50,49,48が配置されている。Similarly, the processing unit G4, as shown in FIG.
7 stages of oven type processing units are arranged. Specifically, the transport / chill plate unit (T
R / CP) 54, chill plate unit (CP) 53,
And five hot plate units (HP) 52,5
1, 50, 49 and 48 are arranged.
【0027】主ウエハ搬送機構21の背部側に位置する
処理部G5も基本的には処理部G3、G4と同様、オー
プン型の処理ユニットが多段に積層された構造を有して
いる。この処理部G5は、案内レール67に沿って主ウ
エハ搬送機構21から見て側方へ移動できるようになっ
ている。したがって、処理部G5をスライドすることに
より空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構21に
対して背後からメンテナンス作業が容易に行うことがで
きる。The processing unit G5 located on the back side of the main wafer transfer mechanism 21 basically has a structure in which open processing units are stacked in multiple stages, similarly to the processing units G3 and G4. The processing section G5 can be moved laterally along the guide rail 67 when viewed from the main wafer transfer mechanism 21. Therefore, since a space is secured by sliding the processing unit G5, maintenance work can be easily performed from behind the main wafer transfer mechanism 21.
【0028】上記インター・フェース部30は、X方向
の長さは処理ステーション20と同じ長さを有してい
る。図1、図2に示すように、このインター・フェース
部30の正面部には、可搬性のピックアップカセット3
1と定置型のバッファカセット32が2段に配置され、
背面部には周辺露光装置33が配設され、中央部には、
ウエハ搬送アーム34が配設されている。このウエハ搬
送アーム34は、X、Z方向に移動して両カセット3
1,32および周辺露光装置33にウエハを搬送可能と
なっている。また、このウエハ搬送アーム34は、θ方
向に回転可能であり、処理ステーション20側の処理部
G4に属する搬送・チルプレートユニット(TR・C
P)54および隣接する露光装置側のウエハ受渡し台
(図示せず)にもウエハWを搬送可能となっている。The interface section 30 has the same length in the X direction as the processing station 20. As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette 3 is provided at the front of the interface section 30.
1 and stationary buffer cassettes 32 are arranged in two stages,
A peripheral exposure device 33 is provided on the back, and a central
A wafer transfer arm 34 is provided. The wafer transfer arm 34 moves in the X and Z directions to move both cassettes 3.
The wafers can be transported to the peripheral exposure devices 33. The wafer transfer arm 34 is rotatable in the θ direction, and is a transfer / chill plate unit (TR / C) belonging to the processing section G4 on the processing station 20 side.
P) 54 and the wafer W can be transferred to a wafer transfer table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side.
【0029】上記のように構成される処理システムは、
クリーンルーム内に設置され、これによって清浄度を高
めているが、さらにシステム内でも効率的に垂直層流を
供給することによって各部の清浄度を一層高めている。
図4および図5にシステム内における清浄空気の流れを
示す。The processing system configured as described above includes:
Although it is installed in a clean room and thereby increases the cleanliness, the cleanliness of each part is further enhanced by efficiently supplying a vertical laminar flow in the system.
4 and 5 show the flow of clean air in the system.
【0030】図4に示すように、カセットステーション
10、処理ステーション20およびインター・フェース
部30の上方には空気供給室10a,20a,30aが
設けられており、各空気供給室10a,20a,30a
の下面に防塵機能付きフィルタ例えばULPAフィルタ
55が取り付けられている。このうち空気供給室10
a,30a内には配管を介して空気が導入され、ULP
Aフィルタ55により清浄な空気がダウンフローでカセ
ットステーション10およびインター・フェース部30
に供給される。As shown in FIG. 4, air supply chambers 10a, 20a, 30a are provided above the cassette station 10, the processing station 20, and the interface section 30, and the air supply chambers 10a, 20a, 30a are provided.
A filter with a dust-proof function, for example, an ULPA filter 55 is attached to the lower surface of the device. Of these, the air supply chamber 10
a, 30a, air is introduced through a pipe, and ULP
The A filter 55 allows the clean air to flow down through the cassette station 10 and the interface 30.
Supplied to
【0031】また、図5に示すように、主ウエハ搬送機
構21のウエハ搬送路22の上方には、そこに空気を供
給するための給気口25が設けられ、その下方にはウエ
ハ搬送路22に供給された空気を排気するための排気口
26が設けられている。前述の空気供給室20は、給気
口25と給気用配管との接続部に設けられており、その
下面に上記ULPAフィルタ55が取り付けられ、その
上方位置に例えばアミン等の有機汚染物を除去する機能
を有するケミカルフィルタ56が取り付けられている。As shown in FIG. 5, an air supply port 25 for supplying air thereto is provided above the wafer transfer path 22 of the main wafer transfer mechanism 21, and below the wafer transfer path 22. An exhaust port 26 for exhausting the air supplied to 22 is provided. The above-mentioned air supply chamber 20 is provided at a connection portion between the air supply port 25 and the air supply pipe, and the ULPA filter 55 is attached to the lower surface thereof. A chemical filter 56 having a function of removing is attached.
【0032】排気口26と排気用配管との接続部には排
気室20bが設けられており、この排気室20bの上面
に排気口26が形成された多孔板57が取り付けられ、
排気室20b内には排気ファン55が配設されている。
また、排気室20bと排気配管との接続部には圧力調整
手段例えばスリットダンパ59が配設されている。そし
て、図示しない給気装置により搬送路22内を給気口2
5から排気口26に向けて清浄空気のダウンフローが形
成される。An exhaust chamber 20b is provided at the connection between the exhaust port 26 and the exhaust pipe, and a perforated plate 57 having the exhaust port 26 is attached to the upper surface of the exhaust chamber 20b.
An exhaust fan 55 is provided in the exhaust chamber 20b.
Further, a pressure adjusting means, for example, a slit damper 59 is provided at a connection portion between the exhaust chamber 20b and the exhaust pipe. Then, the inside of the conveyance path 22 is supplied with an air supply port
5, a downflow of clean air is formed toward the exhaust port 26.
【0033】上記カセットステーション10において
は、図4に示すように、カセット載置台2の上方空間と
ウエハ搬送用ピンセット4の移動空間とは垂壁式の仕切
板5によって互いに仕切られており、ダウンフローの空
間は両空間で別個に流れるようになっている。また、上
記処理ステーション20では、図4および図5に示すよ
うに、処理部G1,G2の中で下段に配置されているレ
ジスト塗布ユニット(COT)の天井面にULPAフィ
ルタ55aが設けられており、上記循環管路52から搬
送路22内に供給される空気がこのULPAフィルタ5
5aを通ってレジスト塗布ユニット(COT)内に流れ
る。また、図4に示すように、各スピナ型処理ユニット
(COT)、(DEV)の主ウエハ搬送機構21に面す
る側壁には、ウエハWおよび搬送アームが出入りするた
めの開口部64が設けられている。各開口部64には、
各ユニットからパーティクルまたは有機汚染物等が主ウ
エハ搬送機構21側に入り込まないようにするためのシ
ャッタ(図示せず)が取り付けられている。In the cassette station 10, as shown in FIG. 4, the space above the cassette mounting table 2 and the space for moving the wafer transfer tweezers 4 are separated from each other by a vertical partition plate 5. The flow space flows separately in both spaces. In the processing station 20, as shown in FIGS. 4 and 5, an ULPA filter 55a is provided on a ceiling surface of a resist coating unit (COT) disposed at a lower stage in the processing units G1 and G2. The air supplied from the circulation pipe 52 into the transport path 22 is supplied to the ULPA filter 5.
It flows into the resist coating unit (COT) through 5a. As shown in FIG. 4, an opening 64 through which the wafer W and the transfer arm enter and exit is provided on a side wall of the spinner type processing units (COT) and (DEV) facing the main wafer transfer mechanism 21. ing. In each opening 64,
A shutter (not shown) is attached to prevent particles or organic contaminants from entering the main wafer transfer mechanism 21 from each unit.
【0034】次に、処理部G3に属するアドヒージョン
処理ユニット(AD)47について説明する。図6は、
アドヒージョン処理ユニット(AD)を示す概略断面図
である。このアドヒージョン処理ユニットは、処理室7
1を有し、その中に被処理体としての半導体ウエハWが
水平に支持されている。Next, the adhesion processing unit (AD) 47 belonging to the processing section G3 will be described. FIG.
FIG. 2 is a schematic sectional view showing an adhesion processing unit (AD). This adhesion processing unit has a processing chamber 7
1 in which a semiconductor wafer W as an object to be processed is horizontally supported.
【0035】半導体ウエハWを支持する支持機構72
は、基台73と、基台と前記被処理体との間に間隙を形
成するスペーサ74と、半導体ウエハを位置決めする位
置決め部材75とを備えており、いわゆるプロキシミテ
ィ方式が採用されている。図7に示すように、スペーサ
74は、半導体ウエハWの周囲に複数(図では4つ)設
けられており、各スペーサに対応するように複数の位置
決め部材75が設けられている。これら位置決め部材7
5は、スペーサ74を介在した状態で基台72にねじ止
めされている。また、位置決め部材75は、いわゆる落
とし込みにより半導体ウエハWを保持するようになって
いる。なお、基台72には加熱用のヒータ(図示せず)
が埋設されている。A support mechanism 72 for supporting the semiconductor wafer W
Includes a base 73, a spacer 74 for forming a gap between the base and the object to be processed, and a positioning member 75 for positioning the semiconductor wafer, and a so-called proximity method is employed. As shown in FIG. 7, a plurality of (four in the figure) spacers 74 are provided around the semiconductor wafer W, and a plurality of positioning members 75 are provided corresponding to each spacer. These positioning members 7
5 is screwed to the base 72 with the spacer 74 interposed therebetween. The positioning member 75 holds the semiconductor wafer W by so-called dropping. The base 72 has a heater for heating (not shown).
Is buried.
【0036】処理室71の上部にはプレート76が着脱
自在に設けられており、その上にはガス供給部77およ
びガス排出部78が設けられている。プレート76内は
スペーサ79により空間80が形成されており、この空
間が排ガスの流路となる。また、スペーサ76の底部の
外側には処理室71に連続する孔81が形成されてい
て、この孔81を通って処理室71からの排ガスが空間
80に流れる。A plate 76 is detachably provided above the processing chamber 71, and a gas supply unit 77 and a gas discharge unit 78 are provided thereon. A space 80 is formed in the plate 76 by the spacer 79, and this space serves as a flow path of the exhaust gas. A hole 81 that is continuous with the processing chamber 71 is formed outside the bottom of the spacer 76, and exhaust gas from the processing chamber 71 flows into the space 80 through the hole 81.
【0037】ガス供給部77には、ガス供給配管82が
接続されており、このガス供給配管82には処理ガスと
してのHMDSガスおよびN2ガスがバルブ83により
選択的に通流され、これらのいずれかガス供給部77に
供給される。ガス供給部77内には配管82に連続する
水平なガス流路84が形成されており、このガス流路8
4の先端付近には、処理室71まで垂直に延びる第1の
ガス供給孔85と、第1のガス供給孔85の両側に放射
状に処理室71まで延びる第2のガス供給孔86とが連
続している。このガス供給部77には、図示しない切り
替え機構が設けられており、これによりHMDSガスが
供給される場合にはガス供給孔85を通り、N2ガスが
供給される場合にはガス供給孔86を通るように流路が
切り替えられる。A gas supply pipe 82 is connected to the gas supply section 77, and HMDS gas and N 2 gas as processing gases are selectively passed through the gas supply pipe 82 by a valve 83. The gas is supplied to any one of the gas supply units 77. In the gas supply unit 77, a horizontal gas flow path 84 that is continuous with the pipe 82 is formed.
A first gas supply hole 85 extending vertically to the processing chamber 71 and a second gas supply hole 86 extending radially to the processing chamber 71 on both sides of the first gas supply hole 85 are continuous near the front end of the first gas supply hole 4. doing. The gas supply unit 77 is provided with a switching mechanism (not shown), which passes through the gas supply hole 85 when the HMDS gas is supplied, and the gas supply hole 86 when the N 2 gas is supplied. The flow path is switched so as to pass through.
【0038】ガス排出部78にはガス排出路87が形成
されており、この排出路87には排気管88が接続され
ている。そして、排気管88にはエジェクター89が接
続されている。前記排出口87はプレート76の空間8
0に接続されている。したがって、処理室71内のガス
は、排気ポンプ89により、孔81、空間80および排
出口87を通って排気管88から排気される。A gas exhaust passage 87 is formed in the gas exhaust portion 78, and an exhaust pipe 88 is connected to the exhaust passage 87. An ejector 89 is connected to the exhaust pipe 88. The outlet 87 is provided in the space 8 of the plate 76.
Connected to 0. Therefore, the gas in the processing chamber 71 is exhausted from the exhaust pipe 88 by the exhaust pump 89 through the hole 81, the space 80, and the outlet 87.
【0039】このようなアドヒージョン処理ユニット
(AD)47においては、まず、処理室71内をエジェ
クター89にて排気し、その後、HMDSを処理室71
内に導入して半導体ウエハWに対して疎水化処理を行
う。この際に、HMDSガスは、ガス流路84からガス
供給孔85を通って、処理室71内の半導体ウエハWの
中央に垂直に供給される。そして、半導体ウエハWの中
央から外側に向かって流れ、さらに上方に向かい、孔8
1、空間80、排気口87を通って排気管88から排気
される。そして、処理終了後、HMDSガスの雰囲気が
大気中へ放出されないように、エジェクター89により
処理室71内を強制的に排気するとともに、置換ガスで
あるN2ガスを導入する。In such an adhesion processing unit (AD) 47, first, the inside of the processing chamber 71 is evacuated by the ejector 89, and then the HMDS is removed from the processing chamber 71.
To perform hydrophobic treatment on the semiconductor wafer W. At this time, the HMDS gas is supplied vertically from the gas flow path 84 to the center of the semiconductor wafer W in the processing chamber 71 through the gas supply hole 85. Then, it flows outward from the center of the semiconductor wafer W and further upward, and
1. Air is exhausted from the exhaust pipe 88 through the space 80 and the exhaust port 87. Then, after the processing is completed, the inside of the processing chamber 71 is forcibly exhausted by the ejector 89 and an N 2 gas as a replacement gas is introduced so that the atmosphere of the HMDS gas is not released into the atmosphere.
【0040】このようなアドヒージョン処理は、完全密
閉ではなく半オープンのユニットで行われるため、ユニ
ット外にHMDSガスが漏出する場合がある。このよう
なガスが他のオープン型の処理ユニットに侵入すると被
処理体である半導体ウエハWに悪影響を及ぼす。Since such an adhesion process is performed in a semi-open unit instead of a completely closed unit, the HMDS gas may leak out of the unit. When such a gas enters another open-type processing unit, it adversely affects the semiconductor wafer W to be processed.
【0041】しかし、本システムの場合、処理部G3に
おいて、アドヒージョン処理ユニット(AD)47が、
ホットプレートユニット(HP)41,42,43,チ
ルプレートユニット(CP)44,45、および搬送ユ
ニット46よりも下にあり、しかも、搬送路22には清
浄化された空気のダウンフローが形成されているので、
アドヒージョン処理ユニット(AD)47から漏出した
HMDSガスは、ダウンフローにより下方に流れて速か
に排気口26から排出され、他の処理ユニットに侵入す
るおそれはほとんどない。したがって、HMDSガスが
他の処理ユニットの半導体ウエハWに悪影響を与えるこ
とを回避することができる。However, in the case of the present system, the adhesion processing unit (AD) 47 in the processing section G3
The hot plate units (HP) 41, 42, 43, the chill plate units (CP) 44, 45, and the transport unit 46 are located below, and the transport path 22 has a downflow of purified air. So
The HMDS gas leaked from the adhesion processing unit (AD) 47 flows downward due to the downflow, is quickly exhausted from the exhaust port 26, and has almost no risk of entering another processing unit. Therefore, it is possible to prevent the HMDS gas from adversely affecting the semiconductor wafer W of another processing unit.
【0042】また、処理部G3は、上述のように、下か
ら順にアドヒージョン処理ユニット(AD)47、搬送
ユニット(TR)46、2つのチルプレートユニット
(CP)44,45、および3つのホットプレートユニ
ット(HP)41,42,43が配置されているが、こ
のように、配置することにより、熱的な相互干渉を極力
排除することができる。As described above, the processing section G3 includes, in order from the bottom, an adhesion processing unit (AD) 47, a transport unit (TR) 46, two chill plate units (CP) 44 and 45, and three hot plates. The units (HP) 41, 42, and 43 are arranged. By arranging the units in this way, thermal mutual interference can be eliminated as much as possible.
【0043】次に、本システム全体の処理動作について
説明する。まず、カセットステーション10において、
ウエハ搬送機構4のウエハ搬送用アーム4aがカセット
載置台2上の未処理のウエハWを収容しているカセット
1にアクセスして、そのカセット1から1枚のウエハW
を取り出す。ウエハWのアライメントを行った後、主ウ
エハ搬送機構21は処理部G3に属するアドヒージョン
処理ユニット(AD)47に半導体ウエハWを搬入す
る。Next, the processing operation of the entire system will be described. First, at the cassette station 10,
The wafer transfer arm 4a of the wafer transfer mechanism 4 accesses the cassette 1 containing the unprocessed wafers W on the cassette mounting table 2 so that one wafer W
Take out. After the alignment of the wafer W, the main wafer transfer mechanism 21 loads the semiconductor wafer W into the adhesion processing unit (AD) 47 belonging to the processing section G3.
【0044】アドヒージョン処理が終了した半導体ウエ
ハは、いずれかのチルプレートユニット(CP)内で冷
却された後、塗布ユニット(COT)にて、スピンコー
トによりレジスト塗布される。その後、いずれかのホッ
トプレートユニット(HP)内でプリベークが実施さ
れ、クーリングユニットで冷却された後、周辺露光装置
33による周辺露光が実施される。その後、半導体ウエ
ハWは隣接する露光装置に搬送され、全面露光が実施さ
れる。The semiconductor wafer having been subjected to the adhesion process is cooled in one of the chill plate units (CP), and then coated with a resist by spin coating in a coating unit (COT). Thereafter, prebaking is performed in any of the hot plate units (HP), and after being cooled by the cooling unit, peripheral exposure is performed by the peripheral exposure device 33. After that, the semiconductor wafer W is transferred to an adjacent exposure device, and the entire surface is exposed.
【0045】露光処理が終了すると、インター・フェー
ス部30のウエハ搬送アーム34がウエハWを受け取
り、受け取ったウエハWを処理ステーション20の処理
部G4に属する搬送・チルプレートユニット(TR・C
P)54へ搬入する。そして、主ウエハ搬送機構21が
ウエハWを受け取り、現像ユニット(DEV)に搬入し
現像処理を行う。When the exposure processing is completed, the wafer transfer arm 34 of the interface section 30 receives the wafer W, and transfers the received wafer W to the transfer / chill plate unit (TR · C) belonging to the processing section G 4 of the processing station 20.
P) Carry into 54. Then, the main wafer transfer mechanism 21 receives the wafer W, carries it into the developing unit (DEV), and performs a developing process.
【0046】現像工程が終了すると、いずれかのホット
プレートユニット(HP)によりポストベークが実施さ
れる。その後いずれかのチルプテートユニット(CP)
により冷却され、さらに搬送ユニット(TR)46の載
置台に載置される。そしてカセットステーション10の
アーム4aがウエハWを受け取り、カセット載置台2上
の処理済みウエハ収容用のカセット1の所定のウエハ収
容溝に入れる。これにより一連の処理が完了する。When the developing step is completed, post baking is performed by one of the hot plate units (HP). After that, any of the chirpate units (CP)
, And further mounted on the mounting table of the transport unit (TR) 46. Then, the arm 4a of the cassette station 10 receives the wafer W and puts the wafer W into a predetermined wafer accommodating groove of the cassette 1 for accommodating the processed wafer on the cassette mounting table 2. Thus, a series of processing is completed.
【0047】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形が可能である。例えば、上記実施の
形態では、ガス処理としてアドヒージョン処理の場合に
ついて示したが、これに限るものではない。また、被処
理体も半導体ウエハに限らず、LCD基板、ガラス基
板、CD基板、フォトマスク、プリント基板等種々のも
の適用可能である。The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the case of the adhesion process as the gas process has been described, but the present invention is not limited to this. Also, the object to be processed is not limited to a semiconductor wafer, and various objects such as an LCD substrate, a glass substrate, a CD substrate, a photomask, and a printed substrate can be applied.
【0048】[0048]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガス処理ユニットを他のユニットの下に配置したので、
ガス処理ユニットが他の処理ユニットに影響を及ぼすこ
とがない処理装置が提供される。As described above, according to the present invention,
Since the gas processing unit was placed below the other units,
A processing apparatus is provided in which a gas processing unit does not affect other processing units.
【図1】本発明のガス処理装置の一実施形態に係るレジ
スト液塗布・現像処理システムを示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a resist liquid application / development processing system according to an embodiment of a gas processing apparatus of the present invention.
【図2】図1のレジスト液塗布・現像処理システムを示
す側面図。FIG. 2 is a side view showing the resist liquid application / development processing system of FIG. 1;
【図3】図1のレジスト液塗布・現像処理システムを示
す背面図。FIG. 3 is a rear view showing the resist liquid application / development processing system of FIG. 1;
【図4】図1のレジスト液塗布・現像処理システムにお
ける清浄空気の流れを示す概略図。FIG. 4 is a schematic diagram showing a flow of clean air in the resist liquid application / development processing system of FIG. 1;
【図5】図1のレジスト液塗布・現像処理システムにお
ける清浄空気の流れを示す概略図。FIG. 5 is a schematic diagram showing a flow of clean air in the resist liquid application / development processing system of FIG. 1;
【図6】図1のレジスト液塗布・現像処理システムに適
用されたアドヒージョン処理ユニットを示す概略断面
図。FIG. 6 is a schematic sectional view showing an adhesion processing unit applied to the resist liquid application / development processing system of FIG. 1;
【図7】図6のユニットに用いられる半導体ウエハ支持
機構を説明するための図。FIG. 7 is a view for explaining a semiconductor wafer support mechanism used in the unit of FIG. 6;
10……カセットステーション 20……処理ステーション 21……主基板搬送機構 22……搬送路 25……給気口 26……排気口 41,42,43……ホットプレートユニット 44,45……チルプレートユニット 46……搬送ユニット 47……アドヒージョン処理ユニット G1,G2,G3,G4,G5……処理部 10 cassette station 20 processing station 21 main substrate transfer mechanism 22 transfer path 25 air supply port 26 exhaust port 41, 42, 43 hot plate unit 44, 45 chill plate Unit 46 Transport unit 47 Adhesion processing unit G1, G2, G3, G4, G5 Processing unit
Claims (4)
を施す処理装置であって、 鉛直方向に沿って延在する搬送路と、 この搬送路の周囲に配置され、各々被処理体に対して所
定の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層し
て構成される複数の処理部と、 前記搬送路を移動するとともに、前記複数の処理部の各
処理ユニットに対して前記被処理体を搬入出する搬送機
構と、 前記搬送路にダウンフローを形成するダウンフロー形成
手段と、を具備し、 前記処理部のうち少なくとも1つは、加熱または冷却す
るための複数の熱的ユニットと、ガス処理ユニットと、
装置外に対して被処理体の搬入出を行う搬送ユニットと
を有し、前記ガス処理ユニットが熱的ユニットおよび搬
送ユニットより下方位置に配置されていることを特徴と
する処理装置。1. A processing apparatus for performing a process consisting of a plurality of processes on an object to be processed, comprising a transport path extending along a vertical direction, and disposed around the transport path. A plurality of processing units configured to vertically stack a plurality of processing units for performing predetermined processing on the processing path; A transport mechanism for loading and unloading a body, and a downflow forming unit configured to form a downflow in the transport path, wherein at least one of the processing units includes a plurality of thermal units for heating or cooling. , A gas processing unit,
A processing apparatus, comprising: a transport unit for carrying in / out an object to be processed into / out of the apparatus; wherein the gas processing unit is disposed below the thermal unit and the transport unit.
めのユニットより下に冷却するためのユニットが位置す
る配置を有し、それより下方位置に搬送ユニットが配置
されていることを特徴とする請求項1に記載の処理装
置。2. The method according to claim 1, wherein the plurality of thermal units have an arrangement in which a unit for cooling is located below a unit for heating, and a transport unit is arranged below the unit for cooling. The processing device according to claim 1.
処理装置であって、 鉛直方向に沿って延在する搬送路と、 この搬送路の周囲に配置され、被処理体にレジストを塗
布するレジスト塗布ユニットおよびレジストのパターン
を現像する現像ユニットを含む処理ユニットが鉛直方向
に積層されてなる少なくとも一つの第1の処理部と、 被処理体を加熱する加熱ユニットと、半導体ウエハを冷
却する冷却ユニットと、装置外に対して被処理体の搬入
出を行う搬送ユニットと、被処理体に対して疎水化処理
を行うアドヒージョン処理ユニットとが鉛直方向に積層
されてなる少なくとも一つの第2の処理部と、 前記搬送路を移動するとともに、前記複数の処理部の各
処理ユニットに対して前記被処理体を搬入出する搬送機
構と、 前記搬送路にダウンフローを形成するダウンフロー形成
手段と、を具備し、 前記第2の処理部は、下方からアドヒージョン処理ユニ
ット、搬送ユニット、冷却ユニット、加熱ユニットの順
に配置されていることを特徴とする処理装置。3. A processing apparatus for applying and developing an object to be processed, comprising: a transport path extending along a vertical direction; and a periphery of the transport path, wherein a resist is applied to the object to be processed. At least one first processing unit in which a processing unit including a resist coating unit for coating and a developing unit for developing a resist pattern is vertically stacked, a heating unit for heating an object to be processed, and a semiconductor wafer for cooling. At least one second unit in which a cooling unit, a transport unit for carrying in / out the object to and from the outside of the apparatus, and an adhesion processing unit for performing hydrophobic treatment on the object to be processed are vertically stacked. A transport mechanism that moves along the transport path and carries the object in and out of each processing unit of the plurality of processing sections; Anda downflow forming means for forming a flow, the second processing unit, adhesion processing unit from below, the transport unit, the cooling unit, the processing apparatus characterized by being arranged in the order of the heating unit.
路の上端に設けられた気体取り入れ口と、前記搬送路の
下端に設けられた排気口と、前記気体取り入れ口に設け
られ、取り入れられた気体を清浄化するフィルタ機構と
を有することを特徴とする請求項1ないし請求項3のい
ずれか1項に記載の処理装置。4. The downflow forming means is provided at a gas intake port provided at an upper end of the transport path, an exhaust port provided at a lower end of the transport path, and provided at the gas intake port. The processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a filter mechanism for purifying gas.
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1996
- 1996-11-01 JP JP30549196A patent/JP3254148B2/en not_active Expired - Lifetime
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