JPH0949071A - 真空処理室の洗浄方法および機構ならびにそれを用いる半導体製造方法および装置 - Google Patents
真空処理室の洗浄方法および機構ならびにそれを用いる半導体製造方法および装置Info
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- JPH0949071A JPH0949071A JP7205489A JP20548995A JPH0949071A JP H0949071 A JPH0949071 A JP H0949071A JP 7205489 A JP7205489 A JP 7205489A JP 20548995 A JP20548995 A JP 20548995A JP H0949071 A JPH0949071 A JP H0949071A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄時の効率および被処理物の歩留りを向上
する真空処理室の洗浄方法および機構ならびにそれを用
いる半導体製造方法および装置を提供する。 【構成】 外気と密閉されかつウェハ1に処理を行う真
空処理室2と、真空処理室2に処理ガスを供給する処理
ガス供給手段10と、真空処理室2に形成された異物3
と化学反応する洗浄ガスを真空処理室2に供給する洗浄
ガス供給手段4と、前記処理ガス、前記洗浄ガスまたは
真空を排気する排気手段5とから構成され、ウェハ1へ
の処理を行い、前記処理ガスを排気した後、真空処理室
2を大気開放せずにそのまま前記洗浄ガスを供給するこ
とにより、異物3と前記洗浄ガスとを化学反応させ、真
空処理室2に形成されたプラズマによって異物3の揮発
を促進し、前記洗浄ガスを真空処理室2外に排気する。
する真空処理室の洗浄方法および機構ならびにそれを用
いる半導体製造方法および装置を提供する。 【構成】 外気と密閉されかつウェハ1に処理を行う真
空処理室2と、真空処理室2に処理ガスを供給する処理
ガス供給手段10と、真空処理室2に形成された異物3
と化学反応する洗浄ガスを真空処理室2に供給する洗浄
ガス供給手段4と、前記処理ガス、前記洗浄ガスまたは
真空を排気する排気手段5とから構成され、ウェハ1へ
の処理を行い、前記処理ガスを排気した後、真空処理室
2を大気開放せずにそのまま前記洗浄ガスを供給するこ
とにより、異物3と前記洗浄ガスとを化学反応させ、真
空処理室2に形成されたプラズマによって異物3の揮発
を促進し、前記洗浄ガスを真空処理室2外に排気する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造技術におけ
る真空処理室の洗浄技術に関し、特に洗浄ガスによる化
学反応を利用した真空処理室の洗浄方法および機構なら
びにそれを用いる半導体製造方法および装置に関するも
のである。
る真空処理室の洗浄技術に関し、特に洗浄ガスによる化
学反応を利用した真空処理室の洗浄方法および機構なら
びにそれを用いる半導体製造方法および装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【0003】真空処理室を用いた半導体製造装置、例え
ば、イオン打込み装置においては、被処理物である半導
体ウェハ(以降、単にウェハという)の処理回数が増え
ると、真空処理室の内壁や内部治具(ファラデー電極や
バイアス電極など)に異物が堆積する。
ば、イオン打込み装置においては、被処理物である半導
体ウェハ(以降、単にウェハという)の処理回数が増え
ると、真空処理室の内壁や内部治具(ファラデー電極や
バイアス電極など)に異物が堆積する。
【0004】したがって、真空処理室内は定期的に洗浄
が行われ、また、内部治具についても定期的に交換す
る。
が行われ、また、内部治具についても定期的に交換す
る。
【0005】なお、イオン打込み装置については、株式
会社オーム社発行「超微細加工入門」1989年6月2
0日発行、古川静二郎、その他一名(著)、89頁〜1
03頁に記載されている。
会社オーム社発行「超微細加工入門」1989年6月2
0日発行、古川静二郎、その他一名(著)、89頁〜1
03頁に記載されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術におけるイオン打込み装置の真空処理室の洗浄は、ウ
ェハへのイオン打込み終了後、一度大気開放して行うた
め、イオン打込み装置がウェハへ処理を行っていない時
間、すなわちダウンタイムが長く、効率が悪いという問
題がある。
術におけるイオン打込み装置の真空処理室の洗浄は、ウ
ェハへのイオン打込み終了後、一度大気開放して行うた
め、イオン打込み装置がウェハへ処理を行っていない時
間、すなわちダウンタイムが長く、効率が悪いという問
題がある。
【0007】また、定期的に交換する部品が多いため、
その費用が多く掛かるという問題もある。
その費用が多く掛かるという問題もある。
【0008】さらに、真空処理室の洗浄の際、大気開放
することにより、AsH3(アルシンガス)などの有害な
気体が排気されることも問題とされる。
することにより、AsH3(アルシンガス)などの有害な
気体が排気されることも問題とされる。
【0009】そこで、本発明の目的は、洗浄時の効率お
よび被処理物の歩留りを向上する真空処理室の洗浄方法
および機構ならびにそれを用いる半導体製造方法および
装置を提供することにある。
よび被処理物の歩留りを向上する真空処理室の洗浄方法
および機構ならびにそれを用いる半導体製造方法および
装置を提供することにある。
【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0012】すなわち、本発明による真空処理室の洗浄
方法は、前記真空処理室において被処理物の処理を行っ
た後、大気開放せずに前記真空処理室に洗浄ガスを供給
し、前記真空処理室に形成された異物と前記洗浄ガスと
を反応させ、前記洗浄ガスを排気することによって、前
記異物を除去するものである。
方法は、前記真空処理室において被処理物の処理を行っ
た後、大気開放せずに前記真空処理室に洗浄ガスを供給
し、前記真空処理室に形成された異物と前記洗浄ガスと
を反応させ、前記洗浄ガスを排気することによって、前
記異物を除去するものである。
【0013】さらに、本発明による真空処理室の洗浄方
法は、前記真空処理室に洗浄ガスを供給した後、前記真
空処理室にプラズマを形成し、前記真空処理室に形成さ
れた異物と前記洗浄ガスとを反応させ、前記プラズマに
よって、前記洗浄ガスの反応を促進し、前記洗浄ガスを
排気することによって、前記異物を除去するものであ
る。
法は、前記真空処理室に洗浄ガスを供給した後、前記真
空処理室にプラズマを形成し、前記真空処理室に形成さ
れた異物と前記洗浄ガスとを反応させ、前記プラズマに
よって、前記洗浄ガスの反応を促進し、前記洗浄ガスを
排気することによって、前記異物を除去するものであ
る。
【0014】また、本発明による真空処理室の洗浄機構
は、外気と密閉されかつ被処理物に処理を行う真空処理
室と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供
給手段と、前記真空処理室に形成された異物と反応する
洗浄ガスを前記真空処理室に供給する洗浄ガス供給手段
と、前記処理ガス、前記洗浄ガスまたは真空を排気する
排気手段とを有し、前記被処理物の処理を行い、前記処
理ガスを排気した後、大気開放せずに前記真空処理室に
前記洗浄ガスが供給されるものである。
は、外気と密閉されかつ被処理物に処理を行う真空処理
室と、前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供
給手段と、前記真空処理室に形成された異物と反応する
洗浄ガスを前記真空処理室に供給する洗浄ガス供給手段
と、前記処理ガス、前記洗浄ガスまたは真空を排気する
排気手段とを有し、前記被処理物の処理を行い、前記処
理ガスを排気した後、大気開放せずに前記真空処理室に
前記洗浄ガスが供給されるものである。
【0015】さらに、本発明による真空処理室の洗浄機
構は、前記真空処理室と絶縁された洗浄電極と、前記洗
浄電極と接続された高周波電源とを有し、前記高周波電
源によって前記洗浄電極に高周波を印加することによ
り、前記真空処理室にプラズマが形成されるものであ
る。
構は、前記真空処理室と絶縁された洗浄電極と、前記洗
浄電極と接続された高周波電源とを有し、前記高周波電
源によって前記洗浄電極に高周波を印加することによ
り、前記真空処理室にプラズマが形成されるものであ
る。
【0016】なお、本発明による真空処理室の洗浄機構
は、プラズマの形成箇所または形成密度を制御するプラ
ズマ制御磁石が前記真空処理室に取り付けられているも
のである。
は、プラズマの形成箇所または形成密度を制御するプラ
ズマ制御磁石が前記真空処理室に取り付けられているも
のである。
【0017】また、本発明による半導体製造方法は、前
記真空処理室の洗浄機構を用いるものであり、真空処理
室に設置された試料台に酸化膜が形成された被処理物を
載置し、前記真空処理室のイオン源に処理ガスを供給
し、前記イオン源に電圧を印加することにより、前記処
理ガスをイオン化した後、イオンビームとして取り出
し、前記イオンビームを前記被処理物に照射することに
より、前記被処理物の処理を行った後、大気開放せずに
前記真空処理室に洗浄ガスを供給し、前記真空処理室に
形成された異物と前記洗浄ガスとを反応させ、前記洗浄
ガスを排気することによって、前記異物を除去するもの
である。
記真空処理室の洗浄機構を用いるものであり、真空処理
室に設置された試料台に酸化膜が形成された被処理物を
載置し、前記真空処理室のイオン源に処理ガスを供給
し、前記イオン源に電圧を印加することにより、前記処
理ガスをイオン化した後、イオンビームとして取り出
し、前記イオンビームを前記被処理物に照射することに
より、前記被処理物の処理を行った後、大気開放せずに
前記真空処理室に洗浄ガスを供給し、前記真空処理室に
形成された異物と前記洗浄ガスとを反応させ、前記洗浄
ガスを排気することによって、前記異物を除去するもの
である。
【0018】ここで、本発明による半導体製造装置は、
前記真空処理室の洗浄機構を用いたものであり、前記被
処理物の処理を行い、前記処理ガスを排気した後、大気
開放せずに前記真空処理室の洗浄が行われるものであ
る。
前記真空処理室の洗浄機構を用いたものであり、前記被
処理物の処理を行い、前記処理ガスを排気した後、大気
開放せずに前記真空処理室の洗浄が行われるものであ
る。
【0019】さらに、本発明による半導体製造装置は、
イオン源によって生成されたイオンビームを被処理物に
照射するイオン打込み装置であり、前記イオンビームの
2次電子漏れを防止するバイアス電極と前記イオンビー
ムの電流量を検出するファラデー電極とが前記真空処理
室に設置され、かつ前記バイアス電極と前記ファラデー
電極との配置距離を調節する電極駆動手段が設けられて
いるものである。
イオン源によって生成されたイオンビームを被処理物に
照射するイオン打込み装置であり、前記イオンビームの
2次電子漏れを防止するバイアス電極と前記イオンビー
ムの電流量を検出するファラデー電極とが前記真空処理
室に設置され、かつ前記バイアス電極と前記ファラデー
電極との配置距離を調節する電極駆動手段が設けられて
いるものである。
【0020】
【作用】上記した手段によれば、真空処理室の洗浄機構
が、外気と密閉されかつ被処理物に処理を行う真空処理
室と、真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手
段と、真空処理室に形成された異物と反応する洗浄ガス
を真空処理室に供給する洗浄ガス供給手段と、処理ガ
ス、洗浄ガスまたは真空を排気する排気手段とを有し、
前記被処理物の処理を行い、前記処理ガスを排気した
後、大気開放せずに真空処理室に洗浄ガスが供給される
ことにより、被処理物の処理を行った後、大気開放せず
に真空処理室の洗浄を行うことができる。
が、外気と密閉されかつ被処理物に処理を行う真空処理
室と、真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手
段と、真空処理室に形成された異物と反応する洗浄ガス
を真空処理室に供給する洗浄ガス供給手段と、処理ガ
ス、洗浄ガスまたは真空を排気する排気手段とを有し、
前記被処理物の処理を行い、前記処理ガスを排気した
後、大気開放せずに真空処理室に洗浄ガスが供給される
ことにより、被処理物の処理を行った後、大気開放せず
に真空処理室の洗浄を行うことができる。
【0021】これにより、真空処理室の洗浄時の効率を
向上することができる。
向上することができる。
【0022】さらに、大気開放せずに真空処理室の洗浄
を行うことができるため、真空処理室の洗浄の際に、有
害な気体が排気されることを防止できる。
を行うことができるため、真空処理室の洗浄の際に、有
害な気体が排気されることを防止できる。
【0023】また、真空処理室の洗浄機構は、前記真空
処理室にプラズマを形成するものであることにより、前
記プラズマによって、真空処理室に形成された異物と洗
浄ガスとの反応を促進することができる。
処理室にプラズマを形成するものであることにより、前
記プラズマによって、真空処理室に形成された異物と洗
浄ガスとの反応を促進することができる。
【0024】さらに、真空処理室の洗浄機構は、プラズ
マの形成箇所または形成密度を制御するプラズマ制御磁
石が真空処理室に取り付けられていることにより、プラ
ズマを所定箇所に形成したり、あるいはその形成密度を
変えることができる。
マの形成箇所または形成密度を制御するプラズマ制御磁
石が真空処理室に取り付けられていることにより、プラ
ズマを所定箇所に形成したり、あるいはその形成密度を
変えることができる。
【0025】なお、半導体製造装置が前記真空処理室の
洗浄機構を用いたものであり、処理ガスを供給して被処
理物の処理を行った後、大気開放せずに真空処理室の洗
浄を行うものであることにより、前記半導体製造装置の
ダウンタイムを減少することができる。
洗浄機構を用いたものであり、処理ガスを供給して被処
理物の処理を行った後、大気開放せずに真空処理室の洗
浄を行うものであることにより、前記半導体製造装置の
ダウンタイムを減少することができる。
【0026】さらに、半導体製造装置がイオン打込み装
置であり、バイアス電極とファラデー電極との配置距離
を調節する電極駆動手段が設けられ、真空処理室を洗浄
する際には両者の配置距離を広げることにより、プラズ
マをバイアス電極およびファラデー電極などの内部治具
の周囲に回り込ませることができる。
置であり、バイアス電極とファラデー電極との配置距離
を調節する電極駆動手段が設けられ、真空処理室を洗浄
する際には両者の配置距離を広げることにより、プラズ
マをバイアス電極およびファラデー電極などの内部治具
の周囲に回り込ませることができる。
【0027】また、被処理物に処理を行う際には両者の
配置距離を縮めることにより、2次電子漏れを防止する
ことができる。
配置距離を縮めることにより、2次電子漏れを防止する
ことができる。
【0028】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【0029】図1は本発明による半導体製造装置の一実
施例であるイオン打込み装置の構造の一例を示す部分構
成概念図、図2は本発明による真空処理室の洗浄機構の
構造の一実施例を示す部分構成概念図、図3は本発明の
半導体製造方法による被処理物の処理後の状態の一実施
例を示す部分拡大断面図である。
施例であるイオン打込み装置の構造の一例を示す部分構
成概念図、図2は本発明による真空処理室の洗浄機構の
構造の一実施例を示す部分構成概念図、図3は本発明の
半導体製造方法による被処理物の処理後の状態の一実施
例を示す部分拡大断面図である。
【0030】なお、本実施例では半導体製造装置の一例
としてイオン打込み装置を取り上げて説明する。
としてイオン打込み装置を取り上げて説明する。
【0031】まず、本実施例の真空処理室の洗浄機構の
構成について説明すると、外気と密閉されかつ被処理物
であるウェハ1に処理を行う真空処理室2と、真空処理
室2に処理ガスを供給する処理ガス供給手段10と、真
空処理室2に形成された異物3と化学反応する洗浄ガス
を真空処理室2に供給する洗浄ガス供給手段4と、前記
処理ガス、前記洗浄ガスまたは真空を排気する排気手段
5とから構成され、ウェハ1への処理を行い、前記処理
ガスを排気した後、真空処理室2を大気開放せずにその
まま真空処理室2に前記洗浄ガスを供給して真空処理室
2の洗浄を行うものである。
構成について説明すると、外気と密閉されかつ被処理物
であるウェハ1に処理を行う真空処理室2と、真空処理
室2に処理ガスを供給する処理ガス供給手段10と、真
空処理室2に形成された異物3と化学反応する洗浄ガス
を真空処理室2に供給する洗浄ガス供給手段4と、前記
処理ガス、前記洗浄ガスまたは真空を排気する排気手段
5とから構成され、ウェハ1への処理を行い、前記処理
ガスを排気した後、真空処理室2を大気開放せずにその
まま真空処理室2に前記洗浄ガスを供給して真空処理室
2の洗浄を行うものである。
【0032】なお、排気手段5は真空ポンプなどによる
ものであり、真空処理室2は排気手段5によって、10
-4Pa程度まで真空排気することができる。
ものであり、真空処理室2は排気手段5によって、10
-4Pa程度まで真空排気することができる。
【0033】ここで、洗浄ガス供給手段4には、真空処
理室2に供給する洗浄ガスの流量を調節するストップバ
ルブ4aとその流量を計測するマスフロメータ4bとが
設置され、前記洗浄ガスの供給量を制御している。
理室2に供給する洗浄ガスの流量を調節するストップバ
ルブ4aとその流量を計測するマスフロメータ4bとが
設置され、前記洗浄ガスの供給量を制御している。
【0034】また、本実施例の真空処理室2の洗浄機構
は、絶縁部材6aを介して真空処理室2と絶縁された洗
浄電極6と、洗浄電極6と接続された高周波発振器であ
る高周波電源7とを有するものであり、高周波電源7に
よって洗浄電極6に高周波を印加することにより、真空
処理室2にプラズマ8を形成するものである。
は、絶縁部材6aを介して真空処理室2と絶縁された洗
浄電極6と、洗浄電極6と接続された高周波発振器であ
る高周波電源7とを有するものであり、高周波電源7に
よって洗浄電極6に高周波を印加することにより、真空
処理室2にプラズマ8を形成するものである。
【0035】さらに、本実施例の真空処理室2には、プ
ラズマ8の形成箇所または形成密度を制御するプラズマ
制御磁石9,9a,9b,9cが取り付けられている。
ラズマ8の形成箇所または形成密度を制御するプラズマ
制御磁石9,9a,9b,9cが取り付けられている。
【0036】次に、本実施例の半導体製造装置の構成に
ついて説明すると、前記半導体製造装置は、前記真空処
理室2の洗浄機構を用いたイオン打込み装置であり、前
記処理ガスを供給してウェハ1の処理を行い、前記処理
ガスを排気した後、大気開放せずに真空処理室2内の洗
浄を行うものである。
ついて説明すると、前記半導体製造装置は、前記真空処
理室2の洗浄機構を用いたイオン打込み装置であり、前
記処理ガスを供給してウェハ1の処理を行い、前記処理
ガスを排気した後、大気開放せずに真空処理室2内の洗
浄を行うものである。
【0037】ここで、処理ガス供給手段10には、供給
する処理ガスの流量を調節するストップバルブ10aと
その流量を計測するマスフロメータ10bとが設置さ
れ、前記処理ガスの供給量を制御している。
する処理ガスの流量を調節するストップバルブ10aと
その流量を計測するマスフロメータ10bとが設置さ
れ、前記処理ガスの供給量を制御している。
【0038】なお、前記処理ガスはイオンソースチャン
バ11内へ供給される。ここで、イオンソースチャンバ
11内には電子を供給するイオン源であるフィラメント
12が設置され、さらにその外部にはイオンソース用磁
石13が設置されている。
バ11内へ供給される。ここで、イオンソースチャンバ
11内には電子を供給するイオン源であるフィラメント
12が設置され、さらにその外部にはイオンソース用磁
石13が設置されている。
【0039】また、イオンソースチャンバ11の開口部
付近には、引出し加速電極14が設置されている。この
引出し加速電極14は、イオン化した処理ガスをイオン
ビームとしてイオンソースチャンバ11から取り出し、
前記イオンビームを加速させるものである。
付近には、引出し加速電極14が設置されている。この
引出し加速電極14は、イオン化した処理ガスをイオン
ビームとしてイオンソースチャンバ11から取り出し、
前記イオンビームを加速させるものである。
【0040】さらに、真空処理室2には、前記イオンビ
ームをウェハ1に照射する際に、前記イオンビームを選
択するビーム分析磁石15と前記イオンビームを走査す
るビーム走査磁石16とが設けられている。
ームをウェハ1に照射する際に、前記イオンビームを選
択するビーム分析磁石15と前記イオンビームを走査す
るビーム走査磁石16とが設けられている。
【0041】なお、前記イオン打込み装置の真空処理室
2は、ゲートバルブ17によって3つの部屋に分けられ
ており、その1つがウェハ1に処理を行うイオン打込み
室2aである。また、それぞれの部屋には洗浄電極6と
洗浄ガス供給手段4と排気手段5とが設けられている。
2は、ゲートバルブ17によって3つの部屋に分けられ
ており、その1つがウェハ1に処理を行うイオン打込み
室2aである。また、それぞれの部屋には洗浄電極6と
洗浄ガス供給手段4と排気手段5とが設けられている。
【0042】ここで、真空処理室2のイオン打込み室2
aには、前記イオンビームの2次電子漏れを防止するバ
イアス電極18と前記イオンビームの電流量を検出する
ファラデー電極19とが設置され、かつバイアス電極1
8とファラデー電極19との配置距離を調節する電極駆
動手段20が設けられている。
aには、前記イオンビームの2次電子漏れを防止するバ
イアス電極18と前記イオンビームの電流量を検出する
ファラデー電極19とが設置され、かつバイアス電極1
8とファラデー電極19との配置距離を調節する電極駆
動手段20が設けられている。
【0043】なお、本実施例の電極駆動手段20は、例
えば、ベローズ(蛇腹)などを介して真空処理室2に密
閉して取り付けられたシリンダである。
えば、ベローズ(蛇腹)などを介して真空処理室2に密
閉して取り付けられたシリンダである。
【0044】つまり、ファラデー電極19が連結部材2
1を介して前記シリンダのロッドと接続されている。さ
らに、連結部材21は、ベアリング22によって支持さ
れている。
1を介して前記シリンダのロッドと接続されている。さ
らに、連結部材21は、ベアリング22によって支持さ
れている。
【0045】次に、本実施例の真空処理室の洗浄方法に
ついてその概略を説明する。
ついてその概略を説明する。
【0046】まず、真空処理室2において被処理物であ
るウェハ1の処理を処理ガスなどによって行い、前記処
理ガスを排気した後、大気開放せずに真空処理室2に洗
浄ガスを供給し、続いて、真空処理室2に形成された異
物3と前記洗浄ガスとを化学反応させる。
るウェハ1の処理を処理ガスなどによって行い、前記処
理ガスを排気した後、大気開放せずに真空処理室2に洗
浄ガスを供給し、続いて、真空処理室2に形成された異
物3と前記洗浄ガスとを化学反応させる。
【0047】その後、前記洗浄ガスを排気することによ
って、異物3を除去する。
って、異物3を除去する。
【0048】なお、真空処理室2に前記洗浄ガスを供給
した後、真空処理室2にプラズマ8を形成し、異物3と
前記洗浄ガスとを化学反応させ、さらに、プラズマ8に
よって、前記洗浄ガスの化学反応を促進させてもよい。
した後、真空処理室2にプラズマ8を形成し、異物3と
前記洗浄ガスとを化学反応させ、さらに、プラズマ8に
よって、前記洗浄ガスの化学反応を促進させてもよい。
【0049】また、真空処理室2にプラズマ制御磁石
9,9a,9b,9cを取り付け、プラズマ制御磁石
9,9a,9b,9cが形成する磁場によって、プラズ
マ8の形成箇所または形成密度を制御することもでき
る。
9,9a,9b,9cを取り付け、プラズマ制御磁石
9,9a,9b,9cが形成する磁場によって、プラズ
マ8の形成箇所または形成密度を制御することもでき
る。
【0050】次に、本実施例の半導体製造方法について
説明する。なお、前記半導体製造方法は、前記真空処理
室2の洗浄機構を用いるイオン打込み方法である。
説明する。なお、前記半導体製造方法は、前記真空処理
室2の洗浄機構を用いるイオン打込み方法である。
【0051】まず、真空処理室2のイオン打込み室2a
に設置された試料台23にゲート酸化膜1aが形成され
たウェハ1を載置し、各々のゲートバルブ17を開いた
状態にする。
に設置された試料台23にゲート酸化膜1aが形成され
たウェハ1を載置し、各々のゲートバルブ17を開いた
状態にする。
【0052】その後、処理ガス供給手段10によって真
空処理室2のイオンソースチャンバ11内に、AsH
3(アルシン)、PH3(フォスフィン)、BF3(三フッ化
ホウ素)などの処理ガスを供給する。
空処理室2のイオンソースチャンバ11内に、AsH
3(アルシン)、PH3(フォスフィン)、BF3(三フッ化
ホウ素)などの処理ガスを供給する。
【0053】ここで、イオンソースチャンバ11内のイ
オン源であるフィラメント12とイオンソースチャンバ
11との間に数十Vの電圧を印加する。
オン源であるフィラメント12とイオンソースチャンバ
11との間に数十Vの電圧を印加する。
【0054】さらに、イオンソース用磁石13が形成す
る磁場の作用によって、イオンソースチャンバ11内に
供給された前記処理ガスをイオン化する。
る磁場の作用によって、イオンソースチャンバ11内に
供給された前記処理ガスをイオン化する。
【0055】その後、引出し加速電極14によって、イ
オンソースチャンバ11内からイオン化した処理ガスを
イオンビームとして取り出す。
オンソースチャンバ11内からイオン化した処理ガスを
イオンビームとして取り出す。
【0056】続いて、前記イオンビーム中の所定のビー
ムをビーム分析磁石15によって選択し、さらに、ビー
ム走査磁石16によって走査する。
ムをビーム分析磁石15によって選択し、さらに、ビー
ム走査磁石16によって走査する。
【0057】これにより、前記イオンビームをウェハ1
に照射し、ウェハ1への不純物24の打込み処理を複数
回繰り返して行う。
に照射し、ウェハ1への不純物24の打込み処理を複数
回繰り返して行う。
【0058】なお、ウェハ1に不純物24を打込む際
に、真空処理室2のイオン打込み室2aにおけるバイア
ス電極18とファラデー電極19との配置距離を電極駆
動手段20によって狭くしておく。
に、真空処理室2のイオン打込み室2aにおけるバイア
ス電極18とファラデー電極19との配置距離を電極駆
動手段20によって狭くしておく。
【0059】これにより、打込み量の計測誤差を少なく
することができる。
することができる。
【0060】ここで、図3に、不純物24を複数回繰り
返して打ち込んだ後のウェハ1の状態を示す。図3に示
すように、ウェハ1上において、ゲート電極1bを挟ん
で形成されたゲート酸化膜1aや、ウェハ1上にソース
電極を形成するソース領域1c、またはドレイン電極を
形成するドレイン領域1dに不純物24が注入されてい
る。
返して打ち込んだ後のウェハ1の状態を示す。図3に示
すように、ウェハ1上において、ゲート電極1bを挟ん
で形成されたゲート酸化膜1aや、ウェハ1上にソース
電極を形成するソース領域1c、またはドレイン電極を
形成するドレイン領域1dに不純物24が注入されてい
る。
【0061】その後、真空処理室2を大気開放せずにそ
のまま洗浄する。
のまま洗浄する。
【0062】まず、排気手段5によって真空処理室2内
の処理ガスを排気した後、洗浄ガス供給手段4によって
CF4(四フッ化炭素)などの洗浄ガスを真空処理室2に
供給する。
の処理ガスを排気した後、洗浄ガス供給手段4によって
CF4(四フッ化炭素)などの洗浄ガスを真空処理室2に
供給する。
【0063】さらに、高周波電源7によって洗浄電極6
に13.5MHz 程度の高周波を印加し、プラズマ8を形
成する。
に13.5MHz 程度の高周波を印加し、プラズマ8を形
成する。
【0064】この時、真空処理室2にプラズマ制御磁石
9,9a,9b,9cを設置することにより、またはビ
ーム分析磁石15やビーム走査磁石16を使用すること
により、プラズマ8を所望の箇所に形成することができ
る。
9,9a,9b,9cを設置することにより、またはビ
ーム分析磁石15やビーム走査磁石16を使用すること
により、プラズマ8を所望の箇所に形成することができ
る。
【0065】つまり、本実施例においては、洗浄電極6
と真空処理室2との間、さらに洗浄電極6とバイアス電
極18およびファラデー電極19との間にプラズマ8を
形成したいため、図2に示す4箇所にプラズマ制御磁石
9,9a,9b,9cをそれぞれ設置する。
と真空処理室2との間、さらに洗浄電極6とバイアス電
極18およびファラデー電極19との間にプラズマ8を
形成したいため、図2に示す4箇所にプラズマ制御磁石
9,9a,9b,9cをそれぞれ設置する。
【0066】その後、真空処理室2に形成されたPO
3(三酸化リン)などの異物3と前記洗浄ガスとを化学反
応させる。
3(三酸化リン)などの異物3と前記洗浄ガスとを化学反
応させる。
【0067】ここで、真空処理室2にプラズマ8が形成
されていることにより、異物3を揮発し、前記化学反応
を促進させることができる。
されていることにより、異物3を揮発し、前記化学反応
を促進させることができる。
【0068】なお、真空処理室2の洗浄を行う際に、真
空処理室2のイオン打込み室2aにおけるバイアス電極
18とファラデー電極19との配置距離をシリンダなど
の電極駆動手段20によって広くしておく。
空処理室2のイオン打込み室2aにおけるバイアス電極
18とファラデー電極19との配置距離をシリンダなど
の電極駆動手段20によって広くしておく。
【0069】これにより、プラズマ8がバイアス電極1
8やファラデー電極19などの内部治具の周囲に回り込
むため、真空処理室2内の洗浄効果を向上させることが
できる。
8やファラデー電極19などの内部治具の周囲に回り込
むため、真空処理室2内の洗浄効果を向上させることが
できる。
【0070】その後、排気手段5によって前記洗浄ガス
を真空処理室2外へ排気することにより、真空処理室2
内の異物3を除去する。
を真空処理室2外へ排気することにより、真空処理室2
内の異物3を除去する。
【0071】これによって、真空処理室2の洗浄を終了
する。
する。
【0072】なお、真空処理室2の洗浄を行う際に、真
空処理室2をゲートバルブ17によって3つの部屋に分
け、各々の部屋にプラズマ8を形成する洗浄電極6を設
置することにより、真空処理室2を前記各々の部屋毎に
洗浄することもできる。
空処理室2をゲートバルブ17によって3つの部屋に分
け、各々の部屋にプラズマ8を形成する洗浄電極6を設
置することにより、真空処理室2を前記各々の部屋毎に
洗浄することもできる。
【0073】つまり、ウェハ1に到達できずにその通り
路である前記各々の部屋などに付着したイオンを洗浄す
ることもできる。
路である前記各々の部屋などに付着したイオンを洗浄す
ることもできる。
【0074】次に、本実施例の真空処理室の洗浄方法お
よび機構ならびにそれを用いる半導体製造方法および装
置によれば、以下のような作用効果が得られる。
よび機構ならびにそれを用いる半導体製造方法および装
置によれば、以下のような作用効果が得られる。
【0075】すなわち、真空処理室2の洗浄機構が、外
気と密閉されかつ被処理物であるウェハ1に処理を行う
真空処理室2と、真空処理室2に処理ガスを供給する処
理ガス供給手段10と、真空処理室2に形成された異物
3と化学反応する洗浄ガスを真空処理室2に供給する洗
浄ガス供給手段4と、前記処理ガス、前記洗浄ガスまた
は真空を排気する排気手段5とを有し、ウェハ1の処理
を行い、前記処理ガスを排気した後、大気開放せずに真
空処理室2に洗浄ガスが供給されることにより、ウェハ
1の処理を行った後、大気開放せずに真空処理室2の洗
浄を行うことができる。
気と密閉されかつ被処理物であるウェハ1に処理を行う
真空処理室2と、真空処理室2に処理ガスを供給する処
理ガス供給手段10と、真空処理室2に形成された異物
3と化学反応する洗浄ガスを真空処理室2に供給する洗
浄ガス供給手段4と、前記処理ガス、前記洗浄ガスまた
は真空を排気する排気手段5とを有し、ウェハ1の処理
を行い、前記処理ガスを排気した後、大気開放せずに真
空処理室2に洗浄ガスが供給されることにより、ウェハ
1の処理を行った後、大気開放せずに真空処理室2の洗
浄を行うことができる。
【0076】これにより、真空処理室2の洗浄時の効率
を向上することができる。
を向上することができる。
【0077】さらに、大気開放せずに真空処理室2の洗
浄を行うことができるため、真空処理室2の洗浄の際
に、有害な気体が排気されることを防止でき、その結
果、安全性を向上することができる。
浄を行うことができるため、真空処理室2の洗浄の際
に、有害な気体が排気されることを防止でき、その結
果、安全性を向上することができる。
【0078】また、真空処理室2の洗浄機構は、真空処
理室2にプラズマ8を形成するものであることにより、
プラズマ8によって、異物3と洗浄ガスとの化学反応を
促進することができる。これにより、真空処理室2の洗
浄効果を向上することができる。
理室2にプラズマ8を形成するものであることにより、
プラズマ8によって、異物3と洗浄ガスとの化学反応を
促進することができる。これにより、真空処理室2の洗
浄効果を向上することができる。
【0079】その結果、真空処理室2内の前記内部治具
などの部品交換を頻繁に行う必要がなくなるため、洗浄
の際に掛かっていた部品交換の費用を低減することがで
きる。
などの部品交換を頻繁に行う必要がなくなるため、洗浄
の際に掛かっていた部品交換の費用を低減することがで
きる。
【0080】また、真空処理室2の洗浄機構には、プラ
ズマ8の形成箇所または形成密度を制御するプラズマ制
御磁石9,9a,9b,9cが設置されていることによ
り、プラズマ8を所定箇所に形成したり、あるいはその
形成密度を変えることができる。
ズマ8の形成箇所または形成密度を制御するプラズマ制
御磁石9,9a,9b,9cが設置されていることによ
り、プラズマ8を所定箇所に形成したり、あるいはその
形成密度を変えることができる。
【0081】これにより、真空処理室2内の所望箇所を
洗浄することができる。
洗浄することができる。
【0082】また、本実施例の半導体製造装置が、前記
真空処理室2の洗浄機構を用いたものであり、処理ガス
を供給してウェハ1の処理を行い、前記処理ガスを排気
した後、大気開放せずに真空処理室2内の洗浄を行うも
のであることにより、前記半導体製造装置のダウンタイ
ムを減少することができ、その結果、半導体製造装置の
稼動時間を大幅に延ばすことができる。
真空処理室2の洗浄機構を用いたものであり、処理ガス
を供給してウェハ1の処理を行い、前記処理ガスを排気
した後、大気開放せずに真空処理室2内の洗浄を行うも
のであることにより、前記半導体製造装置のダウンタイ
ムを減少することができ、その結果、半導体製造装置の
稼動時間を大幅に延ばすことができる。
【0083】さらに、前記半導体製造装置がイオン打込
み装置であり、バイアス電極18とファラデー電極19
との配置距離を調節する電極駆動手段20が設けられ、
真空処理室2を洗浄する際には両者の配置距離を広げる
ことにより、プラズマ8をバイアス電極18やファラデ
ー電極19などの内部治具の周囲に回り込ませることが
でき、その結果、前記内部治具の洗浄効果を向上させる
ことができる。
み装置であり、バイアス電極18とファラデー電極19
との配置距離を調節する電極駆動手段20が設けられ、
真空処理室2を洗浄する際には両者の配置距離を広げる
ことにより、プラズマ8をバイアス電極18やファラデ
ー電極19などの内部治具の周囲に回り込ませることが
でき、その結果、前記内部治具の洗浄効果を向上させる
ことができる。
【0084】また、ウェハ1に処理を行う際には両者の
配置距離を縮めることにより、2次電子漏れを防止する
ことができる。これにより、イオン打ち込み量の計測誤
差を低減することができる。
配置距離を縮めることにより、2次電子漏れを防止する
ことができる。これにより、イオン打ち込み量の計測誤
差を低減することができる。
【0085】なお、前記半導体製造装置は、前記内部治
具の洗浄効果を向上させることができ、かつイオン打ち
込み量の計測誤差を低減することができるため、ウェハ
1の歩留りを向上させることができる。
具の洗浄効果を向上させることができ、かつイオン打ち
込み量の計測誤差を低減することができるため、ウェハ
1の歩留りを向上させることができる。
【0086】その結果、真空処理室2の洗浄時の効率を
向上することと合わせることにより、ウェハ1(製品)
の原価低減を図ることができる。
向上することと合わせることにより、ウェハ1(製品)
の原価低減を図ることができる。
【0087】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0088】例えば、前記実施例で説明した真空処理室
の電極駆動手段は、シリンダを用いたものであったが、
モータ駆動を用いた電極駆動手段であってもよい。
の電極駆動手段は、シリンダを用いたものであったが、
モータ駆動を用いた電極駆動手段であってもよい。
【0089】また、前記実施例で説明した真空処理室の
洗浄方法は、被処理物の処理数に係わらず、1つの被処
理物の処理が終了した後でも、また、複数個の被処理物
の処理が終了した後でも前記真空処理室を洗浄すること
ができるものである。
洗浄方法は、被処理物の処理数に係わらず、1つの被処
理物の処理が終了した後でも、また、複数個の被処理物
の処理が終了した後でも前記真空処理室を洗浄すること
ができるものである。
【0090】さらに、前記実施例で説明した排気手段
は、真空ポンプなどによる1系統のものであったが、処
理ガスにクライオポンプ、洗浄ガスにターボ分子ポンプ
などを用いて、2系統に分けたものであってもよい。
は、真空ポンプなどによる1系統のものであったが、処
理ガスにクライオポンプ、洗浄ガスにターボ分子ポンプ
などを用いて、2系統に分けたものであってもよい。
【0091】これにより、処理ガスと洗浄ガスとが混ざ
ることを防止できるため、安全性をさらに向上すること
ができる。
ることを防止できるため、安全性をさらに向上すること
ができる。
【0092】また、前記実施例による半導体製造装置で
は、イオン打込み装置を一例として説明したが、前記半
導体製造装置は、真空処理室を用いるものであれば、エ
ッチング装置やCVD装置などであってもよい。
は、イオン打込み装置を一例として説明したが、前記半
導体製造装置は、真空処理室を用いるものであれば、エ
ッチング装置やCVD装置などであってもよい。
【0093】なお、前記実施例の真空処理室の洗浄機構
によれば、真空処理室にアルゴンガスなどの不活性ガス
を供給し、前記アルゴンガスによるイオンビームを利用
して、真空処理室内の異物付着箇所に前記イオンビーム
を照射することにより、前記異物をスパッタして叩き落
とす洗浄も行うことができる。
によれば、真空処理室にアルゴンガスなどの不活性ガス
を供給し、前記アルゴンガスによるイオンビームを利用
して、真空処理室内の異物付着箇所に前記イオンビーム
を照射することにより、前記異物をスパッタして叩き落
とす洗浄も行うことができる。
【0094】つまり、アルゴンガスによるイオンビーム
の照射位置を制御することにより、真空処理室内の異物
付着箇所に前記イオンビームを照射し、前記異物をスパ
ッタして叩き落とすことによって、真空処理室内を洗浄
するものである。
の照射位置を制御することにより、真空処理室内の異物
付着箇所に前記イオンビームを照射し、前記異物をスパ
ッタして叩き落とすことによって、真空処理室内を洗浄
するものである。
【0095】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0096】(1).真空処理室の洗浄機構が、外気と
密閉されかつ被処理物に処理を行う真空処理室と、真空
処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、真空
処理室に形成された異物と反応する洗浄ガスを真空処理
室に供給する洗浄ガス供給手段と、処理ガス、洗浄ガス
または真空を排気する排気手段とを有し、前記被処理物
の処理を行った後、大気開放せずに真空処理室に洗浄ガ
スが供給されることにより、被処理物の処理を行った
後、大気開放せずに真空処理室の洗浄を行うことができ
る。これにより、真空処理室の洗浄時の効率を向上する
ことができる。
密閉されかつ被処理物に処理を行う真空処理室と、真空
処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、真空
処理室に形成された異物と反応する洗浄ガスを真空処理
室に供給する洗浄ガス供給手段と、処理ガス、洗浄ガス
または真空を排気する排気手段とを有し、前記被処理物
の処理を行った後、大気開放せずに真空処理室に洗浄ガ
スが供給されることにより、被処理物の処理を行った
後、大気開放せずに真空処理室の洗浄を行うことができ
る。これにより、真空処理室の洗浄時の効率を向上する
ことができる。
【0097】(2).真空処理室を大気開放せずに洗浄
することができるため、真空処理室の洗浄の際に、有害
な気体が排気されることを防止でき、その結果、安全性
を向上することができる。
することができるため、真空処理室の洗浄の際に、有害
な気体が排気されることを防止でき、その結果、安全性
を向上することができる。
【0098】(3).真空処理室の洗浄機構は、前記真
空処理室にプラズマを形成するものであることにより、
前記プラズマによって、真空処理室に形成された異物と
洗浄ガスとの反応を促進することができる。これによ
り、真空処理室の洗浄効果を向上することができる。
空処理室にプラズマを形成するものであることにより、
前記プラズマによって、真空処理室に形成された異物と
洗浄ガスとの反応を促進することができる。これによ
り、真空処理室の洗浄効果を向上することができる。
【0099】その結果、真空処理室内の内部治具などの
部品交換を頻繁に行う必要がなくなるため、洗浄の際に
掛かっていた部品交換の費用を低減することができる。
部品交換を頻繁に行う必要がなくなるため、洗浄の際に
掛かっていた部品交換の費用を低減することができる。
【0100】(4).真空処理室の洗浄機構は、プラズ
マの形成箇所または形成密度を制御するプラズマ制御磁
石が真空処理室に取り付けられていることにより、プラ
ズマを所定箇所に形成したり、あるいはその形成密度を
変えることができる。
マの形成箇所または形成密度を制御するプラズマ制御磁
石が真空処理室に取り付けられていることにより、プラ
ズマを所定箇所に形成したり、あるいはその形成密度を
変えることができる。
【0101】これにより、真空処理室内の所望箇所を洗
浄することができる。
浄することができる。
【0102】(5).半導体製造装置が前記真空処理室
の洗浄機構を用いたものであり、処理ガスを供給して被
処理物の処理を行った後、大気開放せずに真空処理室の
洗浄を行うものであることにより、前記半導体製造装置
のダウンタイムを減少することができ、その結果、半導
体製造装置の稼動時間を大幅に延ばすことができる。
の洗浄機構を用いたものであり、処理ガスを供給して被
処理物の処理を行った後、大気開放せずに真空処理室の
洗浄を行うものであることにより、前記半導体製造装置
のダウンタイムを減少することができ、その結果、半導
体製造装置の稼動時間を大幅に延ばすことができる。
【0103】(6).前記半導体製造装置がイオン打込
み装置であり、バイアス電極とファラデー電極との配置
距離を調節する電極駆動手段が設けられ、真空処理室を
洗浄する際には両者の配置距離を広げることにより、プ
ラズマを内部治具の周囲に回り込ませることができ、そ
の結果、内部治具の洗浄効果を向上させることができ
る。さらに、被処理物に処理を行う際には両者の配置距
離を縮めることにより、2次電子漏れを防止することが
できる。これにより、イオン打ち込み量の計測誤差を低
減することができる。
み装置であり、バイアス電極とファラデー電極との配置
距離を調節する電極駆動手段が設けられ、真空処理室を
洗浄する際には両者の配置距離を広げることにより、プ
ラズマを内部治具の周囲に回り込ませることができ、そ
の結果、内部治具の洗浄効果を向上させることができ
る。さらに、被処理物に処理を行う際には両者の配置距
離を縮めることにより、2次電子漏れを防止することが
できる。これにより、イオン打ち込み量の計測誤差を低
減することができる。
【0104】(7).前記半導体製造装置は前記内部治
具の洗浄効果を向上させることができ、かつイオン打ち
込み量の計測誤差を低減することができるため、被処理
物の歩留りを向上させることができる。
具の洗浄効果を向上させることができ、かつイオン打ち
込み量の計測誤差を低減することができるため、被処理
物の歩留りを向上させることができる。
【0105】その結果、真空処理室の洗浄時の効率を向
上することと合わせることにより、被処理物(製品)の
原価低減を図ることができる。
上することと合わせることにより、被処理物(製品)の
原価低減を図ることができる。
【図1】本発明による半導体製造装置の一実施例である
イオン打込み装置の構造の一例を示す部分構成概念図で
ある。
イオン打込み装置の構造の一例を示す部分構成概念図で
ある。
【図2】本発明による真空処理室の洗浄機構の構造の一
実施例を示す部分構成概念図である。
実施例を示す部分構成概念図である。
【図3】本発明の半導体製造方法による被処理物の処理
後の状態の一実施例を示す部分拡大断面図である。
後の状態の一実施例を示す部分拡大断面図である。
1 ウェハ(被処理物) 1a ゲート酸化膜 1b ゲート電極 1c ソース領域 1d ドレイン領域 2 真空処理室 2a イオン打込み室 3 異物 4 洗浄ガス供給手段 4a ストップバルブ 4b マスフロメータ 5 排気手段 6 洗浄電極 6a 絶縁部材 7 高周波電源 8 プラズマ 9 プラズマ制御磁石 9a プラズマ制御磁石 9b プラズマ制御磁石 9c プラズマ制御磁石 10 処理ガス供給手段 10a ストップバルブ 10b マスフロメータ 11 イオンソースチャンバ 12 フィラメント(イオン源) 13 イオンソース用磁石 14 引出し加速電極 15 ビーム分析磁石 16 ビーム走査磁石 17 ゲートバルブ 18 バイアス電極 19 ファラデー電極 20 電極駆動手段 21 連結部材 22 ベアリング 23 試料台 24 不純物
Claims (9)
- 【請求項1】 被処理物に処理を行う真空処理室の洗浄
方法であって、 前記真空処理室において前記被処理物の処理を行った
後、大気開放せずに前記真空処理室に洗浄ガスを供給
し、 前記真空処理室に形成された異物と前記洗浄ガスとを反
応させ、 前記洗浄ガスを排気することによって、前記異物を除去
することを特徴とする真空処理室の洗浄方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の真空処理室の洗浄方法で
あって、 前記真空処理室に前記洗浄ガスを供給した後、 前記真空処理室にプラズマを形成し、 前記真空処理室に形成された異物と前記洗浄ガスとを反
応させ、 前記プラズマによって、前記洗浄ガスの反応を促進し、 前記洗浄ガスを排気することによって、前記異物を除去
することを特徴とする真空処理室の洗浄方法。 - 【請求項3】 請求項2記載の真空処理室の洗浄方法で
あって、 前記真空処理室にプラズマ制御磁石を取り付け、 前記プラズマ制御磁石が形成する磁場によって、前記プ
ラズマの形成箇所または形成密度を制御することを特徴
とする真空処理室の洗浄方法。 - 【請求項4】 外気と密閉され、かつ被処理物に処理を
行う真空処理室と、 前記真空処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給手段
と、 前記真空処理室に形成された異物と反応する洗浄ガスを
前記真空処理室に供給する洗浄ガス供給手段と、 前記処理ガス、前記洗浄ガスまたは真空を排気する排気
手段とを有し、 前記被処理物の処理を行い、前記処理ガスを排気した
後、大気開放せずに前記真空処理室に前記洗浄ガスが供
給されることを特徴とする真空処理室の洗浄機構。 - 【請求項5】 請求項4記載の真空処理室の洗浄機構で
あって、 前記真空処理室と絶縁された洗浄電極と、 前記洗浄電極と接続された高周波電源とを有し、 前記高周波電源によって前記洗浄電極に高周波を印加す
ることにより、前記真空処理室にプラズマが形成される
ことを特徴とする真空処理室の洗浄機構。 - 【請求項6】 請求項5記載の真空処理室の洗浄機構で
あって、 前記プラズマの形成箇所または形成密度を制御するプラ
ズマ制御磁石が前記真空処理室に取り付けられているこ
とを特徴とする真空処理室の洗浄機構。 - 【請求項7】 請求項4,5または6記載の真空処理室
の洗浄機構を用いる半導体製造方法であって、 前記真空処理室に設置された試料台に酸化膜が形成され
た被処理物を載置し、 前記真空処理室のイオン源に処理ガスを供給し、 前記イオン源に電圧を印加することにより、前記処理ガ
スをイオン化した後、イオンビームとして取り出し、 前記イオンビームを前記被処理物に照射することによ
り、前記被処理物の処理を行い、 前記処理ガスを排気した後、大気開放せずに前記真空処
理室に洗浄ガスを供給し、 前記真空処理室に形成された異物と前記洗浄ガスとを反
応させ、前記洗浄ガスを排気することによって、前記異
物を除去することを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項8】 請求項4,5または6記載の真空処理室
の洗浄機構を用いた半導体製造装置であって、前記被処
理物の処理を行い、前記処理ガスを排気した後、大気開
放せずに前記真空処理室の洗浄が行われることを特徴と
する半導体製造装置。 - 【請求項9】 請求項8記載の半導体製造装置であっ
て、 前記半導体製造装置がイオン源によって生成されたイオ
ンビームを被処理物に照射するイオン打込み装置であ
り、前記イオンビームの2次電子漏れを防止するバイア
ス電極と前記イオンビームの電流量を検出するファラデ
ー電極とが前記真空処理室に設置され、かつ前記バイア
ス電極と前記ファラデー電極との配置距離を調節する電
極駆動手段が設けられていることを特徴とする半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7205489A JPH0949071A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 真空処理室の洗浄方法および機構ならびにそれを用いる半導体製造方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7205489A JPH0949071A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 真空処理室の洗浄方法および機構ならびにそれを用いる半導体製造方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0949071A true JPH0949071A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16507708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7205489A Pending JPH0949071A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 真空処理室の洗浄方法および機構ならびにそれを用いる半導体製造方法および装置 |
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JP (1) | JPH0949071A (ja) |
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1995
- 1995-08-11 JP JP7205489A patent/JPH0949071A/ja active Pending
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