JPH09199391A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPH09199391A JPH09199391A JP521996A JP521996A JPH09199391A JP H09199391 A JPH09199391 A JP H09199391A JP 521996 A JP521996 A JP 521996A JP 521996 A JP521996 A JP 521996A JP H09199391 A JPH09199391 A JP H09199391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- substrate
- exposure
- pattern
- line width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ベーク処理における温度分布のばらつきやレジ
ストの膜厚のばらつきに関わらず、パターンの線幅のば
らつきを解消し得る電子ビーム露光方法を提供する。 【解決手段】制御系１１から出力される露光データに基
づいて、レジストが塗布された基板面に電子ビーム露光
装置１２で電子ビームが露光され、露光された基板がベ
ーク装置１３でベーク処理されてレジストが安定化され
て、露光データに基づくパターンが基板面上に描画され
る。ベーク処理によるパターンの線幅のばらつきを補正
するためのフィードバックデータＦＤが制御系１１に入
力され、そのフィードバックデータＦＤに基づいて、基
板面上に描画されるパターンの線幅を均一にするよう
に、電子ビームの露光量が制御される。
ストの膜厚のばらつきに関わらず、パターンの線幅のば
らつきを解消し得る電子ビーム露光方法を提供する。 【解決手段】制御系１１から出力される露光データに基
づいて、レジストが塗布された基板面に電子ビーム露光
装置１２で電子ビームが露光され、露光された基板がベ
ーク装置１３でベーク処理されてレジストが安定化され
て、露光データに基づくパターンが基板面上に描画され
る。ベーク処理によるパターンの線幅のばらつきを補正
するためのフィードバックデータＦＤが制御系１１に入
力され、そのフィードバックデータＦＤに基づいて、基
板面上に描画されるパターンの線幅を均一にするよう
に、電子ビームの露光量が制御される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レジストが塗布
された基板に電子ビーム露光装置で電子ビームを照射し
て露光する電子ビーム露光方法に関するものである。
された基板に電子ビーム露光装置で電子ビームを照射し
て露光する電子ビーム露光方法に関するものである。
【０００２】近年、半導体装置の高集積化にともない、
半導体装置を構成する配線等のパターンの線幅は益々微
細化されている。このため、電子ビーム露光処理に続い
て行われるベーク装置によるベーク処理での温度分布の
ばらつきに基づいて発生するパターンの線幅のばらつき
が無視できなくなっている。そこで、ベーク処理に基づ
くパターンの線幅のばらつきを補正するような電子ビー
ム露光方法が必要となっている。
半導体装置を構成する配線等のパターンの線幅は益々微
細化されている。このため、電子ビーム露光処理に続い
て行われるベーク装置によるベーク処理での温度分布の
ばらつきに基づいて発生するパターンの線幅のばらつき
が無視できなくなっている。そこで、ベーク処理に基づ
くパターンの線幅のばらつきを補正するような電子ビー
ム露光方法が必要となっている。
【０００３】
【従来の技術】電子ビーム露光装置は、表面にレジスト
が塗布されたウェハ、マスクあるいはレチクルを形成す
るためのガラス乾板等の試料面に電子ビームを照射して
レジストを感光させることにより、試料面上に所要のパ
ターンを描画するものである。
が塗布されたウェハ、マスクあるいはレチクルを形成す
るためのガラス乾板等の試料面に電子ビームを照射して
レジストを感光させることにより、試料面上に所要のパ
ターンを描画するものである。
【０００４】電子ビーム露光は、露光量によってパター
ン形状やサイズが敏感に変化するので、露光量の最適化
が重要である。近年、レジストが高感度化されているの
で、露光量の最適化は益々重要となっている。
ン形状やサイズが敏感に変化するので、露光量の最適化
が重要である。近年、レジストが高感度化されているの
で、露光量の最適化は益々重要となっている。
【０００５】図３は従来の処理工程を示す。制御系１
は、電子ビーム露光装置２の露光処理動作を制御する。
すなわち、電子ビーム露光装置２はレジストが塗布され
た基板に対し電子ビーム露光を行い、前記制御系１によ
りその露光量及び露光位置が制御されるとともに、パタ
ーン形状やパターンサイズによっても露光量が調整され
る。
は、電子ビーム露光装置２の露光処理動作を制御する。
すなわち、電子ビーム露光装置２はレジストが塗布され
た基板に対し電子ビーム露光を行い、前記制御系１によ
りその露光量及び露光位置が制御されるとともに、パタ
ーン形状やパターンサイズによっても露光量が調整され
る。
【０００６】電子ビーム露光装置２で露光された基板に
は、ベーク装置３で所定の温度に加熱するベーク処理が
施され、露光されたレジストを安定化させて次工程に移
行する。
は、ベーク装置３で所定の温度に加熱するベーク処理が
施され、露光されたレジストを安定化させて次工程に移
行する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のような電子ビー
ム露光装置では、同一のパターン形状やパターンサイズ
であれば、基板面の中央部と外周部の露光量は同一であ
る。すると、ベーク装置によるベーク処理において、基
板面上に温度分布のばらつきがあると、そのばらつきに
基づいてパターンの線幅にばらつきが生じる。
ム露光装置では、同一のパターン形状やパターンサイズ
であれば、基板面の中央部と外周部の露光量は同一であ
る。すると、ベーク装置によるベーク処理において、基
板面上に温度分布のばらつきがあると、そのばらつきに
基づいてパターンの線幅にばらつきが生じる。
【０００８】一般的なベーク処理においては、基板の外
周部は中央部より低温となる。従って、ネガティブレジ
ストの場合には、基板外周部に形成されるチップのパタ
ーンの線幅は、基板中央部に形成されるチップのパター
ンの線幅より狭くなってしまう。
周部は中央部より低温となる。従って、ネガティブレジ
ストの場合には、基板外周部に形成されるチップのパタ
ーンの線幅は、基板中央部に形成されるチップのパター
ンの線幅より狭くなってしまう。
【０００９】また、基板上におけるレジストの膜厚のば
らつきによっても、パターンの線幅にばらつきが生じ
る。すなわち、レジストの膜厚が厚い部分は、薄い部分
よりパターンの線幅が狭くなってしまう。
らつきによっても、パターンの線幅にばらつきが生じ
る。すなわち、レジストの膜厚が厚い部分は、薄い部分
よりパターンの線幅が狭くなってしまう。
【００１０】そこで、ベーク処理における温度分布のば
らつきやレジストの膜厚のばらつきを解消すれば、線幅
のばらつきを解消することができる。しかし、ベーク装
置の改良により、基板上の温度分布を均一化することは
容易ではなく、基板上のレジストの膜厚を均一化するこ
とも容易ではないという問題点がある。
らつきやレジストの膜厚のばらつきを解消すれば、線幅
のばらつきを解消することができる。しかし、ベーク装
置の改良により、基板上の温度分布を均一化することは
容易ではなく、基板上のレジストの膜厚を均一化するこ
とも容易ではないという問題点がある。
【００１１】この発明の目的は、ベーク処理における温
度分布のばらつきやレジストの膜厚のばらつきに関わら
ず、パターンの線幅のばらつきを解消し得る電子ビーム
露光方法を提供することにある。
度分布のばらつきやレジストの膜厚のばらつきに関わら
ず、パターンの線幅のばらつきを解消し得る電子ビーム
露光方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１では、制御系か
ら出力される露光データに基づいて、レジストが塗布さ
れた基板面に電子ビーム露光装置で電子ビームが露光さ
れ、露光された基板がベーク装置でベーク処理されてレ
ジストが安定化されて、前記露光データに基づくパター
ンが前記基板面上に描画される。ベーク処理によるパタ
ーンの線幅のばらつきを補正するためのフィードバック
データが前記制御系に入力され、そのフィードバックデ
ータに基づいて、前記基板面上に描画される前記パター
ンの線幅を均一にするように、前記電子ビームの露光量
が制御される。
ら出力される露光データに基づいて、レジストが塗布さ
れた基板面に電子ビーム露光装置で電子ビームが露光さ
れ、露光された基板がベーク装置でベーク処理されてレ
ジストが安定化されて、前記露光データに基づくパター
ンが前記基板面上に描画される。ベーク処理によるパタ
ーンの線幅のばらつきを補正するためのフィードバック
データが前記制御系に入力され、そのフィードバックデ
ータに基づいて、前記基板面上に描画される前記パター
ンの線幅を均一にするように、前記電子ビームの露光量
が制御される。
【００１３】請求項２では、前記フィードバックデータ
は、前記基板への電子ビームの露光に先立って測定され
た前記ベーク装置内の温度分布である。請求項３では、
前記フィードバックデータは、テスト基板に描画された
テストパターンの線幅のデータである。
は、前記基板への電子ビームの露光に先立って測定され
た前記ベーク装置内の温度分布である。請求項３では、
前記フィードバックデータは、テスト基板に描画された
テストパターンの線幅のデータである。
【００１４】請求項４では、前記フィードバックデータ
は、前記基板への電子ビームの露光時の前記ベーク装置
内の温度分布である。 （作用）請求項１では、フィードバックデータにより、
基板面上に描画される前記パターンの線幅が均一化され
る。
は、前記基板への電子ビームの露光時の前記ベーク装置
内の温度分布である。 （作用）請求項１では、フィードバックデータにより、
基板面上に描画される前記パターンの線幅が均一化され
る。
【００１５】請求項２では、基板への電子ビームの露光
に先立って測定された前記ベーク装置内の温度分布に基
づいて、基板面上に描画される前記パターンの線幅が均
一となるように電子ビームの露光量が制御される。
に先立って測定された前記ベーク装置内の温度分布に基
づいて、基板面上に描画される前記パターンの線幅が均
一となるように電子ビームの露光量が制御される。
【００１６】請求項３では、テスト基板に描画されたテ
ストパターンの線幅のデータに基づいて、基板面上に描
画される前記パターンの線幅が均一となるように電子ビ
ームの露光量が制御される。
ストパターンの線幅のデータに基づいて、基板面上に描
画される前記パターンの線幅が均一となるように電子ビ
ームの露光量が制御される。
【００１７】請求項４では、基板への電子ビームの露光
時の前記ベーク装置内の温度分布にに基づいて、基板面
上に描画される前記パターンの線幅が均一となるように
電子ビームの露光量が制御される。
時の前記ベーク装置内の温度分布にに基づいて、基板面
上に描画される前記パターンの線幅が均一となるように
電子ビームの露光量が制御される。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、この発明を具体化した電
子ビーム露光方法による処理工程を示す。制御系１１
は、外部から入力される電子ビーム露光データと、ベー
ク装置１３によるベーク処理後のパターン線幅のばらつ
きを補正するためのフィードバックデータＦＤとに基づ
いて、電子ビーム露光装置１２を制御する。
子ビーム露光方法による処理工程を示す。制御系１１
は、外部から入力される電子ビーム露光データと、ベー
ク装置１３によるベーク処理後のパターン線幅のばらつ
きを補正するためのフィードバックデータＦＤとに基づ
いて、電子ビーム露光装置１２を制御する。
【００１９】電子ビーム露光装置１２はレジストが塗布
された基板に対し電子ビーム露光を行い、前記制御系１
１によりその露光量及び露光位置が制御されるととも
に、パターン形状やパターンサイズ及び前記フィードバ
ックデータＦＤによっても露光量が調整される。
された基板に対し電子ビーム露光を行い、前記制御系１
１によりその露光量及び露光位置が制御されるととも
に、パターン形状やパターンサイズ及び前記フィードバ
ックデータＦＤによっても露光量が調整される。
【００２０】電子ビーム露光装置１２で露光された基板
には、ベーク装置１３で所定の温度に加熱するベーク処
理が施され、次工程に移行する。前記フィードバックデ
ータは、次のようなデータとする。 （１）ベーク装置１３内に複数のセンサーを設置して、
基板面上の温度分布をあらかじめ測定して、フィードバ
ックデータＦＤとする。例えば図２に示すように、多数
のチップ１５を形成する基板１４上において、破線Ａで
囲まれる範囲内で温度が高く、破線Ｂの外側で温度が低
く、破線Ａ，Ｂで挟まれる範囲で中間の温度である場
合、前記フィードバックデータＦＤは基板１４の外周部
に位置するチップ１５ほど露光量を増大させるデータと
なる。 （２）レジストを塗布したテスト基板にテストパターン
を露光し、そのテスト基板をベーク装置でベーク処理し
た後、テスト基板面上の各部のパターンの線幅を測定し
て、フィードバックデータＦＤとする。この線幅のばら
つきは、ベーク処理時の基板面上の温度分布のばらつき
と、レジストの膜厚のばらつきとの複合作用により生じ
るものである。
には、ベーク装置１３で所定の温度に加熱するベーク処
理が施され、次工程に移行する。前記フィードバックデ
ータは、次のようなデータとする。 （１）ベーク装置１３内に複数のセンサーを設置して、
基板面上の温度分布をあらかじめ測定して、フィードバ
ックデータＦＤとする。例えば図２に示すように、多数
のチップ１５を形成する基板１４上において、破線Ａで
囲まれる範囲内で温度が高く、破線Ｂの外側で温度が低
く、破線Ａ，Ｂで挟まれる範囲で中間の温度である場
合、前記フィードバックデータＦＤは基板１４の外周部
に位置するチップ１５ほど露光量を増大させるデータと
なる。 （２）レジストを塗布したテスト基板にテストパターン
を露光し、そのテスト基板をベーク装置でベーク処理し
た後、テスト基板面上の各部のパターンの線幅を測定し
て、フィードバックデータＦＤとする。この線幅のばら
つきは、ベーク処理時の基板面上の温度分布のばらつき
と、レジストの膜厚のばらつきとの複合作用により生じ
るものである。
【００２１】前記フィードバックデータＦＤは、この線
幅のばらつきを補正するように、線幅の広い部分の電子
ビーム露光量を減少させ、線幅の狭い部分の露光量を増
大させるデータとなる。 （３）ベーク装置内に複数の温度センサーを設置し、ベ
ーク処理時の基板面上の温度分布データをリアルタイム
に測定して、制御系１１にフィードバックデータＦＤと
して入力する。
幅のばらつきを補正するように、線幅の広い部分の電子
ビーム露光量を減少させ、線幅の狭い部分の露光量を増
大させるデータとなる。 （３）ベーク装置内に複数の温度センサーを設置し、ベ
ーク処理時の基板面上の温度分布データをリアルタイム
に測定して、制御系１１にフィードバックデータＦＤと
して入力する。
【００２２】前記フィードバックデータＦＤは、温度分
布の変化をリアルタイムに捉えて露光量を補正し、温度
が高い部分の露光量を減少させ、温度が低い部分の露光
量を増大させるデータとなる。
布の変化をリアルタイムに捉えて露光量を補正し、温度
が高い部分の露光量を減少させ、温度が低い部分の露光
量を増大させるデータとなる。
【００２３】以上のような電子ビーム露光方法により次
に示すような効果が得られる。 （イ）基板面上の温度分布をあらかじめ測定して、フィ
ードバックデータＦＤとすれば、基板面上の温度のばら
つきを補正した露光量で露光することができるので、パ
ターンの線幅を均一化することができる。 （ロ）テストパターンの線幅のばらつきを測定したデー
タをフィードバックデータＦＤとすると、基板面上の温
度分布のばらつきやレジストの膜厚のばらつき等を補正
した露光量で露光することができるので、パターンの線
幅を均一化することができる。 （ハ）ベーク処理時の基板面上の温度分布データをリア
ルタイムに測定したデータをフィードバックデータＦＤ
とすれば、多数の基板に対しベーク処理動作を繰り返す
とき、基板面上の温度分布の変化に基づいて、リアルタ
イムに露光量を補正することができるので、パターンの
線幅を均一化することができる。
に示すような効果が得られる。 （イ）基板面上の温度分布をあらかじめ測定して、フィ
ードバックデータＦＤとすれば、基板面上の温度のばら
つきを補正した露光量で露光することができるので、パ
ターンの線幅を均一化することができる。 （ロ）テストパターンの線幅のばらつきを測定したデー
タをフィードバックデータＦＤとすると、基板面上の温
度分布のばらつきやレジストの膜厚のばらつき等を補正
した露光量で露光することができるので、パターンの線
幅を均一化することができる。 （ハ）ベーク処理時の基板面上の温度分布データをリア
ルタイムに測定したデータをフィードバックデータＦＤ
とすれば、多数の基板に対しベーク処理動作を繰り返す
とき、基板面上の温度分布の変化に基づいて、リアルタ
イムに露光量を補正することができるので、パターンの
線幅を均一化することができる。
【００２４】また、パターンの線幅は使用するレジスト
の種類や、レジストを塗布する膜厚によっても変化する
ので、これらのデータをあらかじめ制御系１１に格納
し、これらのデータと前記フィードバックデータとに基
づいて、露光量を調整することにより、レジストの変更
によるパターンの線幅の変化を防止することができる。
の種類や、レジストを塗布する膜厚によっても変化する
ので、これらのデータをあらかじめ制御系１１に格納
し、これらのデータと前記フィードバックデータとに基
づいて、露光量を調整することにより、レジストの変更
によるパターンの線幅の変化を防止することができる。
【００２５】前記実施の形態から把握できる請求項以外
の技術思想をその効果とともに述べる。 （１）請求項１において、あらかじめ設定されている露
光データと、あらかじめ設定されているレジストの種類
と膜厚のデータと、前記フィードバックデータとで、露
光量を制御する。露光量をさらに細かく調整して、パタ
ーンの線幅を均一化することができる。
の技術思想をその効果とともに述べる。 （１）請求項１において、あらかじめ設定されている露
光データと、あらかじめ設定されているレジストの種類
と膜厚のデータと、前記フィードバックデータとで、露
光量を制御する。露光量をさらに細かく調整して、パタ
ーンの線幅を均一化することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明はベーク
処理における温度分布のばらつきやレジストの膜厚のば
らつきに関わらず、パターンの線幅のばらつきを解消し
得る電子ビーム露光方法を提供することができる。
処理における温度分布のばらつきやレジストの膜厚のば
らつきに関わらず、パターンの線幅のばらつきを解消し
得る電子ビーム露光方法を提供することができる。
【図１】 一実施の形態の処理工程を示す工程図であ
る。
る。
【図２】 基板面の温度分布を示す説明図である。
【図３】 従来例の処理工程を示す工程図である。
１１ 制御系 １２ 電子ビーム露光装置 １３ ベーク装置 １４ 基板 ＦＤ フィードバックデータ
Claims (4)
- 【請求項１】 制御系から出力される露光データに基づ
いて、レジストが塗布された基板面に電子ビーム露光装
置で電子ビームを露光し、露光された基板をベーク装置
でベーク処理してレジストを安定させることにより、前
記露光データに基づくパターンを前記基板面上に描画す
る電子ビーム露光方法であって、 ベーク処理によるパターンの線幅のばらつきを補正する
ためのフィードバックデータを前記制御系に入力し、そ
のフィードバックデータに基づいて、前記基板面上に描
画される前記パターンの線幅を均一にするように、前記
電子ビームの露光量を制御することを特徴とする電子ビ
ーム露光方法。 - 【請求項２】 前記フィードバックデータは、前記基板
への電子ビームの露光に先立って測定された前記ベーク
装置内の温度分布であることを特徴とする請求項１記載
の電子ビーム露光方法。 - 【請求項３】 前記フィードバックデータは、テスト基
板に描画されたテストパターンの線幅のデータであるこ
とを特徴とする請求項１記載の電子ビーム露光方法。 - 【請求項４】 前記フィードバックデータは、前記基板
への電子ビームの露光時の前記ベーク装置内の温度分布
であることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム露光
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP521996A JPH09199391A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP521996A JPH09199391A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199391A true JPH09199391A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11605094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP521996A Withdrawn JPH09199391A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199391A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210840A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toshiba Corp | パターン形成方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| JP2007011291A (ja) * | 2005-03-28 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | 画像記録方法及び装置 |
| JP2007258429A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | レイアウト決定方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び記憶媒体 |
| US7346882B2 (en) | 2001-07-30 | 2008-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method, mask manufacturing method, and LSI manufacturing method |
| JP2008123000A (ja) * | 2008-02-12 | 2008-05-29 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
-
1996
- 1996-01-16 JP JP521996A patent/JPH09199391A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7346882B2 (en) | 2001-07-30 | 2008-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method, mask manufacturing method, and LSI manufacturing method |
| JP2006210840A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toshiba Corp | パターン形成方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| JP2007011291A (ja) * | 2005-03-28 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | 画像記録方法及び装置 |
| JP2007258429A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | レイアウト決定方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び記憶媒体 |
| JP2008123000A (ja) * | 2008-02-12 | 2008-05-29 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| JP4551937B2 (ja) * | 2008-02-12 | 2010-09-29 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW530319B (en) | Method and apparatus for using scatterometry to perform feedback and feed-forward control | |
| CN101432658B (zh) | 半导体处理中控制形成在晶片上的结构的临界尺寸的方法和*** | |
| US20030054642A1 (en) | Production method of semiconductor device and production system of semiconductor device | |
| US6689625B2 (en) | Method for correcting a design data of a layout pattern of a photomask, photomask manufactured by said method, and semiconductor device method using said photomask | |
| JP2007110079A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPS63208049A (ja) | 半導体製造用マスクの製造方法およびその装置 | |
| US6426174B1 (en) | Method for manufacture semiconductor devices | |
| JPH07211630A (ja) | パターン形成方法及びその装置 | |
| JPH09199391A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JP2007110078A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| US6228540B1 (en) | Method of forming a photomask of high dimensional accuracy utilizing heat treatment equipment | |
| JP2816866B2 (ja) | 処理方法および処理装置 | |
| KR20180119503A (ko) | 모니터링 방법 및 디바이스의 제조 방법 | |
| JPH11154635A (ja) | 電子線直描方法及び装置 | |
| KR102454701B1 (ko) | 디바이스 제조 방법 | |
| JPH09129535A (ja) | 加熱処理装置 | |
| US7006195B2 (en) | Method and system for improving exposure uniformity in a step and repeat process | |
| JPH11194506A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2009021443A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| US20100211207A1 (en) | Manufacturing apparatus for semiconductor device, controlling method for the manufacturing apparatus, and storage medium storing control program for the manufacturing apparatus | |
| JPH0862849A (ja) | フォトレジスト塗布方法及びその装置 | |
| JP2004119570A (ja) | 露光量設定方法、露光方法およびこれを用いた露光装置 | |
| JP2004079681A (ja) | 基板の露光方法および基板処理装置 | |
| US6190808B1 (en) | X-ray mask and method of manufacturing the same | |
| JP2001230175A (ja) | パターン形成方法及び電子線露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030401 |