JPH09185812A - 磁気抵抗性多層により被覆されたマイクロスタイラス記録デバイス - Google Patents
磁気抵抗性多層により被覆されたマイクロスタイラス記録デバイスInfo
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Abstract
バイスにおいては、製作が困難であり、また、感度が悪
いという欠点があった。 【解決手段】 −少なくとも1つのマイクロスタイラス
12と、−磁気フィルム35を備えた記録支持体と、−
マイクロスタイラス12および支持体30の相対移動手
段と、−スタイラス12に対向配置された領域37の磁
化方向を変更することができる書込手段と、−領域37
の磁化方向を決定することができる読取手段と、を具備
する記録デバイスであって、マイクロスタイラス12
は、非磁性材料でありかつ磁気抵抗性多層46により被
覆され、読取手段は、磁気抵抗性多層46の抵抗変化
(ΔR/R)を測定することができ、書込手段は、磁気
抵抗性多層46を通して磁気フィルム35内へと電流i
を循環させることができる。
Description
り被覆されたマイクロスタイラス記録デバイスに関する
ものである。本発明は、テレビジョンまたはコンピュー
タメモリにおいて使用可能な支持体に情報を記録するこ
とに応用することができる。
作用させて情報を記録することは、既に知られてい
る。”マイクロスタイラス”という用語は、ここでは、
サイズが約1μmよりも小さい機械的な(光学的ではな
い)スタイラスを意味するものとして理解される。これ
らスタイラスは、通常、電気導通可能である。このよう
なスタイラスと支持体との間を循環する電流は、前記支
持体の局所加熱を引き起こす。これにより支持体の構造
を変更することができる。例えば、結晶からアモルファ
スへの状態移行を引き起こす。これは、書込操作として
知られている。引き続く材料の特性の測定、例えば導電
率の測定は、読取操作をなす。
る。この場合に使用されるスタイラスは、原子間力マイ
クロスコープ(Atomic Force Microscopes、略してAF
M)のプローブにおいて発見された種類のものである。
た記録支持体、および、走査トンネルマイクロスコープ
(Scanning Tunneling Microscopes、略してSTM)に
おいて発見された種類のプローブを使用している。イン
パルス電流は、なお、スタイラス中を流通し、磁気フィ
ルムを流通する。磁性材料は、ジュール効果により加熱
される。永久磁界が外部手段により印加され、ある方向
性を有した磁化方向を生成することができる。フィルム
が材料のキュリー温度を超えて加熱された場合には、初
期磁化方向は、破壊される。
ラスは、磁化方向により他のものと区別される。
て、材料の保持力強度よりも大きな磁界を作り、したが
って、新たな磁化配向をもたらすために、磁気マイクロ
スタイラス、および、スタイラスの漏洩磁界(leakage
magnetic field)を、外部磁界と組み合わせて使用する
ことができる。その場合、読取は、フィルム内の磁界の
配向を検出することにより行われる。この検出は、レー
ザビームの偏光面の回転を測定することにより、光学的
に達成することができる。
スを利用した従来のデバイスは、様々な観点において満
足のいくものではあるけれども、特に、製作が困難であ
ること、および、感度が悪いことにより、ある種の欠点
を有している。
することを目的としている。
明は、マイクロスタイラスが格別に製造容易でありかつ
高感度な種類のものであるような記録デバイスを提供す
る。本発明においては、マイクロスタイラスは、磁気抵
抗性多層により被覆された非磁性スタイラスから構成さ
れる。そのような多層は、磁界のいかなる変化に対して
も、抵抗値がΔRだけ変化する抵抗Rを備えている。よ
って、マイクロスタイラスを記録支持体の表面に沿って
移動させた場合には、マイクロスタイラスの抵抗の変化
ΔRを測定することにより、磁界変化を測定することが
できる。これは、標準的手段(電流源または電圧源、お
よび、電圧測定手段または電流測定手段)のみを使用す
るだけで済む周知の測定方法である。書込時には、電流
が、例えばパルスの形態で多層内を循環し、記録支持体
を貫通する。この時、材料の局所加熱が引き起こされ、
キュリー温度を超える程度の温度上昇がもたらされる。
同時に磁界を印加することにより、支持体内に情報ビッ
トを書き込むことができる。したがって、本発明におい
ては、磁気抵抗性多層は、読取操作および書込操作の両
方にために機能する。
体と、 −マイクロスタイラスおよび支持体の相対移動手段と、 −磁気フィルムを加熱することができ、かつ、フィルム
のうちのスタイラスに対向配置された領域の磁化方向を
変更することができる書込手段と、 −マイクロスタイラスに対向配置された領域の磁化方向
を決定することができる読取手段と、を具備する記録デ
バイスに関するものであって、マイクロスタイラスは、
非磁性材料であり、かつ、磁気抵抗性多層により被覆さ
れ、読取手段は、磁気抵抗性多層の抵抗変化を測定する
ことができ、書込手段は、磁気抵抗性多層を通して磁気
フィルム内へと電流を循環させることができることを特
徴としている。
い。
デバイスの構造を全体的に示す図である。図2(a)
は、本発明における書込操作を概略的に示す図であり、
図2(b)は、本発明における読取操作を概略的に示す
図である。図3は、本発明におけるマイクロスタイラス
を示す断面図である。図4(a)は、磁気抵抗性多層の
例を示す図であり、図4(b)は、印加磁界の関数とし
て抵抗の相対変化を示す図である。
において、記録デバイスは、フレキシブルアーム10の
先端に、マイクロスタイラス12を備えている。フレキ
シブルアーム10およびマイクロスタイラス12は、全
体として、手段14により一次元的にあるいは二次元的
に移動可能とされている。電源および測定回路20が、
アーム10に接続されている。記録支持体30が、マイ
クロスタイラス12の下に配置されている。書込は、各
読取後においてスタイラスを移動させることにより、支
持体上において1点ずつ行われる。読取は、また、横方
向移動とともに1点ずつおこなわれる。
範疇における書込および読取操作を示している。図2
(a)には、磁気抵抗性多層46により被覆された非磁
性スタイラス12を示している。このスタイラスは、磁
気フィルム35で被覆された基板32からなる記録支持
体30に向けて配置されている。外部磁界Hが、常に印
加されている。層35の磁化方向は、磁界Hと平行であ
るか、あるいは、そうでないかのどちらかである。この
磁化方向は、多層46および層35に電流を循環させる
ことにより得られる。この電流は、フィルム35に局所
加熱をもたらす。これにより、前記フィルムは、キュリ
ー温度を超える温度とされる。この時、外部磁界Hが、
外部磁界Hと同一の向きの磁界をフィルムに押し付け
る。
持体から情報を読み取るに際して、記録支持体の漏洩磁
界(leakage magnetic field)が、磁気抵抗性多層によ
り、検出される。磁気抵抗性多層の相対抵抗変化、すな
わちΔR/Rは、スタイラスに対向するフィルム35の
磁化方向が、ある方向であるか他の方向であるかによっ
て、正または負となる。よって、図2(b)は、磁化方
向が互いに逆向きである2つの領域37、39を示して
いる。この場合、2つの領域37、39における多層4
6のΔR/Rの変化は、また、逆となる。
スの構造を、より詳細に示している。図示の例において
は、アーム10は、例えば、部分的には、結晶平面に沿
ってエッチングされたシリコンである。シリコンがこの
ように結晶平面に沿ってエッチングされていることによ
り、ピラミッド状非磁性マイクロスタイラス42が形成
されている。例えばSiO2 あるいはSi3N4等の絶縁
層44が、このマイクロスタイラス上に、既に成膜され
ている。この絶縁層自身は、磁気抵抗性多層46で被覆
されている。各マイクロスタイラスの基部には、書込に
必要な電流iの注入を可能とする電気接続のためのコン
タクトブロック48が設けられている。
気抵抗として知られているスピン−バルブタイプ(spin
-valve type)の多層である。この多層は、例えば、N
iFe/Cu/NiFe/FeMn/Feからなる積層
体とすることができる。
ような磁気抵抗性多層を備えるスタイラスの作用が、よ
り明瞭に理解されるであろう。図4(a)においては、
磁気抵抗性多層は、機能別に図示されている。すなわ
ち、基板80、ソフトな第1磁性材料からなる第1層8
1、絶縁性の第2層85、ソフトな第2磁性材料からな
る第3層82、そして、反強磁性タイプの第3磁性材料
からなる最終層83である。
が、印加磁界Hおよび記録支持体からくる磁界の関数と
して示されている。符号1、2、3が付された矢印は、
図4(a)に図示された層81、82、83内の磁化方
向に対応している。磁界が強力である場合、または、負
である場合には、3つの磁化方向は、平行である(強磁
性領域、FM)。中間領域においては、層81の磁化方
向は、他のものとは逆である(反強磁性領域、AF
M)。この場合、Hの関数としてのΔR/Rサイクル
は、階段状の形態を呈しており、弱くかつわずかに正の
臨界磁界Hc1 (1<Hc1 <1エルステッド)付近に
おける値RFMから他の値RAFM への急激なΔR/Rのス
イッチングを伴っている。記録媒体の漏洩磁界は、少な
くともこの臨界磁界Hc1 に等しい。すなわち、ΔR/
Rの変化が磁気抵抗層により読み取られる。
造にも適用でき、また、任意数のマイクロスタイラスに
適用できる。特に、一直線状にあるいはマトリクス状に
配列された複数のマイクロスタイラスを備えるデバイス
において使用することができる。
体的に示す図である。
ける書込操作および読取操作を概略的に示す図である。
面図である。
であり、図4(b)は、印加磁界の関数として抵抗の相
対変化を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 −少なくとも1つのマイクロスタイラス
(12)と、 −ある磁化方向を有する磁気フィルム(35)を備えた
記録支持体(30)と、 −前記マイクロスタイラス(12)および前記支持体
(30)の相対移動手段(14)と、 −前記磁気フィルムを加熱することができ、かつ、前記
フィルム(35)のうちのスタイラスに対向配置された
領域(37、39)の磁化方向を変更することができる
書込手段(20)と、 −前記マイクロスタイラス(12)に対向配置された前
記領域(37、39)の磁化方向を決定することができ
る読取手段(20)と、を具備する記録デバイスであっ
て、 前記マイクロスタイラス(12)は、非磁性材料であ
り、かつ、磁気抵抗性多層(46)により被覆され、 前記読取手段は、前記磁気抵抗性多層(46)の抵抗変
化(ΔR/R)を測定することができ、 前記書込手段は、前記磁気抵抗性多層(46)を通して
前記磁気フィルム(35)内へと電流(i)を循環させ
ることができることを特徴とする記録デバイス。 - 【請求項2】 前記磁気抵抗性多層(46)は、スピン
−バルブタイプからなることを特徴とする請求項1記載
のデバイス。
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