JPH09176822A - 溶射方法 - Google Patents
溶射方法Info
- Publication number
- JPH09176822A JPH09176822A JP7338441A JP33844195A JPH09176822A JP H09176822 A JPH09176822 A JP H09176822A JP 7338441 A JP7338441 A JP 7338441A JP 33844195 A JP33844195 A JP 33844195A JP H09176822 A JPH09176822 A JP H09176822A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sprayed
- thermal spraying
- projection
- thermal
- spraying material
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明方法は、溶射において溶射時間を短縮
して生産性を向上し、かつ溶射材料の歩留りを高め、溶
射膜の密着性をも向上する溶射方法を提供する。 【解決手段】 溶射粉末材料を被溶射体へ投射して溶射
するに際し、溶射ガン先端と被溶射体間を投射飛行する
溶射材料に電磁場または静電場を印加しつつ、被溶射体
へ溶射する溶射方法である。
して生産性を向上し、かつ溶射材料の歩留りを高め、溶
射膜の密着性をも向上する溶射方法を提供する。 【解決手段】 溶射粉末材料を被溶射体へ投射して溶射
するに際し、溶射ガン先端と被溶射体間を投射飛行する
溶射材料に電磁場または静電場を印加しつつ、被溶射体
へ溶射する溶射方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明方法は、溶射方法に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】サーメット、セラミックス、金属の溶射
粉末材料を半溶融化して溶射材料とし、これを被溶射体
へ投射して溶射することが知られている。また、被溶射
体の溶射部を加熱して溶射し、溶射膜の密着性を向上す
ることが特開平２−２２５６５３号公報に開示されてい
る。更に、予め溶射粉末材料を融点温度に加熱後、溶射
ガンへ供給して溶融化した溶射材料を溶射することによ
り、溶射膜の密着性を高めることが特開平３−６４４４
５号公報に開示されている。
粉末材料を半溶融化して溶射材料とし、これを被溶射体
へ投射して溶射することが知られている。また、被溶射
体の溶射部を加熱して溶射し、溶射膜の密着性を向上す
ることが特開平２−２２５６５３号公報に開示されてい
る。更に、予め溶射粉末材料を融点温度に加熱後、溶射
ガンへ供給して溶融化した溶射材料を溶射することによ
り、溶射膜の密着性を高めることが特開平３−６４４４
５号公報に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のごとき溶射にお
いては、溶射材料が被溶射体へ投射するとき飛散して溶
射材料の歩留りを著しく低下させる。特に被溶射体の溶
射部が曲面であると、溶射部に衝突した溶射材料の飛散
が多量になり、一層低歩留りになりコストを大幅に上昇
させることになる等の課題がある。本発明方法は、この
ような課題を有利に解決するためなされたものであり、
投射する溶射材料の歩留りを向上するとともに、投射速
度を加速して溶射時間を短縮して生産性を高め、しかも
溶射膜の密着性をも向上することのできる溶射方法を提
供することを目的とするものである。
いては、溶射材料が被溶射体へ投射するとき飛散して溶
射材料の歩留りを著しく低下させる。特に被溶射体の溶
射部が曲面であると、溶射部に衝突した溶射材料の飛散
が多量になり、一層低歩留りになりコストを大幅に上昇
させることになる等の課題がある。本発明方法は、この
ような課題を有利に解決するためなされたものであり、
投射する溶射材料の歩留りを向上するとともに、投射速
度を加速して溶射時間を短縮して生産性を高め、しかも
溶射膜の密着性をも向上することのできる溶射方法を提
供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明方法の特徴とする
ところは、溶射粉末材料を被溶射体へ投射して溶射する
に際し、溶射ガン先端と被溶射体間を投射飛行する溶射
材料に静電場または電磁場を印加しつつ、被溶射体へ溶
射することを特徴とする溶射方法である。
ところは、溶射粉末材料を被溶射体へ投射して溶射する
に際し、溶射ガン先端と被溶射体間を投射飛行する溶射
材料に静電場または電磁場を印加しつつ、被溶射体へ溶
射することを特徴とする溶射方法である。
【０００５】
【発明の実施の形態】上記のごとく、溶射ガン先端から
噴出した溶射材料は、被溶射体間を投射飛行する間に徐
々に拡がり（飛散）、被溶射体へ到達したときに溶射部
以外へ達する飛散と、溶射部へ衝突して跳ね返って飛散
するものがある。このように投射飛行する溶射材料に静
電場または電磁場を印加することにより、ローレンツ力
が発生して静電場または電磁場内を投射飛行する溶射材
料が投射方向へ加速するとともに、投射方向への指向性
が正確になる。即ち、静電場等の印加により、投射飛行
する溶射材料が静電場等によってガイドされ、しかも加
速されることから、溶射材料の溶射ガン先端と被溶射体
間の投射飛行中での拡がりが狭まり、正確に溶射部へ投
射することができ、また、投射速度が初速より加速され
て終速が増速されることから溶射部に食い込み跳ね返り
飛散も減少して、飛躍的に歩留りが向上する。更に、投
射速度の加速により、所定膜厚の溶射膜を得る溶射時間
が短縮して、生産性を向上することができ、かつ投射速
度が高速になることから溶射材料の被溶射体への衝突力
が高まり、溶射膜中の気孔発生が減少するとともに、溶
射膜の密着性を向上することができる。このようなこと
から、被溶射体の溶射部が曲面形状等で溶射範囲が狭い
場合には、極めて有利である。
噴出した溶射材料は、被溶射体間を投射飛行する間に徐
々に拡がり（飛散）、被溶射体へ到達したときに溶射部
以外へ達する飛散と、溶射部へ衝突して跳ね返って飛散
するものがある。このように投射飛行する溶射材料に静
電場または電磁場を印加することにより、ローレンツ力
が発生して静電場または電磁場内を投射飛行する溶射材
料が投射方向へ加速するとともに、投射方向への指向性
が正確になる。即ち、静電場等の印加により、投射飛行
する溶射材料が静電場等によってガイドされ、しかも加
速されることから、溶射材料の溶射ガン先端と被溶射体
間の投射飛行中での拡がりが狭まり、正確に溶射部へ投
射することができ、また、投射速度が初速より加速され
て終速が増速されることから溶射部に食い込み跳ね返り
飛散も減少して、飛躍的に歩留りが向上する。更に、投
射速度の加速により、所定膜厚の溶射膜を得る溶射時間
が短縮して、生産性を向上することができ、かつ投射速
度が高速になることから溶射材料の被溶射体への衝突力
が高まり、溶射膜中の気孔発生が減少するとともに、溶
射膜の密着性を向上することができる。このようなこと
から、被溶射体の溶射部が曲面形状等で溶射範囲が狭い
場合には、極めて有利である。
【０００６】このように被溶射体へ投射する溶射材料に
印加する静電場としては、１０〜３００ＫＶで確実に溶
射材料の飛散を防止するとともに、投射速度を加速する
ことができ、１０ＫＶ未満であると十分な効果が得られ
難くなり、また３００ＫＶ超になると安全上好ましくな
い。次に、電磁場を印加する場合は、１０〜１０００Ｋ
Ａ／ｍで溶射材料の飛散を防止するとともに、投射速度
を加速することができ、この範囲外になると静電場の印
加と同様に説明することができる。
印加する静電場としては、１０〜３００ＫＶで確実に溶
射材料の飛散を防止するとともに、投射速度を加速する
ことができ、１０ＫＶ未満であると十分な効果が得られ
難くなり、また３００ＫＶ超になると安全上好ましくな
い。次に、電磁場を印加する場合は、１０〜１０００Ｋ
Ａ／ｍで溶射材料の飛散を防止するとともに、投射速度
を加速することができ、この範囲外になると静電場の印
加と同様に説明することができる。
【０００７】溶射材料（溶射粉末材料）としては、一般
に用いられている例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ系、
Ｎｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｃｒ系、Ａｌ等の金属。またはＡ
ｌ2Ｏ3 系、ＴｉＯ2 系、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 系、Ｙ2
Ｏ3 系、ＳｉＯ2 系等のセラミックス。更に、このよう
なセラミックスと金属からなる例えば、ＷＣ系、Ｃｒ 3
Ｃ2 系、ＴｉＣ系、ＺｎＣ系等のサーメットを、一般に
行われているガスフレーム溶射、プラズマ溶射等によ
り、被溶射体へ溶射するに際し、前記のごとく被溶射体
へ投射する溶射材料に静電場または電磁場を印加するも
のである。
に用いられている例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ系、
Ｎｉ−Ａｌ系、Ｆｅ−Ｃｒ系、Ａｌ等の金属。またはＡ
ｌ2Ｏ3 系、ＴｉＯ2 系、ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 系、Ｙ2
Ｏ3 系、ＳｉＯ2 系等のセラミックス。更に、このよう
なセラミックスと金属からなる例えば、ＷＣ系、Ｃｒ 3
Ｃ2 系、ＴｉＣ系、ＺｎＣ系等のサーメットを、一般に
行われているガスフレーム溶射、プラズマ溶射等によ
り、被溶射体へ溶射するに際し、前記のごとく被溶射体
へ投射する溶射材料に静電場または電磁場を印加するも
のである。
【０００８】次に、本発明方法の一例を図面により説明
する。図１において、溶射ガン１の燃焼室２へ燃料ガス
供給管３及び支燃ガス供給管４から燃料及び支燃ガスを
供給して燃焼せしめ、一方材料供給口５から溶射粉末材
料を供給して加熱し、半溶融化して溶射材料６とし、こ
れを被溶射体７へ投射して溶射する。しかして、溶射ガ
ン１先端と被溶射体７間を投射飛行する溶射材料６に帯
電電極８により静電場を印加しつつ溶射するものであ
る。このような静電場を安定して発生させるためには、
高圧電源９及びアース１０を配置することが好ましい。
また、電磁場を印加する場合は、帯電電極８に変えて誘
導コイルを配置して投射飛行する溶射材料６にローレン
ツ力を作用せしめつつ、被溶射体７に溶射するものであ
る。
する。図１において、溶射ガン１の燃焼室２へ燃料ガス
供給管３及び支燃ガス供給管４から燃料及び支燃ガスを
供給して燃焼せしめ、一方材料供給口５から溶射粉末材
料を供給して加熱し、半溶融化して溶射材料６とし、こ
れを被溶射体７へ投射して溶射する。しかして、溶射ガ
ン１先端と被溶射体７間を投射飛行する溶射材料６に帯
電電極８により静電場を印加しつつ溶射するものであ
る。このような静電場を安定して発生させるためには、
高圧電源９及びアース１０を配置することが好ましい。
また、電磁場を印加する場合は、帯電電極８に変えて誘
導コイルを配置して投射飛行する溶射材料６にローレン
ツ力を作用せしめつつ、被溶射体７に溶射するものであ
る。
【０００９】
【実施例】次に、本発明方法の実施例を比較例とともに
挙げる。
挙げる。
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】注１：溶射は、ガスフレーム溶射により実
施。 注２：溶射粉末材料（溶射材料）は、Ａ：Ｔｉ、Ｂ：Ｎ
ｉ、Ｃ：Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｄ：Ｎｉ−Ａｌ系、Ｅ：Ｆｅ−
Ｃｒ系、Ｆ：Ａｌ、Ｇ：Ａｌ2 Ｏ3 系、Ｈ：ＴｉＯ
2 系、Ｉ：ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 系、Ｊ：Ｙ2 Ｏ3 系、
Ｋ：ＳｉＯ2 系、Ｌ：ＷＣ系、Ｍ：Ｃｒ3 Ｏ2 系、Ｎ：
ＴｉＣ系、Ｏ：ＺｎＣ系で一般に用いられている材料を
使用した。尚、Ａ〜Ｆは金属、Ｇ〜Ｋはセラミックス、
Ｌ〜Ｏはサーメットである。 注３：被溶射体は、直径８００ｍｍのロール（一般構造
用鋼）表面に溶射した。
施。 注２：溶射粉末材料（溶射材料）は、Ａ：Ｔｉ、Ｂ：Ｎ
ｉ、Ｃ：Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｄ：Ｎｉ−Ａｌ系、Ｅ：Ｆｅ−
Ｃｒ系、Ｆ：Ａｌ、Ｇ：Ａｌ2 Ｏ3 系、Ｈ：ＴｉＯ
2 系、Ｉ：ＺｒＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 系、Ｊ：Ｙ2 Ｏ3 系、
Ｋ：ＳｉＯ2 系、Ｌ：ＷＣ系、Ｍ：Ｃｒ3 Ｏ2 系、Ｎ：
ＴｉＣ系、Ｏ：ＺｎＣ系で一般に用いられている材料を
使用した。尚、Ａ〜Ｆは金属、Ｇ〜Ｋはセラミックス、
Ｌ〜Ｏはサーメットである。 注３：被溶射体は、直径８００ｍｍのロール（一般構造
用鋼）表面に溶射した。
【００１２】
【発明の効果】本発明方法によれば、溶射時間を短縮し
て生産性を向上することができる。また、溶射材料の歩
留りを著しく高め溶射コストを大幅に低下させることが
できる。更に、溶射膜中の気孔率を低下させ溶射膜の密
着性を向上して品質を高めることができる等幾多の優れ
た効果が得られる。
て生産性を向上することができる。また、溶射材料の歩
留りを著しく高め溶射コストを大幅に低下させることが
できる。更に、溶射膜中の気孔率を低下させ溶射膜の密
着性を向上して品質を高めることができる等幾多の優れ
た効果が得られる。
【図１】本発明方法の一例を示す側面図である。
１ 溶射ガン ２ 燃焼室 ３ 燃料ガス供給管 ４ 支燃ガス供給管 ５ 材料供給口 ６ 溶射材料 ７ 被溶射体 ８ 帯電電極 ９ 高圧電源 １０ アース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 津村 康浩 愛知県東海市東海町５−３ 新日本製鐵株 式会社名古屋製鐵所内
Claims (1)
- 【請求項１】 溶射粉末材料を被溶射体へ投射して溶射
するに際し、溶射ガン先端と被溶射体間を投射飛行する
溶射材料に静電場または電磁場を印加しつつ、被溶射体
へ溶射することを特徴とする溶射方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7338441A JPH09176822A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 溶射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7338441A JPH09176822A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 溶射方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09176822A true JPH09176822A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=18318193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7338441A Pending JPH09176822A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 溶射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09176822A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114250461A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-29 | 广东省科学院新材料研究所 | 一种旋转稀土靶材及其制备方法与应用 |
| CN115341165A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-15 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种粉末涂料熔射热喷涂设备*** |
-
1995
- 1995-12-26 JP JP7338441A patent/JPH09176822A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114250461A (zh) * | 2021-12-13 | 2022-03-29 | 广东省科学院新材料研究所 | 一种旋转稀土靶材及其制备方法与应用 |
| CN115341165A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-15 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种粉末涂料熔射热喷涂设备*** |
| CN115341165B (zh) * | 2022-08-22 | 2023-10-10 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种粉末涂料熔射热喷涂设备*** |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010316 |