JPH09162116A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH09162116A JPH09162116A JP34446095A JP34446095A JPH09162116A JP H09162116 A JPH09162116 A JP H09162116A JP 34446095 A JP34446095 A JP 34446095A JP 34446095 A JP34446095 A JP 34446095A JP H09162116 A JPH09162116 A JP H09162116A
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- Japan
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- wafer
- photoresist
- main surface
- film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベーキング装置の汚染や膜厚が非対称形にな
るのを防止しつつウエハ周辺部に溜まった余剰のフォト
レジストを除去する。 【解決手段】 回転中のウエハ2の第1主面にフォトレ
ジスト液21を滴下して塗布するとともに、ウエハの第
2主面を溶剤18を噴射して洗浄する。第2主面に残留
部24が無い状態で塗布膜23が形成されたウエハ2を
加熱してベーキング膜25を形成する。その後、ウエハ
2を回転させながら第2主面の外周辺部に溶剤18を噴
射して残留部24を除去し縁取り膜27を形成する。 【効果】 塗布膜がベーキングされるのに先立ち第2主
面の残留部が除去されるため、ベーキング装置は汚染さ
れない。ベーキング後に縁取り作業が実施されるため、
縁取り作業中にフォトレジストが流動せず非対称形の発
生は防止される。
るのを防止しつつウエハ周辺部に溜まった余剰のフォト
レジストを除去する。 【解決手段】 回転中のウエハ2の第1主面にフォトレ
ジスト液21を滴下して塗布するとともに、ウエハの第
2主面を溶剤18を噴射して洗浄する。第2主面に残留
部24が無い状態で塗布膜23が形成されたウエハ2を
加熱してベーキング膜25を形成する。その後、ウエハ
2を回転させながら第2主面の外周辺部に溶剤18を噴
射して残留部24を除去し縁取り膜27を形成する。 【効果】 塗布膜がベーキングされるのに先立ち第2主
面の残留部が除去されるため、ベーキング装置は汚染さ
れない。ベーキング後に縁取り作業が実施されるため、
縁取り作業中にフォトレジストが流動せず非対称形の発
生は防止される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法、特に、半導体ウエハ(以下、ウエハという。)の
第1主面にフォトレジストを被着する技術に関し、例え
ば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造
方法に利用して有効な技術に関する。
方法、特に、半導体ウエハ(以下、ウエハという。)の
第1主面にフォトレジストを被着する技術に関し、例え
ば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造
方法に利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】ICの製造方法においては、サブストレ
ート(ウエハの基板自体)や酸化膜、窒化膜、金属膜に
半導体素子や回路等がパターニングされるに際して、ウ
エハのパターニングを施される第1主面に塗布されたフ
ォトレジストにフォトマスクのパターンが感光されるこ
とにより転写されるリソグラフィー処理が、広く使用さ
れている。このリソグラフィー処理において、ウエハの
第1主面にフォトマスクが塗布されるに際してはスピン
塗布装置(以下、スピンナという。)が使用されてい
る。スピンナが使用されるフォトレジスト塗布工程にお
いては、ウエハの第1主面にフォトレジストを均一な膜
厚に被着することが最重要課題になる。なぜならば、フ
ォトレジストの膜厚のばらつきは、フォトマスクのパタ
ーンを転写するための露光装置におけるアライメント精
度の低下を招来し、延いてはウエハの第1主面に転写さ
れるパターンの寸法ばらつきを招来するからである。
ート(ウエハの基板自体)や酸化膜、窒化膜、金属膜に
半導体素子や回路等がパターニングされるに際して、ウ
エハのパターニングを施される第1主面に塗布されたフ
ォトレジストにフォトマスクのパターンが感光されるこ
とにより転写されるリソグラフィー処理が、広く使用さ
れている。このリソグラフィー処理において、ウエハの
第1主面にフォトマスクが塗布されるに際してはスピン
塗布装置(以下、スピンナという。)が使用されてい
る。スピンナが使用されるフォトレジスト塗布工程にお
いては、ウエハの第1主面にフォトレジストを均一な膜
厚に被着することが最重要課題になる。なぜならば、フ
ォトレジストの膜厚のばらつきは、フォトマスクのパタ
ーンを転写するための露光装置におけるアライメント精
度の低下を招来し、延いてはウエハの第1主面に転写さ
れるパターンの寸法ばらつきを招来するからである。
【0003】スピンナによってウエハの第1主面にフォ
トマスクが塗布されるに際しては、ウエハが塗布カップ
のスピンチャックの上に水平に保持された状態で所定の
速度で回転され、スピンチャックの真上に配置されたノ
ズルからウエハの第1主面の中心部位に液状のフォトレ
ジストが滴下される。滴下されてウエハの第1主面に付
着した液状のフォトレジストは遠心力によってウエハの
周辺方向に流動されるため、ウエハの第1主面全体に均
一に濡れ拡がる。この際、ウエハの周辺部に達した余剰
のフォトレジストの大部分は遠心力によってウエハから
振り切られるが、一部はウエハの周辺部に溜まる。この
ウエハの周辺部に溜まったフォトレジストが乾燥後に異
物になってウエハの第1主面に付着すると、パターンの
転写不良等を引き起こす原因になる。
トマスクが塗布されるに際しては、ウエハが塗布カップ
のスピンチャックの上に水平に保持された状態で所定の
速度で回転され、スピンチャックの真上に配置されたノ
ズルからウエハの第1主面の中心部位に液状のフォトレ
ジストが滴下される。滴下されてウエハの第1主面に付
着した液状のフォトレジストは遠心力によってウエハの
周辺方向に流動されるため、ウエハの第1主面全体に均
一に濡れ拡がる。この際、ウエハの周辺部に達した余剰
のフォトレジストの大部分は遠心力によってウエハから
振り切られるが、一部はウエハの周辺部に溜まる。この
ウエハの周辺部に溜まったフォトレジストが乾燥後に異
物になってウエハの第1主面に付着すると、パターンの
転写不良等を引き起こす原因になる。
【0004】以上のような理由から、スピンナによるフ
ォトレジスト塗布工程においては、ウエハの第1主面に
フォトレジストが塗布された後に、ウエハの第2主面に
おける周辺部にフォトレジスト用溶剤(以下、溶剤とい
う。)をノズルによって吹き付けて、周辺部に溜まった
余剰のフォトレジストを溶剤によって溶融させて除去す
る所謂縁取り作業が、実施されている。
ォトレジスト塗布工程においては、ウエハの第1主面に
フォトレジストが塗布された後に、ウエハの第2主面に
おける周辺部にフォトレジスト用溶剤(以下、溶剤とい
う。)をノズルによって吹き付けて、周辺部に溜まった
余剰のフォトレジストを溶剤によって溶融させて除去す
る所謂縁取り作業が、実施されている。
【0005】ところが、前記縁取り作業が実施される
と、ウエハの第1主面に均一に塗布されたフォトレジス
トが回転するウエハの遠心力によってウエハの周辺部に
流動するため、集積回路のパターンやアライメントパタ
ーンの段差部においてフォトレジストの膜厚がウエハの
中心側と周辺側とで非対称形になり、露光装置のアライ
メント精度が低下してしまうという問題点がある。
と、ウエハの第1主面に均一に塗布されたフォトレジス
トが回転するウエハの遠心力によってウエハの周辺部に
流動するため、集積回路のパターンやアライメントパタ
ーンの段差部においてフォトレジストの膜厚がウエハの
中心側と周辺側とで非対称形になり、露光装置のアライ
メント精度が低下してしまうという問題点がある。
【0006】そこで、この問題点を解決するための手段
として、特開平4−239721号公報には、ウエハを
回転させながら第1主面にフォトレジストを塗布した後
に、このフォトレジストをベーキングし、次いで、ウエ
ハを回転させながらウエハの周辺部に溶剤を噴出するこ
とにより、ウエハの周辺部に溜まった余剰のフォトレジ
ストを除去する技術が提案されている。この技術によれ
ば、ウエハの周辺部に溜まった余剰のフォトレジストを
除去する縁取り工程に先立ってフォトレジストがベーキ
ングによって硬化されるため、縁取り作業が実施される
際に回転するウエハの遠心力によってフォトレジストが
ウエハの周辺方向に流動するのが防止されることにな
り、縁取り作業が実施された後にウエハの段差部におい
てフォトレジストの膜厚が非対称形になる現象の発生は
回避することができる。
として、特開平4−239721号公報には、ウエハを
回転させながら第1主面にフォトレジストを塗布した後
に、このフォトレジストをベーキングし、次いで、ウエ
ハを回転させながらウエハの周辺部に溶剤を噴出するこ
とにより、ウエハの周辺部に溜まった余剰のフォトレジ
ストを除去する技術が提案されている。この技術によれ
ば、ウエハの周辺部に溜まった余剰のフォトレジストを
除去する縁取り工程に先立ってフォトレジストがベーキ
ングによって硬化されるため、縁取り作業が実施される
際に回転するウエハの遠心力によってフォトレジストが
ウエハの周辺方向に流動するのが防止されることにな
り、縁取り作業が実施された後にウエハの段差部におい
てフォトレジストの膜厚が非対称形になる現象の発生は
回避することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、縁取り
工程に先立ってフォトレジストをベーキングによって硬
化させて縁取り作業に際してフォトレジストの膜厚が非
対称形になるのを防止する前記技術においては、ウエハ
の第2主面に付着した余剰のフォトレジストがベーキン
グを実施するためのベーキング装置を汚染するという問
題点があることが、本発明者によって明らかにされた。
工程に先立ってフォトレジストをベーキングによって硬
化させて縁取り作業に際してフォトレジストの膜厚が非
対称形になるのを防止する前記技術においては、ウエハ
の第2主面に付着した余剰のフォトレジストがベーキン
グを実施するためのベーキング装置を汚染するという問
題点があることが、本発明者によって明らかにされた。
【0008】本発明の目的は、ベーキング装置の汚染お
よび膜厚が非対称形になるのを防止しつつ、ウエハの周
辺部に溜まった余剰のフォトレジストを除去することが
できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
よび膜厚が非対称形になるのを防止しつつ、ウエハの周
辺部に溜まった余剰のフォトレジストを除去することが
できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0011】すなわち、回転されている半導体ウエハの
第1主面に液状のフォトレジストを供給してフォトレジ
ストを塗布するとともに、この半導体ウエハの第2主面
にフォトレジスト用の溶剤を供給して第2主面を洗浄
し、第2主面に余剰のフォトレジストが付着していない
状態で、フォトレジストが塗布された半導体ウエハを加
熱してフォトレジストをベーキングさせる。そして、フ
ォトレジストをベーキングされた半導体ウエハが回転さ
れるとともに、この半導体ウエハの第2主面における外
周辺部にフォトレジスト用の溶剤が供給されて、この半
導体ウエハの第1主面における外周辺部に溜まった余剰
のフォトレジストが環状に除去されて縁取りされる。
第1主面に液状のフォトレジストを供給してフォトレジ
ストを塗布するとともに、この半導体ウエハの第2主面
にフォトレジスト用の溶剤を供給して第2主面を洗浄
し、第2主面に余剰のフォトレジストが付着していない
状態で、フォトレジストが塗布された半導体ウエハを加
熱してフォトレジストをベーキングさせる。そして、フ
ォトレジストをベーキングされた半導体ウエハが回転さ
れるとともに、この半導体ウエハの第2主面における外
周辺部にフォトレジスト用の溶剤が供給されて、この半
導体ウエハの第1主面における外周辺部に溜まった余剰
のフォトレジストが環状に除去されて縁取りされる。
【0012】前記した手段によれば、ウエハの第2主面
に付着する余剰のフォトレジストはフォトレジストがベ
ーキングされるのに先立って除去されているため、ベー
キング装置が汚染されることは未然に防止されることに
なる。他方、フォトレジストがベーキングされて硬化さ
れた後に縁取り作業が実施されるため、縁取り作業の実
施に際してフォトレジストが流動してウエハの中心側と
周辺側とで非対称形になる現象は引き起こされないこと
になる。
に付着する余剰のフォトレジストはフォトレジストがベ
ーキングされるのに先立って除去されているため、ベー
キング装置が汚染されることは未然に防止されることに
なる。他方、フォトレジストがベーキングされて硬化さ
れた後に縁取り作業が実施されるため、縁取り作業の実
施に際してフォトレジストが流動してウエハの中心側と
周辺側とで非対称形になる現象は引き起こされないこと
になる。
【0013】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
ICの製造方法におけるフォトレジスト被着工程を示す
各模式図であり、(a)はフォトレジスト塗布洗浄工
程、(b)はフォトレジスト塗布洗浄工程後、(c)は
ベーキング工程、(d)は縁取り工程、(e)は縁取り
工程後をそれぞれ示している。図2はそれに使用される
フォトレジスト被着装置を示しており、(a)は概略平
面図、(b)はフォトレジスト塗布洗浄装置の正面断面
図、(c)はベーキング装置の正面図である。図3は縁
取り工程を示しており、(a)は縁取り装置の正面断面
図、(b)は縁取り処理中の拡大断面図、(c)は縁取
り後の拡大断面図である。図4は本発明の一実施形態で
あるICの製造方法におけるパターニング工程を示す各
概略正面図であり、図5は同じく各概略平面図である。
ICの製造方法におけるフォトレジスト被着工程を示す
各模式図であり、(a)はフォトレジスト塗布洗浄工
程、(b)はフォトレジスト塗布洗浄工程後、(c)は
ベーキング工程、(d)は縁取り工程、(e)は縁取り
工程後をそれぞれ示している。図2はそれに使用される
フォトレジスト被着装置を示しており、(a)は概略平
面図、(b)はフォトレジスト塗布洗浄装置の正面断面
図、(c)はベーキング装置の正面図である。図3は縁
取り工程を示しており、(a)は縁取り装置の正面断面
図、(b)は縁取り処理中の拡大断面図、(c)は縁取
り後の拡大断面図である。図4は本発明の一実施形態で
あるICの製造方法におけるパターニング工程を示す各
概略正面図であり、図5は同じく各概略平面図である。
【0014】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置の製造方法はICを製造する方法として構成されて
おり、フォトレジスト被着工程を備えている。このフォ
トレジスト被着工程は図2に示されているフォトレジス
ト被着装置1によって実施される。このフォトレジスト
被着装置1は概ね、複数枚のウエハ2を収容して1枚宛
払い出すローディング装置3と、ウエハ2を回転させな
がらウエハの第1主面に液状のフォトレジストを供給し
てフォトレジストを塗布するとともに、このウエハ2の
第2主面にフォトレジスト用の溶剤(例えば、エチルラ
クテート。以下、溶剤という。)を供給して第2主面を
洗浄するフォトレジスト塗布洗浄装置4と、フォトレジ
ストが塗布されたウエハ2を加熱してフォトレジストを
ベーキングするベーキング装置5と、フォトレジストを
ベーキングされたウエハ2を回転させるとともにウエハ
2の第2主面における外周辺部に溶剤を供給してウエハ
の第1主面における外周辺部に溜まった余剰のフォトレ
ジストを環状に除去する縁取り装置6と、一連の工程が
完了したウエハ2を受け取って収容するアンローディン
グ装置7とから構成されている。フォトレジスト塗布洗
浄装置4とベーキング装置5との間には第1搬送アーム
8が、ベーキング装置5と縁取り装置6との間には第2
搬送アーム9が、縁取り装置6とアンローディング装置
7との間には第3搬送アーム10がそれぞれ設備されて
いる。
装置の製造方法はICを製造する方法として構成されて
おり、フォトレジスト被着工程を備えている。このフォ
トレジスト被着工程は図2に示されているフォトレジス
ト被着装置1によって実施される。このフォトレジスト
被着装置1は概ね、複数枚のウエハ2を収容して1枚宛
払い出すローディング装置3と、ウエハ2を回転させな
がらウエハの第1主面に液状のフォトレジストを供給し
てフォトレジストを塗布するとともに、このウエハ2の
第2主面にフォトレジスト用の溶剤(例えば、エチルラ
クテート。以下、溶剤という。)を供給して第2主面を
洗浄するフォトレジスト塗布洗浄装置4と、フォトレジ
ストが塗布されたウエハ2を加熱してフォトレジストを
ベーキングするベーキング装置5と、フォトレジストを
ベーキングされたウエハ2を回転させるとともにウエハ
2の第2主面における外周辺部に溶剤を供給してウエハ
の第1主面における外周辺部に溜まった余剰のフォトレ
ジストを環状に除去する縁取り装置6と、一連の工程が
完了したウエハ2を受け取って収容するアンローディン
グ装置7とから構成されている。フォトレジスト塗布洗
浄装置4とベーキング装置5との間には第1搬送アーム
8が、ベーキング装置5と縁取り装置6との間には第2
搬送アーム9が、縁取り装置6とアンローディング装置
7との間には第3搬送アーム10がそれぞれ設備されて
いる。
【0015】次に、前記フォトレジスト被着装置1が使
用された本実施形態に係るフォトレジスト被着工程を図
1に示されている工程図に沿って説明する。
用された本実施形態に係るフォトレジスト被着工程を図
1に示されている工程図に沿って説明する。
【0016】まず、ローディング装置3によりウエハ2
が1枚宛払い出されて、前処理装置(図示せず)に供給
される。例えば、前処理装置は第1恒温プレートおよび
第2恒温プレートを備えており、第1恒温プレートに供
給されて吸着保持されたウエハ2は150℃程度に加熱
され、その表面に吸着した水分が除去される。この際、
ウエハ2の第1主面の接着性を強化するために、例え
ば、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)が使用された
疏水化処理が実施される。第1恒温プレートで脱水処理
が完了したウエハ2は第2恒温プレートに送られて吸着
保持され、第2恒温プレートによってフォトレジスト塗
布に最適な温度に冷却される。この最適温度は23℃程
度である。
が1枚宛払い出されて、前処理装置(図示せず)に供給
される。例えば、前処理装置は第1恒温プレートおよび
第2恒温プレートを備えており、第1恒温プレートに供
給されて吸着保持されたウエハ2は150℃程度に加熱
され、その表面に吸着した水分が除去される。この際、
ウエハ2の第1主面の接着性を強化するために、例え
ば、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)が使用された
疏水化処理が実施される。第1恒温プレートで脱水処理
が完了したウエハ2は第2恒温プレートに送られて吸着
保持され、第2恒温プレートによってフォトレジスト塗
布に最適な温度に冷却される。この最適温度は23℃程
度である。
【0017】最適温度に調整されたウエハ2はフォトレ
ジスト塗布洗浄装置4に送られる。このフォトレジスト
塗布洗浄装置4は図2(b)に示されているように構成
されている。すなわち、フォトレジスト塗布洗浄装置4
は上下が開口された略円筒形状のカップ11を備えてお
り、カップ11の中央にはウエハを真空吸着保持するス
ピンチャック12が水平に配置されている。スピンチャ
ック12はモータ13によって水平面内を毎分数百回転
〜数千回転の速度で回転されるようになっている。スピ
ンチャック12の回転軸心線上にはウエハ2の第1主面
の上に液状のフォトレジストを滴下するフォトレジスト
供給ノズル14が垂直方向下向きに配設されている。ま
た、カップ11の壁面においてウエハ2と略同一高さの
位置には再付着防止部15が末広がりの斜面に形成され
ており、この再付着防止部15はウエハ2から振り切ら
れて来たフォトレジストの飛沫を下方に跳ね返すことに
より、フォトレジストの飛沫がウエハ2に跳ね返って再
付着するのを防止するようになっている。さらに、カッ
プ11の底壁には排出口16が開設されているととも
に、ウエハ2の第2主面を洗浄するための溶剤18を供
給する溶剤供給ノズル17が挿入されている。溶剤供給
ノズル17は溶剤をウエハ2の第2主面における外周辺
に斜め上向きに噴射するようになっている。
ジスト塗布洗浄装置4に送られる。このフォトレジスト
塗布洗浄装置4は図2(b)に示されているように構成
されている。すなわち、フォトレジスト塗布洗浄装置4
は上下が開口された略円筒形状のカップ11を備えてお
り、カップ11の中央にはウエハを真空吸着保持するス
ピンチャック12が水平に配置されている。スピンチャ
ック12はモータ13によって水平面内を毎分数百回転
〜数千回転の速度で回転されるようになっている。スピ
ンチャック12の回転軸心線上にはウエハ2の第1主面
の上に液状のフォトレジストを滴下するフォトレジスト
供給ノズル14が垂直方向下向きに配設されている。ま
た、カップ11の壁面においてウエハ2と略同一高さの
位置には再付着防止部15が末広がりの斜面に形成され
ており、この再付着防止部15はウエハ2から振り切ら
れて来たフォトレジストの飛沫を下方に跳ね返すことに
より、フォトレジストの飛沫がウエハ2に跳ね返って再
付着するのを防止するようになっている。さらに、カッ
プ11の底壁には排出口16が開設されているととも
に、ウエハ2の第2主面を洗浄するための溶剤18を供
給する溶剤供給ノズル17が挿入されている。溶剤供給
ノズル17は溶剤をウエハ2の第2主面における外周辺
に斜め上向きに噴射するようになっている。
【0018】以上のように構成されたフォトレジスト塗
布洗浄装置4に送られたウエハ2は図2(b)および図
1(a)に示されているように、スピンチャック12に
真空吸着保持される。ウエハ2がスピンチャック12に
よって保持されると、モータ13が所定の速度で回転さ
れる。モータ13の回転が所定の速度で安定したところ
で、フォトレジスト供給ノズル14から液状のフォトレ
ジスト(以下、フォトレジスト液という。)21がウエ
ハ2の第1主面における中心部位に滴下される。滴下さ
れたフォトレジスト液21はウエハ2の第1主面に付着
するとともに、高速で回転するウエハ2の遠心力によっ
て周辺方向に流動されて全面に濡れ広がる。この時のウ
エハ2の回転速度は毎分2000回転〜毎分3000回
転であり、塗布工程としての処理時間は約20秒間であ
る。濡れ広がって形成されたフォトレジストの塗布膜
(以下、塗布膜という。)23の膜厚は、約1μm〜2
μmである。
布洗浄装置4に送られたウエハ2は図2(b)および図
1(a)に示されているように、スピンチャック12に
真空吸着保持される。ウエハ2がスピンチャック12に
よって保持されると、モータ13が所定の速度で回転さ
れる。モータ13の回転が所定の速度で安定したところ
で、フォトレジスト供給ノズル14から液状のフォトレ
ジスト(以下、フォトレジスト液という。)21がウエ
ハ2の第1主面における中心部位に滴下される。滴下さ
れたフォトレジスト液21はウエハ2の第1主面に付着
するとともに、高速で回転するウエハ2の遠心力によっ
て周辺方向に流動されて全面に濡れ広がる。この時のウ
エハ2の回転速度は毎分2000回転〜毎分3000回
転であり、塗布工程としての処理時間は約20秒間であ
る。濡れ広がって形成されたフォトレジストの塗布膜
(以下、塗布膜という。)23の膜厚は、約1μm〜2
μmである。
【0019】ここで、ウエハ2の第1主面における外周
縁辺に達したフォトレジスト液21の余剰分はウエハ2
の遠心力によって外周縁辺から振り切られるため、フォ
トレジストの飛沫(以下、飛沫という。)22となって
カップ11の内壁に向かって飛散し再付着防止部15に
衝突する。しかし、再付着防止部15に衝突した飛沫2
2は下方に跳ね返されるとともに、カップ11の室内に
形成されている下降気流19に乗って排出口16の方向
に運ばれるため、ウエハ2の第1主面に跳ね返って再付
着することはない。
縁辺に達したフォトレジスト液21の余剰分はウエハ2
の遠心力によって外周縁辺から振り切られるため、フォ
トレジストの飛沫(以下、飛沫という。)22となって
カップ11の内壁に向かって飛散し再付着防止部15に
衝突する。しかし、再付着防止部15に衝突した飛沫2
2は下方に跳ね返されるとともに、カップ11の室内に
形成されている下降気流19に乗って排出口16の方向
に運ばれるため、ウエハ2の第1主面に跳ね返って再付
着することはない。
【0020】このようにしてウエハ2の第1主面の外周
縁辺に達したフォトレジスト液21はその大部分がウエ
ハ2の遠心力によって分離除去されるが、一部はフォト
レジスト液21の粘着性や表面張力等によってウエハ2
の外周縁辺部において第2主面側に回り込んでウエハ2
の外周面および第2主面の外周辺部に残留してフォトレ
ジスト残留部(以下、残留部という。)24を形成して
しまう。第2主面の外周辺部に残留部24が残留したま
まの状態のウエハ2がベーキング装置に送られてベーキ
ングされると、ベーキング装置が汚染されたり、脆弱で
ある残留部24が不慮に脱落して異物を発生する等の不
具合を引き起こす。
縁辺に達したフォトレジスト液21はその大部分がウエ
ハ2の遠心力によって分離除去されるが、一部はフォト
レジスト液21の粘着性や表面張力等によってウエハ2
の外周縁辺部において第2主面側に回り込んでウエハ2
の外周面および第2主面の外周辺部に残留してフォトレ
ジスト残留部(以下、残留部という。)24を形成して
しまう。第2主面の外周辺部に残留部24が残留したま
まの状態のウエハ2がベーキング装置に送られてベーキ
ングされると、ベーキング装置が汚染されたり、脆弱で
ある残留部24が不慮に脱落して異物を発生する等の不
具合を引き起こす。
【0021】そこで、本実施形態においては、ウエハ2
の第2主面に回り込んだフォトレジストを洗浄する洗浄
工程が塗布工程に引き続いて実施されることにより、ウ
エハ2の第2主面における外周辺部に残留部24が形成
されるのが防止される。すなわち、塗布工程におけるフ
ォトレジスト液21の滴下開始後に所定時間経過する
と、ウエハ2が所定の速度で回転されながら、溶剤供給
ノズル17から溶剤18がウエハ2の第2主面における
外周辺部に向けて噴射される。この時のウエハ2の回転
数は毎分1000回転〜毎分1500回転が望ましい。
なぜならば、回転数が低いと、ウエハ2の第2主面に吹
き付けられた溶剤18がその粘着性や表面張力等によっ
てウエハ2の外周縁辺においてウエハ2の遠心力に打ち
勝って第1主面側に回り込むことにより、ウエハ2の第
2主面に回り込んだ残留部24ばかりでなく、第1主面
の塗布膜23が溶解されてしまう現象が発生する。逆に
回転数が高すぎると、ウエハ2の第2主面に吹き付けら
れた溶剤18が残留部24を溶解する前に遠心力によっ
て振り切られてしまうばかりでなく、未だ柔軟な塗布膜
23が強力な遠心力を受けて変形し中心側と周辺側との
非対称形になる現象が発生してしまう。ちなみに、ウエ
ハ2の第2主面の溶剤による洗浄工程の処理時間は約1
0秒間である。
の第2主面に回り込んだフォトレジストを洗浄する洗浄
工程が塗布工程に引き続いて実施されることにより、ウ
エハ2の第2主面における外周辺部に残留部24が形成
されるのが防止される。すなわち、塗布工程におけるフ
ォトレジスト液21の滴下開始後に所定時間経過する
と、ウエハ2が所定の速度で回転されながら、溶剤供給
ノズル17から溶剤18がウエハ2の第2主面における
外周辺部に向けて噴射される。この時のウエハ2の回転
数は毎分1000回転〜毎分1500回転が望ましい。
なぜならば、回転数が低いと、ウエハ2の第2主面に吹
き付けられた溶剤18がその粘着性や表面張力等によっ
てウエハ2の外周縁辺においてウエハ2の遠心力に打ち
勝って第1主面側に回り込むことにより、ウエハ2の第
2主面に回り込んだ残留部24ばかりでなく、第1主面
の塗布膜23が溶解されてしまう現象が発生する。逆に
回転数が高すぎると、ウエハ2の第2主面に吹き付けら
れた溶剤18が残留部24を溶解する前に遠心力によっ
て振り切られてしまうばかりでなく、未だ柔軟な塗布膜
23が強力な遠心力を受けて変形し中心側と周辺側との
非対称形になる現象が発生してしまう。ちなみに、ウエ
ハ2の第2主面の溶剤による洗浄工程の処理時間は約1
0秒間である。
【0022】ウエハ2の第2主面の洗浄工程が終了する
と、ウエハ2は空転されてウエハ2に付着した溶剤18
が遠心乾燥される。すなわち、ウエハ2が空転される
と、ウエハ2に付着した溶剤18は遠心分離されて強制
的に除去されるため、相対的にウエハ2は乾燥される。
この遠心乾燥時のウエハ2の回転数は、洗浄工程と同様
の理由により、毎分1000回転〜毎分1500回転が
望ましい。ちなみに、遠心乾燥の処理時間は約10秒間
である。
と、ウエハ2は空転されてウエハ2に付着した溶剤18
が遠心乾燥される。すなわち、ウエハ2が空転される
と、ウエハ2に付着した溶剤18は遠心分離されて強制
的に除去されるため、相対的にウエハ2は乾燥される。
この遠心乾燥時のウエハ2の回転数は、洗浄工程と同様
の理由により、毎分1000回転〜毎分1500回転が
望ましい。ちなみに、遠心乾燥の処理時間は約10秒間
である。
【0023】なお、ウエハ2から遠心力によって振り切
られた溶剤18およびウエハ2の第2主面に回り込んだ
残留部24の残渣は再付着防止部15および下降気流1
9の作用によってウエハ2の方向へ向かうことなく排出
口16に全て排出される。
られた溶剤18およびウエハ2の第2主面に回り込んだ
残留部24の残渣は再付着防止部15および下降気流1
9の作用によってウエハ2の方向へ向かうことなく排出
口16に全て排出される。
【0024】以上のようにしてフォトレジスト塗布洗浄
工程を経たウエハ2には、ウエハ2の外周面に残留部2
4を有するが、第2主面には残留部を有しない状態で塗
布膜23が第1主面に図1(b)に示されているように
塗布された状態になっている。このウエハ2は第1搬送
アーム8によってベーキング装置5に送られる。このベ
ーキング装置5は図2(c)に示されているように構成
されている。すなわち、ベーキング装置5はウエハ2の
直径よりも大径の一辺を有する正方形の平盤形状に形成
されたホットプレート31を備えており、ホットプレー
ト31の内部には温度調整可能な電気ヒータ32が組み
込まれている。
工程を経たウエハ2には、ウエハ2の外周面に残留部2
4を有するが、第2主面には残留部を有しない状態で塗
布膜23が第1主面に図1(b)に示されているように
塗布された状態になっている。このウエハ2は第1搬送
アーム8によってベーキング装置5に送られる。このベ
ーキング装置5は図2(c)に示されているように構成
されている。すなわち、ベーキング装置5はウエハ2の
直径よりも大径の一辺を有する正方形の平盤形状に形成
されたホットプレート31を備えており、ホットプレー
ト31の内部には温度調整可能な電気ヒータ32が組み
込まれている。
【0025】ベーキング装置5に送られて来たウエハ2
は塗布膜23側の第1主面を上向きにされてホットプレ
ート31の上に移載される。図1(c)および図2
(c)に示されているように、ウエハ2がホットプレー
ト31に移載されると、ウエハ2はホットプレート31
の電気ヒータ32によって所定の温度に加熱されて焼き
固められるベーキング処理を施される。このベーキング
工程におけるベーキングの程度は塗布膜23の表面を硬
化させる程度でよく完全に硬化されることはない。この
時の加熱温度は90℃〜100℃であり、処理時間は約
2分間である。
は塗布膜23側の第1主面を上向きにされてホットプレ
ート31の上に移載される。図1(c)および図2
(c)に示されているように、ウエハ2がホットプレー
ト31に移載されると、ウエハ2はホットプレート31
の電気ヒータ32によって所定の温度に加熱されて焼き
固められるベーキング処理を施される。このベーキング
工程におけるベーキングの程度は塗布膜23の表面を硬
化させる程度でよく完全に硬化されることはない。この
時の加熱温度は90℃〜100℃であり、処理時間は約
2分間である。
【0026】ここで、ウエハ2の第2主面における外周
辺部にまで残留部24が付着していると、残留部24の
フォトレジストがホットプレート31に付着してしまう
ため、ホットプレート31が汚染される。しかし、本実
施形態においては、フォトレジスト塗布洗浄工程にて洗
浄されることによりウエハ2の第2主面には残留部24
が形成されていないため、ホットプレート31は汚染さ
れることはない。
辺部にまで残留部24が付着していると、残留部24の
フォトレジストがホットプレート31に付着してしまう
ため、ホットプレート31が汚染される。しかし、本実
施形態においては、フォトレジスト塗布洗浄工程にて洗
浄されることによりウエハ2の第2主面には残留部24
が形成されていないため、ホットプレート31は汚染さ
れることはない。
【0027】ところで、ホットプレート31はウエハ2
を極僅かに浮かせた状態で支持(プロキシミティ支持)
するように構成することが望ましいが、ウエハ2の第2
主面は既に洗浄されることにより残留部24が形成され
ていないため、コンタクト(接触)支持するように構成
してもよい。コンタクト状態でウエハ2がホットプレー
ト31によって加熱されると、加熱効率が良好になるば
かりでなく、温度分布もウエハ2全体にわたって均一に
なる。
を極僅かに浮かせた状態で支持(プロキシミティ支持)
するように構成することが望ましいが、ウエハ2の第2
主面は既に洗浄されることにより残留部24が形成され
ていないため、コンタクト(接触)支持するように構成
してもよい。コンタクト状態でウエハ2がホットプレー
ト31によって加熱されると、加熱効率が良好になるば
かりでなく、温度分布もウエハ2全体にわたって均一に
なる。
【0028】以上のようにしてベーキング処理されるこ
とにより、ウエハ2の第1主面には塗布膜23を焼き固
められたフォトレジスト膜(以下、ベーキング膜とい
う。)25が形成された状態になる。
とにより、ウエハ2の第1主面には塗布膜23を焼き固
められたフォトレジスト膜(以下、ベーキング膜とい
う。)25が形成された状態になる。
【0029】ところで、前記した洗浄工程においてはウ
エハ2の第2主面の残留部が洗浄されるだけであるた
め、残留部24はウエハ2の外周面までは形成された状
態になっている。この状態のまま、ウエハ2がフォトレ
ジスト被着装置1からアンローディング装置7に排出さ
れて露光工程等の後工程に送られると、ウエハ2がアン
ローディング装置7に収容される際や、ウエハ2がキャ
リア治具に移し換えられる際においてウエハ2が保持溝
(後述する。)に擦れることにより、ウエハ2の第1主
面の外周面までは形成された残留部24が削ぎ落とされ
てしまう。削ぎ落とされた欠けら等が異物になってウエ
ハ2のベーキング膜25に再付着すると、露光工程にお
いてパターンの転写不良等を引き起こす原因になる。ま
た、残留部24の脱落に伴ってベーキング膜25が損傷
されることもある。
エハ2の第2主面の残留部が洗浄されるだけであるた
め、残留部24はウエハ2の外周面までは形成された状
態になっている。この状態のまま、ウエハ2がフォトレ
ジスト被着装置1からアンローディング装置7に排出さ
れて露光工程等の後工程に送られると、ウエハ2がアン
ローディング装置7に収容される際や、ウエハ2がキャ
リア治具に移し換えられる際においてウエハ2が保持溝
(後述する。)に擦れることにより、ウエハ2の第1主
面の外周面までは形成された残留部24が削ぎ落とされ
てしまう。削ぎ落とされた欠けら等が異物になってウエ
ハ2のベーキング膜25に再付着すると、露光工程にお
いてパターンの転写不良等を引き起こす原因になる。ま
た、残留部24の脱落に伴ってベーキング膜25が損傷
されることもある。
【0030】そこで、本実施形態においては、ウエハ2
の外周面に残留部24を形成されたベーキング膜25に
対して縁取り処理が実施されることにより、ウエハ2の
第1主面の外周面までは形成された残留部24が削ぎ落
とされることによるパターンの転写不良等の発生が未然
に防止される。
の外周面に残留部24を形成されたベーキング膜25に
対して縁取り処理が実施されることにより、ウエハ2の
第1主面の外周面までは形成された残留部24が削ぎ落
とされることによるパターンの転写不良等の発生が未然
に防止される。
【0031】すなわち、塗布膜23をベーキング工程に
よって焼き固められたベーキング膜25が被着されたウ
エハ2は、第2搬送アーム9によって縁取り装置6に搬
送される。この縁取り装置6は図3(a)に示されてい
るようにフォトレジスト塗布洗浄装置と同様に構成され
ている。すなわち、この縁取り装置6は上下が開口され
た略円筒形状のカップ41を備えており、カップ41の
中央にはウエハを真空吸着保持するスピンチャック42
が水平に配置されている。スピンチャック42はモータ
43によって水平面内を毎分数百回転〜数千回転の速度
で回転されるようになっている。カップ41の壁面にお
いてウエハ2と略同一高さの位置には再付着防止部45
が末広がりの斜面に形成されており、この再付着防止部
45はウエハ2から振り切られて来た溶剤や溶解された
フォトレジストの溶解物を下方に跳ね返すことにより、
溶剤や溶解されたフォトレジストの溶解物がウエハ2に
跳ね返って再付着するのを防止するようになっている。
さらに、カップ41の底壁には排出口46が開設されて
いるとともに、ウエハ2の外周面に形成された残留部2
4を縁取りするための溶剤48を供給する溶剤供給ノズ
ル47が挿入されている。この溶剤供給ノズル47は溶
剤をウエハ2の第2主面における外周辺に斜め上向きに
噴射するようになっている。
よって焼き固められたベーキング膜25が被着されたウ
エハ2は、第2搬送アーム9によって縁取り装置6に搬
送される。この縁取り装置6は図3(a)に示されてい
るようにフォトレジスト塗布洗浄装置と同様に構成され
ている。すなわち、この縁取り装置6は上下が開口され
た略円筒形状のカップ41を備えており、カップ41の
中央にはウエハを真空吸着保持するスピンチャック42
が水平に配置されている。スピンチャック42はモータ
43によって水平面内を毎分数百回転〜数千回転の速度
で回転されるようになっている。カップ41の壁面にお
いてウエハ2と略同一高さの位置には再付着防止部45
が末広がりの斜面に形成されており、この再付着防止部
45はウエハ2から振り切られて来た溶剤や溶解された
フォトレジストの溶解物を下方に跳ね返すことにより、
溶剤や溶解されたフォトレジストの溶解物がウエハ2に
跳ね返って再付着するのを防止するようになっている。
さらに、カップ41の底壁には排出口46が開設されて
いるとともに、ウエハ2の外周面に形成された残留部2
4を縁取りするための溶剤48を供給する溶剤供給ノズ
ル47が挿入されている。この溶剤供給ノズル47は溶
剤をウエハ2の第2主面における外周辺に斜め上向きに
噴射するようになっている。
【0032】以上のように構成された縁取り装置6に送
られたウエハ2は図3(a)および図1(d)に示され
ているように、スピンチャック42に真空吸着保持され
る。ウエハ2がスピンチャック42によって保持される
と、モータ43が所定の速度で回転される。モータ43
の回転が所定の速度で安定したところで、溶剤供給ノズ
ル47から溶剤48がウエハ2の第2主面における外周
辺部に向けて噴射される。ウエハ2の第2主面に吹き付
けられた溶剤48はその粘着性や表面張力等によってウ
エハ2の外周縁辺においてウエハ2の遠心力に打ち勝っ
て、図3(b)に示されているように第1主面側に回り
込む。第1主面側に回り込んだ溶剤48はベーキング膜
25におけるウエハ2の外周面の残留部24および第1
主面の外周辺部に形成された部分に浸透することによ
り、この部分のフォトレジストを溶解させる。溶解され
て柔らかくなった状態のフォトレジスト(以下、溶解物
という。)26は、回転するウエハ2に作用する遠心力
によって分離されてウエハ2から振り切られる。このよ
うにしてウエハ2の外周面の残留部24およびベーキン
グ膜25の外周辺部が溶解されて溶解物26が振り切ら
れると、図3(c)に示されているように、ウエハ2の
第1主面には外周辺部に縁取り部28を有するベーキン
グ膜(以下、縁取り膜)27が形成された状態になる。
られたウエハ2は図3(a)および図1(d)に示され
ているように、スピンチャック42に真空吸着保持され
る。ウエハ2がスピンチャック42によって保持される
と、モータ43が所定の速度で回転される。モータ43
の回転が所定の速度で安定したところで、溶剤供給ノズ
ル47から溶剤48がウエハ2の第2主面における外周
辺部に向けて噴射される。ウエハ2の第2主面に吹き付
けられた溶剤48はその粘着性や表面張力等によってウ
エハ2の外周縁辺においてウエハ2の遠心力に打ち勝っ
て、図3(b)に示されているように第1主面側に回り
込む。第1主面側に回り込んだ溶剤48はベーキング膜
25におけるウエハ2の外周面の残留部24および第1
主面の外周辺部に形成された部分に浸透することによ
り、この部分のフォトレジストを溶解させる。溶解され
て柔らかくなった状態のフォトレジスト(以下、溶解物
という。)26は、回転するウエハ2に作用する遠心力
によって分離されてウエハ2から振り切られる。このよ
うにしてウエハ2の外周面の残留部24およびベーキン
グ膜25の外周辺部が溶解されて溶解物26が振り切ら
れると、図3(c)に示されているように、ウエハ2の
第1主面には外周辺部に縁取り部28を有するベーキン
グ膜(以下、縁取り膜)27が形成された状態になる。
【0033】ここで、この縁取り工程におけるウエハ2
の回転数は毎分500回転前後が望ましい。なぜなら
ば、回転数が低いと、ウエハ2の第2主面に吹き付けら
れた溶剤48の粘着性や表面張力等がウエハ2の遠心力
に打ち勝って溶剤48が第1主面側に多量に流れ込むこ
とにより、ベーキング膜25が外周辺部ばかりでなく中
央部まで溶解されてしまい損傷が発生する。逆に回転数
が高すぎると、ウエハ2の第2主面に吹き付けられた溶
剤48が遠心力によって振り切られてしまうことにより
ウエハ2の第1主面側に回り込むことができないため、
縁取りが実行されない状態になる。ちなみに、溶剤によ
る縁取り工程の処理時間は約10秒間である。
の回転数は毎分500回転前後が望ましい。なぜなら
ば、回転数が低いと、ウエハ2の第2主面に吹き付けら
れた溶剤48の粘着性や表面張力等がウエハ2の遠心力
に打ち勝って溶剤48が第1主面側に多量に流れ込むこ
とにより、ベーキング膜25が外周辺部ばかりでなく中
央部まで溶解されてしまい損傷が発生する。逆に回転数
が高すぎると、ウエハ2の第2主面に吹き付けられた溶
剤48が遠心力によって振り切られてしまうことにより
ウエハ2の第1主面側に回り込むことができないため、
縁取りが実行されない状態になる。ちなみに、溶剤によ
る縁取り工程の処理時間は約10秒間である。
【0034】溶剤48の供給開始後所定の時間が経過す
ると、ウエハ2は空転されてウエハ2に付着した溶剤4
8および溶解物26が遠心分離される。この溶剤48お
よび溶解物26の遠心分離時のウエハ2の回転数は、洗
浄工程における回転数に比べて高速であってもよく、毎
分1000回転〜毎分3000回転が望ましい。なぜな
らば、ベーキング膜25は既に適度な硬さに維持されて
いるため、ウエハ2が高速で回転されても中心側と周辺
側とが非対称形になる現象の発生は防止される。他方、
溶解物26はベーキング膜25の一部であったため、ウ
エハ2の表面からの分離にある程度強力な遠心力が必要
になる。また、溶剤48を完全に振り切ることにより、
ウエハ2を遠心乾燥することができるため、ウエハ2を
加熱する等の最終乾燥工程を省略することができる。ち
なみに、この遠心分離の処理時間は約10秒間である。
ると、ウエハ2は空転されてウエハ2に付着した溶剤4
8および溶解物26が遠心分離される。この溶剤48お
よび溶解物26の遠心分離時のウエハ2の回転数は、洗
浄工程における回転数に比べて高速であってもよく、毎
分1000回転〜毎分3000回転が望ましい。なぜな
らば、ベーキング膜25は既に適度な硬さに維持されて
いるため、ウエハ2が高速で回転されても中心側と周辺
側とが非対称形になる現象の発生は防止される。他方、
溶解物26はベーキング膜25の一部であったため、ウ
エハ2の表面からの分離にある程度強力な遠心力が必要
になる。また、溶剤48を完全に振り切ることにより、
ウエハ2を遠心乾燥することができるため、ウエハ2を
加熱する等の最終乾燥工程を省略することができる。ち
なみに、この遠心分離の処理時間は約10秒間である。
【0035】なお、ウエハ2から遠心力によって振り切
られた溶剤48および溶解物26は再付着防止部45お
よび下降気流49の作用によってウエハ2の方向へ向か
うことなく排出口46に全て排出される。
られた溶剤48および溶解物26は再付着防止部45お
よび下降気流49の作用によってウエハ2の方向へ向か
うことなく排出口46に全て排出される。
【0036】以上のようにして第1主面に縁取り膜27
が形成されたウエハ2は第3搬送アーム10によってア
ンローディング装置7に搬送されて、アンローディング
装置7によって収容される。この際、ウエハ2の外周辺
部には縁取り部28が形成されているため、ウエハ2が
保持溝に挿入されても縁取り膜27が削り落とされるこ
とはない。したがって、以降のウエハ2の搬送工程にお
いて、ウエハ2に被着されたフォトレジストを起因とす
る異物が発生することは防止される。
が形成されたウエハ2は第3搬送アーム10によってア
ンローディング装置7に搬送されて、アンローディング
装置7によって収容される。この際、ウエハ2の外周辺
部には縁取り部28が形成されているため、ウエハ2が
保持溝に挿入されても縁取り膜27が削り落とされるこ
とはない。したがって、以降のウエハ2の搬送工程にお
いて、ウエハ2に被着されたフォトレジストを起因とす
る異物が発生することは防止される。
【0037】次に、本発明の一実施形態であるICの製
造方法をその主要工程である酸化膜のパターニング工程
について、図4および図5を参照にして説明する。
造方法をその主要工程である酸化膜のパターニング工程
について、図4および図5を参照にして説明する。
【0038】まず、図4(a)および図5(a)に示さ
れているように、ウエハ2の第1主面にシリコン酸化膜
51が熱処理または成膜処理によって形成される。
れているように、ウエハ2の第1主面にシリコン酸化膜
51が熱処理または成膜処理によって形成される。
【0039】次いで、図4(b)および図5(b)に示
されているように、前述したフォトレジスト被着工程に
おいて、ウエハ2のシリコン酸化膜51の上にフォトレ
ジストから成る縁取り膜27が被着される。
されているように、前述したフォトレジスト被着工程に
おいて、ウエハ2のシリコン酸化膜51の上にフォトレ
ジストから成る縁取り膜27が被着される。
【0040】縁取り膜27が被着されたウエハ2はフォ
トレジスト被着装置1のアンローディング装置7からキ
ャリア治具に移し換えられる。この際、縁取り工程を経
ることにより、ウエハ2の外周面および外周辺部にはフ
ォトレジストが付着していない縁取り部28が形成され
ているため、図4(c)および図5(c)に示されてい
るように、ウエハ2がキャリア治具の保持溝52に挿入
されても、フォトレジストの剥離による異物の発生は防
止される。
トレジスト被着装置1のアンローディング装置7からキ
ャリア治具に移し換えられる。この際、縁取り工程を経
ることにより、ウエハ2の外周面および外周辺部にはフ
ォトレジストが付着していない縁取り部28が形成され
ているため、図4(c)および図5(c)に示されてい
るように、ウエハ2がキャリア治具の保持溝52に挿入
されても、フォトレジストの剥離による異物の発生は防
止される。
【0041】キャリア治具に収容されたウエハ2は露光
工程に送られる。図4(d)および図5(d)に示され
ているように、露光工程において、ウエハ2の縁取り膜
27には露光装置(図示せず)によってフォトマスク5
3のパターンが転写される。この露光工程により、ウエ
ハ2のシリコン酸化膜51の上にはフォトマスク53の
パターンの潜像55が転写された感光膜(以下、感光膜
という。)54が形成された状態になる。この際、前述
した通りフォトレジスト被着工程においてウエハ2はそ
の第2主面を洗浄されるとともに、縁取り膜27が縁取
り処理を施されているため、異物を発生することはな
い。したがって、異物によるパターンの転写不良の発生
は未然に防止されることになる。また、ベーキングされ
た後に縁取り処理されることにより、縁取り膜27にお
いて非対称形になる現象の発生が防止されているため、
感光膜54にはフォトマスク53のパターンの潜像55
が適正かつ高精度に転写されていることになる。
工程に送られる。図4(d)および図5(d)に示され
ているように、露光工程において、ウエハ2の縁取り膜
27には露光装置(図示せず)によってフォトマスク5
3のパターンが転写される。この露光工程により、ウエ
ハ2のシリコン酸化膜51の上にはフォトマスク53の
パターンの潜像55が転写された感光膜(以下、感光膜
という。)54が形成された状態になる。この際、前述
した通りフォトレジスト被着工程においてウエハ2はそ
の第2主面を洗浄されるとともに、縁取り膜27が縁取
り処理を施されているため、異物を発生することはな
い。したがって、異物によるパターンの転写不良の発生
は未然に防止されることになる。また、ベーキングされ
た後に縁取り処理されることにより、縁取り膜27にお
いて非対称形になる現象の発生が防止されているため、
感光膜54にはフォトマスク53のパターンの潜像55
が適正かつ高精度に転写されていることになる。
【0042】図4(e)および図5(e)に示されてい
るように、ウエハ2の感光膜54の外周辺部に周辺露光
装置57によって周辺露光処理が実施される。この際、
感光膜54には縁取り部28が適正に形成されているた
め、感光膜54の外周辺部には周辺露光潜像56が適正
かつ高精度に形成される。すなわち、縁取り部28が適
正に形成されないで縁取り膜27の外周辺部にフォトレ
ジストの感光剤成分が溶け出した部分が断続的に存在し
ていると、周辺露光処理によって感光反応しない部分が
発生し、次の現像工程において現像されずに残存してし
まうという問題点が引き起こされる。ちなみに、縁取り
膜27の縁取り部28の幅wは約1mmであり、感光膜
54の周辺露光潜像56のウエハ外周縁からの幅Wは約
3mmである。
るように、ウエハ2の感光膜54の外周辺部に周辺露光
装置57によって周辺露光処理が実施される。この際、
感光膜54には縁取り部28が適正に形成されているた
め、感光膜54の外周辺部には周辺露光潜像56が適正
かつ高精度に形成される。すなわち、縁取り部28が適
正に形成されないで縁取り膜27の外周辺部にフォトレ
ジストの感光剤成分が溶け出した部分が断続的に存在し
ていると、周辺露光処理によって感光反応しない部分が
発生し、次の現像工程において現像されずに残存してし
まうという問題点が引き起こされる。ちなみに、縁取り
膜27の縁取り部28の幅wは約1mmであり、感光膜
54の周辺露光潜像56のウエハ外周縁からの幅Wは約
3mmである。
【0043】次に、ウエハ2は現像工程において現像処
理される。この現像処理により図4(f)および図5
(f)に示されているように、ウエハ2のシリコン酸化
膜51の上にはパターンの潜像55および周辺露光潜像
56が顕在化した顕像59を有するフォトレジストの現
像膜(以下、現像膜という。)58が形成された状態に
なる。この現像処理に際して、感光膜54の周辺露光潜
像56は適正に形成されているため、現像膜58の外周
辺部には周辺露光潜像による縁取り部(以下、周辺露光
縁取り部という。)60が一定幅をもってリング形状に
適正に形成された状態になる。
理される。この現像処理により図4(f)および図5
(f)に示されているように、ウエハ2のシリコン酸化
膜51の上にはパターンの潜像55および周辺露光潜像
56が顕在化した顕像59を有するフォトレジストの現
像膜(以下、現像膜という。)58が形成された状態に
なる。この現像処理に際して、感光膜54の周辺露光潜
像56は適正に形成されているため、現像膜58の外周
辺部には周辺露光潜像による縁取り部(以下、周辺露光
縁取り部という。)60が一定幅をもってリング形状に
適正に形成された状態になる。
【0044】次に、ウエハ2はエッチング工程において
ドライエッチング装置(図示せず)によりエッチング処
理される。このエッチング処理により、図4(g)およ
び図5(g)に示されているように、ウエハ2のシリコ
ン酸化膜51には現像膜58の顕像59に対応したパタ
ーン61が形成された状態になる。このエッチング処理
に際して、現像膜58の外側には周辺露光縁取り部60
が適正に形成されているため、ドライエッチング装置の
保持具63によってウエハ2の周辺部を確実に保持する
ことができる。また、保持具63によってウエハ2が保
持されても、現像膜58は何ら損傷されることはない。
そして、現像膜58の外側には周辺露光縁取り部60が
適正に形成されているため、このエッチング処理によ
り、パターン61の外側辺部には後の工程でウエハ2の
保持に使用される縁取り部(以下、保持用縁取り部とい
う。)62が一定幅をもってリング形状に適正に形成さ
れた状態になる。
ドライエッチング装置(図示せず)によりエッチング処
理される。このエッチング処理により、図4(g)およ
び図5(g)に示されているように、ウエハ2のシリコ
ン酸化膜51には現像膜58の顕像59に対応したパタ
ーン61が形成された状態になる。このエッチング処理
に際して、現像膜58の外側には周辺露光縁取り部60
が適正に形成されているため、ドライエッチング装置の
保持具63によってウエハ2の周辺部を確実に保持する
ことができる。また、保持具63によってウエハ2が保
持されても、現像膜58は何ら損傷されることはない。
そして、現像膜58の外側には周辺露光縁取り部60が
適正に形成されているため、このエッチング処理によ
り、パターン61の外側辺部には後の工程でウエハ2の
保持に使用される縁取り部(以下、保持用縁取り部とい
う。)62が一定幅をもってリング形状に適正に形成さ
れた状態になる。
【0045】最後に、ウエハ2はアッシャー工程(現像
膜除去工程)において、図4(h)および図5(h)に
示されているように現像膜58を除去される。この現像
膜除去処理により、ウエハ2の第1主面の上にはシリコ
ン酸化膜51によるパターン61が形成され、かつ、パ
ターン61の外側には保持用縁取り部62が一定幅をも
ってリング形状に適正に形成された状態になる。このよ
うにウエハ2の第1主面における外周辺部に保持用縁取
り部62が形成されていると、後の工程においてウエハ
2は保持用縁取り部62を使用して適正かつ確実に保持
することができるため、各処理を適正かつ高精度に実施
することができる。
膜除去工程)において、図4(h)および図5(h)に
示されているように現像膜58を除去される。この現像
膜除去処理により、ウエハ2の第1主面の上にはシリコ
ン酸化膜51によるパターン61が形成され、かつ、パ
ターン61の外側には保持用縁取り部62が一定幅をも
ってリング形状に適正に形成された状態になる。このよ
うにウエハ2の第1主面における外周辺部に保持用縁取
り部62が形成されていると、後の工程においてウエハ
2は保持用縁取り部62を使用して適正かつ確実に保持
することができるため、各処理を適正かつ高精度に実施
することができる。
【0046】以上の実施形態においては、シリコン酸化
膜に対するパターニング工程を例にして説明したが、電
気配線をウエハ2の第1主面に形成する工程においても
同様のパターニング工程が実施されることになる。ま
た、ウエハ2の第1主面にイオンを注入する工程におい
ては、エッチング処理を実施する代わりにイオンを注入
してもよいし、シリコン酸化膜のパターン61をマスク
にしてイオンを注入してもよい。
膜に対するパターニング工程を例にして説明したが、電
気配線をウエハ2の第1主面に形成する工程においても
同様のパターニング工程が実施されることになる。ま
た、ウエハ2の第1主面にイオンを注入する工程におい
ては、エッチング処理を実施する代わりにイオンを注入
してもよいし、シリコン酸化膜のパターン61をマスク
にしてイオンを注入してもよい。
【0047】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 (1) ウエハの第2主面に付着する余剰のフォトレジ
ストをフォトレジストがベーキングされるのに先立って
除去することにより、ベーキング装置が汚染されるのを
未然に防止することができる。
る。 (1) ウエハの第2主面に付着する余剰のフォトレジ
ストをフォトレジストがベーキングされるのに先立って
除去することにより、ベーキング装置が汚染されるのを
未然に防止することができる。
【0048】(2) フォトレジストがベーキングされ
て硬化された後に縁取り作業を実施することにより、縁
取り作業の実施に際してフォトレジストが流動してウエ
ハの中心側と周辺側とで非対称形になる現象が発生する
のを未然に防止することができるため、露光工程におい
て、フォトマスクのパターンをフォトレジストに適正か
つ高精度に転写することができる。
て硬化された後に縁取り作業を実施することにより、縁
取り作業の実施に際してフォトレジストが流動してウエ
ハの中心側と周辺側とで非対称形になる現象が発生する
のを未然に防止することができるため、露光工程におい
て、フォトマスクのパターンをフォトレジストに適正か
つ高精度に転写することができる。
【0049】(3) ウエハの第1主面における外周面
まで形成されたベーキング膜に対して縁取り処理を実施
することにより、ウエハの第1主面の外周面まで形成さ
れたベーキング膜における縁の部分が削ぎ落とされるの
を防止することができるため、その削ぎ落としによって
発生する異物によるパターンの転写不良等の発生を未然
に防止することができる。
まで形成されたベーキング膜に対して縁取り処理を実施
することにより、ウエハの第1主面の外周面まで形成さ
れたベーキング膜における縁の部分が削ぎ落とされるの
を防止することができるため、その削ぎ落としによって
発生する異物によるパターンの転写不良等の発生を未然
に防止することができる。
【0050】(4) ウエハの第1主面における外周辺
部に保持用縁取り部を形成することにより、後の工程に
おいてウエハは保持用縁取り部を使用して適正かつ確実
に保持することができるため、各処理を適正かつ高精度
に実施することができる。
部に保持用縁取り部を形成することにより、後の工程に
おいてウエハは保持用縁取り部を使用して適正かつ確実
に保持することができるため、各処理を適正かつ高精度
に実施することができる。
【0051】図6は本発明の他の実施形態であるICの
製造方法におけるフォトレジストおよび反射防止膜被着
工程を示す各模式図である。図7はその縁取り工程を示
しており、(a)は正面断面図、(b)は縁取り中の拡
大断面図、(c)は縁取り後の拡大断面図である。
製造方法におけるフォトレジストおよび反射防止膜被着
工程を示す各模式図である。図7はその縁取り工程を示
しており、(a)は正面断面図、(b)は縁取り中の拡
大断面図、(c)は縁取り後の拡大断面図である。
【0052】本実施形態2が前記実施形態1と異なる点
は、縁取り工程において反射防止膜が同時に被着される
点である。
は、縁取り工程において反射防止膜が同時に被着される
点である。
【0053】すなわち、縁取り装置6に送られたウエハ
2は図6(d)および図7(a)に示されているよう
に、スピンチャック42に真空吸着保持される。ウエハ
2がスピンチャック42によって保持されると、モータ
43が所定の速度で回転される。モータ43の回転が所
定の速度で安定したところで、反射防止膜溶液供給ノズ
ル64から反射防止膜の溶液(以下、反射防止膜液とい
う。)65がウエハ2の第1主面における中心部位に滴
下される。滴下された反射防止膜液65はウエハ2のベ
ーキング膜25の表面に付着するとともに、高速で回転
するウエハ2の遠心力によって周辺方向に流動されて全
面に濡れ広がる。この時のウエハ2の回転速度は毎分2
000回転〜毎分3000回転であり、塗布工程として
の処理時間は約20秒間である。濡れ広がって形成され
た反射防止膜液の塗布膜(以下、反射防止膜)の膜厚
は、約50nm〜100nmである。
2は図6(d)および図7(a)に示されているよう
に、スピンチャック42に真空吸着保持される。ウエハ
2がスピンチャック42によって保持されると、モータ
43が所定の速度で回転される。モータ43の回転が所
定の速度で安定したところで、反射防止膜溶液供給ノズ
ル64から反射防止膜の溶液(以下、反射防止膜液とい
う。)65がウエハ2の第1主面における中心部位に滴
下される。滴下された反射防止膜液65はウエハ2のベ
ーキング膜25の表面に付着するとともに、高速で回転
するウエハ2の遠心力によって周辺方向に流動されて全
面に濡れ広がる。この時のウエハ2の回転速度は毎分2
000回転〜毎分3000回転であり、塗布工程として
の処理時間は約20秒間である。濡れ広がって形成され
た反射防止膜液の塗布膜(以下、反射防止膜)の膜厚
は、約50nm〜100nmである。
【0054】ここで、ウエハ2の第1主面における外周
縁辺に達した反射防止膜液65の余剰分の大部分はウエ
ハ2の遠心力によって外周縁辺から振り切られるが、一
部は反射防止膜液65の粘着性や表面張力等によってウ
エハ2の外周縁辺部において第2主面側に回り込んで第
2主面の外周辺部に残留しようとする。
縁辺に達した反射防止膜液65の余剰分の大部分はウエ
ハ2の遠心力によって外周縁辺から振り切られるが、一
部は反射防止膜液65の粘着性や表面張力等によってウ
エハ2の外周縁辺部において第2主面側に回り込んで第
2主面の外周辺部に残留しようとする。
【0055】しかし、本実施形態2においては、反射防
止膜液65の滴下開始後に所定時間経過すると、ウエハ
2が所定の速度で回転されながら、溶剤供給ノズル47
から溶剤48がウエハ2の第2主面における外周辺部に
向けて噴射される。ウエハ2の第2主面に吹きつけられ
た溶剤48の大部分は、図7(b)に示されているよう
に、ウエハ2の第1主面側から第2主面側に回り込んで
こようとする反射防止膜液65をウエハ2の外方に洗い
流す。また、ウエハ2の第2主面に吹き付けられた溶剤
48の一部はその粘着性や表面張力等によってウエハ2
の外周縁辺においてウエハ2の遠心力に打ち勝って、図
7(b)に示されているように第1主面側に回り込む。
第1主面側に回り込んだ溶剤48はベーキング膜25に
おけるウエハ2の外周面および第1主面の外周辺部に形
成された部分に浸透することにより、この部分のベーキ
ング膜25を溶解させる。溶解されて柔らかくなった状
態の溶解物26は、回転するウエハ2に作用する遠心力
によって分離されてウエハ2から振り切られる。
止膜液65の滴下開始後に所定時間経過すると、ウエハ
2が所定の速度で回転されながら、溶剤供給ノズル47
から溶剤48がウエハ2の第2主面における外周辺部に
向けて噴射される。ウエハ2の第2主面に吹きつけられ
た溶剤48の大部分は、図7(b)に示されているよう
に、ウエハ2の第1主面側から第2主面側に回り込んで
こようとする反射防止膜液65をウエハ2の外方に洗い
流す。また、ウエハ2の第2主面に吹き付けられた溶剤
48の一部はその粘着性や表面張力等によってウエハ2
の外周縁辺においてウエハ2の遠心力に打ち勝って、図
7(b)に示されているように第1主面側に回り込む。
第1主面側に回り込んだ溶剤48はベーキング膜25に
おけるウエハ2の外周面および第1主面の外周辺部に形
成された部分に浸透することにより、この部分のベーキ
ング膜25を溶解させる。溶解されて柔らかくなった状
態の溶解物26は、回転するウエハ2に作用する遠心力
によって分離されてウエハ2から振り切られる。
【0056】このようにしてウエハ2の外周面および第
1主面の外周辺部のベーキング膜25が溶解されて溶解
物26が振り切られると、図6(e)および図7(c)
に示されているように、ウエハ2の第1主面には縁取り
部28を有する縁取り膜27が形成された状態になる。
そして、この縁取り膜27の上には反射防止膜66が被
着された状態になる。
1主面の外周辺部のベーキング膜25が溶解されて溶解
物26が振り切られると、図6(e)および図7(c)
に示されているように、ウエハ2の第1主面には縁取り
部28を有する縁取り膜27が形成された状態になる。
そして、この縁取り膜27の上には反射防止膜66が被
着された状態になる。
【0057】なお、ウエハ2から遠心力によって振り切
られた反射防止膜液65や溶剤48、溶解物26は再付
着防止部45および下降気流49の作用によってウエハ
2の方向へ向かうことなく排出口46に全て排出され
る。
られた反射防止膜液65や溶剤48、溶解物26は再付
着防止部45および下降気流49の作用によってウエハ
2の方向へ向かうことなく排出口46に全て排出され
る。
【0058】本実施形態2によれば、縁取り膜27の上
に反射防止膜66が被着されるため、露光工程における
転写精度をより一層高めることができる。
に反射防止膜66が被着されるため、露光工程における
転写精度をより一層高めることができる。
【0059】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0060】例えば、反射防止膜は縁取り工程において
塗布するに限らず、ベーキング工程後の縁取り工程前に
塗布してもよい。この反射膜防止膜の塗布工程において
ウエハの第2主面を洗浄する処理を実施してもよい。
塗布するに限らず、ベーキング工程後の縁取り工程前に
塗布してもよい。この反射膜防止膜の塗布工程において
ウエハの第2主面を洗浄する処理を実施してもよい。
【0061】フォトレジスト塗布洗浄装置および縁取り
装置はそれぞれ独立して設置するに限らず、兼用しても
よい。
装置はそれぞれ独立して設置するに限らず、兼用しても
よい。
【0062】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。ベーキング装置の汚染および膜厚が非対
称形になるのを防止しつつ、ウエハの周辺部に溜まった
余剰のフォトレジストを除去することができる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。ベーキング装置の汚染および膜厚が非対
称形になるのを防止しつつ、ウエハの周辺部に溜まった
余剰のフォトレジストを除去することができる。
【図1】本発明の一実施形態であるICの製造方法にお
けるフォトレジスト被着工程を示す各模式図であり、
(a)はフォトレジスト塗布洗浄工程、(b)はフォト
レジスト塗布洗浄工程後、(c)はベーキング工程、
(d)は縁取り工程、(e)は縁取り工程後をそれぞれ
示している。
けるフォトレジスト被着工程を示す各模式図であり、
(a)はフォトレジスト塗布洗浄工程、(b)はフォト
レジスト塗布洗浄工程後、(c)はベーキング工程、
(d)は縁取り工程、(e)は縁取り工程後をそれぞれ
示している。
【図2】それに使用されるフォトレジスト被着装置を示
しており、(a)は概略平面図、(b)はフォトレジス
ト塗布洗浄装置の正面断面図、(c)はベーキング装置
の正面図である。
しており、(a)は概略平面図、(b)はフォトレジス
ト塗布洗浄装置の正面断面図、(c)はベーキング装置
の正面図である。
【図3】縁取り工程を示しており、(a)は縁取り装置
の正面断面図、(b)は縁取り処理中の拡大断面図、
(c)は縁取り後の拡大断面図である。
の正面断面図、(b)は縁取り処理中の拡大断面図、
(c)は縁取り後の拡大断面図である。
【図4】本発明の一実施形態であるICの製造方法にお
けるパターニング工程を示す各概略正面図である。
けるパターニング工程を示す各概略正面図である。
【図5】同じく各概略平面図である。
【図6】本発明の他の実施形態であるICの製造方法に
おけるフォトレジストおよび反射防止膜被着工程を示す
各模式図である。
おけるフォトレジストおよび反射防止膜被着工程を示す
各模式図である。
【図7】その縁取り工程を示しており、(a)は正面断
面図、(b)は縁取り中の拡大断面図、(c)は縁取り
後の拡大断面図である。
面図、(b)は縁取り中の拡大断面図、(c)は縁取り
後の拡大断面図である。
1…フォトレジスト被着装置、2…ウエハ、3…ローデ
ィング装置、4…フォトレジスト塗布洗浄装置、5…ベ
ーキング装置、6…縁取り装置、7…アンローディング
装置、8…第1搬送アーム、9…第2搬送アーム、10
…第3搬送アーム、11…カップ、12…スピンチャッ
ク、13…モータ、14…フォトレジスト供給ノズル、
15…再付着防止部、16…排出口、17…溶剤供給ノ
ズル、18…溶剤、19…下降気流、21…液状のフォ
トレジスト(フォトレジスト液)、22…フォトレジス
トの飛沫(飛沫)、23…フォトレジストの塗布膜(塗
布膜)、24…フォトレジスト残留部(残留部)、25
…ベーキングされたフォトレジスト膜(ベーキング
膜)、26…溶解されて柔らかくなったフォトレジスト
(溶解物)、27…縁取りされたベーキング膜(縁取り
膜)、28…縁取り部、31…ホットプレート、32…
電気ヒータ、41…カップ、42…スピンチャック、4
3…モータ、45…再付着防止部、46…排出口、47
…溶剤供給ノズル、48…溶剤、49…下降気流、51
…シリコン酸化膜、52…キャリア治具の保持溝、53
…フォトマスク、54…パターンの潜像が転写された感
光膜(感光膜)、55…パターンの潜像、56…周辺露
光潜像、57…周辺露光装置、58…顕像を有するフォ
トレジストの現像膜(現像膜)、59…顕像、60…周
辺露光潜像による縁取り部(周辺露光縁取り部)、61
…顕像に対応したパターン、62…保持用縁取り部、6
3…ドライエッチング装置の保持具、64…反射防止膜
溶液供給ノズル、65…反射防止膜の溶液(反射防止膜
液)、66…反射防止膜。
ィング装置、4…フォトレジスト塗布洗浄装置、5…ベ
ーキング装置、6…縁取り装置、7…アンローディング
装置、8…第1搬送アーム、9…第2搬送アーム、10
…第3搬送アーム、11…カップ、12…スピンチャッ
ク、13…モータ、14…フォトレジスト供給ノズル、
15…再付着防止部、16…排出口、17…溶剤供給ノ
ズル、18…溶剤、19…下降気流、21…液状のフォ
トレジスト(フォトレジスト液)、22…フォトレジス
トの飛沫(飛沫)、23…フォトレジストの塗布膜(塗
布膜)、24…フォトレジスト残留部(残留部)、25
…ベーキングされたフォトレジスト膜(ベーキング
膜)、26…溶解されて柔らかくなったフォトレジスト
(溶解物)、27…縁取りされたベーキング膜(縁取り
膜)、28…縁取り部、31…ホットプレート、32…
電気ヒータ、41…カップ、42…スピンチャック、4
3…モータ、45…再付着防止部、46…排出口、47
…溶剤供給ノズル、48…溶剤、49…下降気流、51
…シリコン酸化膜、52…キャリア治具の保持溝、53
…フォトマスク、54…パターンの潜像が転写された感
光膜(感光膜)、55…パターンの潜像、56…周辺露
光潜像、57…周辺露光装置、58…顕像を有するフォ
トレジストの現像膜(現像膜)、59…顕像、60…周
辺露光潜像による縁取り部(周辺露光縁取り部)、61
…顕像に対応したパターン、62…保持用縁取り部、6
3…ドライエッチング装置の保持具、64…反射防止膜
溶液供給ノズル、65…反射防止膜の溶液(反射防止膜
液)、66…反射防止膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 信一 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 須向 一行 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 栗原 雅宏 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体ウエハにパターンを形成するため
のリソグラフィーによる半導体装置の製造方法は以下の
工程を備えている。 (a) 回転されている半導体ウエハの第1主面に液状
のフォトレジストが供給されてフォトレジストが塗布さ
れるとともに、この半導体ウエハの第2主面にフォトレ
ジスト用の溶剤が供給されて第2主面が洗浄されるフォ
トレジスト塗布洗浄工程。 (b) 前記フォトレジストが塗布された半導体ウエハ
が加熱されてフォトレジストがベーキングされるベーキ
ング工程。 (c) 前記フォトレジストをベーキングされた半導体
ウエハが回転されるとともに、この半導体ウエハの第2
主面における外周辺部にフォトレジスト用の溶剤が供給
されて、この半導体ウエハの第1主面における外周辺部
に溜まった余剰のフォトレジストが環状に除去される縁
取り工程。 - 【請求項2】 前記塗布洗浄工程において、所定時間経
過後に前記溶剤の供給が停止されるとともに、半導体ウ
エハが空転されて半導体ウエハに付着した溶剤が乾燥さ
れる際の回転数が、毎分3000回転以下に設定されて
いることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項3】 前記縁取り工程において、半導体ウエハ
に前記溶剤が供給されている際の回転数が毎分500〜
1000回転に設定されており、所定時間経過後にその
溶剤の供給が停止されるとともに半導体ウエハが空転さ
れて半導体ウエハに付着した溶剤が乾燥される際の回転
数が、毎分2000〜3000回転に設定されているこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項4】 前記縁取り工程において、半導体ウエハ
の第1主面に反射防止膜形成溶液が同時に供給されるこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34446095A JPH09162116A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34446095A JPH09162116A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09162116A true JPH09162116A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18369444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34446095A Pending JPH09162116A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09162116A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990055771A (ko) * | 1997-12-27 | 1999-07-15 | 김영환 | 감광막 형성방법 |
KR100644051B1 (ko) * | 2005-11-03 | 2006-11-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토 레지스트 코팅 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이물 제거방법 |
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1995
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