JPH08318526A - Apparatus for recovering wafer of slicing machine - Google Patents
Apparatus for recovering wafer of slicing machineInfo
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- JPH08318526A JPH08318526A JP12838895A JP12838895A JPH08318526A JP H08318526 A JPH08318526 A JP H08318526A JP 12838895 A JP12838895 A JP 12838895A JP 12838895 A JP12838895 A JP 12838895A JP H08318526 A JPH08318526 A JP H08318526A
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- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
- B28D5/0094—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の利用分野】本発明はウェーハ回収装置に係り、
特に、インゴットから切断されたウェーハ回収皿で吸着
保持して回収するウェーハ回収装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer recovery device,
In particular, the present invention relates to a wafer collecting device that sucks and holds a wafer by a wafer collecting tray cut from an ingot and collects the wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】通常、半導体ウェーハを製造するには、
先ずスライシングマシンの内周刃式或いは外周刃式のブ
レードを高速回転し、これに半導体インゴットを押し当
てて薄片状に切断する。そして、切断されたウェーハを
回収するには、切断完了の直前にアームの先端に配設さ
れた回収皿をインゴットの切断側の端面に適切なクリア
ランスを有して位置させると共に、前記回収皿を吸引動
作させる。インゴットの切断が完了すると、ウェーハを
吸着保持した回収皿は僅かに下降してウェーハをブレー
ドから引き離す。最後に前記アームを移動させて回収皿
に吸着保持したウェーハを所定のウェーハ収納位置まで
搬送する。2. Description of the Related Art Normally, in order to manufacture a semiconductor wafer,
First, an inner blade type or outer blade type blade of a slicing machine is rotated at high speed, and a semiconductor ingot is pressed against the blade to cut it into thin pieces. Then, in order to recover the cut wafers, the recovery tray disposed at the tip of the arm immediately before the completion of the cutting is positioned with an appropriate clearance on the end surface of the cutting side of the ingot, and the recovery tray is Suction operation. When the cutting of the ingot is completed, the recovery tray holding the wafer by suction descends slightly to separate the wafer from the blade. Finally, the arm is moved to convey the wafer suction-held on the recovery tray to a predetermined wafer storage position.
【0003】上記したウェーハの回収操作において、半
導体インゴットは材質が脆いので、ウェーハ回収時にウ
ェーハが損傷したり割れたりしないようにする必要があ
る。この為には、回収皿をインゴットの切断側の端面に
適切なクリアランスを有して位置させることが重要にな
る。従来のウェーハ回収装置は、回収皿をインゴット端
面に接近・退避させる移動機構としてストローク動作を
行うエアシリンダを用い、予め設定した一定位置に回収
皿が位置決めされるようにし、ウェーハの切断厚みを変
えた際の回収皿の位置調整は、作業者がその都度マイク
ロシリンダヘッドによりエアシリンダのストローク長さ
を微調整し、これにより前記クリアランスが一定になる
ようにしている。In the above-mentioned wafer recovery operation, the material of the semiconductor ingot is fragile, so it is necessary to prevent the wafer from being damaged or cracked during the wafer recovery. For this purpose, it is important to position the recovery tray on the cutting-side end surface of the ingot with an appropriate clearance. The conventional wafer recovery device uses an air cylinder that performs a stroke operation as a moving mechanism that moves the recovery tray toward and away from the end face of the ingot so that the recovery tray is positioned at a preset fixed position and the cutting thickness of the wafer is changed. When adjusting the position of the recovery tray, the operator finely adjusts the stroke length of the air cylinder with the microcylinder head each time so that the clearance becomes constant.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、ウェーハの切断厚みを変える都度、作業者がマ
イクロシリンダヘッドで回収皿の位置を調整することは
面倒で工数がかかると共に、調整ミスが発生し易いとい
う欠点がある。また、例えば切断中にウェーハがブレー
ドに付着したり、ブレードが変位してウェーハが反りク
リアランスが変化したりする等のウェーハ回収精度に影
響を及ぼす切断状況が変化した、従来のようにクリアラ
ンスを一定にするという考え方では、これに対応できな
いのでウェーハ吸着回収時にウェーハを破損させ易いと
いう欠点がある。However, it is troublesome and time-consuming for the operator to adjust the position of the recovery tray with the micro-cylinder head every time when the cutting thickness of the wafer is changed, as in the prior art. It has a drawback that it easily occurs. In addition, for example, when the wafer adheres to the blade during cutting, or the blade is displaced and the wafer warps and the clearance changes, the cutting situation that affects the wafer recovery accuracy has changed, and the clearance is fixed as before. However, there is a drawback in that the wafer is easily damaged at the time of sucking and collecting the wafer because it cannot deal with this.
【0005】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ウェーハの切断厚みを変えてもウェーハ回収時
におけるウェーハ端面と回収皿パッド面との間に自動的
に適切なクリアランスを形成できると共に、ウェーハ回
収精度に影響を及ぼす切断情報に応じてクリアランスを
修正できるので、ウェーハの回収率を向上できるスライ
シングマシンのウェーハ回収装置を提供することを目的
とする。The present invention has been made in view of the above circumstances. Even if the cutting thickness of the wafer is changed, an appropriate clearance can be automatically formed between the wafer end surface and the recovery tray pad surface at the time of recovering the wafer. At the same time, it is an object of the present invention to provide a wafer recovery device for a slicing machine that can improve the recovery rate of wafers because the clearance can be corrected according to the cutting information that affects the accuracy of wafer recovery.
【0006】[0006]
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、回転する内周刃にインゴットを押し当てて薄
片状に切断したウェーハを回収皿のパッド面に吸着保持
して回収するスライシングマシンのウェーハ回収装置に
於いて、前記インゴットの切断側の端面に対して前記パ
ッド面を接近・退避させるサーボ駆動機構と、前記ウェ
ーハの切断厚みを設定するウェーハ厚み設定手段と、前
記設定されたウェーハ厚み情報に基づいて前記切断され
るウェーハの回収皿側の面と前記パッド面との間に予め
設定した設定クリアランスを形成するように前記サーボ
駆動機構を制御する制御手段と、を備えていることを特
徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention collects a wafer, which is cut into thin pieces by pressing an ingot against a rotating inner peripheral blade, by sucking and holding it on a pad surface of a collecting tray. In the wafer collecting device of the slicing machine, a servo drive mechanism for approaching and retracting the pad surface with respect to the end surface on the cutting side of the ingot, a wafer thickness setting means for setting the cutting thickness of the wafer, and the setting Control means for controlling the servo drive mechanism so as to form a preset clearance between the recovery plate side surface of the wafer to be cut and the pad surface based on the wafer thickness information obtained. It is characterized by
【0007】[0007]
【作用】本発明によれば、インゴットの切断側の端面に
対してパッド面を接近・退避させる回収皿の移動をサー
ボ駆動機構で行うと共に、ウェーハの厚みに基づいてウ
ェーハ回収時に切断されるウェーハの回収皿側の面とパ
ッド面との間に予め設定した設定クリアランスを形成す
るようにサーボ駆動機構を制御するようにした。これに
より、ウェーハ厚み設定手段にウェーハ厚みを設定する
だけで、ウェーハの回収皿側の面とパッド面との間に常
に設定クリアランスを自動的に形成する。According to the present invention, the servo drive mechanism is used to move the recovery tray that moves the pad surface toward and away from the end surface on the cutting side of the ingot, and the wafer is cut when the wafer is recovered based on the thickness of the wafer. The servo drive mechanism is controlled so as to form a preset clearance between the surface on the side of the recovery dish and the pad surface. As a result, only by setting the wafer thickness in the wafer thickness setting means, the set clearance is always automatically formed between the recovery tray side surface of the wafer and the pad surface.
【0008】また、本発明の別の態様によれば、ウェー
ハの回収精度に影響を及ぼす切断情報を検出し、その検
出結果に基づいて前記設定クリアランスを自動修正する
ようにした。また、本発明の更に別の態様によれば、前
記切断情報に基づいてウェーハを吸着した回収皿を退避
させる退避タイミングを自動制御するようにした。Further, according to another aspect of the present invention, the cutting information which affects the accuracy of collecting the wafer is detected, and the set clearance is automatically corrected based on the detection result. Further, according to still another aspect of the present invention, the evacuation timing for withdrawing the recovery tray that has adsorbed the wafer is automatically controlled based on the cutting information.
【0009】[0009]
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係るスライシ
ングマシンのウェーハ回収装置の好ましい実施例につい
て詳説する。図1はスライシングマシン10の全体構成
を説明する説明図である。図1に示すように、スピンド
ル11の上端部にはチャックボデイ12が固着されてお
り、スピンドル11の下端部には図示しないモータが連
結され、これによりスピンドル11とチャックボデイ1
2は高速回転する。チャックボデイ12にはドーナツ状
のブレード13の外周縁が張り上げられ、このブレード
13の内周縁には内周刃13Aが形成されている。ブレ
ード13はその外周縁がチャックボデイ12の図示しな
い公知の増し張り機構によりその張力が調整できるよう
になっている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of a wafer collecting apparatus for a slicing machine according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating the overall configuration of the slicing machine 10. As shown in FIG. 1, a chuck body 12 is fixed to the upper end of the spindle 11, and a motor (not shown) is connected to the lower end of the spindle 11, whereby the spindle 11 and the chuck body 1 are connected.
2 rotates at high speed. An outer peripheral edge of a donut-shaped blade 13 is pulled up on the chuck body 12, and an inner peripheral edge 13A is formed on the inner peripheral edge of the blade 13. The outer peripheral edge of the blade 13 can be adjusted in tension by a well-known unillustrated tensioning mechanism of the chuck body 12.
【0010】切断送りテーブル14はワーク割り出しス
ライダ15とウェーハ回収装置16を備え、ワーク割り
出しスライダ15のワーク支持台17の下面には、後述
する切断抵抗計18及びワークブロック19を介して半
導体インゴット20の上端が固着されている。このワー
ク支持台17は切断送りテーブル14により切断送り方
向(X−X方向)に移動でき、更にワーク割り出しスラ
イダ15によりワーク割出し方向(Z−Z方向)に移動
できるようになっている。これらの切断送りテーブル1
4及びワーク割出しスライダ15はスライシングマシン
コントローラ21からの指令信号により駆動され、イン
ゴット20を内周刃13Aで切断することにより薄片状
のウェーハ22を製造する。The cutting feed table 14 is provided with a work indexing slider 15 and a wafer collecting device 16, and a semiconductor ingot 20 is provided on a lower surface of a work supporting base 17 of the work indexing slider 15 via a cutting resistance meter 18 and a work block 19 described later. The upper end of is stuck. The work support table 17 can be moved in the cutting feed direction (XX direction) by the cutting feed table 14, and further can be moved in the work indexing direction (ZZ direction) by the work indexing slider 15. These cutting feed table 1
4 and the work indexing slider 15 are driven by a command signal from the slicing machine controller 21, and the ingot 20 is cut by the inner peripheral blade 13A to manufacture a thin wafer 22.
【0011】ウェーハ回収装置16は、主として複数の
パッド23Aを有する回収皿23のパッド23A面を所
定位置に位置決めしてウェーハ22を回収するウェーハ
回収機構24と、ウェーハ回収機構24の駆動を制御す
るサーボコントローラ25と、切断されるウェーハ22
の厚みを設定しその設定情報をスライシングマシンコン
トローラ21を介してサーボコントローラ25に出力す
るウェーハ厚み設定手段26と、ウェーハ回収精度に影
響を与える切断情報を検出してサーボコンローラ25に
出力する検出機構とから構成される。The wafer collecting device 16 mainly controls the drive of the wafer collecting mechanism 24, which collects the wafer 22 by positioning the pad 23A surface of the collecting tray 23 having a plurality of pads 23A at a predetermined position. Servo controller 25 and wafer 22 to be cut
Wafer thickness setting means 26 for setting the thickness of the wafer and outputting the setting information to the servo controller 25 via the slicing machine controller 21, and a detection for detecting the cutting information affecting the wafer recovery accuracy and outputting it to the servo controller 25. It is composed of a mechanism.
【0012】検出機構は、ブレード13の変位を検出す
る非接触式のブレードセンサ27と、ブレード13の回
転数(スピンドル11の回転数でもある)を検出する非
接触式の回転センサ28と、切断中にインゴット20に
加わる切断抵抗を測定する切断抵抗計18とから構成さ
れる。ブレードセンサ27は、ブレード13の上面側で
内周刃13A近傍に配置される。回転センサ28はスピ
ンドル11近傍に配置される。切断抵抗計18は、ワー
ク割り出しスライダ15のワーク支持台17とインゴッ
ト20の上端に固着されたアルミニウム製のワークブロ
ック19の間に介在され、例えばピエゾ素子を主要構成
としたスイス・キスラ社製のものを用いることができ
る。この切断抵抗計18は、切断中のインゴット20に
加わる切断負荷を電気的に検出することができ、インゴ
ット20の軸線方向及び径方向のそれぞれの切断負荷に
ついてきめ細かな検出を行うことができる。そして、前
記ウェーハ厚み設定手段26で設定したウェーハ22の
厚み情報と、検出機構で検出された切断情報はサーボコ
ントローラ25に入力される。サーボコントローラ25
では、これらの情報とウェーハ回収時におけるウェーハ
22下面とパッド23A面の適切な設定クリアランスL
(図1参照)を実験により求め、この実験結果に基づい
て作成したウェーハ回収機構動作プログラムによりウェ
ーハ回収機構24を制御する。これにより、ウェーハ回
収時の図中Z−Z方向における回収皿23のパッド23
A面位置の最適な位置決めを行う。The detection mechanism includes a non-contact type blade sensor 27 for detecting the displacement of the blade 13, a non-contact type rotation sensor 28 for detecting the rotational speed of the blade 13 (also the rotational speed of the spindle 11), and a disconnection. A cutting resistance meter 18 for measuring the cutting resistance applied to the ingot 20. The blade sensor 27 is arranged near the inner peripheral blade 13A on the upper surface side of the blade 13. The rotation sensor 28 is arranged near the spindle 11. The cutting resistance meter 18 is interposed between the work supporting base 17 of the work indexing slider 15 and a work block 19 made of aluminum fixed to the upper end of the ingot 20, and is made of, for example, a piezo element made by Kisla in Switzerland. Any thing can be used. The cutting resistance meter 18 can electrically detect the cutting load applied to the ingot 20 during cutting, and can finely detect the cutting load in each of the axial direction and the radial direction of the ingot 20. Then, the thickness information of the wafer 22 set by the wafer thickness setting means 26 and the cutting information detected by the detection mechanism are input to the servo controller 25. Servo controller 25
Then, these information and an appropriate setting clearance L between the lower surface of the wafer 22 and the surface of the pad 23A at the time of wafer recovery
(See FIG. 1) is obtained by an experiment, and the wafer recovery mechanism 24 is controlled by a wafer recovery mechanism operation program created based on the result of the experiment. As a result, the pad 23 of the recovery tray 23 in the ZZ direction in the drawing during wafer recovery
Optimal positioning of the A surface position.
【0013】ウェーハ回収機構24は、図2に示すよう
に主として基台32と基台32上を慴動するスライド部
材34とスライド部材34に固定された支柱36と、支
柱36に沿って移動するアーム40とアーム40の先端
に回動自在に取付けられウェーハ22を吸着保持する回
収皿23とから構成されている。基台32は、ボルト3
2A等によって切断送りテーブル14に固定されてい
る。また、基台32上にはガイドレール32B及びナッ
ト部材32Cが固定配設されている。As shown in FIG. 2, the wafer collecting mechanism 24 mainly moves along the base 32, a slide member 34 that slides on the base 32, a support 36 fixed to the slide member 34, and a support 36. It is composed of an arm 40 and a recovery tray 23 that is rotatably attached to the tip of the arm 40 and holds the wafer 22 by suction. The base 32 is a bolt 3
It is fixed to the cutting and feeding table 14 by 2A or the like. A guide rail 32B and a nut member 32C are fixedly arranged on the base 32.
【0014】スライド部材34は前記ガイドレール32
B上を走行するリニアベアリング34A及びステッピン
グモータ35を有し、このステッピングモータ35は前
記ナット部材32Cと螺合するリードスクリュー35A
を回転させることができる。従って、ステッピングモー
タ35によってリードスクリュー35Aを回転させる
と、スライド部材34は基台32上を図2上で左右方向
に移動することができる。The slide member 34 is the guide rail 32.
It has a linear bearing 34A running on B and a stepping motor 35, and this stepping motor 35 is a lead screw 35A screwed with the nut member 32C.
Can be rotated. Therefore, when the lead screw 35A is rotated by the stepping motor 35, the slide member 34 can move on the base 32 in the left-right direction in FIG.
【0015】また、支柱36には、上下方向にガイドレ
ール36Aが配設されると共に、上部にサーボモータ3
7が配設されている。また、ガイドレール36Aに沿っ
てネジ棒37Aが設けられ、その一方端はサーボモータ
37に支持されると共に、他方端はアーム40を支持す
る支持部材37Bに固定されたナット部材37Cに螺合
される。また、支持部材37Bはリニアベアリング40
Aを介してガイドレール36A上を走行自在に支持され
る。これにより、サーボモータ37が作動すると、支持
部材37Bに支持されたアーム40は、ネジ棒37Aと
ナット部材37Cとの送りネジ機構によりガイドレール
36Aに沿って上下方向に移動することができる。ま
た、ネジ棒37Aの移動量は逐次サーボモータ37にフ
ィードバックされる。A guide rail 36A is arranged in the vertical direction on the column 36, and the servo motor 3 is provided above the guide rail 36A.
7 are provided. A screw rod 37A is provided along the guide rail 36A, one end of which is supported by the servomotor 37, and the other end of which is screwed into a nut member 37C fixed to a support member 37B that supports the arm 40. It Further, the support member 37B is a linear bearing 40.
It is movably supported on the guide rail 36A via A. As a result, when the servomotor 37 operates, the arm 40 supported by the support member 37B can move vertically along the guide rail 36A by the feed screw mechanism of the screw rod 37A and the nut member 37C. Further, the moving amount of the screw rod 37A is sequentially fed back to the servo motor 37.
【0016】次に、図3、図4によりアーム40及び回
収皿23について説明すると、アーム40の基端部には
ロータリアクチュエータ41が固定配設され、このロー
タリアクチュエータ41の駆動軸41Aの下端にはギア
42Aが配設されている。ギア42Aは軸受部材45を
介して回転自在に軸支された軸46に固定されたギア4
6Aと噛合している。Next, the arm 40 and the recovery tray 23 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. A rotary actuator 41 is fixedly arranged at the base end of the arm 40, and the rotary actuator 41 is provided at the lower end of a drive shaft 41A. Is equipped with a gear 42A. The gear 42A is a gear 4 fixed to a shaft 46 rotatably supported by a bearing member 45.
It meshes with 6A.
【0017】また、アーム40のコーナ部には、ガイド
用プーリ47A、47Bが配設され、アーム40の先端
部には、回収皿23を旋回させるためのプーリ47Cが
配設されている。そして、プーリ47Cは回転軸53に
固定されている。また、これらのプーリ46B、47
A、47B、47Cにはタイミングベルト48が巻き掛
けられている。また、回転軸53の下端部には、回転軸
53と直交する回収皿用アーム55の一端側が固定され
ると共に、その他端側が回収皿23に固定されている。Further, guide pulleys 47A and 47B are arranged at the corners of the arm 40, and a pulley 47C for rotating the recovery tray 23 is arranged at the tip of the arm 40. The pulley 47C is fixed to the rotating shaft 53. In addition, these pulleys 46B and 47
A timing belt 48 is wound around A, 47B and 47C. Further, one end side of the recovery dish arm 55 orthogonal to the rotation shaft 53 is fixed to the lower end of the rotary shaft 53, and the other end side is fixed to the recovery dish 23.
【0018】従って、ロータリアクチュエータ41の駆
動軸41Aが回転すると、42Aを介してプーリ46B
が回転し、これにより、タイミングベルト48、プーリ
47Cを介して回収皿23が180°旋回可能となって
いる。また、回収皿23の吸着面側には、カーボンで形
成された複数のパッド23Aが設けられると共に、パッ
ドは図示しないバキュームポンプに連通しており、バキ
ュームポンプを作動させるとパッド23Aは吸着力を発
生させるようになっている。また、ウェーハ回収機構2
4は、インゴット20の切断送りテーブルと連動してお
り、インゴット20の切断送り方向への移動に同期して
同方向に移動するようになっている。Therefore, when the drive shaft 41A of the rotary actuator 41 rotates, the pulley 46B passes through 42A.
Is rotated, whereby the recovery tray 23 can be rotated 180 ° via the timing belt 48 and the pulley 47C. Further, a plurality of pads 23A made of carbon are provided on the suction surface side of the recovery tray 23, and the pads communicate with a vacuum pump (not shown). When the vacuum pump is operated, the pad 23A exerts suction force. It is supposed to be generated. Also, the wafer recovery mechanism 2
4 is interlocked with the cutting feed table of the ingot 20, and is adapted to move in the same direction in synchronization with the movement of the ingot 20 in the cutting feed direction.
【0019】次に、上記の如く構成された本発明のスラ
イシングマシンのウェーハ回収装置の作用について説明
する。スライシングの運転開始の前準備として回収皿2
3に設けられた複数のパッド23Aの先端部を内周刃1
3Aで面一になるように0.5〜1.0mm切断し、こ
の時のパッド23A面の位置を基準位置としてサーボコ
ントローラ25に記憶させる。以後、この基準位置を基
準としてパッド23A面の位置決めを行う。基準位置の
設定と共に、製造するウェーハ22の厚みをウェーハ厚
み設定手段26に入力する。ウェーハ厚み設定手段26
に入力されたウェーハ厚み情報はスライシングマシンコ
ントローラ21に入力されると共に、スライシングマシ
ンコントローラ21を介してサーボコントローラ25に
入力される。スライシングマシンコントローラ21では
ウェーハ厚み情報に基づいてワーク割出しスライダ15
の割出し量を算出する。Next, the operation of the wafer collecting device of the slicing machine of the present invention constructed as described above will be described. Collection tray 2 as a preparation for the start of slicing operation
3 the inner peripheral blade 1
0.5 to 1.0 mm is cut so as to be flush with 3A, and the position of the surface of the pad 23A at this time is stored in the servo controller 25 as a reference position. Thereafter, the pad 23A surface is positioned with reference to this reference position. Along with setting the reference position, the thickness of the wafer 22 to be manufactured is input to the wafer thickness setting means 26. Wafer thickness setting means 26
The wafer thickness information input to is input to the slicing machine controller 21 as well as to the servo controller 25 via the slicing machine controller 21. In the slicing machine controller 21, the work indexing slider 15 is based on the wafer thickness information.
Calculate the indexed amount of.
【0020】また、サーボコントローラ25ではウェー
ハ厚み情報、前記したパッド23A面の基準位置情報、
及び設定クリアランスからウェーハ回収時におけるパッ
ド23A面の位置決め位置を算出する。そして、スライ
シングマシンコントローラ21からの指令信号により自
動切断運転が開始すると共に、サーボコントローラ25
からの指令信号によりウェーハ回収機構24が作動す
る。先ず、インゴット20が切断送りテーブル14によ
り、高速回転している内周刃13Aに押し当てられると
共に、インゴット20の移動に同期して回収皿23も移
動する。次に、切断送りテーブル14が切断送り方向に
更に所定距離移動して、インゴット20を途中位置まで
切断すると、ロータリアクチュエータ41を作動させ、
回収皿23を旋回させて回収皿23を内周刃13Aの孔
内上部に位置させる。続いて、運転開始前に予めサーボ
コントローラ25で算出したパッド23A面位置に基づ
いてサーボモータ37が作動してアーム40を下降さ
せ、回収皿23を内周刃13Aの孔内に移動すると共
に、スライド部材34をステッピングモータ35により
駆動し、回収皿23のパッド23A面をインゴット20
の切断側の端面を臨む位置に移動させる。そして、回収
皿23のパッド23Aに吸着力を発生させウェーハ22
下面を吸着保持させる。このように、ウェーハ22の厚
みを変える場合にウェーハ厚み設定手段26に所望のウ
ェーハ厚み設定値を入力するだけで、ウェーハ22下面
と回収皿23のパッド23A面との間に設定クリアラン
スを自動形成することができる。Further, in the servo controller 25, the wafer thickness information, the reference position information on the surface of the pad 23A described above,
Also, the positioning position of the pad 23A surface at the time of wafer recovery is calculated from the set clearance. Then, the automatic cutting operation is started by a command signal from the slicing machine controller 21, and the servo controller 25
The wafer recovery mechanism 24 operates in response to a command signal from. First, the cutting feed table 14 presses the ingot 20 against the inner peripheral blade 13A that is rotating at a high speed, and the recovery tray 23 also moves in synchronization with the movement of the ingot 20. Next, when the cutting feed table 14 further moves a predetermined distance in the cutting feed direction to cut the ingot 20 to an intermediate position, the rotary actuator 41 is operated,
The recovery tray 23 is swung to position the recovery tray 23 at the upper part inside the hole of the inner peripheral blade 13A. Subsequently, the servo motor 37 is operated based on the pad 23A surface position calculated in advance by the servo controller 25 before the operation is started, the arm 40 is lowered, and the recovery tray 23 is moved into the hole of the inner peripheral blade 13A. The slide member 34 is driven by the stepping motor 35, and the pad 23A surface of the recovery tray 23 is moved to the ingot 20.
Move to the position where the end surface of the cutting side faces. Then, a suction force is generated on the pad 23A of the recovery tray 23 to generate the wafer 22.
Adsorb and hold the lower surface. In this way, when changing the thickness of the wafer 22, only by inputting a desired wafer thickness setting value to the wafer thickness setting means 26, a set clearance is automatically formed between the lower surface of the wafer 22 and the pad 23A surface of the recovery tray 23. can do.
【0021】ところで、切断中にブレード13が変位す
ることによりウェーハ22が反って、ウェーハ22下面
とパッド23A面のクリアランスが設定クリアランスを
逸脱した場合、或いはウェーハ22がブレード13に付
着してブレード13とウェーハ22の間に吸引力が発生
した場合には、ウェーハ22を回収皿23に精度良く回
収することができなくなる。従って、パッド23A面が
ウェーハ22下面に対して適切な吸着力を及ぼすために
は、切断状況に応じて設定クリアランスを修正してやる
必要がある。By the way, when the wafer 22 is warped due to the displacement of the blade 13 during cutting and the clearance between the lower surface of the wafer 22 and the surface of the pad 23A deviates from the set clearance, or the wafer 22 adheres to the blade 13 and the blade 13 moves. When a suction force is generated between the wafer 22 and the wafer 22, the wafer 22 cannot be accurately collected in the collection tray 23. Therefore, in order for the surface of the pad 23A to exert an appropriate suction force on the lower surface of the wafer 22, it is necessary to correct the set clearance according to the cutting situation.
【0022】そこで、本発明では、サーボコントローラ
25に検出機構からの切断情報を逐次入力し、ウェーハ
厚み設定情報に切断情報を加えてウェーハ回収機構24
を制御するようにし、これにより設定クリアランスを適
宜修正するようにした。例えば、切断中にブレード13
が変位してウェーハ22が反り、ウェーハ22下面とパ
ッド23A面とのクリアランスが設定クリアランスより
大きくなった場合は、ウェーハ22に対する回収皿23
の吸着力が弱まり回収精度が低下する。この場合は、サ
ーボコントローラ25にブレードセンサ27で検出され
たブレード13の変位量が入力される。そして、サーボ
コントローラ25のウェーハ回収機構プログラムは、ブ
レードセンサ27の検出結果に基づいてパッド23A面
の位置をブレード13の変位量だけブレード13側に近
づけて設定クリアランスを修正する。また、切断中のウ
ェーハ22が切断加工液であるクーラント液(図示せ
ず)等の影響によりブレード13面に付着した場合、ウ
ェーハ22下面とパッド23A面とのクリアランスが設
定クリアランスより大きくなり、このまま切断が進行す
ると切断精度が低下するだけでなく、ウェーハ回収時に
おけるウェーハ22に対する回収皿23の吸着力が不足
して回収精度が低下する。この場合は、ウェーハ22が
ブレード13に吸着することによりスピンドル11の回
転抵抗が大きくなるので、サーボコントローラ25に入
力される回転センサ28のスピンドル回転数が低下す
る。そして、サーボコントローラ25のウェーハ回収機
構プログラムは回転センサ28の検出結果に基づいてパ
ッド23A面の位置をブレード13側に近づけて回収皿
23の吸着力を増大させ、再びパッド23A面を元の位
置に戻す。これにより、ウェーハ22がブレード13か
ら剥離されてウェーハ22の付着が解消し、ウェーハ2
2下面とパッド23A面との間のクリアランスは元の設
定クリアランスに修正される。Therefore, in the present invention, the cutting information from the detection mechanism is sequentially input to the servo controller 25, the cutting information is added to the wafer thickness setting information, and the wafer recovery mechanism 24 is added.
Is controlled so that the set clearance is appropriately modified. For example, the blade 13 during cutting
When the wafer 22 is warped and the clearance between the lower surface of the wafer 22 and the surface of the pad 23A becomes larger than the set clearance, the recovery tray 23 for the wafer 22
The suction force of the is weakened and the collection accuracy is reduced. In this case, the displacement amount of the blade 13 detected by the blade sensor 27 is input to the servo controller 25. Then, the wafer recovery mechanism program of the servo controller 25 corrects the set clearance by moving the position of the surface of the pad 23A closer to the blade 13 side by the displacement amount of the blade 13 based on the detection result of the blade sensor 27. Further, when the wafer 22 during cutting adheres to the surface of the blade 13 due to the influence of a coolant (not shown) which is a cutting processing liquid, the clearance between the lower surface of the wafer 22 and the surface of the pad 23A becomes larger than the set clearance, and as it is. As the cutting progresses, not only the cutting accuracy lowers, but also the suction accuracy of the recovery tray 23 with respect to the wafer 22 at the time of wafer recovery is insufficient and the recovery accuracy lowers. In this case, since the wafer 22 is attracted to the blade 13 to increase the rotation resistance of the spindle 11, the rotation speed of the rotation sensor 28 input to the servo controller 25 decreases. Then, the wafer recovery mechanism program of the servo controller 25 brings the position of the pad 23A surface closer to the blade 13 side based on the detection result of the rotation sensor 28 to increase the suction force of the recovery tray 23, and again causes the pad 23A surface to return to the original position. Return to. As a result, the wafer 22 is separated from the blade 13 and the adhesion of the wafer 22 is eliminated.
2 The clearance between the lower surface and the surface of the pad 23A is corrected to the original set clearance.
【0023】更に切断が進みインゴット20に添設され
たスライスベース20Aの切断が開始された時、換言す
るとウェーハ22がインゴット20から切り離される直
前に回収皿23を下降動作させてウェーハ22をブレー
ドから引き離す。この回収皿23の下降動作のタイミン
グは回転センサ28と切断抵抗計18のうちの少なくと
も何れかにより検知する。即ち、インゴット20の切断
からスライスベース20Aの切断に移行する際のスピン
ドル回転数の変化、インゴット20に加わる切断抵抗の
変化を検知する。そして、サーボコントローラ25のウ
ェーハ回収機構プログラムはこの検出結果に基づいて回
収皿23の下降動作を行う。このようにウェーハ22を
吸着保持した回収皿23の下降動作タイミングを正確に
行うことによりウェーハ回収時にウェーハ22の破損を
防止できるので、ウェーハ22の回収率を向上させるこ
とができる。When the cutting further proceeds and the cutting of the slice base 20A attached to the ingot 20 is started, in other words, immediately before the wafer 22 is separated from the ingot 20, the recovery tray 23 is moved downward to move the wafer 22 from the blade. Pull away. The timing of the lowering operation of the recovery tray 23 is detected by at least one of the rotation sensor 28 and the cutting resistance meter 18. That is, the change in the spindle rotation speed when the cutting of the ingot 20 is changed to the cutting of the slice base 20A and the change in the cutting resistance applied to the ingot 20 are detected. Then, the wafer recovery mechanism program of the servo controller 25 performs the lowering operation of the recovery tray 23 based on the detection result. By accurately performing the descending operation timing of the recovery tray 23 that holds the wafer 22 as described above, the damage of the wafer 22 can be prevented during the recovery of the wafer, so that the recovery rate of the wafer 22 can be improved.
【0024】上記したように、本発明のスライシングマ
シンのウェーハ回収装置によれば、ウェーハ厚み設定手
段26に所望のウェーハ厚情報を入力するだけで、ウェ
ーハ22を回収する為の適切な設定クリアランスを形成
することができる。また、ウェーハ回収に影響のある切
断情報に応じて設定クリアランスを修正することがで
き、更には回収皿23に吸着保持させたウェーハ22を
適切なタイミングでブレード13から引き離して回収す
ることができる。従って、従来のスライシングマシンの
ウェーハ回収装置に比べて容易且つ正確にクリアランス
制御を行うことができると共に、ウェーハ22の回収率
を向上させることができる。As described above, according to the wafer recovering apparatus for the slicing machine of the present invention, only by inputting desired wafer thickness information to the wafer thickness setting means 26, an appropriate setting clearance for recovering the wafer 22 can be obtained. Can be formed. Further, the set clearance can be corrected according to the cutting information that has an influence on the wafer recovery, and the wafer 22 sucked and held in the recovery tray 23 can be separated from the blade 13 at an appropriate timing and recovered. Therefore, the clearance control can be performed more easily and accurately as compared with the wafer recovery device of the conventional slicing machine, and the recovery rate of the wafers 22 can be improved.
【0025】尚、本実施例ではブレードを水平面で回転
させる縦型のスライシングマシンの例で説明したが、本
発明は横型のスライシングマシンにも適用できる。In this embodiment, the vertical slicing machine in which the blade is rotated in the horizontal plane has been described as an example, but the present invention can also be applied to a horizontal slicing machine.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスライシ
ングマシンのウェーハ回収装置によれば、ウェーハの切
断厚みを変えてもウェーハ回収時におけるウェーハ端面
と回収皿パッド面との間に自動的に適切なクリアランス
を形成できると共に、ウェーハ回収精度に影響を及ぼす
切断情報に応じてクリアランスを自動修正できるので、
ウェーハ回収時にウェーハの破損が減少する。これによ
り、従来のスライシングマシンのウェーハ回収装置に比
べて人為的なミスを防止できると共に、ウェーハの回収
率を向上させることができる。As described above, according to the wafer recovering apparatus of the slicing machine of the present invention, even if the cutting thickness of the wafer is changed, the wafer is automatically recovered between the wafer end surface and the recovery dish pad surface at the time of recovering the wafer. Since an appropriate clearance can be formed and the clearance can be automatically corrected according to the cutting information that affects the wafer recovery accuracy,
Wafer damage is reduced during wafer recovery. As a result, human error can be prevented and the wafer recovery rate can be improved as compared with the conventional wafer recovery device for a slicing machine.
【図1】本発明に係るスライシングマシンのウェーハ回
収装置の全体構成図FIG. 1 is an overall configuration diagram of a wafer recovery device of a slicing machine according to the present invention.
【図2】ウェーハ回収機構を説明する説明図FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a wafer recovery mechanism.
【図3】図2のA−A線に沿った断面図FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図4】図2のB−B線に沿った断面図FIG. 4 is a sectional view taken along line BB of FIG.
10…スライシングマシン 11…スピンドル 13…ブレード 13A…内周刃 14…切断送りテーブル 15…ワーク割り出しスライダ 16…ウェーハ回収装置 18…切断抵抗計 20…インゴット 21…スライシングマシンコントローラ 22…ウェーハ 23…回収皿 23A…回収皿のパッド 24…ウェーハ回収機構 25…サーボコントローラ 26…ウェーハ厚み設定手段 27…ブレードセンサ 28…回転センサ 10 ... Slicing machine 11 ... Spindle 13 ... Blade 13A ... Inner peripheral blade 14 ... Cutting feed table 15 ... Work indexing slider 16 ... Wafer collecting device 18 ... Cutting resistance meter 20 ... Ingot 21 ... Slicing machine controller 22 ... Wafer 23 ... Collecting tray 23A ... Pad of recovery tray 24 ... Wafer recovery mechanism 25 ... Servo controller 26 ... Wafer thickness setting means 27 ... Blade sensor 28 ... Rotation sensor
Claims (3)
薄片状に切断したウェーハを回収皿のパッド面に吸着保
持して回収するスライシングマシンのウェーハ回収装置
に於いて、 前記インゴットの切断側の端面に対して前記パッド面を
接近・退避させるサーボ駆動機構と、 前記ウェーハの切断厚みを設定するウェーハ厚み設定手
段と、 前記設定されたウェーハ厚み情報に基づいて前記切断さ
れるウェーハの回収皿側の面と前記パッド面との間に予
め設定した設定クリアランスを形成するように前記サー
ボ駆動機構を制御する制御手段と、 を備えていることを特徴とするスライシングマシンのウ
ェーハ回収装置。1. A wafer recovery device for a slicing machine, wherein an ingot is pressed against a rotating inner peripheral blade and wafers cut into thin pieces are adsorbed and held on a pad surface of a recovery tray to recover the wafer. Servo drive mechanism for approaching and retracting the pad surface with respect to the end face of the wafer, wafer thickness setting means for setting the cutting thickness of the wafer, and a recovery tray for the wafer to be cut based on the set wafer thickness information. A wafer recovery device for a slicing machine, comprising: a control unit that controls the servo drive mechanism so as to form a preset clearance between the side surface and the pad surface.
段、前記ブレードの回転数を検出する回転数検出手段、
前記切断中の前記インゴットに加わる切断抵抗を検出す
る切断抵抗検出手段を設けてウェーハの回収精度に影響
を与える切断情報を検出し、前記制御手段は前記各検出
手段で検出した少なくとも1つの情報に基づいて前記サ
ーボ駆動機構を制御して前記設定クリアランスを修正す
ることを特徴とする請求項1記載のスライシングマシン
のウェーハ回収装置。2. A displacement detecting means for detecting the displacement of the blade, a rotational speed detecting means for detecting the rotational speed of the blade,
A cutting resistance detection unit that detects a cutting resistance applied to the ingot during the cutting is provided to detect cutting information that affects wafer recovery accuracy, and the control unit detects at least one piece of information detected by each of the detection units. 2. The wafer recovery device for a slicing machine according to claim 1, wherein the servo drive mechanism is controlled based on the correction to correct the set clearance.
記切断抵抗検出手段で検出した情報の少なくとも1つの
情報に基づいてウェーハを吸着した回収皿の退避タイミ
ングを制御することを特徴とする請求項2記載のスライ
シングマシンのウェーハ回収装置。3. The control means controls the evacuation timing of the recovery tray that has adsorbed the wafer based on at least one of the information detected by the rotation speed detection means and the cutting resistance detection means. Item 2. A wafer recovery device for a slicing machine according to item 2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12838895A JPH08318526A (en) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | Apparatus for recovering wafer of slicing machine |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12838895A JPH08318526A (en) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | Apparatus for recovering wafer of slicing machine |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08318526A true JPH08318526A (en) | 1996-12-03 |
Family
ID=14983586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12838895A Pending JPH08318526A (en) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | Apparatus for recovering wafer of slicing machine |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08318526A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106891449A (en) * | 2017-03-17 | 2017-06-27 | 浙江好亚能源股份有限公司 | Monocrystalline silicon piece workshop blanking device |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP12838895A patent/JPH08318526A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106891449A (en) * | 2017-03-17 | 2017-06-27 | 浙江好亚能源股份有限公司 | Monocrystalline silicon piece workshop blanking device |
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