JPH08273390A - フラッシュメモリの消去回数の管理方法 - Google Patents
フラッシュメモリの消去回数の管理方法Info
- Publication number
- JPH08273390A JPH08273390A JP6923795A JP6923795A JPH08273390A JP H08273390 A JPH08273390 A JP H08273390A JP 6923795 A JP6923795 A JP 6923795A JP 6923795 A JP6923795 A JP 6923795A JP H08273390 A JPH08273390 A JP H08273390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- flash memory
- erase count
- area
- erasing times
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フラッシュメモリ外部のハードウェアを小規
模にし、ソフトウェアも簡易化する。 【構成】 フラッシュメモリ1の各ブロック2にブロッ
ク消去回数格納エリア5を設け、この各エリア5にブロ
ック消去回数データを書込んで、各ブロック毎に消去回
数を管理する。
模にし、ソフトウェアも簡易化する。 【構成】 フラッシュメモリ1の各ブロック2にブロッ
ク消去回数格納エリア5を設け、この各エリア5にブロ
ック消去回数データを書込んで、各ブロック毎に消去回
数を管理する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フラッシュメモリの消
去回数の管理方法に関する。
去回数の管理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来方法の1例を示す説明図で、
1は1ブロック64Kバイトで16ブロックよりなる1
Mバイトのフラッシュメモリ、3は各ブロック2毎の消
去回数を管理するRAMである。従来は、フラッシュメ
モリ1の内部ではなく、フラッシュメモリ外部のRAM
3で消去回数を管理している。
1は1ブロック64Kバイトで16ブロックよりなる1
Mバイトのフラッシュメモリ、3は各ブロック2毎の消
去回数を管理するRAMである。従来は、フラッシュメ
モリ1の内部ではなく、フラッシュメモリ外部のRAM
3で消去回数を管理している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来方法
にあっては、フラッシュメモリ外部のRAM3で消去回
数を管理しているため、外部ハードウェア4が大きくな
り、ソフトウェアも処理が複雑になるという課題があ
る。
にあっては、フラッシュメモリ外部のRAM3で消去回
数を管理しているため、外部ハードウェア4が大きくな
り、ソフトウェアも処理が複雑になるという課題があ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明方法は、従来技術
の課題であるフラッシュメモリ外部のハードウェアが大
規模になること及びソフトウェアの処理が複雑になるこ
とを解決するため、図1に示すようにフラッシュメモリ
1内のブロック2単位で消去回数を管理し、該消去回数
からメモリ1の寿命を判断することを特徴とする。
の課題であるフラッシュメモリ外部のハードウェアが大
規模になること及びソフトウェアの処理が複雑になるこ
とを解決するため、図1に示すようにフラッシュメモリ
1内のブロック2単位で消去回数を管理し、該消去回数
からメモリ1の寿命を判断することを特徴とする。
【0005】
【作 用】このようにフラッシュメモリ1内のブロック
2単位で消去回数を管理しているので、メモリ外部のハ
ードウェアを小形にできることになり、かつソフトウェ
アの処理も簡易化できることになる。
2単位で消去回数を管理しているので、メモリ外部のハ
ードウェアを小形にできることになり、かつソフトウェ
アの処理も簡易化できることになる。
【0006】
【実施例】図1は本発明方法の1実施例を示す説明図で
ある。従来方法は1ブロックごとの消去回数は外部RA
Mで管理していたが、本発明実施方法では、フラッシュ
メモリ1の1ブロック消去回数が最大10万回であるた
め、この数を格納する3バイトのブロック消去回数格納
エリア5を各ブロック2の最後に割り当て、この各エリ
ア5にブロック消去回数データを書込んで、各ブロック
毎に消去回数を管理する。
ある。従来方法は1ブロックごとの消去回数は外部RA
Mで管理していたが、本発明実施方法では、フラッシュ
メモリ1の1ブロック消去回数が最大10万回であるた
め、この数を格納する3バイトのブロック消去回数格納
エリア5を各ブロック2の最後に割り当て、この各エリ
ア5にブロック消去回数データを書込んで、各ブロック
毎に消去回数を管理する。
【0007】フラッシュメモリ1は上書きが不可能で、
消去しないとデータが書けないため、あるブロックを消
去する場合には、そのブロックの消去回数格納エリア
(3バイト)5を別の場所へ退避させ、消去完了後に再
び消去回数格納エリア5に消去回数(3バイト)を上書
きする様にする。図2は本発明方法によりブロック消去
した場合の消去回数データの退避方法のフローチャート
である。ブロック消去命令でブロック2の消去回数格納
エリア5のブロック消去回数データを退避させた後、ブ
ロック2のデータを消去し、消去回数格納エリア5にブ
ロック消去回数データを上書きすることになる。
消去しないとデータが書けないため、あるブロックを消
去する場合には、そのブロックの消去回数格納エリア
(3バイト)5を別の場所へ退避させ、消去完了後に再
び消去回数格納エリア5に消去回数(3バイト)を上書
きする様にする。図2は本発明方法によりブロック消去
した場合の消去回数データの退避方法のフローチャート
である。ブロック消去命令でブロック2の消去回数格納
エリア5のブロック消去回数データを退避させた後、ブ
ロック2のデータを消去し、消去回数格納エリア5にブ
ロック消去回数データを上書きすることになる。
【0008】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、フラッシ
ュメモリのブロック単位ごとの消去回数が判るため、ど
のブロックの消去回数寿命が近いかすぐにわかること、
フラッシュメモリは不揮発性のため、電源が切れてもブ
ロック消去回数データが消えることがないので、データ
保持のための手段を講じる必要がないことは勿論、フラ
ッシュメモリ内部でブロック単位毎に消去回数を管理す
るため、外部ハードウェアを小規模にできるばかりでな
く、ソフトウェア処理も簡易化することができる。
ュメモリのブロック単位ごとの消去回数が判るため、ど
のブロックの消去回数寿命が近いかすぐにわかること、
フラッシュメモリは不揮発性のため、電源が切れてもブ
ロック消去回数データが消えることがないので、データ
保持のための手段を講じる必要がないことは勿論、フラ
ッシュメモリ内部でブロック単位毎に消去回数を管理す
るため、外部ハードウェアを小規模にできるばかりでな
く、ソフトウェア処理も簡易化することができる。
【図1】本発明方法の1実施例を示す説明図である。
【図2】本発明における消去回数データの退避方法のフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図3】従来方法の1例を示す説明図である。
1 フラッシュメモリ 2 ブロック 3 RAM 4 外部ハードウェア 5 消去回数データ格納エリア
Claims (1)
- 【請求項1】 フラッシュメモリ内のブロック単位で消
去回数を管理し、該消去回数からメモリの寿命を判断す
ることを特徴とするフラッシュメモリの消去回数の管理
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6923795A JPH08273390A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | フラッシュメモリの消去回数の管理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6923795A JPH08273390A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | フラッシュメモリの消去回数の管理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08273390A true JPH08273390A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13396948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6923795A Pending JPH08273390A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | フラッシュメモリの消去回数の管理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08273390A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000222887A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | メモリ装置のデータ更新方法 |
US7032094B2 (en) | 2002-07-30 | 2006-04-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of controlling flash memory |
KR100794827B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2008-01-15 | 가부시끼가이샤 도시바 | 불휘발성 반도체 기억 장치 및 이것을 이용한 전자 장치 |
US8015347B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method thereof |
US8504760B2 (en) | 2009-11-30 | 2013-08-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for managing erase count of memory device |
JP2013182378A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Denso Corp | 不揮発性メモリへのデータ記憶方法 |
-
1995
- 1995-03-28 JP JP6923795A patent/JPH08273390A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000222887A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | メモリ装置のデータ更新方法 |
US7032094B2 (en) | 2002-07-30 | 2006-04-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of controlling flash memory |
KR100794827B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2008-01-15 | 가부시끼가이샤 도시바 | 불휘발성 반도체 기억 장치 및 이것을 이용한 전자 장치 |
US8886868B2 (en) | 2007-12-28 | 2014-11-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method thereof |
US8015347B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method thereof |
US9026724B2 (en) | 2007-12-28 | 2015-05-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method thereof |
US9280292B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-03-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method thereof |
US9483192B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method thereof |
US9933941B2 (en) | 2007-12-28 | 2018-04-03 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and control method thereof |
US10558360B2 (en) | 2007-12-28 | 2020-02-11 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and control method thereof |
US11287975B2 (en) | 2007-12-28 | 2022-03-29 | Kioxia Corporation | Memory system and control method thereof |
US11893237B2 (en) | 2007-12-28 | 2024-02-06 | Kioxia Corporation | Memory system and control method thereof |
US8504760B2 (en) | 2009-11-30 | 2013-08-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for managing erase count of memory device |
JP2013182378A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Denso Corp | 不揮発性メモリへのデータ記憶方法 |
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