JPH08120462A - 薬液を用いたウエハ表面処理装置 - Google Patents
薬液を用いたウエハ表面処理装置Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 濾過部の目詰まりを防止し、効率的にウエハ
へ表面処理を行う。 【構成】 薬液3が満たされ、この薬液3中に浸漬され
たウエハ4に表面処理を行うオーバーフロー式の処理槽
1と、処理槽1から溢れ出た薬液3を受ける外槽2と
は、配管7により互いに連通している。配管7にはポン
プ5および濾過部6が設けられ、薬液3を循環するとと
もに、薬液3中の異物が濾過される。濾過部6には、薬
液3から析出物が生成されない温度に濾過部6の温度を
調節する第2の温度調節機構20が設けられ、析出物に
よる濾過部6の目詰まりが防止される。
へ表面処理を行う。 【構成】 薬液3が満たされ、この薬液3中に浸漬され
たウエハ4に表面処理を行うオーバーフロー式の処理槽
1と、処理槽1から溢れ出た薬液3を受ける外槽2と
は、配管7により互いに連通している。配管7にはポン
プ5および濾過部6が設けられ、薬液3を循環するとと
もに、薬液3中の異物が濾過される。濾過部6には、薬
液3から析出物が生成されない温度に濾過部6の温度を
調節する第2の温度調節機構20が設けられ、析出物に
よる濾過部6の目詰まりが防止される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薬液を用いてウエハの
表面に無電解めっき膜を形成したり、酸化絶縁膜を形成
する等の処理を行うウエハ表面処理装置に関する。
表面に無電解めっき膜を形成したり、酸化絶縁膜を形成
する等の処理を行うウエハ表面処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のウエハ表面処理装置とし
て、図2に示すような構成のものが知られている。図2
に示すように従来のウエハ表面処理装置は、薬液103
が満たされ、この薬液103中に浸漬されたウエハ10
4に表面処理を行うオーバーフロー式の処理槽101
と、処理槽101からオーバーフローした薬液103を
受ける外槽102とを有し、処理槽101と外槽102
とは、中間部にポンプ105および濾過部106が設け
られた配管107により互いに連通している。ポンプ1
05は、ウエハ104の処理中は常時駆動され、外槽1
02で受けた薬液103を処理槽101へ戻すことによ
って薬液103を循環させている。濾過部106は、処
理槽101とポンプ105との間に配置されており、薬
液103中の異物等を濾過するためのものである。
て、図2に示すような構成のものが知られている。図2
に示すように従来のウエハ表面処理装置は、薬液103
が満たされ、この薬液103中に浸漬されたウエハ10
4に表面処理を行うオーバーフロー式の処理槽101
と、処理槽101からオーバーフローした薬液103を
受ける外槽102とを有し、処理槽101と外槽102
とは、中間部にポンプ105および濾過部106が設け
られた配管107により互いに連通している。ポンプ1
05は、ウエハ104の処理中は常時駆動され、外槽1
02で受けた薬液103を処理槽101へ戻すことによ
って薬液103を循環させている。濾過部106は、処
理槽101とポンプ105との間に配置されており、薬
液103中の異物等を濾過するためのものである。
【0003】また、ウエハ104の表面処理に際して
は、処理槽101中の薬液103の温度を一定の温度に
保つ必要があるので、処理槽101には、薬液103の
温度を調節するための温度調節機構110が設けられて
いる。温度調節機構110は、処理槽101中の薬液1
03の温度を検出する温度センサ111と、処理槽10
1を加熱・冷却することによって処理槽101中の薬液
103の温度を調節する温度調節器113と、温度セン
サ111の検出結果に応じて温度調節器113を制御す
るコントローラ112とで構成されている。この温度調
節機構110で薬液103の温度を調節することによ
り、例えば、無電解めっき膜や酸化絶縁膜等の成長速度
が一定に保持される。
は、処理槽101中の薬液103の温度を一定の温度に
保つ必要があるので、処理槽101には、薬液103の
温度を調節するための温度調節機構110が設けられて
いる。温度調節機構110は、処理槽101中の薬液1
03の温度を検出する温度センサ111と、処理槽10
1を加熱・冷却することによって処理槽101中の薬液
103の温度を調節する温度調節器113と、温度セン
サ111の検出結果に応じて温度調節器113を制御す
るコントローラ112とで構成されている。この温度調
節機構110で薬液103の温度を調節することによ
り、例えば、無電解めっき膜や酸化絶縁膜等の成長速度
が一定に保持される。
【0004】上述した従来例では、処理槽101中の薬
液103の温度を一定の温度に保つために処理槽101
の温度を直接制御する例を示したが、温度調節機構11
0に替えて、濾過部106と処理槽101との間に薬液
調温部(不図示)を設けたものも提案されている。この
例では、薬液103の温度を薬液調温部で前記一定の温
度に調節した後、処理槽101へ供給し、処理槽101
中の薬液103の温度を一定に保っている(特開昭60
−16427号公報参照)。
液103の温度を一定の温度に保つために処理槽101
の温度を直接制御する例を示したが、温度調節機構11
0に替えて、濾過部106と処理槽101との間に薬液
調温部(不図示)を設けたものも提案されている。この
例では、薬液103の温度を薬液調温部で前記一定の温
度に調節した後、処理槽101へ供給し、処理槽101
中の薬液103の温度を一定に保っている(特開昭60
−16427号公報参照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のウエハ
表面処理装置では、薬液の温度はウエハに表面処理を施
すのに必要な温度になるように調節されているので、薬
液の循環系の中でもそれほど温度の変化はない。そのた
め、このようなウエハ表面処理装置を、例えば、無電解
めっき膜または液相酸化膜の形成に用いると、濾過部で
捕獲された異物が核となって濾過部の中でめっき膜また
は酸化膜が成長し、濾過部の目詰まりが進行しやすいと
いう問題点があった。
表面処理装置では、薬液の温度はウエハに表面処理を施
すのに必要な温度になるように調節されているので、薬
液の循環系の中でもそれほど温度の変化はない。そのた
め、このようなウエハ表面処理装置を、例えば、無電解
めっき膜または液相酸化膜の形成に用いると、濾過部で
捕獲された異物が核となって濾過部の中でめっき膜また
は酸化膜が成長し、濾過部の目詰まりが進行しやすいと
いう問題点があった。
【0006】そこで本発明は、濾過部の目詰まりを防止
し、効率的にウエハへ表面処理を行えるウエハ表面処理
装置を提供することを目的とする。
し、効率的にウエハへ表面処理を行えるウエハ表面処理
装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のウエハ表面処理装置は、薬液を保持し、前記薬
液にウエハが浸漬されることによって前記ウエハに表面
処理を施すオーバーフロー式の処理槽と、処理槽の薬液
の温度を所定の温度に保つための温度調節機構と、前記
処理槽から溢れ出た薬液を前記処理槽へ循環させるため
の配管と、前記配管を通る薬液中の異物を濾過する濾過
部とを有するウエハ表面処理装置において、前記濾過部
での前記薬液の温度を、前記薬液から析出物が生成され
ない温度に調節するための第2の温度調節機構を有する
ことを特徴とする。
本発明のウエハ表面処理装置は、薬液を保持し、前記薬
液にウエハが浸漬されることによって前記ウエハに表面
処理を施すオーバーフロー式の処理槽と、処理槽の薬液
の温度を所定の温度に保つための温度調節機構と、前記
処理槽から溢れ出た薬液を前記処理槽へ循環させるため
の配管と、前記配管を通る薬液中の異物を濾過する濾過
部とを有するウエハ表面処理装置において、前記濾過部
での前記薬液の温度を、前記薬液から析出物が生成され
ない温度に調節するための第2の温度調節機構を有する
ことを特徴とする。
【0008】また、前記表面処理は、前記薬液中の成分
の一部を含む膜を前記ウエハの表面に形成する膜形成処
理であるものであってもよい。この場合、前記膜形成処
理としては、無電解金属膜形成処理や、液相酸化膜形成
処理がある。
の一部を含む膜を前記ウエハの表面に形成する膜形成処
理であるものであってもよい。この場合、前記膜形成処
理としては、無電解金属膜形成処理や、液相酸化膜形成
処理がある。
【0009】さらに、前記配管の、前記濾過部と前記処
理槽との間の部位に、該部位を流れる薬液の温度を、前
記濾過部での薬液の温度と前記処理槽での薬液の温度と
の間の温度に調節するための第3の温度調節機構を有す
るものであってもよい。
理槽との間の部位に、該部位を流れる薬液の温度を、前
記濾過部での薬液の温度と前記処理槽での薬液の温度と
の間の温度に調節するための第3の温度調節機構を有す
るものであってもよい。
【0010】
【作用】上記のとおり構成された本発明のウエハ表面処
理装置では、処理槽に満たされた薬液にウエハを浸漬さ
せることで、ウエハに方面処理がなされる。処理槽はオ
ーバーフロー式のもので、処理槽から溢れ出た薬液は、
配管を通り濾過部で異物が濾過された後、再び処理槽に
戻される。ここで、濾過部には、濾過部において薬液か
ら析出物が生成されない温度に調節するための第2の温
度調節機構が設けられているので、濾過部では析出物が
生成されなくなり、析出物による濾過部の目詰まりが防
止される。また、濾過部で析出物が生成されなくなるこ
とにより、薬液の濃度の変動がなくなり、ウエハへの表
面処理が安定して行われる。
理装置では、処理槽に満たされた薬液にウエハを浸漬さ
せることで、ウエハに方面処理がなされる。処理槽はオ
ーバーフロー式のもので、処理槽から溢れ出た薬液は、
配管を通り濾過部で異物が濾過された後、再び処理槽に
戻される。ここで、濾過部には、濾過部において薬液か
ら析出物が生成されない温度に調節するための第2の温
度調節機構が設けられているので、濾過部では析出物が
生成されなくなり、析出物による濾過部の目詰まりが防
止される。また、濾過部で析出物が生成されなくなるこ
とにより、薬液の濃度の変動がなくなり、ウエハへの表
面処理が安定して行われる。
【0011】一般に、ウエハの表面処理が、薬液中の成
分を含む膜をウエハの表面に形成させる膜形成処理の場
合、処理槽中の薬液は膜の析出または生成に必要な温度
に保たれており、濾過部においても膜を構成する物質が
析出または生成しやすくなっている。そのため、濾過部
の温度を上記のように調節することは、膜形成処理の場
合に特に有効である。
分を含む膜をウエハの表面に形成させる膜形成処理の場
合、処理槽中の薬液は膜の析出または生成に必要な温度
に保たれており、濾過部においても膜を構成する物質が
析出または生成しやすくなっている。そのため、濾過部
の温度を上記のように調節することは、膜形成処理の場
合に特に有効である。
【0012】また、配管の、濾過部と処理槽との間の部
位に第3の温度調節機構が設けられたものでは、該部位
を流れる薬液の温度は、濾過部での薬液の温度と処理槽
での薬液の温度との間の温度に調節される。したがっ
て、濾過部で温度調節された薬液が再び処理槽に供給さ
れたとき、供給された薬液の温度は無理なく処理槽の温
度に達する。
位に第3の温度調節機構が設けられたものでは、該部位
を流れる薬液の温度は、濾過部での薬液の温度と処理槽
での薬液の温度との間の温度に調節される。したがっ
て、濾過部で温度調節された薬液が再び処理槽に供給さ
れたとき、供給された薬液の温度は無理なく処理槽の温
度に達する。
【0013】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0014】図1は、本発明のウエハ表面処理装置の一
実施例の概略構成図である。図1に示すように、薬液3
が満たされ、この薬液3中に浸漬されたウエハ4に表面
処理を行うオーバーフロー式の処理槽1と、処理槽1か
らオーバーフローした薬液3を受ける外槽2とを有し、
処理槽1と外槽2とが、中間部にポンプ5および濾過部
6が設けられた配管7により互いに連通している点は、
従来のウエハ表面処理装置と同様である。
実施例の概略構成図である。図1に示すように、薬液3
が満たされ、この薬液3中に浸漬されたウエハ4に表面
処理を行うオーバーフロー式の処理槽1と、処理槽1か
らオーバーフローした薬液3を受ける外槽2とを有し、
処理槽1と外槽2とが、中間部にポンプ5および濾過部
6が設けられた配管7により互いに連通している点は、
従来のウエハ表面処理装置と同様である。
【0015】従来のウエハ表面処理装置と異なるのは、
薬液3の温度を調節する手段として、薬液3の温度をそ
れぞれ独立して調節するする3つの温度調節機構が設け
られている点である。すなわち、処理槽1中の薬液3の
温度を調節する第1の温度調節機構10と、濾過部6内
の薬液3の温度を調節する第2の温度調節機構20と、
濾過部6と処理槽1との間での配管7を流れる薬液3の
温度を調節する第3の温度調節機構30とである。
薬液3の温度を調節する手段として、薬液3の温度をそ
れぞれ独立して調節するする3つの温度調節機構が設け
られている点である。すなわち、処理槽1中の薬液3の
温度を調節する第1の温度調節機構10と、濾過部6内
の薬液3の温度を調節する第2の温度調節機構20と、
濾過部6と処理槽1との間での配管7を流れる薬液3の
温度を調節する第3の温度調節機構30とである。
【0016】第1の温度調節機構10は、図2に示した
温度調節機構110と同様に、処理槽1中の薬液3の温
度を検出する温度センサ11と、処理槽1を加熱・冷却
することによって処理槽1中の薬液3の温度を調節する
温度調節器13と、温度センサ11の検出結果に応じて
温度調節器13を制御するコントローラ12とで構成さ
れている。第2の温度調節機構20は、ポンプ5と濾過
部6との間での配管7を流れる薬液3の温度を検出する
温度センサ21と、濾過部6の温度を調節することによ
って濾過部6内の薬液3の温度を調節する温度調節器2
3と、温度センサ21の検出結果に応じて温度調節器2
3を制御するコントローラ22とで構成されている。第
3の温度調節機構30は、濾過部6と処理槽1との間で
の配管7を流れる薬液3の温度を検出する温度センサ3
1と、濾過部6と処理槽1との間での配管7の温度を調
節することによってその領域の薬液3の温度を調節する
温度調節器33と、温度センサ31の検出結果に応じて
温度調節器33を制御するコントローラ32とで構成さ
れている。
温度調節機構110と同様に、処理槽1中の薬液3の温
度を検出する温度センサ11と、処理槽1を加熱・冷却
することによって処理槽1中の薬液3の温度を調節する
温度調節器13と、温度センサ11の検出結果に応じて
温度調節器13を制御するコントローラ12とで構成さ
れている。第2の温度調節機構20は、ポンプ5と濾過
部6との間での配管7を流れる薬液3の温度を検出する
温度センサ21と、濾過部6の温度を調節することによ
って濾過部6内の薬液3の温度を調節する温度調節器2
3と、温度センサ21の検出結果に応じて温度調節器2
3を制御するコントローラ22とで構成されている。第
3の温度調節機構30は、濾過部6と処理槽1との間で
の配管7を流れる薬液3の温度を検出する温度センサ3
1と、濾過部6と処理槽1との間での配管7の温度を調
節することによってその領域の薬液3の温度を調節する
温度調節器33と、温度センサ31の検出結果に応じて
温度調節器33を制御するコントローラ32とで構成さ
れている。
【0017】上記構成に基づき、処理槽1中の薬液3
は、第1の温度調節機構10により、ウエハ4の表面処
理に必要な一定の温度に保たれ、この薬液3中にウエハ
4を浸漬させることでウエハ4の表面に処理が施され
る。
は、第1の温度調節機構10により、ウエハ4の表面処
理に必要な一定の温度に保たれ、この薬液3中にウエハ
4を浸漬させることでウエハ4の表面に処理が施され
る。
【0018】処理槽1からオーバーフローした薬液3は
外槽2で受けられ、ポンプ5により、配管7を通って処
理槽1に戻される。この途中で、薬液3中の異物等は濾
過部6で濾過される。また、濾過部6は第2の温度調節
機構20により、濾過部6内の薬液3の温度が、生成反
応を生じない温度または溶解反応温度となるように制御
されるので、濾過部6には析出物が生成されない。
外槽2で受けられ、ポンプ5により、配管7を通って処
理槽1に戻される。この途中で、薬液3中の異物等は濾
過部6で濾過される。また、濾過部6は第2の温度調節
機構20により、濾過部6内の薬液3の温度が、生成反
応を生じない温度または溶解反応温度となるように制御
されるので、濾過部6には析出物が生成されない。
【0019】そして、濾過部6から処理槽1までの間
で、薬液3の温度は、第1の温度調節機構10で調節さ
れる温度と第2の温度調節機構20で調節される温度と
の間の温度になるように調節される。これにより、第2
の温度調節機構20で温度が調節された薬液3が、無理
なくウエハ4の表面処理に必要な一定の温度に達するの
で、処理槽1の温度変化も小さくてすむ。
で、薬液3の温度は、第1の温度調節機構10で調節さ
れる温度と第2の温度調節機構20で調節される温度と
の間の温度になるように調節される。これにより、第2
の温度調節機構20で温度が調節された薬液3が、無理
なくウエハ4の表面処理に必要な一定の温度に達するの
で、処理槽1の温度変化も小さくてすむ。
【0020】次に、上述したウエハ表面処理装置を用い
たウエハ4への表面処理の具体的な例について、図1を
参照して説明する。
たウエハ4への表面処理の具体的な例について、図1を
参照して説明する。
【0021】(実施例1)ウエハ4に液相酸化膜を形成
する場合について説明する。一般に液相酸化膜の形成
は、ケイ弗酸溶液(SiF6 )の可逆反応を利用してウ
エハ4の表面に選択的に酸化絶縁膜を形成する方法で、
溶液の温度を調節することで生成反応と溶解反応とを制
御することが可能である。
する場合について説明する。一般に液相酸化膜の形成
は、ケイ弗酸溶液(SiF6 )の可逆反応を利用してウ
エハ4の表面に選択的に酸化絶縁膜を形成する方法で、
溶液の温度を調節することで生成反応と溶解反応とを制
御することが可能である。
【0022】例えば、薬液3としてはケイ弗酸溶液にA
lを添加した溶液を用いるとともに、第1の温度調節機
構10により、処理槽1中の薬液3の温度が、酸化絶縁
物の析出する温度である35〜40℃となるように調節
する。そして、ウエハ4を薬液3中に浸漬し、ポンプ5
を用いて薬液3を循環濾過することにより、ウエハ4の
表面に選択的に酸化絶縁膜が形成される。
lを添加した溶液を用いるとともに、第1の温度調節機
構10により、処理槽1中の薬液3の温度が、酸化絶縁
物の析出する温度である35〜40℃となるように調節
する。そして、ウエハ4を薬液3中に浸漬し、ポンプ5
を用いて薬液3を循環濾過することにより、ウエハ4の
表面に選択的に酸化絶縁膜が形成される。
【0023】この際、第2の温度調節機構20により濾
過部6内の薬液3の温度は、溶解反応方向である20〜
25℃に調節され、さらに、第3の温度調節機構30に
より濾過部6から処理槽1までの間の配管7を流れる薬
液3の温度が、30〜35℃に調節されている。このよ
うに、濾過部6では薬液3が溶解反応温度まで冷却され
ているので、濾過部6には、捕獲された異物を核とする
酸化絶縁物は生成せず、これによる濾過部6の目詰まり
は発生しない。具体的には、従来は処理開始後、約5時
間で濾過部6の目詰まりが発生していたが、本実施例の
ように濾過部6の温度を調節することにより、24時間
の連続処理が可能となった。また、濾過部6に薬液3の
析出物が発生しないことにより、薬液3の濃度の変動も
なくなり、ウエハ4への膜成長が安定して行える。
過部6内の薬液3の温度は、溶解反応方向である20〜
25℃に調節され、さらに、第3の温度調節機構30に
より濾過部6から処理槽1までの間の配管7を流れる薬
液3の温度が、30〜35℃に調節されている。このよ
うに、濾過部6では薬液3が溶解反応温度まで冷却され
ているので、濾過部6には、捕獲された異物を核とする
酸化絶縁物は生成せず、これによる濾過部6の目詰まり
は発生しない。具体的には、従来は処理開始後、約5時
間で濾過部6の目詰まりが発生していたが、本実施例の
ように濾過部6の温度を調節することにより、24時間
の連続処理が可能となった。また、濾過部6に薬液3の
析出物が発生しないことにより、薬液3の濃度の変動も
なくなり、ウエハ4への膜成長が安定して行える。
【0024】一方、濾過部6で冷却された薬液3は、処
理槽1に戻される前に、酸化絶縁物の析出反応温度近く
まで加熱されているので、処理槽1に戻されても無理な
く処理槽1の設定温度に達する。これにより、処理槽1
の温度変化も小さくてすみ、ウエハ4への膜成長をより
安定して行える。
理槽1に戻される前に、酸化絶縁物の析出反応温度近く
まで加熱されているので、処理槽1に戻されても無理な
く処理槽1の設定温度に達する。これにより、処理槽1
の温度変化も小さくてすみ、ウエハ4への膜成長をより
安定して行える。
【0025】(実施例2)次に、ウエハ4に無電解金め
っき膜を形成する場合について説明する。一般に無電解
金めっき膜の形成は、亜硫酸金塩の酸化還元反応を利用
してウエハ4の表面に選択的にめっき金膜を形成する方
法で、亜硫酸金塩溶液の温度を調節することで生成反応
速度を制御することが可能である。
っき膜を形成する場合について説明する。一般に無電解
金めっき膜の形成は、亜硫酸金塩の酸化還元反応を利用
してウエハ4の表面に選択的にめっき金膜を形成する方
法で、亜硫酸金塩溶液の温度を調節することで生成反応
速度を制御することが可能である。
【0026】例えば、薬液3としては亜硫酸金ソーダを
主成分とした溶液を用いるとともに、第1の温度調節機
構10により、処理槽1中の薬液3の温度が、めっき金
膜の析出する温度である65〜70℃となるように調節
する。そして、ウエハ4を薬液3中に浸漬し、ポンプ5
を用いて薬液3を循環濾過することにより、ウエハ4の
表面に選択的にめっき金膜が形成される。
主成分とした溶液を用いるとともに、第1の温度調節機
構10により、処理槽1中の薬液3の温度が、めっき金
膜の析出する温度である65〜70℃となるように調節
する。そして、ウエハ4を薬液3中に浸漬し、ポンプ5
を用いて薬液3を循環濾過することにより、ウエハ4の
表面に選択的にめっき金膜が形成される。
【0027】この際、第2の温度調節機構20により濾
過部6内の薬液3の温度は、生成反応が生じない20〜
25℃に調節され、さらに、第3の温度調節機構30に
より濾過部6から処理槽1までの間の配管7を流れる薬
液3の温度が、60〜65℃に調節されている。このよ
うに、濾過部6では薬液3が生成反応が生じない温度ま
で冷却されているので、濾過部6には、捕獲された異物
を核とするめっき金が異常生成せず、これによる濾過部
6の目詰まりは発生しない。また、濾過部6にめっき金
の異常生成が発生しないことにより、薬液3の濃度の変
動もなくなり、ウエハ4へのめっき金膜の成長が安定し
て行える。
過部6内の薬液3の温度は、生成反応が生じない20〜
25℃に調節され、さらに、第3の温度調節機構30に
より濾過部6から処理槽1までの間の配管7を流れる薬
液3の温度が、60〜65℃に調節されている。このよ
うに、濾過部6では薬液3が生成反応が生じない温度ま
で冷却されているので、濾過部6には、捕獲された異物
を核とするめっき金が異常生成せず、これによる濾過部
6の目詰まりは発生しない。また、濾過部6にめっき金
の異常生成が発生しないことにより、薬液3の濃度の変
動もなくなり、ウエハ4へのめっき金膜の成長が安定し
て行える。
【0028】一方、濾過部6で冷却された薬液3は、処
理槽1に戻される前に、めっき金膜の析出温度近くまで
加熱されているので、処理槽1に戻されても無理なく処
理槽1の設定温度に達する。これにより、処理槽1の温
度変化も小さくてすみ、ウエハ4へのめっき金膜の形成
をより安定して行える。
理槽1に戻される前に、めっき金膜の析出温度近くまで
加熱されているので、処理槽1に戻されても無理なく処
理槽1の設定温度に達する。これにより、処理槽1の温
度変化も小さくてすみ、ウエハ4へのめっき金膜の形成
をより安定して行える。
【0029】上述した実施例では、濾過部6と処理槽1
との間の配管7に第3の温度調節機構30を設けた例を
示したが、濾過部6で設定される温度と処理槽1で設定
される温度との温度差が大きくない場合や、第1の温度
調節機構10が濾過部6と処理槽1との間の配管7に設
けられ、ここで所定の温度に調節された薬液3が処理槽
1に供給される構成の場合(例えば、前述した特開昭6
0−16427号公報に記載されたような構成の場合)
には、第3の温度調節機構30は省略することができ
る。逆に、濾過部6で設定される温度と処理槽1で設定
される温度との温度差が大きく、第3の温度設定機構3
0のみでは処理槽1に供給される薬液3の温度を処理槽
1で設定される温度近くまで調節できない場合には、第
3の温度調節機構30の他に、さらに少なくとも1つの
別の温度調節機構を配管7に直列に設け、配管7を流れ
る薬液3の温度を処理槽1で設定される温度近くまで段
階的に近付けてもよい。
との間の配管7に第3の温度調節機構30を設けた例を
示したが、濾過部6で設定される温度と処理槽1で設定
される温度との温度差が大きくない場合や、第1の温度
調節機構10が濾過部6と処理槽1との間の配管7に設
けられ、ここで所定の温度に調節された薬液3が処理槽
1に供給される構成の場合(例えば、前述した特開昭6
0−16427号公報に記載されたような構成の場合)
には、第3の温度調節機構30は省略することができ
る。逆に、濾過部6で設定される温度と処理槽1で設定
される温度との温度差が大きく、第3の温度設定機構3
0のみでは処理槽1に供給される薬液3の温度を処理槽
1で設定される温度近くまで調節できない場合には、第
3の温度調節機構30の他に、さらに少なくとも1つの
別の温度調節機構を配管7に直列に設け、配管7を流れ
る薬液3の温度を処理槽1で設定される温度近くまで段
階的に近付けてもよい。
【0030】
【発明の効果】以上説明したとおり本発明のウエハ表面
処理装置は、濾過部において薬液から析出物が生成され
ない温度に調節するための第2の温度調節機構を設ける
ことにより、濾過部では析出物が生成されなくなるの
で、析出物による濾過部の目詰まりを防止することがで
きる。これにより、ウエハの表面処理を長時間連続して
行えるようになり、ウエハの表面処理を効率的に行うこ
とができる。また、析出物が生成されなくなることによ
り、薬液の濃度変化が発生せず、ウエハへの表面処理を
安定して行うことができる。
処理装置は、濾過部において薬液から析出物が生成され
ない温度に調節するための第2の温度調節機構を設ける
ことにより、濾過部では析出物が生成されなくなるの
で、析出物による濾過部の目詰まりを防止することがで
きる。これにより、ウエハの表面処理を長時間連続して
行えるようになり、ウエハの表面処理を効率的に行うこ
とができる。また、析出物が生成されなくなることによ
り、薬液の濃度変化が発生せず、ウエハへの表面処理を
安定して行うことができる。
【0031】これは、無電解金属膜の形成や液相酸化膜
の形成等、ウエハの表面処理が、薬液中の成分を含む膜
をウエハの表面に形成させる膜形成処理の場合に特に効
果的である。
の形成等、ウエハの表面処理が、薬液中の成分を含む膜
をウエハの表面に形成させる膜形成処理の場合に特に効
果的である。
【0032】また、配管の、濾過部と処理槽との間の部
位に第3の温度調節機構を設けることによって、薬液が
再び処理槽に供給されたとき、供給された薬液の温度を
無理なく処理槽の温度に到達させることができる。これ
により、処理槽温度変化も小さくてすみ、ウエハへの表
面処理をより安定して行えるようになる。
位に第3の温度調節機構を設けることによって、薬液が
再び処理槽に供給されたとき、供給された薬液の温度を
無理なく処理槽の温度に到達させることができる。これ
により、処理槽温度変化も小さくてすみ、ウエハへの表
面処理をより安定して行えるようになる。
【図1】本発明のウエハ表面処理装置の一実施例の概略
構成図である。
構成図である。
【図2】従来のウエハ表面処理装置の概略構成図であ
る。
る。
1 処理槽 2 外槽 3 薬液 4 ウエハ 5 ポンプ 6 濾過部 7 配管 10 第1の温度調節機構 11、21、31 温度センサ 12、22、32 コントローラ 13、23、33 温度調節器 20 第2の温度調節機構 30 第3の温度調節機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/306 // H01L 21/304 341 S
Claims (5)
- 【請求項1】 薬液を保持し、前記薬液にウエハが浸漬
されることによって前記ウエハに表面処理を施すオーバ
ーフロー式の処理槽と、処理槽の薬液の温度を所定の温
度に保つための温度調節機構と、前記処理槽から溢れ出
た薬液を前記処理槽へ循環させるための配管と、前記配
管を通る薬液中の異物を濾過する濾過部とを有するウエ
ハ表面処理装置において、 前記濾過部での前記薬液の温度を、前記薬液から析出物
が生成されない温度に調節するための第2の温度調節機
構を有することを特徴とするウエハ表面処理装置。 - 【請求項2】 前記表面処理は、前記薬液中の成分の一
部を含む膜を前記ウエハの表面に形成する膜形成処理で
ある請求項1に記載のウエハ表面処理装置。 - 【請求項3】 前記膜形成処理は、無電解金属膜形成処
理である請求項2に記載のウエハ表面処理装置。 - 【請求項4】 前記膜形成処理は、液相酸化膜形成処理
である請求項2に記載のウエハ表面処理装置。 - 【請求項5】 前記配管の、前記濾過部と前記処理槽と
の間の部位に、該部位を流れる薬液の温度を、前記濾過
部での薬液の温度と前記処理槽での薬液の温度との間の
温度に調節するための第3の温度調節機構を有する請求
項1ないし4のいずれか1項に記載のウエハ表面処理装
置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6252029A JP2655098B2 (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 薬液を用いたウエハ表面処理装置 |
US08/543,286 US5741362A (en) | 1994-10-18 | 1995-10-16 | Wafer surface treating apparatus using chemical |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6252029A JP2655098B2 (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 薬液を用いたウエハ表面処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08120462A true JPH08120462A (ja) | 1996-05-14 |
JP2655098B2 JP2655098B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=17231599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6252029A Expired - Lifetime JP2655098B2 (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | 薬液を用いたウエハ表面処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5741362A (ja) |
JP (1) | JP2655098B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6241827B1 (en) | 1998-02-17 | 2001-06-05 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning a workpiece |
JP2006507404A (ja) * | 2002-06-21 | 2006-03-02 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 無電解メッキ槽の温度制御手順 |
JP2018133558A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP2019206729A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8257781B1 (en) * | 2002-06-28 | 2012-09-04 | Novellus Systems, Inc. | Electroless plating-liquid system |
US7252714B2 (en) * | 2002-07-16 | 2007-08-07 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for thermally controlled processing of microelectronic workpieces |
US20050016201A1 (en) * | 2003-07-22 | 2005-01-27 | Ivanov Igor C. | Multi-staged heating system for fabricating microelectronic devices |
KR100973812B1 (ko) * | 2003-09-18 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 제조를 위한 약액 공급 시스템 |
TWI334624B (en) * | 2006-01-30 | 2010-12-11 | Dainippon Screen Mfg | Apparatus for and method for processing substrate |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6016427A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Toshiba Corp | 酸化膜エツチング装置 |
JPS6365621A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Nec Corp | X線露光マスク |
JPH0750282A (ja) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Nec Yamagata Ltd | 半導体製造装置 |
-
1994
- 1994-10-18 JP JP6252029A patent/JP2655098B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-10-16 US US08/543,286 patent/US5741362A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6241827B1 (en) | 1998-02-17 | 2001-06-05 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning a workpiece |
US6357458B2 (en) | 1998-02-17 | 2002-03-19 | Tokyo Electron Limited | Cleaning apparatus and cleaning method |
JP2006507404A (ja) * | 2002-06-21 | 2006-03-02 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 無電解メッキ槽の温度制御手順 |
JP2018133558A (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP2019206729A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5741362A (en) | 1998-04-21 |
JP2655098B2 (ja) | 1997-09-17 |
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