JPH07312511A - マイクロ波用多層複合基板およびその製造方法 - Google Patents
マイクロ波用多層複合基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH07312511A JPH07312511A JP6105255A JP10525594A JPH07312511A JP H07312511 A JPH07312511 A JP H07312511A JP 6105255 A JP6105255 A JP 6105255A JP 10525594 A JP10525594 A JP 10525594A JP H07312511 A JPH07312511 A JP H07312511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- layer
- microwaves
- green sheet
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体層と絶縁体層と間の接合性を高めるこ
とにより、焼成に起因する層間剥離及び基板の反りを防
止し、これにより、品質の安定性及び信頼性が向上した
マイクロ波用多層複合基板を実現する。 【構成】 マイクロ波用誘電体材料よりなる第１及び第
２の誘電体層４，６とガラスセラミックス材料よりなる
第１及び第２の絶縁体層１，９との間には第１及び第２
の中間層２，８が介在している。第１及び第２の中間層
２，８の組成は、マイクロ波用誘電体材料とガラスセラ
ミックス材料との混合物、又はマイクロ波用誘電体材料
とガラス粉末との混合物である。マイクロ波用誘電体材
料としては、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 を主成分
とする誘電体セラッミクス材料や、少なくともＢａＯ、
Ｎｄ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 を主成分とする材料にガラス粉末
を添加した誘電体セラミックス材料などが挙げられる。
とにより、焼成に起因する層間剥離及び基板の反りを防
止し、これにより、品質の安定性及び信頼性が向上した
マイクロ波用多層複合基板を実現する。 【構成】 マイクロ波用誘電体材料よりなる第１及び第
２の誘電体層４，６とガラスセラミックス材料よりなる
第１及び第２の絶縁体層１，９との間には第１及び第２
の中間層２，８が介在している。第１及び第２の中間層
２，８の組成は、マイクロ波用誘電体材料とガラスセラ
ミックス材料との混合物、又はマイクロ波用誘電体材料
とガラス粉末との混合物である。マイクロ波用誘電体材
料としては、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣａＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 を主成分
とする誘電体セラッミクス材料や、少なくともＢａＯ、
Ｎｄ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 を主成分とする材料にガラス粉末
を添加した誘電体セラミックス材料などが挙げられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、共振器やフィルタを基
板内部に内蔵したマイクロ波用多層複合基板およびその
製造方法に関するものである。
板内部に内蔵したマイクロ波用多層複合基板およびその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、低温焼結マイクロ波用誘電体セラ
ミックスの開発によって、使用できる導体金属として低
抵抗であるＡｇ、Ｃｕなどの利用が可能となり、マイク
ロ波領域においても積層デバイス化が可能となった。
ミックスの開発によって、使用できる導体金属として低
抵抗であるＡｇ、Ｃｕなどの利用が可能となり、マイク
ロ波領域においても積層デバイス化が可能となった。
【０００３】マイクロ波用多層複合基板は次のように作
製されていた。すなわち、マイクロ波用誘電体グリーン
シート上に前記導体金属のペーストを用いて電極パター
ンをスクリーン印刷した後、該印刷面上に同種のマイク
ロ波用誘電体グリーンシートを積層する。この工程を繰
り返すことにより、共振器又はフィルタを構成する誘電
体層を作製する。
製されていた。すなわち、マイクロ波用誘電体グリーン
シート上に前記導体金属のペーストを用いて電極パター
ンをスクリーン印刷した後、該印刷面上に同種のマイク
ロ波用誘電体グリーンシートを積層する。この工程を繰
り返すことにより、共振器又はフィルタを構成する誘電
体層を作製する。
【０００４】次に、該誘電体層の片面又は両面に絶縁体
層を積層した後、大気中又は低酸素雰囲気中において焼
成を行ない、マイクロ波用多層複合基板を得る。
層を積層した後、大気中又は低酸素雰囲気中において焼
成を行ない、マイクロ波用多層複合基板を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来のマイクロ波用多層複合基板によると、焼成過程
中における両者間の収縮開始温度や最終収縮率の差異、
又は冷却過程中における両者間の熱膨張率の差異によ
り、誘電体層と絶縁体層との間の接合部分で基板の反り
又は層間剥離が生じ、品質の安定性及び信頼性が損なわ
れるという問題があった。
た従来のマイクロ波用多層複合基板によると、焼成過程
中における両者間の収縮開始温度や最終収縮率の差異、
又は冷却過程中における両者間の熱膨張率の差異によ
り、誘電体層と絶縁体層との間の接合部分で基板の反り
又は層間剥離が生じ、品質の安定性及び信頼性が損なわ
れるという問題があった。
【０００６】前記に鑑み、本発明は、誘電体層と絶縁体
層と間の接合性を高めることにより、焼成に起因する層
間剥離及び基板の反りを防止し、これにより、品質の安
定性及び信頼性が向上したマイクロ波用多層複合基板及
びその製造方法を提供することを目的とする。
層と間の接合性を高めることにより、焼成に起因する層
間剥離及び基板の反りを防止し、これにより、品質の安
定性及び信頼性が向上したマイクロ波用多層複合基板及
びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、誘電体層と絶縁体層との間に、
これら両層のうちの少なくとも１つと接合すると共にこ
れら両層間の収縮開始温度、最終収縮率及び熱膨張率の
差異を緩和する中間層を設けるものであって、具体的に
は、マイクロ波用多層複合基板を、比誘電率が１５以
上、１ＧＨｚにおける無負荷Ｑ値が５００以上、共振周
波数の温度変化率の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下である
マイクロ波用誘電体材料よりなる誘電体層と、該誘電体
層の両面側又は片面側に設けられた比誘電率が１５以下
の絶縁体材料よりなる絶縁体層と、前記誘電体層と前記
絶縁体層との間に介在し、前記マイクロ波用誘電体材料
の構成成分及び前記絶縁体材料の構成成分のうちの少な
くとも１つを含む中間層材料よりなる中間層とから構成
するものである。
に、請求項１の発明は、誘電体層と絶縁体層との間に、
これら両層のうちの少なくとも１つと接合すると共にこ
れら両層間の収縮開始温度、最終収縮率及び熱膨張率の
差異を緩和する中間層を設けるものであって、具体的に
は、マイクロ波用多層複合基板を、比誘電率が１５以
上、１ＧＨｚにおける無負荷Ｑ値が５００以上、共振周
波数の温度変化率の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下である
マイクロ波用誘電体材料よりなる誘電体層と、該誘電体
層の両面側又は片面側に設けられた比誘電率が１５以下
の絶縁体材料よりなる絶縁体層と、前記誘電体層と前記
絶縁体層との間に介在し、前記マイクロ波用誘電体材料
の構成成分及び前記絶縁体材料の構成成分のうちの少な
くとも１つを含む中間層材料よりなる中間層とから構成
するものである。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１の構成に、前
記誘電体材料は、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を
主成分とする誘電体セラミックス材料であるという構成
を付加するものである。
記誘電体材料は、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を
主成分とする誘電体セラミックス材料であるという構成
を付加するものである。
【０００９】請求項３の発明は、請求項１の構成に、前
記マイクロ波用誘電体材料は、ＢａＯ、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＯ2 及びガラスを主成分とする誘電体セラミックス材
料であるという構成を付加するものである。
記マイクロ波用誘電体材料は、ＢａＯ、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＯ2 及びガラスを主成分とする誘電体セラミックス材
料であるという構成を付加するものである。
【００１０】請求項４の発明は、請求項１の構成に、前
記中間層材料は、請求項２又は３に記載の誘電体セラミ
ックス材料と前記絶縁体材料との混合物であり、請求項
２又は３に記載の誘電体セラミックス材料と前記絶縁体
材料との混合重量比率は９０：１０〜１０：９０の範囲
内であるという構成を付加するものである。
記中間層材料は、請求項２又は３に記載の誘電体セラミ
ックス材料と前記絶縁体材料との混合物であり、請求項
２又は３に記載の誘電体セラミックス材料と前記絶縁体
材料との混合重量比率は９０：１０〜１０：９０の範囲
内であるという構成を付加するものである。
【００１１】請求項５の発明は、前記中間層材料は、請
求項２又は３に記載の誘電体セラミックス材料と、Ｂ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 又はＢａＯのいずれかを含有するガラス
材料との混合物であり、請求項２又は３に記載の誘電体
セラミックス材料と前記ガラス材料との混合重量比率は
９８：２〜１０：９０の範囲内であるという構成を付加
するものである。
求項２又は３に記載の誘電体セラミックス材料と、Ｂ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 又はＢａＯのいずれかを含有するガラス
材料との混合物であり、請求項２又は３に記載の誘電体
セラミックス材料と前記ガラス材料との混合重量比率は
９８：２〜１０：９０の範囲内であるという構成を付加
するものである。
【００１２】請求項６の発明は、前記マイクロ波用誘電
体材料はＢｉ2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分と
する誘電体セラミックス材料であり、前記中間層材料は
前記誘電体セラミックス材料に０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ
％のＺｎＯが添加された材料であるという構成を付加す
るものである。
体材料はＢｉ2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分と
する誘電体セラミックス材料であり、前記中間層材料は
前記誘電体セラミックス材料に０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ
％のＺｎＯが添加された材料であるという構成を付加す
るものである。
【００１３】請求項７の発明は、請求項１の発明に係る
マイクロ波用多層複合基板の製造方法であって、マイク
ロ波用誘電体材料よりなる第１のグリーンシート、比誘
電率が１５以下の絶縁体材料よりなる第２のグリーンシ
ート、及び前記マイクロ波用誘電体材料の構成成分及び
前記絶縁体材料の構成成分のうちの少なくとも１つを含
む材料よりなる第３のグリーンシートをそれぞれ作製す
る工程と、前記第１のグリーンシートと導体材料よりな
るペーストとを用いて電極を内蔵した誘電体層を作製す
る工程と、前記誘電体層の片面側又は両面側に前記第３
のグリーンシートを積層する工程と、前記第３のグリー
ン層の上に前記第２のグリーンシートを積層する工程
と、前記誘電体層、第３のグリーンシート及び第２のグ
リーンシートよりなる複合積層体を熱圧着及び焼成する
工程とを備えている構成である。
マイクロ波用多層複合基板の製造方法であって、マイク
ロ波用誘電体材料よりなる第１のグリーンシート、比誘
電率が１５以下の絶縁体材料よりなる第２のグリーンシ
ート、及び前記マイクロ波用誘電体材料の構成成分及び
前記絶縁体材料の構成成分のうちの少なくとも１つを含
む材料よりなる第３のグリーンシートをそれぞれ作製す
る工程と、前記第１のグリーンシートと導体材料よりな
るペーストとを用いて電極を内蔵した誘電体層を作製す
る工程と、前記誘電体層の片面側又は両面側に前記第３
のグリーンシートを積層する工程と、前記第３のグリー
ン層の上に前記第２のグリーンシートを積層する工程
と、前記誘電体層、第３のグリーンシート及び第２のグ
リーンシートよりなる複合積層体を熱圧着及び焼成する
工程とを備えている構成である。
【００１４】
【作用】請求項１の構成により、誘電体層と絶縁体層と
の間に、誘電体層を形成するマイクロ波用誘電体材料の
構成成分及び絶縁体層を形成する絶縁体材料の構成成分
のうちの少なくとも１つを含む中間層が介在しているた
め、中間層に含まれる成分のうち誘電体層又は絶縁体層
に含まれる成分と同一の成分が接合界面で反応する。
の間に、誘電体層を形成するマイクロ波用誘電体材料の
構成成分及び絶縁体層を形成する絶縁体材料の構成成分
のうちの少なくとも１つを含む中間層が介在しているた
め、中間層に含まれる成分のうち誘電体層又は絶縁体層
に含まれる成分と同一の成分が接合界面で反応する。
【００１５】また、誘電体層と絶縁体層との間の収縮開
始温度、最終収縮率及び熱膨張率などの差異は中間層が
介在することによって緩和される。
始温度、最終収縮率及び熱膨張率などの差異は中間層が
介在することによって緩和される。
【００１６】請求項２の構成により、マイクロ波用誘電
体材料がＢｉ2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分と
する誘電体セラミックス材料であるため、焼結温度が１
０５０℃以下、比誘電率が１５以上、１ＧＨｚにおける
無負荷Ｑ値が５００以上、共振周波数の温度変化率の絶
対値が５０ｐｐｍ／℃以下であるマイクロ波用誘電体材
料を確実に得ることができる。
体材料がＢｉ2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分と
する誘電体セラミックス材料であるため、焼結温度が１
０５０℃以下、比誘電率が１５以上、１ＧＨｚにおける
無負荷Ｑ値が５００以上、共振周波数の温度変化率の絶
対値が５０ｐｐｍ／℃以下であるマイクロ波用誘電体材
料を確実に得ることができる。
【００１７】請求項３の構成により、マイクロ波用誘電
体材料がＢａＯ、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びガラスを主
成分とする誘電体セラミックス材料であるため、焼結温
度が１０５０℃以下、比誘電率が１５以上、１ＧＨｚに
おける無負荷Ｑ値が５００以上、共振周波数の温度変化
率の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下であるマイクロ波用誘
電体材料を確実に得ることができる。
体材料がＢａＯ、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びガラスを主
成分とする誘電体セラミックス材料であるため、焼結温
度が１０５０℃以下、比誘電率が１５以上、１ＧＨｚに
おける無負荷Ｑ値が５００以上、共振周波数の温度変化
率の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下であるマイクロ波用誘
電体材料を確実に得ることができる。
【００１８】請求項４の構成により、中間層材料は請求
項２又は３に記載の誘電体セラミックス材料と前記絶縁
体材料との混合物であり、前者と後者との混合重量比率
が９０：１０〜１０：９０の範囲内であるため、誘電体
層と中間層との接合性及び絶縁体層と中間層との接合性
がそれぞれ向上すると共に、誘電体層と絶縁体層との間
の収縮開始温度、最終収縮率及び熱膨張率などの差異は
中間層によって確実に緩和される。
項２又は３に記載の誘電体セラミックス材料と前記絶縁
体材料との混合物であり、前者と後者との混合重量比率
が９０：１０〜１０：９０の範囲内であるため、誘電体
層と中間層との接合性及び絶縁体層と中間層との接合性
がそれぞれ向上すると共に、誘電体層と絶縁体層との間
の収縮開始温度、最終収縮率及び熱膨張率などの差異は
中間層によって確実に緩和される。
【００１９】請求項５の構成により、中間層材料は請求
項２又は３に記載の誘電体セラミックス材料と、Ｂ2 Ｏ
3 、ＳｉＯ2 又はＢａＯのいずれかを含有するガラス材
料との混合物であり、前者と後者との混合重量比率が９
８：２〜１０：９０の範囲内であるため、誘電体層と中
間層との接合性及び絶縁体層と中間層との接合性がそれ
ぞれ向上すると共に、誘電体層と絶縁体層との間の収縮
開始温度、最終収縮率及び熱膨張率などの差異は中間層
によって確実に緩和される。
項２又は３に記載の誘電体セラミックス材料と、Ｂ2 Ｏ
3 、ＳｉＯ2 又はＢａＯのいずれかを含有するガラス材
料との混合物であり、前者と後者との混合重量比率が９
８：２〜１０：９０の範囲内であるため、誘電体層と中
間層との接合性及び絶縁体層と中間層との接合性がそれ
ぞれ向上すると共に、誘電体層と絶縁体層との間の収縮
開始温度、最終収縮率及び熱膨張率などの差異は中間層
によって確実に緩和される。
【００２０】請求項６の構成により、マイクロ波用誘電
体材料はＢｉ2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分と
する誘電体セラミックス材料であり、中間層材料は前記
誘電体セラミックス材料に０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％の
ＺｎＯが添加された材料であるため、Ｂｉ2 Ｏ3 とＺｎ
Ｏとは低融点化合物を形成し、液相焼結を促進するた
め、特に誘電体層と中間層との接合性が向上すると共
に、誘電体層と絶縁体層との間の収縮開始温度、最終収
縮率及び熱膨張率などの差異は中間層によって確実に緩
和される。
体材料はＢｉ2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分と
する誘電体セラミックス材料であり、中間層材料は前記
誘電体セラミックス材料に０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％の
ＺｎＯが添加された材料であるため、Ｂｉ2 Ｏ3 とＺｎ
Ｏとは低融点化合物を形成し、液相焼結を促進するた
め、特に誘電体層と中間層との接合性が向上すると共
に、誘電体層と絶縁体層との間の収縮開始温度、最終収
縮率及び熱膨張率などの差異は中間層によって確実に緩
和される。
【００２１】請求項７の構成により、マイクロ波用誘電
体材料よりなる第１のグリーンシートと導体材料よりな
る誘電体層の片面側又は両面側に、マイクロ波用誘電体
材料の構成成分及び絶縁体材料の構成成分のうちの少な
くとも１つの成分を含む材料よりなる第３のグリーンシ
ートを積層した後、該第３のグリーン層の上に比誘電率
が１５以下の絶縁体材料よりなる第２のグリーンシート
を積層するため、誘電体層と絶縁体層との間に、誘電体
層を形成するマイクロ波用誘電体材料の構成成分及び絶
縁体層を形成する絶縁体材料の構成成分のうちの少なく
とも１つの成分を含む中間層を介在させることができ
る。
体材料よりなる第１のグリーンシートと導体材料よりな
る誘電体層の片面側又は両面側に、マイクロ波用誘電体
材料の構成成分及び絶縁体材料の構成成分のうちの少な
くとも１つの成分を含む材料よりなる第３のグリーンシ
ートを積層した後、該第３のグリーン層の上に比誘電率
が１５以下の絶縁体材料よりなる第２のグリーンシート
を積層するため、誘電体層と絶縁体層との間に、誘電体
層を形成するマイクロ波用誘電体材料の構成成分及び絶
縁体層を形成する絶縁体材料の構成成分のうちの少なく
とも１つの成分を含む中間層を介在させることができ
る。
【００２２】
【実施例】以下、本発明に係るマイクロ波用多層複合基
板の一実施例について説明する。図１は本発明に係るマ
イクロ波用多層複合基板の断面構造を示しており、同図
に示すように、第１の絶縁層１の上に、第１の中間層
２、第１の導体層３、第１の誘電体層４、第２の導体層
５、第２の誘電体層６、第３の導体層７、第２の中間層
８及び第２の絶縁層９が順次形成され、第２の絶縁層９
の上に形成された表面電極１０は第２の導体層５に接続
されている。本発明に係るマイクロ波用多層複合基板
は、共振器又はフィルタ部分となる第１及び第２の誘電
体層４，６の上下面に第１及び第２の中間層２，８を介
して第１及び第２の絶縁体層１，９が積層された多層複
合構造である。すなわち、第１及び第２の誘電体層４，
６と第１及び第２の絶縁体層１，９とは直接に接触せず
に、第１及び第２の中間層２，８を介して積層されてい
る。尚、第２の導体層５と表面電極１０との接続は、グ
リーンシートにパンチング等により形成したスルーホー
ル１１に導体ペーストを充填することにより実現した。
板の一実施例について説明する。図１は本発明に係るマ
イクロ波用多層複合基板の断面構造を示しており、同図
に示すように、第１の絶縁層１の上に、第１の中間層
２、第１の導体層３、第１の誘電体層４、第２の導体層
５、第２の誘電体層６、第３の導体層７、第２の中間層
８及び第２の絶縁層９が順次形成され、第２の絶縁層９
の上に形成された表面電極１０は第２の導体層５に接続
されている。本発明に係るマイクロ波用多層複合基板
は、共振器又はフィルタ部分となる第１及び第２の誘電
体層４，６の上下面に第１及び第２の中間層２，８を介
して第１及び第２の絶縁体層１，９が積層された多層複
合構造である。すなわち、第１及び第２の誘電体層４，
６と第１及び第２の絶縁体層１，９とは直接に接触せず
に、第１及び第２の中間層２，８を介して積層されてい
る。尚、第２の導体層５と表面電極１０との接続は、グ
リーンシートにパンチング等により形成したスルーホー
ル１１に導体ペーストを充填することにより実現した。
【００２３】以下、本発明に係るマイクロ波用多層複合
基板の製造方法の実施例について説明する。
基板の製造方法の実施例について説明する。
【００２４】（実施例１）まず、第１及び第２の誘電体
層４，６を形成するためのマイクロ波用誘電体材料につ
いて説明する。
層４，６を形成するためのマイクロ波用誘電体材料につ
いて説明する。
【００２５】Ｂｉ2 Ｏ3 ：６３．７ｗｔ％、ＣａＣ
Ｏ3 ：１２．２ｗｔ％、Ｎｂ2 Ｏ5 ：２４．１ｗｔ％と
なるように調製した粉末にＣｕＯを０．５ｗｔ％添加し
た後、良く混合する。以下においては、前記組成のマイ
クロ波用誘電体材料を第１の誘電体材料と称する。第１
の誘電体材料を９００℃で焼成して得られる焼結体の特
性は、比誘電率εr ＝５８、無負荷Ｑ＝６５０（３．８
ＧＨｚ）、共振周波数の温度特性τf ＝＋２３ｐｐｍ／
℃であった。
Ｏ3 ：１２．２ｗｔ％、Ｎｂ2 Ｏ5 ：２４．１ｗｔ％と
なるように調製した粉末にＣｕＯを０．５ｗｔ％添加し
た後、良く混合する。以下においては、前記組成のマイ
クロ波用誘電体材料を第１の誘電体材料と称する。第１
の誘電体材料を９００℃で焼成して得られる焼結体の特
性は、比誘電率εr ＝５８、無負荷Ｑ＝６５０（３．８
ＧＨｚ）、共振周波数の温度特性τf ＝＋２３ｐｐｍ／
℃であった。
【００２６】その後、第１の誘電体材料の混合粉末に有
機バインダ、溶剤及び可塑剤を加え、混合してスラリー
を得た後、該スラリーをドクターブレード法により、
０．１〜０．３ｍｍの厚さの第１のグリーンシートに成
膜する。
機バインダ、溶剤及び可塑剤を加え、混合してスラリー
を得た後、該スラリーをドクターブレード法により、
０．１〜０．３ｍｍの厚さの第１のグリーンシートに成
膜する。
【００２７】次に、第１及び第２の絶縁体層１，９を形
成するための絶縁体材料について説明する。
成するための絶縁体材料について説明する。
【００２８】絶縁体材料としては、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 系のガラス粉末とフィラーとしてのＡｌ2 Ｏ3
との混合比率が５０：５０（ｗｔ％）であるガラスセラ
ミックを用いる。以下においては、前記組成の絶縁体材
料を第１の絶縁体材料と称する。第１の絶縁体材料を前
記と同様にして、ドクターブレード法により０．１〜
０．３ｍｍの厚さの第２のグリーンシートを作製した。
第１の絶縁体材料を９００℃で焼成して得られる焼結体
の特性は、比誘電率７、無負荷Ｑ＝１３００（５．０Ｇ
Ｈｚ）、共振周波数の温度特性τf ＝−４０ｐｐｍ／
℃、抗折強度２５００（ｋｇ／ｃｍ2 ）であった。尚、
絶縁体材料のとしては、ガラスセラミック以外にコージ
ュライト系セラミック、ムライト系セラミック、フォル
ステライト系セラミックなどが挙げられるが、比誘電率
が１５以下で、８００〜１０５０℃で焼成できるもので
あれば特にその種類は問わない。
ＳｉＯ2 系のガラス粉末とフィラーとしてのＡｌ2 Ｏ3
との混合比率が５０：５０（ｗｔ％）であるガラスセラ
ミックを用いる。以下においては、前記組成の絶縁体材
料を第１の絶縁体材料と称する。第１の絶縁体材料を前
記と同様にして、ドクターブレード法により０．１〜
０．３ｍｍの厚さの第２のグリーンシートを作製した。
第１の絶縁体材料を９００℃で焼成して得られる焼結体
の特性は、比誘電率７、無負荷Ｑ＝１３００（５．０Ｇ
Ｈｚ）、共振周波数の温度特性τf ＝−４０ｐｐｍ／
℃、抗折強度２５００（ｋｇ／ｃｍ2 ）であった。尚、
絶縁体材料のとしては、ガラスセラミック以外にコージ
ュライト系セラミック、ムライト系セラミック、フォル
ステライト系セラミックなどが挙げられるが、比誘電率
が１５以下で、８００〜１０５０℃で焼成できるもので
あれば特にその種類は問わない。
【００２９】次に、第１及び第２の中間層２，８を形成
する中間層材料について説明する。第１の誘電体材料と
第１の絶縁体材料との混合組成（以下、第１の中間層材
料と称する。）、第１の誘電体材料とガラスとの混合組
成（以下、第２の中間層材料と称する。）、及び第１の
誘電体材料にＺｎＯを添加した組成（以下、第３の中間
層材料と称する。）からなるグリーンシートをそれぞれ
用いた。混合比率は、第１の中間層材料及び第２の中間
層材料については、それぞれ（表１）、（表２）に示す
通りであり、第２の中間層材料については、添加したガ
ラスの組成系も示した。また、それぞれのグリーンシー
トにシート番号（Ｃ−１〜Ｃ−７、Ｄ−１〜Ｄ−１１）
を表示した。第３の中間層材料については、第１の誘電
体材料に対してＺｎＯを０．１ｗｔ％、０．５ｗｔ％、
５ｗｔ％、１０ｗｔ％及び２０ｗｔ％づつ添加した（シ
ート番号は順にＥ−１からＥ−５とする。）。グリーン
シートとしては、前記と同様にドクターブレード法によ
り、シート厚さ０．１〜０．３ｍｍのものを作製した。
する中間層材料について説明する。第１の誘電体材料と
第１の絶縁体材料との混合組成（以下、第１の中間層材
料と称する。）、第１の誘電体材料とガラスとの混合組
成（以下、第２の中間層材料と称する。）、及び第１の
誘電体材料にＺｎＯを添加した組成（以下、第３の中間
層材料と称する。）からなるグリーンシートをそれぞれ
用いた。混合比率は、第１の中間層材料及び第２の中間
層材料については、それぞれ（表１）、（表２）に示す
通りであり、第２の中間層材料については、添加したガ
ラスの組成系も示した。また、それぞれのグリーンシー
トにシート番号（Ｃ−１〜Ｃ−７、Ｄ−１〜Ｄ−１１）
を表示した。第３の中間層材料については、第１の誘電
体材料に対してＺｎＯを０．１ｗｔ％、０．５ｗｔ％、
５ｗｔ％、１０ｗｔ％及び２０ｗｔ％づつ添加した（シ
ート番号は順にＥ−１からＥ−５とする。）。グリーン
シートとしては、前記と同様にドクターブレード法によ
り、シート厚さ０．１〜０．３ｍｍのものを作製した。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】次に、第１、第２及び第３の導体層３，
５，７を形成する導体金属について説明する。導体金属
としては、低抵抗であるＡｇ及びＣｕの金属を選んだ。
尚、スルーホール及び表面電極の導体金属も、マイクロ
波領域では低抵抗であるＡｇ、Ｃｕが望ましい。前記の
導体金属をビヒクルと混練してペースト化した。尚、導
体金属がＣｕの場合にはＣｕＯペーストを用いた。この
導体ペーストを用いて、第１のグリーンシートが複数枚
積層されてなる誘電体層と、第２のグリーンシートから
なる絶縁体層とに、それぞれ所定の導体配線パターンを
印刷した。そして、これらの導体パターンが印刷された
グリーンシートの他に、中間層としてシート番号：Ｃ−
１〜Ｃ−７、Ｄ−１〜Ｄ−１１及びＥ−１〜Ｅ−５の中
から選ばれる１種類のグリーンシートを用いて、図１に
示した順に重ね、プレス内において温度６０℃、圧力５
０ＭＰａで２分間加圧して積層体を得た。
５，７を形成する導体金属について説明する。導体金属
としては、低抵抗であるＡｇ及びＣｕの金属を選んだ。
尚、スルーホール及び表面電極の導体金属も、マイクロ
波領域では低抵抗であるＡｇ、Ｃｕが望ましい。前記の
導体金属をビヒクルと混練してペースト化した。尚、導
体金属がＣｕの場合にはＣｕＯペーストを用いた。この
導体ペーストを用いて、第１のグリーンシートが複数枚
積層されてなる誘電体層と、第２のグリーンシートから
なる絶縁体層とに、それぞれ所定の導体配線パターンを
印刷した。そして、これらの導体パターンが印刷された
グリーンシートの他に、中間層としてシート番号：Ｃ−
１〜Ｃ−７、Ｄ−１〜Ｄ−１１及びＥ−１〜Ｅ−５の中
から選ばれる１種類のグリーンシートを用いて、図１に
示した順に重ね、プレス内において温度６０℃、圧力５
０ＭＰａで２分間加圧して積層体を得た。
【００３３】その後、積層体を空気中において７００℃
の温度下で熱処理をしてバインダを飛散させた。さら
に、Ａｇペーストを用いた場合には空気中において９０
０℃の温度下で２時間で焼成し、ＣｕＯペーストを用い
た場合にはＨ2 中において熱処理を行なって導体をＣｕ
に還元した後、Ｎ2 中において９００℃の温度下で２時
間で焼成して、それぞれ、マイクロ波用多層複合基板を
得た。
の温度下で熱処理をしてバインダを飛散させた。さら
に、Ａｇペーストを用いた場合には空気中において９０
０℃の温度下で２時間で焼成し、ＣｕＯペーストを用い
た場合にはＨ2 中において熱処理を行なって導体をＣｕ
に還元した後、Ｎ2 中において９００℃の温度下で２時
間で焼成して、それぞれ、マイクロ波用多層複合基板を
得た。
【００３４】以上の工程より作製したマイクロ波用多層
複合基板について、基板の反り及び層間剥離を調べた結
果を（表３）に示す。
複合基板について、基板の反り及び層間剥離を調べた結
果を（表３）に示す。
【００３５】
【表３】
【００３６】（比較例１）比較のために、前記の第１及
び第２の中間層２，８が介在しない以外は、実施例１と
同様の構造を有する積層体を、実施例１と同じグリーン
シートを用いて作製したが、この積層体は誘電体層と絶
縁体層との界面で全面剥離し、接合は不可能であった。
び第２の中間層２，８が介在しない以外は、実施例１と
同様の構造を有する積層体を、実施例１と同じグリーン
シートを用いて作製したが、この積層体は誘電体層と絶
縁体層との界面で全面剥離し、接合は不可能であった。
【００３７】以上の結果から分かるように、実施例１に
係るマイクロ波用多層複合基板は、基板の反り及び層間
剥離が極めて有効に防止されており、著しい改善効果が
あった。特に、第１誘電体材料とガラスとの混合組成に
より中間層を形成した場合には、極めて接合性の高い基
板が得られた。尚、Ａｇ、ＣｕＯのいずれの導体ペース
トを用いても同じ結果となった。
係るマイクロ波用多層複合基板は、基板の反り及び層間
剥離が極めて有効に防止されており、著しい改善効果が
あった。特に、第１誘電体材料とガラスとの混合組成に
より中間層を形成した場合には、極めて接合性の高い基
板が得られた。尚、Ａｇ、ＣｕＯのいずれの導体ペース
トを用いても同じ結果となった。
【００３８】（実施例２）誘電体層を与えるマイクロ波
用誘電体材料として、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2Ｏ3 −
Ｓｍ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系粉末：９０ｗｔ％と、ＰｂＯ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス：１０ｗｔ％からなる混
合粉末（以下、第２の誘電体材料と称する。）を用い
て、実施例１と同様に、ドクターブレード法より、０．
１〜０．３ｍｍの厚さの第３のグリーンシートを作製し
た。第２の誘電体材料を９００℃において焼成して得ら
れる焼結体の特性は、比誘電率εr ＝５５、無負荷Ｑ＝
６３０（３．９ＧＨｚ）、共振周波数の温度特性τf ＝
＋１１ｐｐｍ／℃であった。
用誘電体材料として、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2Ｏ3 −
Ｓｍ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系粉末：９０ｗｔ％と、ＰｂＯ
−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス：１０ｗｔ％からなる混
合粉末（以下、第２の誘電体材料と称する。）を用い
て、実施例１と同様に、ドクターブレード法より、０．
１〜０．３ｍｍの厚さの第３のグリーンシートを作製し
た。第２の誘電体材料を９００℃において焼成して得ら
れる焼結体の特性は、比誘電率εr ＝５５、無負荷Ｑ＝
６３０（３．９ＧＨｚ）、共振周波数の温度特性τf ＝
＋１１ｐｐｍ／℃であった。
【００３９】絶縁体層は、実施例１と同様に、第１の絶
縁材料により作製した第２のグリーンシートを用いた。
縁材料により作製した第２のグリーンシートを用いた。
【００４０】中間層としては、第２の誘電体材料と第１
の絶縁体材料との混合組成（以下、第４の中間層材料と
称する。）、第２の誘電体材料とガラスとの混合組成
（以下、第５の中間層材料と称する。）からなるグリー
ンシートをそれぞれ用いた。混合比率は、第４の中間層
材料については（表４）に示し、第５の中間層材料につ
いては（表５）に示した。第５の中間層材料について
は、添加したガラスの組成系も示した。また、各グリー
ンシートに、シート番号（Ｆ−１〜Ｆ−７、Ｇ−１〜Ｇ
−１１）を表示した。尚、各グリーンシートは、実施例
１と同様にドクターブレード法により、シート厚さ０．
１〜０．３ｍｍのものを作製した。
の絶縁体材料との混合組成（以下、第４の中間層材料と
称する。）、第２の誘電体材料とガラスとの混合組成
（以下、第５の中間層材料と称する。）からなるグリー
ンシートをそれぞれ用いた。混合比率は、第４の中間層
材料については（表４）に示し、第５の中間層材料につ
いては（表５）に示した。第５の中間層材料について
は、添加したガラスの組成系も示した。また、各グリー
ンシートに、シート番号（Ｆ−１〜Ｆ−７、Ｇ−１〜Ｇ
−１１）を表示した。尚、各グリーンシートは、実施例
１と同様にドクターブレード法により、シート厚さ０．
１〜０．３ｍｍのものを作製した。
【００４１】
【表４】
【００４２】
【表５】
【００４３】次に、Ａｇ又はＣｕＯの導体ペーストを用
いて、第３のグリーンシートが複数枚積層されてなる誘
電体層と、第２のグリーンシートからなる絶縁体層と
に、それぞれ所定の導体配線パターンを印刷した。そし
て、これらの導体パターンが印刷されたグリーンシート
の他に、中間層としてシート番号：Ｆ−１〜Ｆ−７、Ｇ
−１〜Ｇ−１１の中から選ばれる１種類のグリーンシー
トを用いて、実施例１と同様、図１に示した順に積層し
た。その後、実施例１と同じ条件で加圧及び焼成を行な
って、マイクロ波用多層複合基板を得た。これらのマイ
クロ波用多層複合基板について、基板の反り及び層間剥
離を調べた結果を（表６）に示す。
いて、第３のグリーンシートが複数枚積層されてなる誘
電体層と、第２のグリーンシートからなる絶縁体層と
に、それぞれ所定の導体配線パターンを印刷した。そし
て、これらの導体パターンが印刷されたグリーンシート
の他に、中間層としてシート番号：Ｆ−１〜Ｆ−７、Ｇ
−１〜Ｇ−１１の中から選ばれる１種類のグリーンシー
トを用いて、実施例１と同様、図１に示した順に積層し
た。その後、実施例１と同じ条件で加圧及び焼成を行な
って、マイクロ波用多層複合基板を得た。これらのマイ
クロ波用多層複合基板について、基板の反り及び層間剥
離を調べた結果を（表６）に示す。
【００４４】
【表６】
【００４５】（比較例２）比較のために、実施例２に係
る中間層が介在しない以外は実施例２と同様の構造を有
する積層体を、実施例２と同じグリーンシートを用いて
作製したが、この積層体は誘電体層と絶縁体層との界面
で部分剥離した。
る中間層が介在しない以外は実施例２と同様の構造を有
する積層体を、実施例２と同じグリーンシートを用いて
作製したが、この積層体は誘電体層と絶縁体層との界面
で部分剥離した。
【００４６】以上の結果から分かるように、実施例２に
係るマイクロ波用多層複合基板は、基板の反り及び層間
剥離が極めて有効に防止されており、著しい改善効果が
あった。特に、第２の誘電体層形成材料とガラスとの混
合組成を中間層として用いた場合、極めて接合性の高い
基板が得られた。尚、Ａｇ、ＣｕＯのいずれの導体ペー
ストを用いても同じ結果となった。
係るマイクロ波用多層複合基板は、基板の反り及び層間
剥離が極めて有効に防止されており、著しい改善効果が
あった。特に、第２の誘電体層形成材料とガラスとの混
合組成を中間層として用いた場合、極めて接合性の高い
基板が得られた。尚、Ａｇ、ＣｕＯのいずれの導体ペー
ストを用いても同じ結果となった。
【００４７】
【発明の効果】請求項１の発明に係るマイクロ波用多層
複合基板によると、誘電体層と絶縁体層との間に、誘電
体層を形成するマイクロ波用誘電体材料の構成成分及び
絶縁体層を形成する絶縁体材料の構成成分のうちの少な
くとも１つを含む中間層が介在しているため、前記少な
くとも１つの成分が接合界面において反応するので中間
層と誘電体層又は絶縁体層との接合性が向上すると共
に、誘電体層と絶縁体層との間の収縮開始温度、最終収
縮率及び熱膨張率などの差異は中間層によって緩和され
るので基板の反り及び層間剥離が生じ難くなるので、高
品質のマイクロ波用多層複合基板を簡易且つ確実に実現
できる。
複合基板によると、誘電体層と絶縁体層との間に、誘電
体層を形成するマイクロ波用誘電体材料の構成成分及び
絶縁体層を形成する絶縁体材料の構成成分のうちの少な
くとも１つを含む中間層が介在しているため、前記少な
くとも１つの成分が接合界面において反応するので中間
層と誘電体層又は絶縁体層との接合性が向上すると共
に、誘電体層と絶縁体層との間の収縮開始温度、最終収
縮率及び熱膨張率などの差異は中間層によって緩和され
るので基板の反り及び層間剥離が生じ難くなるので、高
品質のマイクロ波用多層複合基板を簡易且つ確実に実現
できる。
【００４８】請求項２の発明に係るマイクロ波用多層複
合基板によると、マイクロ波用誘電体材料がＢｉ
2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分とする誘電体セ
ラミックス材料であるため、焼結温度が１０５０℃以
下、比誘電率が１５以上、１ＧＨｚにおける無負荷Ｑ値
が５００以上、共振周波数の温度変化率の絶対値が５０
ｐｐｍ／℃以下であるマイクロ波用誘電体材料を確実に
得ることができる。
合基板によると、マイクロ波用誘電体材料がＢｉ
2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分とする誘電体セ
ラミックス材料であるため、焼結温度が１０５０℃以
下、比誘電率が１５以上、１ＧＨｚにおける無負荷Ｑ値
が５００以上、共振周波数の温度変化率の絶対値が５０
ｐｐｍ／℃以下であるマイクロ波用誘電体材料を確実に
得ることができる。
【００４９】請求項３の発明に係るマイクロ波用多層複
合基板によると、マイクロ波用誘電体材料がＢａＯ、Ｎ
ｄ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びガラスを主成分とする誘電体セ
ラミックス材料であるため、焼結温度が１０５０℃以
下、比誘電率が１５以上、１ＧＨｚにおける無負荷Ｑ値
が５００以上、共振周波数の温度変化率の絶対値が５０
ｐｐｍ／℃以下であるマイクロ波用誘電体材料を確実に
得ることができる。
合基板によると、マイクロ波用誘電体材料がＢａＯ、Ｎ
ｄ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びガラスを主成分とする誘電体セ
ラミックス材料であるため、焼結温度が１０５０℃以
下、比誘電率が１５以上、１ＧＨｚにおける無負荷Ｑ値
が５００以上、共振周波数の温度変化率の絶対値が５０
ｐｐｍ／℃以下であるマイクロ波用誘電体材料を確実に
得ることができる。
【００５０】請求項４の発明に係るマイクロ波用多層複
合基板によると、中間層材料は請求項２又は３に記載の
誘電体セラミックス材料と絶縁体材料との混合物である
ため、誘電体層と絶縁体層との接合性が向上すると共
に、基板の反り及び層間剥離は一層生じ難くなるので、
一層高品質のマイクロ波用多層複合基板を簡易且つ確実
に実現できる。
合基板によると、中間層材料は請求項２又は３に記載の
誘電体セラミックス材料と絶縁体材料との混合物である
ため、誘電体層と絶縁体層との接合性が向上すると共
に、基板の反り及び層間剥離は一層生じ難くなるので、
一層高品質のマイクロ波用多層複合基板を簡易且つ確実
に実現できる。
【００５１】請求項５の発明に係るマイクロ波用多層複
合基板によると、中間層材料は請求項２又は３に記載の
誘電体セラミックス材料と、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 又はＢ
ａＯのいずれかを含有するガラス材料との混合物である
ため、誘電体層と絶縁体層との接合性が向上すると共
に、基板の反り及び層間剥離は一層生じ難くなるので、
一層高品質のマイクロ波用多層複合基板を簡易且つ確実
に実現できる。
合基板によると、中間層材料は請求項２又は３に記載の
誘電体セラミックス材料と、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 又はＢ
ａＯのいずれかを含有するガラス材料との混合物である
ため、誘電体層と絶縁体層との接合性が向上すると共
に、基板の反り及び層間剥離は一層生じ難くなるので、
一層高品質のマイクロ波用多層複合基板を簡易且つ確実
に実現できる。
【００５２】請求項６の発明に係るマイクロ波用多層複
合基板によると、マイクロ波用誘電体材料はＢｉ
2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分とする誘電体セ
ラミックス材料であり、中間層材料は前記誘電体セラミ
ックス材料に０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＺｎＯが添加
された材料であるため、誘電体層と絶縁体層との接合性
が向上すると共に、基板の反り及び層間剥離は一層生じ
難くなるので、一層高品質のマイクロ波用多層複合基板
を簡易且つ確実に実現できる。
合基板によると、マイクロ波用誘電体材料はＢｉ
2 Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分とする誘電体セ
ラミックス材料であり、中間層材料は前記誘電体セラミ
ックス材料に０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＺｎＯが添加
された材料であるため、誘電体層と絶縁体層との接合性
が向上すると共に、基板の反り及び層間剥離は一層生じ
難くなるので、一層高品質のマイクロ波用多層複合基板
を簡易且つ確実に実現できる。
【００５３】請求項７の発明に係るマイクロ波用多層複
合基板によると、誘電体層と絶縁体層との間に、誘電体
層を形成するマイクロ波用誘電体材料の構成成分及び絶
縁体層を形成する絶縁体材料の構成成分のうちの少なく
とも１つを含む中間層を介在させることができるので、
請求項１の発明に係るマイクロ波用多層複合基板を確実
に製造することができる。
合基板によると、誘電体層と絶縁体層との間に、誘電体
層を形成するマイクロ波用誘電体材料の構成成分及び絶
縁体層を形成する絶縁体材料の構成成分のうちの少なく
とも１つを含む中間層を介在させることができるので、
請求項１の発明に係るマイクロ波用多層複合基板を確実
に製造することができる。
【図１】本発明の一実施例に係るマイクロ波用多層複合
基板の断面図である。
基板の断面図である。
１ 第１の絶縁体層 ２ 第１の中間層 ３ 第１の導体層 ４ 第１の誘電体層 ５ 第２の導体層 ６ 第２の誘電体層 ７ 第３の導体層 ８ 第２の中間層 ９ 第２の絶縁体層 １０ 表面電極 １１ スルーホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 竜也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 比誘電率が１５以上、１ＧＨｚにおける
無負荷Ｑ値が５００以上、共振周波数の温度変化率の絶
対値が５０ｐｐｍ／℃以下であるマイクロ波用誘電体材
料よりなる誘電体層と、該誘電体層の両面側又は片面側
に設けられた比誘電率が１５以下の絶縁体材料よりなる
絶縁体層と、前記誘電体層と前記絶縁体層との間に介在
し、前記マイクロ波用誘電体材料の構成成分及び前記絶
縁体材料の構成成分のうちの少なくとも１つを含む中間
層材料よりなる中間層とからなるマイクロ波用多層複合
基板。 - 【請求項２】 前記マイクロ波用誘電体材料は、Ｂｉ2
Ｏ3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分とする誘電体セラ
ミックス材料であることを特徴とする請求項１に記載の
マイクロ波用多層複合基板。 - 【請求項３】 前記マイクロ波用誘電体材料は、Ｂａ
Ｏ、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 及びガラスを主成分とする誘
電体セラミックス材料であることを特徴とする請求項１
に記載のマイクロ波用多層複合基板。 - 【請求項４】 前記中間層材料は、請求項２又は３に記
載の誘電体セラミックス材料と前記絶縁体材料との混合
物であり、請求項２又は３に記載の誘電体セラミックス
材料と前記絶縁体材料との混合重量比率は９０：１０〜
１０：９０の範囲内であることを特徴とする請求項１に
記載のマイクロ波用多層複合基板。 - 【請求項５】 前記中間層材料は、請求項２又は３に記
載の誘電体セラミックス材料と、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 又
はＢａＯのいずれかを含有するガラス材料との混合物で
あり、請求項２又は３に記載の誘電体セラミックス材料
と前記ガラス材料との混合重量比率は９８：２〜１０：
９０の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の
マイクロ波用多層複合基板。 - 【請求項６】 前記マイクロ波用誘電体材料はＢｉ2 Ｏ
3 、ＣａＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を主成分とする誘電体セラミ
ックス材料であり、前記中間層材料は前記誘電体セラミ
ックス材料に０．５ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＺｎＯが添加
された材料であることを特徴とする請求項１に記載のマ
イクロ波用多層複合基板。 - 【請求項７】 マイクロ波用誘電体材料よりなる第１の
グリーンシート、比誘電率が１５以下の絶縁体材料より
なる第２のグリーンシート、及び前記マイクロ波用誘電
体材料の構成成分及び前記絶縁体材料の構成成分のうち
の少なくとも１つを含む材料よりなる第３のグリーンシ
ートをそれぞれ作製する工程と、前記第１のグリーンシ
ートと導体材料のペーストとを用いて電極を内蔵した誘
電体層を作製する工程と、前記誘電体層の片面側又は両
面側に前記第３のグリーンシートを積層する工程と、前
記第３のグリーン層の上に前記第２のグリーンシートを
積層する工程と、前記誘電体層、第３のグリーンシート
及び第２のグリーンシートよりなる複合積層体を熱圧着
及び焼成する工程とを備えていることを特徴とするマイ
クロ波用多層複合基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6105255A JPH07312511A (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | マイクロ波用多層複合基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6105255A JPH07312511A (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | マイクロ波用多層複合基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312511A true JPH07312511A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14402551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6105255A Pending JPH07312511A (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | マイクロ波用多層複合基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07312511A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1096558A2 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite laminate and method for manufacturing the same |
| US7098160B2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component employing the same |
| US7146719B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-12-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer circuit component and method for manufacturing the same |
-
1994
- 1994-05-19 JP JP6105255A patent/JPH07312511A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1096558A2 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite laminate and method for manufacturing the same |
| US6984441B2 (en) | 1999-10-28 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite laminate and method for manufacturing the same |
| US7146719B2 (en) | 2000-06-15 | 2006-12-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer circuit component and method for manufacturing the same |
| US7098160B2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component employing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0564652B1 (en) | Manufacture of multilayer ceramic part, and multilayer ceramic part | |
| JPH0992983A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JP5821975B2 (ja) | 複合積層セラミック電子部品 | |
| JP5435176B2 (ja) | 複合積層セラミック電子部品 | |
| JP5761341B2 (ja) | ガラスセラミック組成物 | |
| JP2001351827A (ja) | 複合積層電子部品 | |
| JPH11195873A (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法 | |
| JP5316545B2 (ja) | ガラスセラミック組成物およびガラスセラミック基板 | |
| JP2003022929A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH10135073A (ja) | 複合セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPH07312511A (ja) | マイクロ波用多層複合基板およびその製造方法 | |
| JP2003063861A (ja) | 複合積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP4300493B2 (ja) | セラミック積層体及びその製造方法 | |
| KR100465845B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 전극 조성물 | |
| JP2001060527A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品 | |
| JP3934841B2 (ja) | 多層基板 | |
| JPH11330705A (ja) | コンデンサ内蔵基板およびその製造方法 | |
| JP3554957B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPH0650703B2 (ja) | ペースト組成物および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3457882B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR100896610B1 (ko) | 다층 세라믹 기판 및 그 제조방법 | |
| JP3825225B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2003026472A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法、積層セラミック電子部品および積層セラミック電子部品製造用の生の複合積層体 | |
| JPH01166599A (ja) | 積層セラミック基板の製造方法 | |
| JP4416342B2 (ja) | 回路基板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020326 |