JPH07257974A - 窒化アルミニウム基板の製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム基板の製造方法

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JPH07257974A
JPH07257974A JP6046246A JP4624694A JPH07257974A JP H07257974 A JPH07257974 A JP H07257974A JP 6046246 A JP6046246 A JP 6046246A JP 4624694 A JP4624694 A JP 4624694A JP H07257974 A JPH07257974 A JP H07257974A
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JP
Japan
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substrate
aluminum nitride
aln
sintering aid
sintering
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6046246A
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English (en)
Inventor
Koji Omote
孝司 表
Mineharu Tsukada
峰春 塚田
Katsuharu Hida
勝春 肥田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 AlN基板に関し、製造収率の優れた製造方法
の実用化を目的とする。 【構成】 所定の寸法に打ち抜いた焼結助剤を含むAlN
グリーンシート1と焼結助剤を含まないAlNグリーンシ
ート2とを用意し、焼結助剤を含むAlNグリーンシート
1を所定の枚数積層した後、上下に焼結助剤を含まない
AlNグリーンシート2を置き、加圧して一体化させて単
位の積層体3を作り、この単位の積層体3を複数枚積み
重ね、加圧して密着せしめ、次に、密着させた積層体4
に脱バインダ処理を行った後、不活性ガス雰囲気中で加
熱して焼結させ、次に、焼結した複数の基板5を焼結助
剤を含まない窒化アルミニウム・グリーンシート2に対
応する位置で個々に分離することを特徴としてAlN基板
の製造方法を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は製造収率が向上した窒化
アルミニウム基板の製造方法に関する。大量の情報を迅
速に処理する必要から情報処理装置は大容量化が行なわ
れており、LSIやVLSIなどの半導体集積回路をマ
トリックス状に配列してなるマルチ・チップ・モジール
(Multi Chip Module,略称MCM)の実用化が行なわれ
ている。
【0002】こゝで、MCMを構成するセラミック回路
基板は上部に高速信号を処理し、多大の発熱を伴う半導
体集積回路がマトリックス状に搭載されることから、耐
熱性と放熱性に優れ、また、熱膨張係数が集積回路を形
成するシリコン(Si) に近いことが望ましいが、窒化ア
ルミニウム(AlN)はこの目的に適している。
【0003】すなわち、従来より一般的に使用されてい
るアルミナ(Al23)基板の熱伝導率が20W/mKである
のに対し、AlNの熱伝導率は200 W/mKと格段に優れ
ており、また、融点は2200℃と高く、また、熱膨張係数
は4.2 ×10-6/℃とSiの熱膨張係数である3.6 ×10-6
℃に近い。
【0004】これらのことからAlN基板はMCM用基板
として実用化が行なわれているが、これ以外に Al23
基板に代わる基板材料として実用化が進められている。
【0005】
【従来の技術】AlN基板の製法としてはAlN粉末に少量
の焼結助剤とバインダおよび分散媒を加え、良く混練し
てスラリーを作り、ドクターブレード法によりグリーン
シートを形成する。
【0006】次に、このグリーンシートを所要の大きさ
に打ち抜いた後、所要の枚数を積み重ねた後に加圧して
積層体とし、これを酸化ジルコン(ZrO2)などよりなる
発泡基板(密度約60%) に載せて脱バインダ炉に置き、
窒素(N2)などの不活性ガス雰囲気中で加熱して脱バイ
ンダを行なう。
【0007】こうしてできた脱バインダ体は、次に、窒
化硼素(BN)容器の中のBNセッターの上に置き、B
Nよりなる矯正用基板で荷重を加えた状態で焼結炉の中
に設置し、不活性ガス雰囲気中でAlNの焼結開始温度
(1800℃) まで加熱することによりAlN基板が作られて
いた。
【0008】然し、脱バインダしたグリーンシートは極
めて脆いために脱バインダ炉から焼結炉のBN容器に移
す際に破損が生じ易く、また、焼結に当たっては基板の
変形を防ぐために矯正用基板で荷重を加える必要がある
が、脱バインダ体が壊れやすいために矯正用基板の重量
が制限され、この傾向はグリーンシートの大きさが増す
に従って顕著となっている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】AlN基板はその優れた
特性から Al23 基板に代わる材料として実用化が進め
られているが、基板が大型になるに従って収率が顕著に
低下している。そこで、製造収率を向上させることが課
題である。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題は所定の寸法
に打ち抜いた焼結助剤を含むAlNグリーンシートと焼結
助剤を含まないAlNグリーンシートとを用意し、焼結助
剤を含むAlNグリーンシートを所定の枚数積層した後、
上下に焼結助剤を含まないAlNグリーンシートを置き、
加圧して一体化させて単位の積層体を作り、次に、この
単位の積層体を複数枚積み重ねて前記の加圧力よりも少
ない加圧力で加圧して密着せしめ、次に、密着させた積
層体を脱バインダ炉に移して脱バインダ処理を行った
後、焼結炉に移し、不活性ガス雰囲気中で加熱してAlN
粒子を焼結させ、次に、焼結した複数の基板を取り出し
て研磨することを特徴としてAlN基板の製造方法を構成
することにより解決することができる。
【0011】
【作用】セラミック回路基板を構成するセラミック基板
の厚さは1 mm 程度であり、一方、基板の大きさは次第
に増加して200 mm角程度のものまで需要があるが、AlN
のように融点が2200℃と高く、焼結温度として1800℃の
高温を必要とする基板を収率よく製造することは極めて
難しい。
【0012】すなわち、変形のない基板を得るためには
焼結に当たって矯正用基板を載せる必要があるが、グリ
ーンシートの脱バインダ体の機械的強度が極めて弱いた
めに脱バインダ炉から焼結炉に移す過程で破損が生じ易
く、また、矯正用基板を載せる際、脱バインダ体に割
れ,ひびなどの破損が生じ易い。
【0013】これを解決する方法として脱バインダ工程
で5〜30容量%のバインダを残留させてハンドリング性
を改良することも行なわれているが、このような残留バ
インダを含む脱バインダ体を焼結すると、残留バインダ
の飛散により焼結炉内が汚染されると共に基板内の炭素
(C)含有量が多くなり基板の特性が低下する。
【0014】そこで、発明者はこの問題を解決する方法
として焼結助剤を含まないグリーンシートと焼結助剤を
含むグリーンシートを積層して焼結すると、焼結助剤を
含まないグリーンシートは焼結が余り進行しないことか
ら、容易に剥離する現象に着目した。
【0015】すなわち、AlN粉末と酸化イットリウム
(Y2 3 )などの焼結助剤よりなる脱バインダ体を不
活性雰囲気中で加熱すると、両者は1600℃付近から反応
してAlN結晶粒上に固溶体を生じ、この存在によりAlN
結晶粒の焼結が加速されるが、焼結助剤がないと焼結の
進行は非常に遅くなる。一方、AlN基板の焼結に当たっ
て収率が悪いのは脱バインダ体の面積が大きな割りには
厚さが1 mm 程度と薄いためである。 そこで、発明者
等は図1に示すように、従来と同様に焼結助剤を含むグ
リーンシート1を複数枚重ねて必要とする厚さにしたも
のを作り、これをそのまゝ焼成するのではなく、焼結助
剤を含まないグリーンシート2を介して積層して単位の
積層体3を作り、(以上同図A)次に、この単位の積層
体3を複数個積層して脱バインダ処理を行なってもハン
ドリング性の良い積層体4にして脱バインダと焼結を行
い、(以上同図B)、次に、焼結助剤を含まないグリー
ンシート位置で個々に分離し、AlN基板5を得るもので
ある。(以上同図C)そして、この後は従来と同様に基
板研磨を行なうことにより平坦な基板面をもつAlN基板
を得ることができる。
【0016】
【実施例】AlN粉末を100 重量部、焼結助剤としてY2
3 を5重量部、バインダとしてボリビニルブチラール
(PVB)を10重量部、可塑剤としてジプチルフタレー
ト(DBP)を10重量部、分散媒としてエチルアルコー
ルを50重量部を加え、良く混練してスラリーを形成し
た。次に、ドクターブレードを用い、成形ギャップを50
0 μm とし、送り速度を2.0 m/分として成形を行い、
グリーンシートを90 mm 角に打抜き、6層積層した。
【0017】一方、上記の組成から焼結助剤を含まない
材料を用い、全く同様にしてグリーンシートを作り、90
mm 角に打ち抜いたものを準備し、これを6層よりなる
積層体の上下に配置して40MPa,50 ℃,20 分の条件で加
圧し、厚さが1.6 mm の積層体とし、次に、この積層体
を10層積み重ね、5MPa,25 ℃,20 分の条件で加圧し、
約15 mm の厚さとした。
【0018】次に、この積層体を大気中で温度500 ℃で
4時間加熱して脱バインダし、この脱バインダ体をBN
セッターに置くと共に上に厚さ5 mm の矯正用基板を置
きBNよりなる焼成容器にセットして焼結炉に置いた。
そして、1気圧のN2 ガスを供給しながら1800℃で3時
間の焼成を行って焼結させた。
【0019】次に、この焼結体からAlN基板を分離した
が、破損することなく容易に分離することができ、この
10枚の基板について従来と同様にダイヤモンドディスク
による研磨とエメリー紙による研磨を行い、平滑な基板
を得ることができた。
【0020】なお、基板の相対密度は99%, 熱伝導率は
180 W/mKと良好であった。
【0021】
【発明の効果】本発明の実施により、脱バインダ処理後
においてもハンドリング性が良いことから脱バインダ炉
から焼結炉に移行する工程における破損が少なく、ま
た、脱バインダ体の上に必要とする重量の矯正用基板を
おいて焼結を行なうことができることから、反りなどの
不良発生が少なく、製造収率よくAlN基板を作ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施法を示す断面図である。
【符号の説明】
1 焼結助剤を含むグリーンシート 2 焼結助剤を含まないグリーンシート 3 単位の積層体 4 積層体 5 AlN基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/03 L 7011−4E

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の寸法に打ち抜いた焼結助剤を含む
    窒化アルミニウム・グリーンシート(1)と焼結助剤を
    含まない窒化アルミニウム・グリーンシート(2)とを
    用意し、前記焼結助剤を含む窒化アルミニウム・グリー
    ンシート(1)を所定の枚数積層した後、上下に焼結助
    剤を含まない窒化アルミニウム・グリーンシート(2)
    を置き、加圧して一体化させて単位の積層体(3)を作
    り、 次に、該単位の積層体(3)を複数枚積み重ね、加圧し
    て密着せしめ、 次に、該密着させた積層体(4)に脱バインダ処理を行
    った後、不活性ガス雰囲気中で加熱して焼結せしめ、 次に、焼結した複数の基板(5)を焼結助剤を含まない
    窒化アルミニウム・グリーンシート(2)に対応する位
    置で個々に分離することを特徴とする窒化アルミニウム
    基板の製造方法。
JP6046246A 1994-03-17 1994-03-17 窒化アルミニウム基板の製造方法 Withdrawn JPH07257974A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107986794A (zh) * 2017-11-29 2018-05-04 上海大学 大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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