JPH0693474A - インライン型成膜装置に於けるトレイ洗浄装置 - Google Patents
インライン型成膜装置に於けるトレイ洗浄装置Info
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- JPH0693474A JPH0693474A JP24520392A JP24520392A JPH0693474A JP H0693474 A JPH0693474 A JP H0693474A JP 24520392 A JP24520392 A JP 24520392A JP 24520392 A JP24520392 A JP 24520392A JP H0693474 A JPH0693474 A JP H0693474A
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- Japan
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- carrier
- film forming
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 トレイの面を変形させる力が加わらないよう
に洗浄を行なえ、メンテナンス性の良いインライン型成
膜装置のトレイ洗浄装置を提供すること 【構成】 インライン型成膜装置のトレイの洗浄装置
を、成膜した基板14を取り外したトレイ8をキャリヤ
9と共に収容する移動台車15と、該トレイ及びキャリ
ヤを収容した移動台車全体が収まり且つ真空排気手段2
2と、エッチングガス導入手段23と、プラズマ発生手
段26又は加熱手段とを備えた洗浄室16とで構成した 【効果】 トレイに変形を与えずにこれに付着した各種
の薄膜を除去でき、トレイをキャリヤから取り外す必要
がないので洗浄作業が簡単になる
に洗浄を行なえ、メンテナンス性の良いインライン型成
膜装置のトレイ洗浄装置を提供すること 【構成】 インライン型成膜装置のトレイの洗浄装置
を、成膜した基板14を取り外したトレイ8をキャリヤ
9と共に収容する移動台車15と、該トレイ及びキャリ
ヤを収容した移動台車全体が収まり且つ真空排気手段2
2と、エッチングガス導入手段23と、プラズマ発生手
段26又は加熱手段とを備えた洗浄室16とで構成した 【効果】 トレイに変形を与えずにこれに付着した各種
の薄膜を除去でき、トレイをキャリヤから取り外す必要
がないので洗浄作業が簡単になる
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、インライン型のプラズ
マCVD装置やスパッタ装置などの量産型成膜装置に使
用されるトレイの洗浄装置に関する。
マCVD装置やスパッタ装置などの量産型成膜装置に使
用されるトレイの洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えばインライン型プラズマCV
D装置に於いては、図1に示すようなトレイの多数を用
意し、各トレイに基板を取り付けて該装置の複数の成膜
室に順次送り込み、基板に成膜を行なっている。図示の
例では、該トレイaは上方のレールbに沿って移動する
車輪cを備えたキャリヤdに吊り下げられ、該キャリヤ
dに設けたラックeに係合するピニオン歯車fをモータ
(図示してない)により回転させると、該キャリヤdが
トレイaと共に移動する。レールbはインライン型に配
置された各成膜室とその前後に設けられる仕込室や取出
室に敷設され、ピニオン歯車fもキャリヤdを移動させ
るためにこれらの各室に設けられる。トレイaには適当
な手段で基板gが取り付けられ、これの表面に薄膜が形
成される。
D装置に於いては、図1に示すようなトレイの多数を用
意し、各トレイに基板を取り付けて該装置の複数の成膜
室に順次送り込み、基板に成膜を行なっている。図示の
例では、該トレイaは上方のレールbに沿って移動する
車輪cを備えたキャリヤdに吊り下げられ、該キャリヤ
dに設けたラックeに係合するピニオン歯車fをモータ
(図示してない)により回転させると、該キャリヤdが
トレイaと共に移動する。レールbはインライン型に配
置された各成膜室とその前後に設けられる仕込室や取出
室に敷設され、ピニオン歯車fもキャリヤdを移動させ
るためにこれらの各室に設けられる。トレイaには適当
な手段で基板gが取り付けられ、これの表面に薄膜が形
成される。
【0003】該トレイaは基板gを搭載して成膜室に入
るので、トレイaの表面にも薄膜が付着することにな
り、付着した薄膜は成膜中に剥落するとダストになって
基板の膜質を低下させる不都合があるのでこれを定期的
に洗浄して除去する必要がある。従来はこの除去のた
め、トレイaをキャリヤdから取り外して別の場所へ移
動させ、そこでガラスビーズブラスト(ガラス粒子吹付
け法)や液体ホーニング或いは酸洗の処理により不用な
トレイa上の薄膜を除去したのち、再度トレイaをキャ
リヤdに取り付ける作業を行なっていた。
るので、トレイaの表面にも薄膜が付着することにな
り、付着した薄膜は成膜中に剥落するとダストになって
基板の膜質を低下させる不都合があるのでこれを定期的
に洗浄して除去する必要がある。従来はこの除去のた
め、トレイaをキャリヤdから取り外して別の場所へ移
動させ、そこでガラスビーズブラスト(ガラス粒子吹付
け法)や液体ホーニング或いは酸洗の処理により不用な
トレイa上の薄膜を除去したのち、再度トレイaをキャ
リヤdに取り付ける作業を行なっていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記した薄膜の除去方
法によれば、比較的簡便に厚く付着した膜を除去できる
が、ガラスビーズブラストや液体ホーニングではトレイ
aの面に機械的な圧力が加わるために、トレイaが変形
し易く、また酸洗ではSiO2、SiNx膜は除去できるが、a-
Si、poly-Si膜は容易には除去できないという欠点があ
った。特に、大型のプラズマCVD装置の場合には、ト
レイの変形に伴い基板の位置が正確に決まらず、その変
形のために基板に成膜された膜の膜厚分布が大きく変わ
るので、トレイの変形に対して充分な配慮が必要であっ
た。また、大型プラズマCVD装置のトレイは一般に薄
板またはフレームにより構成されるので、キャリヤから
取り外して移動する際にも変形することがあった。従っ
て、一連のトレイ洗浄工程でトレイの面に対して垂直方
向の力が加わらないようにすることが望まれる。
法によれば、比較的簡便に厚く付着した膜を除去できる
が、ガラスビーズブラストや液体ホーニングではトレイ
aの面に機械的な圧力が加わるために、トレイaが変形
し易く、また酸洗ではSiO2、SiNx膜は除去できるが、a-
Si、poly-Si膜は容易には除去できないという欠点があ
った。特に、大型のプラズマCVD装置の場合には、ト
レイの変形に伴い基板の位置が正確に決まらず、その変
形のために基板に成膜された膜の膜厚分布が大きく変わ
るので、トレイの変形に対して充分な配慮が必要であっ
た。また、大型プラズマCVD装置のトレイは一般に薄
板またはフレームにより構成されるので、キャリヤから
取り外して移動する際にも変形することがあった。従っ
て、一連のトレイ洗浄工程でトレイの面に対して垂直方
向の力が加わらないようにすることが望まれる。
【0005】本発明は、トレイの面を変形させる力が加
わらないように洗浄を行なえ、作業性の良いインライン
型成膜装置のトレイ洗浄装置を提供することを目的とす
るものである。
わらないように洗浄を行なえ、作業性の良いインライン
型成膜装置のトレイ洗浄装置を提供することを目的とす
るものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明では、複数の成膜
室に基板を取付けたトレイを順次移動させて該基板に成
膜を施すインライン型成膜装置に於て、成膜した基板を
取り外したトレイを収容する移動台車と、該トレイを収
容した移動台車全体が収まり且つ真空排気手段とエッチ
ングガス導入手段と、プラズマ発生手段又はトレイ及び
キャリヤの加熱手段とを備えた洗浄室とで構成すること
により、上記の目的を達成するようにした。
室に基板を取付けたトレイを順次移動させて該基板に成
膜を施すインライン型成膜装置に於て、成膜した基板を
取り外したトレイを収容する移動台車と、該トレイを収
容した移動台車全体が収まり且つ真空排気手段とエッチ
ングガス導入手段と、プラズマ発生手段又はトレイ及び
キャリヤの加熱手段とを備えた洗浄室とで構成すること
により、上記の目的を達成するようにした。
【0007】
【作用】基板の成膜に伴う薄膜が除去しなければならな
い程度にトレイに付着すると、基板を取り外したトレイ
をキャリヤと共にインライン型成膜装置の付近に待機さ
せた移動台車に移し変える。インライン型成膜装置には
多数のトレイ及びキャリヤが使用されており、そのうち
の幾つかのトレイを収容すると移動台車をそのまま洗浄
室内へ移動させ、洗浄室を密閉する。そして真空排気手
段により該洗浄室内を真空に排気した後、エッチングガ
ス導入手段からトレイに付着した膜をエッチングにより
除去するに適したエッチングガスを導入し、これをプラ
ズマ発生手段でプラズマ化してトレイに付着した薄膜を
エッチングにより除去する。また、エッチングガスの種
類によっては、該プラズマ発生手段の代りに加熱手段で
トレイ及びキャリヤを加熱し、これらに付着した薄膜を
化学エッチングにより除去する。該移動台車がトレイを
キャリヤと共に洗浄室内へ移送し、そのままトレイを洗
浄するので、トレイの面を変形させるような力が加わる
ことがなく、トレイをキャリヤから取り外す必要がない
ので作業性も向上する。
い程度にトレイに付着すると、基板を取り外したトレイ
をキャリヤと共にインライン型成膜装置の付近に待機さ
せた移動台車に移し変える。インライン型成膜装置には
多数のトレイ及びキャリヤが使用されており、そのうち
の幾つかのトレイを収容すると移動台車をそのまま洗浄
室内へ移動させ、洗浄室を密閉する。そして真空排気手
段により該洗浄室内を真空に排気した後、エッチングガ
ス導入手段からトレイに付着した膜をエッチングにより
除去するに適したエッチングガスを導入し、これをプラ
ズマ発生手段でプラズマ化してトレイに付着した薄膜を
エッチングにより除去する。また、エッチングガスの種
類によっては、該プラズマ発生手段の代りに加熱手段で
トレイ及びキャリヤを加熱し、これらに付着した薄膜を
化学エッチングにより除去する。該移動台車がトレイを
キャリヤと共に洗浄室内へ移送し、そのままトレイを洗
浄するので、トレイの面を変形させるような力が加わる
ことがなく、トレイをキャリヤから取り外す必要がない
ので作業性も向上する。
【0008】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づき説明すると、
図2は本発明の実施例の概略の平面図を示し、図3は図
2の側面図を示すもので、これの符号1は仕込室2と2
つの成膜室3、4と取出室5とを仕切バルブ6を介して
直線的に連結したインライン型成膜装置を示す。これら
の室2、3、4、5の内部の上方にはレール7が敷設さ
れ、該レール7は仕込室2の前方及び取出室5の後方に
も同じ高さ位置で敷設し、図示の例では取出室5の後方
のレール7を仕込室2の側方まで循環するようにした。
該レール7には図1に示したものと略同様の構成のトレ
イ8がキャリヤ9を介して吊り下げられ、レール7の上
方に設けた駆動用のピニオン歯車10で移動される。
図2は本発明の実施例の概略の平面図を示し、図3は図
2の側面図を示すもので、これの符号1は仕込室2と2
つの成膜室3、4と取出室5とを仕切バルブ6を介して
直線的に連結したインライン型成膜装置を示す。これら
の室2、3、4、5の内部の上方にはレール7が敷設さ
れ、該レール7は仕込室2の前方及び取出室5の後方に
も同じ高さ位置で敷設し、図示の例では取出室5の後方
のレール7を仕込室2の側方まで循環するようにした。
該レール7には図1に示したものと略同様の構成のトレ
イ8がキャリヤ9を介して吊り下げられ、レール7の上
方に設けた駆動用のピニオン歯車10で移動される。
【0009】該トレイ8は、例えば厚さ8mmで800
×800mmの方形のSUS等の金属またはグラファイ
トで形成され、ハンガー11により上面にラック12を
備え側面には車輪13を備えたキャリヤ9に吊るように
した。該トレイ8には成膜処理される1枚若しくは複数
枚の基板14が取り付けられ、その取り付けは例えば図
4の示すようにトレイ8に段付きの基板の寸法に適合す
る穴30を形成し、そこに基板14を嵌め込んだのち裏
板16を嵌め込んで固定するようにした。該基板14は
トレイ8に仕込室2の前方で取り付けられ、該基板14
に成膜されてインライン型成膜装置1を出たのち適当な
場所、例えば取出室5の後方で取り外される。図示の場
合、成膜室3では基板14にSiNxの膜をプラズマCVD
により形成し、その膜の上に次の成膜室4でa-Siの膜を
プラズマCVDにより形成するものとした。
×800mmの方形のSUS等の金属またはグラファイ
トで形成され、ハンガー11により上面にラック12を
備え側面には車輪13を備えたキャリヤ9に吊るように
した。該トレイ8には成膜処理される1枚若しくは複数
枚の基板14が取り付けられ、その取り付けは例えば図
4の示すようにトレイ8に段付きの基板の寸法に適合す
る穴30を形成し、そこに基板14を嵌め込んだのち裏
板16を嵌め込んで固定するようにした。該基板14は
トレイ8に仕込室2の前方で取り付けられ、該基板14
に成膜されてインライン型成膜装置1を出たのち適当な
場所、例えば取出室5の後方で取り外される。図示の場
合、成膜室3では基板14にSiNxの膜をプラズマCVD
により形成し、その膜の上に次の成膜室4でa-Siの膜を
プラズマCVDにより形成するものとした。
【0010】基板14への成膜に伴いトレイ8に付着す
る膜が厚くなってこれを除去するときは、基板14を取
り外したトレイ8をレール7の終端に待機させた移動台
車15にキャリヤ9と共に搭載し、これを別の箇所に設
けた洗浄室16に運び込む。該移動台車15はキャスタ
ー17を備えた4本の脚18を持つ囲枠状のフレーム1
9で構成され、フレーム19の空間上方には前記レール
7と同じ高さで複数本のレール20を平行に設けるよう
にした。該移動台車15は図3に示すように前記レール
7の終端で矢印方向へ少しずつ移動しながら人手で動か
されるトレイ8を複数枚受け取る。
る膜が厚くなってこれを除去するときは、基板14を取
り外したトレイ8をレール7の終端に待機させた移動台
車15にキャリヤ9と共に搭載し、これを別の箇所に設
けた洗浄室16に運び込む。該移動台車15はキャスタ
ー17を備えた4本の脚18を持つ囲枠状のフレーム1
9で構成され、フレーム19の空間上方には前記レール
7と同じ高さで複数本のレール20を平行に設けるよう
にした。該移動台車15は図3に示すように前記レール
7の終端で矢印方向へ少しずつ移動しながら人手で動か
されるトレイ8を複数枚受け取る。
【0011】洗浄室16の詳細は図5に示す如くであ
り、真空ポンプに接続される真空排気口22とエッチン
グガス導入口23を備えた気密の室24と、その内部の
高周波電源25に接続された板状の高周波電極26から
成るプラズマ発生手段とで構成され、移動台車15は図
2に示す気密に閉じられる扉27を介して室内へ搬入さ
れる。該高周波電極26は、図5に示すように、移動台
車15に吊した複数のトレイ8の間に介在する位置に複
数枚設け、各トレイ8の面と対向させることが好ましい
が、図6のように2枚の高周波電極26の間にこれらと
垂直にトレイ8を設けるようにしてもよい。トレイ8の
面と高周波電極26との間隔は20mm程度離される。
28は絶縁体、29はベアリング等が設けられたキャリ
ヤ9にプラズマおよびラジカルが回り込むことを防止す
るアース板で室内に固定される。エッチングガスとして
は、基板14に前記SiNxとa-Si膜を形成する場合にはSF
6ガスが使用される。尚、トレイ8の搬送方式は上記吊
り下げ式に限らず、キャリヤをレール上に走行させ、該
キャリヤ上にトレイを載置して搬送する形式に構成する
こともできる。
り、真空ポンプに接続される真空排気口22とエッチン
グガス導入口23を備えた気密の室24と、その内部の
高周波電源25に接続された板状の高周波電極26から
成るプラズマ発生手段とで構成され、移動台車15は図
2に示す気密に閉じられる扉27を介して室内へ搬入さ
れる。該高周波電極26は、図5に示すように、移動台
車15に吊した複数のトレイ8の間に介在する位置に複
数枚設け、各トレイ8の面と対向させることが好ましい
が、図6のように2枚の高周波電極26の間にこれらと
垂直にトレイ8を設けるようにしてもよい。トレイ8の
面と高周波電極26との間隔は20mm程度離される。
28は絶縁体、29はベアリング等が設けられたキャリ
ヤ9にプラズマおよびラジカルが回り込むことを防止す
るアース板で室内に固定される。エッチングガスとして
は、基板14に前記SiNxとa-Si膜を形成する場合にはSF
6ガスが使用される。尚、トレイ8の搬送方式は上記吊
り下げ式に限らず、キャリヤをレール上に走行させ、該
キャリヤ上にトレイを載置して搬送する形式に構成する
こともできる。
【0012】洗浄すべきトレイ8の6枚が、キャリヤ9
と共にレール7の終端で待機する移動台車15に積まれ
ると、移動台車15を移動させて適宜箇所に設置した洗
浄室16内に運び込み、該室内を真空に排気する。続い
てエッチングガスを導入して室内の圧力を調整した後、
高周波電源25から電力を投入するとアース電位のトレ
イ8との間でプラズマ放電が発生し、プラズマ中に発生
するラジカルやイオンがトレイ8の表面へ突入してそこ
に付着した薄膜がトレイ8に変形を与えることなく除去
され、トレイ8の電極26と対向した面が選択的に洗浄
される。800×800mmのトレイ8に付着した薄膜
がSiNxとa-Si膜の積層膜で30μmの厚さである場合、
SF6のエッチングガスを導入して0.4Torrに調整し、
高周波電源25から13.56MHz、2Kwの電力を導入
すると約3時間で完全に除去できた。トレイに付いたこ
の膜をガラスビーズブラストにより除去した場合のトレ
イの変形量と本発明装置を使用して除去した場合のトレ
イの変形量とを比較すると次表の通りである。 *数字はトレイ6枚の変形の最大と最小を示す。 ガラスビーズブラストの処理はトレイをキャリヤから取
り外し、横に重ねて移送して行なった。この結果から明
らかなように、ガラスビーズブラストではトレイの変形
量が基板の位置を狂わすほど大きいが、本発明装置で処
理したものは変形量を無視できることが分かる。
と共にレール7の終端で待機する移動台車15に積まれ
ると、移動台車15を移動させて適宜箇所に設置した洗
浄室16内に運び込み、該室内を真空に排気する。続い
てエッチングガスを導入して室内の圧力を調整した後、
高周波電源25から電力を投入するとアース電位のトレ
イ8との間でプラズマ放電が発生し、プラズマ中に発生
するラジカルやイオンがトレイ8の表面へ突入してそこ
に付着した薄膜がトレイ8に変形を与えることなく除去
され、トレイ8の電極26と対向した面が選択的に洗浄
される。800×800mmのトレイ8に付着した薄膜
がSiNxとa-Si膜の積層膜で30μmの厚さである場合、
SF6のエッチングガスを導入して0.4Torrに調整し、
高周波電源25から13.56MHz、2Kwの電力を導入
すると約3時間で完全に除去できた。トレイに付いたこ
の膜をガラスビーズブラストにより除去した場合のトレ
イの変形量と本発明装置を使用して除去した場合のトレ
イの変形量とを比較すると次表の通りである。 *数字はトレイ6枚の変形の最大と最小を示す。 ガラスビーズブラストの処理はトレイをキャリヤから取
り外し、横に重ねて移送して行なった。この結果から明
らかなように、ガラスビーズブラストではトレイの変形
量が基板の位置を狂わすほど大きいが、本発明装置で処
理したものは変形量を無視できることが分かる。
【0013】以上の実施例では洗浄を高周波電源25に
接続された板状の高周波電極26から成るプラズマ発生
手段で行なったが、エッチングガスの種類によっては該
プラズマ発生手段の代りに例えばDC或いはAC電源に接続
した面形ヒーター等の加熱手段を設け、トレイ及びキャ
リヤに付着した薄膜を化学エッチングにより洗浄するこ
とも可能である。例えば、前記のように、成膜室3で基
板14にSiNxの膜をプラズマCVDにより形成し、その
膜の上に次の成膜室4でa-Siの膜をプラズマCVDによ
り形成する場合、エッチングガスとしてClF3をエッチン
グガス導入口23から導入すれば、加熱手段により加熱
されたトレイ8及びキャリヤ9に付着する前記薄膜を化
学エッチングで除去することが出来る。この場合、該洗
浄室16内の圧力がClF3分圧で30Torr前後になるよう
にし、トレイを250℃に加熱すると、SiNxとa-Siの膜
厚が100〜300μmであれば約2〜6時間で洗浄で
き、この処理後のトレイの変形量は0.1mm以下であ
った。
接続された板状の高周波電極26から成るプラズマ発生
手段で行なったが、エッチングガスの種類によっては該
プラズマ発生手段の代りに例えばDC或いはAC電源に接続
した面形ヒーター等の加熱手段を設け、トレイ及びキャ
リヤに付着した薄膜を化学エッチングにより洗浄するこ
とも可能である。例えば、前記のように、成膜室3で基
板14にSiNxの膜をプラズマCVDにより形成し、その
膜の上に次の成膜室4でa-Siの膜をプラズマCVDによ
り形成する場合、エッチングガスとしてClF3をエッチン
グガス導入口23から導入すれば、加熱手段により加熱
されたトレイ8及びキャリヤ9に付着する前記薄膜を化
学エッチングで除去することが出来る。この場合、該洗
浄室16内の圧力がClF3分圧で30Torr前後になるよう
にし、トレイを250℃に加熱すると、SiNxとa-Siの膜
厚が100〜300μmであれば約2〜6時間で洗浄で
き、この処理後のトレイの変形量は0.1mm以下であ
った。
【0014】エッチングガスがClF3100%の場合、洗
浄室16内の圧力は1〜50Torr、N2、Ar、He等でClF3
を稀釈する場合は、その稀釈度に応じて1〜760Torr
に調整する。またトレイの加熱温度を高めれば、エッチ
ング速度が早くなり、室温乃至350℃の範囲でトレイ
を加熱することが好ましい。
浄室16内の圧力は1〜50Torr、N2、Ar、He等でClF3
を稀釈する場合は、その稀釈度に応じて1〜760Torr
に調整する。またトレイの加熱温度を高めれば、エッチ
ング速度が早くなり、室温乃至350℃の範囲でトレイ
を加熱することが好ましい。
【0015】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、イン
ライン型成膜装置に使用されるトレイの洗浄装置を、ト
レイをキャリヤと共に収容する移動台車と、該トレイ及
びキャリヤを収容した移動台車全体が収まり且つ真空排
気手段とエッチングガス導入手段と、プラズマ発生手段
又は加熱手段とを備えた洗浄室とで構成したので、トレ
イに変形を与えずにこれに付着した各種の薄膜を除去で
き、トレイをキャリヤから取り外す必要がないので洗浄
作業が簡単になる等の効果がある。
ライン型成膜装置に使用されるトレイの洗浄装置を、ト
レイをキャリヤと共に収容する移動台車と、該トレイ及
びキャリヤを収容した移動台車全体が収まり且つ真空排
気手段とエッチングガス導入手段と、プラズマ発生手段
又は加熱手段とを備えた洗浄室とで構成したので、トレ
イに変形を与えずにこれに付着した各種の薄膜を除去で
き、トレイをキャリヤから取り外す必要がないので洗浄
作業が簡単になる等の効果がある。
【図1】 従来のトレイ及びキャリヤの全体側面図
【図2】 本発明の実施例の全体概略平面図
【図3】 図2の全体概略側面図
【図4】 トレイの拡大断面図
【図5】 洗浄室の拡大截断側面図
【図6】 洗浄室の変形例の截断概略平面図
1 インライン型成膜装置 7、20 レール
8 トレイ 9 キャリヤ 13 車輪
14 基板 15 移動台車 16 洗浄室
22 真空排気口 23 エッチングガス導入口 26 プラズマ発
生装置
8 トレイ 9 キャリヤ 13 車輪
14 基板 15 移動台車 16 洗浄室
22 真空排気口 23 エッチングガス導入口 26 プラズマ発
生装置
フロントページの続き (72)発明者 伊東 一幸 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 米崎 武 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 橋本 征典 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 白 忠烈 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 中村 久三 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 複数の成膜室に基板を取付けたトレイを
キャリヤにより順次移動させて該基板に成膜を施すイン
ライン型成膜装置に於て、成膜した基板を取り外したト
レイをキャリヤと共に収容する移動台車と、該トレイ及
びキャリヤを収容した移動台車全体が収まり且つ真空排
気手段とエッチングガス導入手段とプラズマ発生手段と
を備えた洗浄室とで構成したことを特徴とするインライ
ン型成膜装置に於けるトレイ洗浄装置。 - 【請求項2】 上記プラズマ発生手段の代りにトレイ及
びキャリアの加熱手段を備えたことを特徴とする請求項
1に記載のインライン型成膜装置に於けるトレイ洗浄装
置。 - 【請求項3】 上記トレイは成膜装置に設けたレールを
走行する車輪を備えたキャリヤに取付けられて移動し、
上記移動台車は複数本のレールを備えてその夫々にトレ
イを取付けたキャリヤを載せて洗浄室内へ移動すること
を特徴とする請求項1に記載のインライン型成膜装置に
於けるトレイ洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP04245203A JP3103997B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | インライン型成膜装置に於けるトレイ洗浄装置 |
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JP04245203A Expired - Fee Related JP3103997B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | インライン型成膜装置に於けるトレイ洗浄装置 |
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JP2007126703A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 成膜装置 |
JP2011168870A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置及びメンテナンス方法 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP04245203A patent/JP3103997B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007126703A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 成膜装置 |
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JP2011168870A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置及びメンテナンス方法 |
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