JPH0684840A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
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- JPH0684840A JPH0684840A JP23504592A JP23504592A JPH0684840A JP H0684840 A JPH0684840 A JP H0684840A JP 23504592 A JP23504592 A JP 23504592A JP 23504592 A JP23504592 A JP 23504592A JP H0684840 A JPH0684840 A JP H0684840A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特にアルミニウム合金配線の形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device,
Particularly, it relates to a method for forming an aluminum alloy wiring.
【０００２】近年の半導体装置の高集積化に伴って、ア
ルミニウム(Al)配線も極度に微細化され、ストレスマイ
グレーションやエレクトロマイグレーションによる信頼
性低下が顕在化して来た。そこでAl配線の材料に、Al−
銅(Cu)合金や、Al−チタン(Ti)−Cu合金等を用いて上記
マイグレーションの防止が図られるようになったが、一
方、これらの材料を用いたAl配線には、コロジョンによ
る信頼性低下の問題があり、対策が望まれている。With the recent high integration of semiconductor devices, aluminum (Al) wiring has been extremely miniaturized, and reliability deterioration due to stress migration and electromigration has become apparent. Therefore, Al-
Copper (Cu) alloy, Al-titanium (Ti) -Cu alloy, etc. have been used to prevent the above migration.On the other hand, Al wiring using these materials has reliability due to corrosion. There is a problem of deterioration, and countermeasures are desired.
【０００３】[0003]
【従来の技術】上記Al-Cu 合金やAl-Ti-Cu合金には、塩
素(Cl)等のハロゲンイオンが存在する場合、合金を構成
する金属分子間の電池作用によって急速にコロジョンが
進むという性質がある。そのため上記Al-Cu 合金やAl-T
i-Cu合金等を用いたAl配線においては、コロジョンによ
る断線が発生し易いという問題がある。2. Description of the Related Art In the above Al-Cu alloys and Al-Ti-Cu alloys, when halogen ions such as chlorine (Cl) are present, it is said that the corrosion progresses rapidly due to the cell action between the metal molecules constituting the alloy. There is a property. Therefore, the above Al-Cu alloy and Al-T
Al wiring using an i-Cu alloy or the like has a problem that disconnection due to corrosion is likely to occur.
【０００４】そこで従来の上記Al合金を配線に用いる半
導体装置の製造方法においては、配線の形成に際して、
配線材料である上記Al合金薄膜を、レジストをマスクに
し、例えば３塩化硼素(BCl3)と塩素(Cl2) との混合ガス
等のハロゲン系ガスを用いたドライエッチング手段によ
り配線形状にパターニングし、次いで周知の４弗化炭素
(CF4) を含んだ酸素(O2)によるアッシングによりAl合金
配線パターン上のレジストを除去した後に、このAl合金
配線パターンを有する基板に対し、紫外線照射、熱処
理、十分な水洗等を施すことによって、前記エッチング
に際して配線パターンの表面や基板面に吸着されたCl等
のハロゲン系分子を除去することで、コロジョンの防止
がなされていた。Therefore, in the conventional method of manufacturing a semiconductor device using the above Al alloy for wiring, when forming the wiring,
Using the resist as a mask, the Al alloy thin film, which is a wiring material, is patterned into a wiring shape by a dry etching means using a halogen-based gas such as a mixed gas of boron trichloride (BCl 3 ) and chlorine (Cl 2 ). , Then the well-known carbon tetrafluoride
After removing the resist on the Al alloy wiring pattern by ashing with oxygen (O 2 ) containing (CF 4 ), subject the substrate having this Al alloy wiring pattern to ultraviolet irradiation, heat treatment, sufficient water washing, etc. Thus, by removing halogen-based molecules such as Cl adsorbed on the surface of the wiring pattern or the surface of the substrate during the etching, it is possible to prevent the collision.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記加熱或い
は水洗によるハロゲン分子の除去方法は、何れもAl合金
配線及び基板の表面に吸着されているハロゲン例えばCl
を物理的に除去する方法であるために、その除去が十分
にはなされず、また水洗法では水分が吸着されることも
あって、コロジョンの防止は完全にはなし得ず、そのた
めに、製造工程中或いは製品の動作時にコロジョンによ
るAl合金配線の断線が発生し、半導体装置の製造歩留り
や信頼性が低下するという問題が生じていた。However, in any of the above methods for removing halogen molecules by heating or washing with water, the halogen adsorbed on the surfaces of the Al alloy wiring and the substrate, such as Cl, is used.
Since it is a method of physically removing, the removal is not sufficiently performed, and water may be adsorbed by the water washing method, so that it is not possible to completely prevent the collision, and therefore, the manufacturing process. There has been a problem that disconnection of the Al alloy wiring due to the collision occurs during the operation of the inside or the product, and the manufacturing yield and reliability of the semiconductor device are reduced.
【０００６】そこで本発明は、Al合金配線のパターニン
グに際してのエッチング工程においてAl合金配線の表面
及び基板面に吸着されるハロゲン分子をほぼ完全に除去
する方法を提供し、上記Al-Cu 若しくはAl-Ti-Cu等のAl
合金配線のコロジョンによる断線を防止することを目的
とする。Therefore, the present invention provides a method for almost completely removing halogen molecules adsorbed on the surface of an Al alloy wiring and the surface of a substrate in an etching step for patterning an Al alloy wiring. Al such as Ti-Cu
The purpose is to prevent disconnection of alloy wiring due to corosion.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、Al若
しくはその合金の薄膜を、レジストをマスクにし、ハロ
ゲン系のガスを用いたドライエッチング手段によりパタ
ーニングした後、該Al若しくはその合金薄膜パターン上
のレジストを、カルボン酸類、アルデヒド類、エーテル
類、ケトン類の中の少なくとも１種類のガスを添加した
アッシングガスを用いてアッシング除去する工程を有す
る本発明による半導体装置の製造方法により達成され
る。Means for Solving the Problems To solve the above problems, a thin film of Al or an alloy thereof is patterned by dry etching means using a resist as a mask and a halogen-based gas, and then the thin film of Al or an alloy thereof is patterned. This is achieved by the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, which has a step of ashing and removing the above resist using an ashing gas to which at least one gas selected from carboxylic acids, aldehydes, ethers and ketones is added. .
【０００８】[0008]
【作用】即ち本発明の方法においては、Al若しくはAl合
金配線パターン形成の際のエッチングマスクに用いたレ
ジストを除去するアッシングガス中にカルボン酸類、ア
ルデヒド類、エーテル類、ケトン類の中の少なくとも１
種類のガスを添加し、レジストアッシングに際してのプ
ラズマ処理において、上記添加ガスをプラズマ解離させ
て水素(H) 、炭素(C) 、酸素(O) 、水素化炭素（CHx ）
等の極性基を発生させ、これらの極性基との化学結合に
よって、配線パターンや基板の表面に吸着されている極
性の強いハロゲン系のガス分子例えばCl分子を引出し、
この化学結合で主として生成ずる塩酸(HCl) や塩化アル
キル(RCl) 等のガス状のハロゲン化合物を、アッシング
ガスと共に真空引きすることにより除去する。That is, in the method of the present invention, at least one of carboxylic acids, aldehydes, ethers, and ketones is added to the ashing gas for removing the resist used as the etching mask for forming the Al or Al alloy wiring pattern.
In the plasma treatment for resist ashing by adding different kinds of gas, the added gas is plasma dissociated to hydrogen (H), carbon (C), oxygen (O), hydrogenated carbon (CH x ).
Generate polar groups such as, and by chemical bonding with these polar groups, halogen-based gas molecules with strong polarity, such as Cl molecules, adsorbed on the surface of the wiring pattern or the substrate are extracted,
Gaseous halogen compounds such as hydrochloric acid (HCl) and alkyl chloride (RCl) which are mainly produced by this chemical bond are removed by evacuation together with the ashing gas.
【０００９】このように、本発明の方法においては、配
線パターニング後にAl若しくはAl合金配線の表面及び基
板面に吸着されているハロゲン系分子例えばClを化学結
合により吸着面から引き離し、それを真空引きによって
除去するので、上記Cl等の吸着ハロゲン分子の除去はほ
ぼ完全になされる。As described above, in the method of the present invention, halogen-based molecules such as Cl adsorbed on the surface of Al or Al alloy wiring and the substrate surface after the wiring patterning are separated from the adsorbed surface by a chemical bond and then vacuumed. The removal of the adsorbed halogen molecules such as Cl is almost complete.
【００１０】従って、本発明によれば、製造工程中或い
は製品の使用中ににおけるAl若しくはAl合金配線のコロ
ジョンによる断線は、ほぼ完全に防止される。Therefore, according to the present invention, the breakage of the Al or Al alloy wiring due to the collision during the manufacturing process or the use of the product is almost completely prevented.
【００１１】[0011]
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図１は本発明の方法の一実施例の工程断面図、
図２は実施例に用いたアッシング装置の模式断面図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to illustrated examples. FIG. 1 is a process sectional view of an embodiment of the method of the present invention,
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the ashing device used in the examples. The same object is denoted by the same reference numeral throughout the drawings.
【００１２】図１(a) 参照 本発明の方法により例えばAl-2%Cu 合金配線を有する半
導体装置を形成するには、半導体素子（図示せず）が形
成されている半導体基板１上にＰＳＧ等からなる層間絶
縁膜２を形成し、この層間絶縁膜２に下層とのコンタク
ト窓（図示せず）を形成した後、この層間絶縁膜２上
に、通常通りスパッタ法等により配線材料の例えば厚さ
１μｍ程度のAl-2%Cu 合金膜３を形成し、次いで、この
Al-1%Cu 合金膜３上に通常のフォトリソグラフィ手段に
より配線のパターン形状に対応する形状を有するレジス
トパターン４を形成する。Referring to FIG. 1A, in order to form a semiconductor device having, for example, Al-2% Cu alloy wiring by the method of the present invention, PSG is formed on a semiconductor substrate 1 on which semiconductor elements (not shown) are formed. After forming an interlayer insulating film 2 made of, for example, a contact window (not shown) with a lower layer in the interlayer insulating film 2, a wiring material such as a wiring material is usually formed on the interlayer insulating film 2 by a sputtering method or the like. An Al-2% Cu alloy film 3 having a thickness of about 1 μm is formed, and then this
A resist pattern 4 having a shape corresponding to the wiring pattern shape is formed on the Al-1% Cu alloy film 3 by a normal photolithography means.
【００１３】図１(b) 参照 次いで、通常通り、上記レジストパターン４をマスクに
し、ハロゲン系のガス例えばBCl3とCl2 との混合ガスを
エッチングガスに用いるリアクティブイオンエッチング
（RIE ）処理により前記Al-2%Cu 合金膜３をパターニン
グし、Al-2%Cu合金配線パターン3Lを形成する。なお、
このエッチングにおいて、Al-2%Cu 合金配線パターン3L
やレジストパターン４及び層間絶縁膜２の表面にはCl
（分子或いはイオン）５が多量に吸着される。Then, as shown in FIG. 1 (b), the resist pattern 4 is used as a mask and a reactive ion etching (RIE) process is carried out using a halogen-based gas such as a mixed gas of BCl 3 and Cl 2 as an etching gas. The Al-2% Cu alloy film 3 is patterned to form an Al-2% Cu alloy wiring pattern 3L. In addition,
In this etching, Al-2% Cu alloy wiring pattern 3L
Cl on the surface of the resist pattern 4 and the interlayer insulating film 2
A large amount of (molecules or ions) 5 is adsorbed.
【００１４】図１(c) 参照 次いで、通常通りアッシング手段によってレジストパタ
ーン４の除去を行うが、この際、本発明の方法において
は、従来用いていた例えば（O2＋8%CF4)の混合ガス 800
sccmに５sccm程度のカルボン酸類のガス例えば酢酸(CH3
COOH) ガスを添加したアッシングガス６を用い、アッシ
ング装置内のガス圧を例えば 0.5〜１Torr程度に保って
レジストのアッシング処理を行う。このアッシングには
例えば図２の模式断面図に示すような、平行平板型のア
ッシング装置が用いられる。なお図２において、31はア
ッシング容器、32はターゲット電極、33は対向電極、34
はガス供給管、35はガス吹き出し口、36は真空排気口、
37は電極支軸、38は絶縁体、39は高周波電源(13.56MH
z)、40はコンデンサ、41は接地部、42は被処理基板、６
は前記CH3COOH を添加したアッシングガスを示す。ここ
で、ターゲット電極32と対向電極33管の距離ｄは70mmと
した。また、アッシング容器31、ターゲット電極32、対
向電極33、ガス供給管34、電極支柱37は導体で形成され
ている。Then, the resist pattern 4 is removed by ashing means as usual. In this case, in the method of the present invention, for example, (O 2 + 8% CF 4 ) is mixed. Gas 800
About 5 sccm of carboxylic acid gas such as acetic acid (CH 3
Using the ashing gas 6 added with COOH gas, the ashing process of the resist is performed while maintaining the gas pressure in the ashing device at about 0.5 to 1 Torr. For this ashing, for example, a parallel plate type ashing device as shown in the schematic sectional view of FIG. 2 is used. In FIG. 2, 31 is an ashing container, 32 is a target electrode, 33 is a counter electrode, 34
Is a gas supply pipe, 35 is a gas outlet, 36 is a vacuum exhaust port,
37 is an electrode support shaft, 38 is an insulator, 39 is a high frequency power supply (13.56MH
z), 40 is a capacitor, 41 is a grounding part, 42 is a substrate to be processed, 6
Represents the ashing gas to which the CH 3 COOH was added. Here, the distance d between the target electrode 32 and the tube of the counter electrode 33 was 70 mm. Further, the ashing container 31, the target electrode 32, the counter electrode 33, the gas supply pipe 34, and the electrode column 37 are made of a conductor.
【００１５】そして、ターゲット電極32と対向電極33と
の間に 13.56MHz 、 350〜400W程度の高周波パワーを印
加し、上記電極32、33間にプラズマを発生せしめ、この
プラズマにより励起されたO2ガス及びCF4 ガスによりレ
ジストのアッシング除去がなされる。そしてこの際、同
時にプラズマにより前記CH3COOH ガスが分解励起されて
形成された水素イオン(H+ ) 及びCH3COO+ 基がAl-2%Cu
合金配線パターン3Lやレジストパターン４及び層間絶縁
膜２の表面に吸着されているCl- と結合してガス上のHC
l 及びCH3COCl となって吸着部から引き離され、アッシ
ングガスと共に真空排気口36から吸引除去される。Then, high frequency power of 13.56 MHz and about 350 to 400 W is applied between the target electrode 32 and the counter electrode 33 to generate plasma between the electrodes 32 and 33, and O 2 excited by the plasma is generated. The resist and ashing are removed by the gas and CF 4 gas. And at this time, at the same time, the hydrogen ions (H + ) formed by the decomposition and excitation of the CH 3 COOH gas by the plasma and the CH 3 COO + groups are Al-2% Cu.
HC on the gas by combining with the Cl − adsorbed on the surfaces of the alloy wiring pattern 3L, the resist pattern 4 and the interlayer insulating film 2
l and CH 3 COCl are separated from the adsorption part, and are removed together with the ashing gas from the vacuum exhaust port 36.
【００１６】なお、前記エッチングに用いた装置と上記
アッシング装置とは気密室を介して連結されていて、真
空中（厳密には減圧中）においてエッチングを完了した
試料は、真空中を通過し外気に触れないでアッシング装
置内へ移されるのが望ましい。これは移動中にコロジョ
ンを発生させないためである。The apparatus used for the etching and the ashing apparatus are connected via an airtight chamber, and the sample which has been etched in vacuum (strictly, under reduced pressure) passes through the vacuum and is exposed to the outside air. It is desirable to move it into the ashing device without touching it. This is because no collision occurs during movement.
【００１７】図１(d) 参照 この図は、上記のようにして、レジストパターン４のア
ッシング除去が完了するとともに、層間絶縁膜２及びそ
の上に形成されたAl-2%Cu 合金配線パターン3Lの表面に
吸着されていたClが除去された後の状態を示す。As shown in FIG. 1 (d), the ashing removal of the resist pattern 4 is completed and the interlayer insulating film 2 and the Al-2% Cu alloy wiring pattern 3L formed on the interlayer insulating film 2 are completed as described above. The state after Cl adsorbed on the surface of is removed is shown.
【００１８】図１(e) 参照 次いで、上記Al-2%Cu 合金配線パターン3Lの形成面上に
例えばＰＳＧ膜及び窒化珪素(Si3N4) 膜等からなる被覆
絶縁膜７を形成してAl-2%Cu 合金配線を有する半導体装
置は完成する。Next, referring to FIG. 1 (e), a coating insulating film 7 made of, for example, a PSG film and a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film is formed on the surface on which the Al-2% Cu alloy wiring pattern 3L is formed. A semiconductor device having Al-2% Cu alloy wiring is completed.
【００１９】上記実施例に示したように本発明の方法に
おいては、エッチングに際して配線や絶縁膜の表面に吸
着された極性の強いClは、レジストのアッシングガスに
添加したCH3COOH ガスがアッシングに際してのプラズマ
処理により分解励起して生成される極性の強い H+ やCH
3COO+ 基との化学結合によって吸着面から引き離されて
ほぼ完全に除去される。従って、40℃、湿度100%におけ
る高湿度放置試験において、従来１〜２日で発生してい
たコロジョンによる断線は、１〜２ヵ月を経てもその発
生が皆無であった。なお、吸着ハロゲンの除去処理を全
然行わないものは、１〜３時間で殆どのものがコロジョ
ンにより断線する。As shown in the above embodiment, in the method of the present invention, Cl having strong polarity adsorbed on the surface of the wiring or the insulating film during etching is removed by the CH 3 COOH gas added to the ashing gas of the resist during ashing. H + and CH, which have strong polarity and are generated by decomposition and excitation by plasma treatment of
3 It is separated from the adsorption surface by chemical bonding with COO + groups and is almost completely removed. Therefore, in the high-humidity storage test at 40 ° C. and 100% humidity, the breakage due to the corrosion, which had conventionally occurred in 1 to 2 days, did not occur even after 1 to 2 months. In addition, in the case where the treatment for removing the adsorbed halogen is not performed at all, most of the cases are broken due to the corrosion in 1 to 3 hours.
【００２０】上記実施例においては、吸着ハロゲンの除
去用にアッシングガスに添加するガスにカルボン酸類の
中のCH3COOH を用いたが、蟻酸(HCOOH) 等他のカルボン
酸（R-COOH) のガスを用いても同様の効果が得られる。In the above examples, CH 3 COOH among carboxylic acids was used as a gas added to the ashing gas for removing the adsorbed halogen, but other carboxylic acids (R-COOH) such as formic acid (HCOOH) were used. The same effect can be obtained by using gas.
【００２１】また、カルボン酸類に限らず、ホルムアル
デヒド(HCHO)、アセトアルデヒド(CH3CHO)等のアルデヒ
ド(R-CHO) 類、ジメチルエーテル(CH3OCH3) 、ジエチル
エーテル(C2H5OC2H5) 等のエーテル( R-OR′) 類、或い
はアセトン((CH3)2CO)等のケトン( R-CO-R′) 類のガス
を添加ガスに用いても、同様の効果を奏する。これは、
それらの添加ガスが、実施例同様に、プラズマ分解によ
って極性の強い H+ やCHx を生成することによる。Not only carboxylic acids, but also aldehydes (R-CHO) such as formaldehyde (HCHO) and acetaldehyde (CH 3 CHO), dimethyl ether (CH 3 OCH 3 ), diethyl ether (C 2 H 5 OC 2 H). 5) ether (R-oR ') s, or acetone ((CH 3) 2 CO) ketones such as (R-CO-R' such as be used to) such gas additive gas, the same effect . this is,
This is because those additive gases generate H + and CH x having a strong polarity by plasma decomposition as in the example.
【００２２】また上記効果は、Al-Cu 合金に限らずAl-T
i-Cu合金等他のAl合金、或いは純Alを配線に用いる場合
にも同様に得られる。The above effects are not limited to Al-Cu alloys, but Al-T
The same can be obtained when other Al alloy such as i-Cu alloy or pure Al is used for the wiring.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明のように本発明の方法によれ
ば、Al-Cu 合金、Al-Ti-Cu合金等のAl合金配線のコロジ
ョンによる断線が防止される。従って本発明は、上記Al
合金を用いマイグレーションを防止して高集積化が図ら
れる半導体装置の製造歩留り及び信頼性の向上に寄与す
るところが大きい。As described above, according to the method of the present invention, it is possible to prevent disconnection of Al alloy wiring such as Al-Cu alloy and Al-Ti-Cu alloy due to corrosion. Therefore, the present invention is
The use of alloys contributes greatly to the improvement of manufacturing yield and reliability of semiconductor devices in which migration is prevented and high integration is achieved.
【図１】 本発明の方法の一実施例の工程断面図FIG. 1 is a process sectional view of an embodiment of a method of the present invention.
【図２】 実施例に用いたアッシング装置の模式断面図FIG. 2 is a schematic sectional view of an ashing device used in an example.
１ 半導体基板 ２ 層間絶縁膜 ３ Al-2%Cu 合金膜 3L Al-1%Cu 合金配線パターン ４ レジストパターン ５ Cl（分子或いはイオン） ６ CH3COOH を添加したアッシングガス ７ 被覆絶縁膜 31 アッシング容器 32 ターゲット電極 33 対向電極 34 ガス供給管 35 ガス吹き出し口 36 真空排気口 37 電極支軸 38 絶縁体 39 高周波電源(13.56MHz) 40はコンデンサ 41 接地部 42 被処理基板1 semiconductor substrate 2 interlayer insulating film 3 Al-2% Cu alloy film 3L Al-1% Cu alloy wiring pattern 4 resist pattern 5 Cl (molecule or ion) 6 CH 3 COOH added ashing gas 7 coated insulating film 31 ashing container 32 Target electrode 33 Counter electrode 34 Gas supply pipe 35 Gas outlet 36 Vacuum exhaust port 37 Electrode support shaft 38 Insulator 39 High frequency power supply (13.56MHz) 40 is a capacitor 41 Grounding part 42 Target substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 21/3205
Claims (1)
を、レジストをマスクにし、ハロゲン系のガスを用いた
ドライエッチング手段によりパターニングした後、 該アルミニウム若しくはその合金薄膜パターン上のレジ
ストを、カルボン酸類、アルデヒド類、エーテル類、ケ
トン類の中の少なくとも１種類のガスを添加したアッシ
ングガスを用いてアッシング除去する工程を有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。1. A thin film of aluminum or its alloy is patterned using a resist as a mask by a dry etching means using a halogen-based gas, and then the resist on the aluminum or its alloy thin film pattern is treated with carboxylic acids or aldehydes. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of removing by ashing using an ashing gas to which at least one gas selected from ethers and ketones is added.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23504592A JPH0684840A (en) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23504592A JPH0684840A (en) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684840A true JPH0684840A (en) | 1994-03-25 |
Family
ID=16980270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23504592A Withdrawn JPH0684840A (en) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684840A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-09-03 JP JP23504592A patent/JPH0684840A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |