JPH06223399A - Semiconductor laser diode, optical head and laser noise reducing means - Google Patents
Semiconductor laser diode, optical head and laser noise reducing meansInfo
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- JPH06223399A JPH06223399A JP5293502A JP29350293A JPH06223399A JP H06223399 A JPH06223399 A JP H06223399A JP 5293502 A JP5293502 A JP 5293502A JP 29350293 A JP29350293 A JP 29350293A JP H06223399 A JPH06223399 A JP H06223399A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光学式記録再生装置の
光ヘッドの構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of an optical head of an optical recording / reproducing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体レーザダイオードは、図１
７に示した様に、レーザチップ及びレーザ出力検出手段
のみを一体化してケース内におさめていた。2. Description of the Related Art A conventional semiconductor laser diode is shown in FIG.
As shown in FIG. 7, only the laser chip and the laser output detecting means are integrated and housed in the case.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる従来の
技術では、光ヘッド内に独立に光源ユニット外部からの
光信号を検出する信号検出手段及びレーザ雑音低減手段
及び前置増幅器及び信号処理手段を設けなければならな
いため、光ヘッドの小型化及び簡略化に限界があるとい
う問題点を有していた。However, in such a conventional technique, a signal detecting means for independently detecting an optical signal from the outside of the light source unit, a laser noise reducing means, a preamplifier and a signal processing means are provided in the optical head. Since it is necessary to provide the optical head, there is a problem in that there is a limit to miniaturization and simplification of the optical head.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザダ
イオードは、 （１）半導体レーザを有する光源ユニットにおいて、レ
ーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の
可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減させ
るレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部からの光信
号を検出する信号検出手段を同一基板上に構成したこと
を特徴とする。The semiconductor laser diode of the present invention comprises: (1) In a light source unit having a semiconductor laser, a high frequency is superposed on a laser diode drive current to reduce the coherence of laser light. It is characterized in that the laser noise reducing means for reducing noise and the signal detecting means for detecting an optical signal from the outside of the light source unit are formed on the same substrate.
【０００５】（２）半導体レーザを有する光源ユニット
において、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット
外部からの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチ
ップから出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力
検出手段を同一基板上に構成したことを特徴とする半導
体レーザダイオード。(2) In a light source unit having a semiconductor laser, a high frequency is superposed on a laser diode driving current to reduce laser noise by reducing coherence of laser light, and a laser noise reducing means from outside the light source unit. A semiconductor laser diode, wherein a signal detecting means for detecting an optical signal and a laser output detecting means for monitoring the amount of laser light emitted from a laser chip are formed on the same substrate.
【０００６】（３）半導体レーザを有する光源ユニット
において、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット
外部からの光信号を検出する信号検出手段及び前記信号
検出手段の出力を電流−電圧変換し、十分な信号レベル
まで増幅すると共に、必要があれば複数の前記信号検出
手段の出力を演算処理して所望の信号を生成する前置増
幅器を同一基板上に構成したことを特徴とする。(3) In a light source unit having a semiconductor laser, a high frequency is superposed on a laser diode drive current to reduce laser noise by reducing coherence of laser light, and a laser noise reducing means from the outside of the light source unit. The signal detecting means for detecting the optical signal and the output of the signal detecting means are current-voltage converted and amplified to a sufficient signal level, and if necessary, the outputs of the plurality of signal detecting means are processed to obtain a desired signal. It is characterized in that the preamplifier for generating a signal is formed on the same substrate.
【０００７】（４）半導体レーザを有する光源ユニット
において、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット
外部からの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチ
ップから出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力
検出手段及び前記信号検出手段とレーザ出力検出手段の
出力を電流−電圧変換し、十分な信号レベルまで増幅す
ると共に、必要があれば複数の前記信号検出手段の出力
を演算処理して所望の信号を生成する前置増幅器を同一
基板上に構成したことを特徴とする。(4) In a light source unit having a semiconductor laser, a high frequency is superposed on a laser diode drive current to reduce laser noise by reducing coherence of laser light, and a laser noise reducing means from the outside of the light source unit. Signal detecting means for detecting an optical signal, laser output detecting means for monitoring the light amount of laser light emitted from a laser chip, and current-voltage conversion of outputs of the signal detecting means and laser output detecting means, and amplification to a sufficient signal level In addition, if necessary, the preamplifier that performs arithmetic processing on the outputs of the plurality of signal detection means to generate a desired signal is configured on the same substrate.
【０００８】（５）半導体レーザを有する光源ユニット
において、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット
外部からの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチ
ップから出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力
検出手段及び前記信号検出手段とレーザ出力検出手段の
出力を電流−電圧変換し、十分な信号レベルまで増幅す
ると共に、必要があれば複数の前記信号検出手段の出力
を演算処理して所望の信号を生成する前置増幅器の内、
少なくとも２つ以上を同一基板上に構成し、さらにレー
ザチップより発せられるレーザ光の進行方向を所望の方
向に転換する光路転換手段を有することを特徴とする。(5) In a light source unit having a semiconductor laser, a high frequency is superimposed on a laser diode drive current to reduce laser noise by reducing coherence of laser light, and a laser noise reducing means from the outside of the light source unit. Signal detecting means for detecting an optical signal, laser output detecting means for monitoring the light amount of laser light emitted from a laser chip, and current-voltage conversion of outputs of the signal detecting means and laser output detecting means, and amplification to a sufficient signal level In addition, if necessary, among the preamplifiers that perform the arithmetic processing of the outputs of the plurality of signal detection means to generate a desired signal,
At least two or more of them are formed on the same substrate, and an optical path changing means for changing the traveling direction of the laser light emitted from the laser chip to a desired direction is characterized.
【０００９】（６）半導体レーザを有する光源ユニット
において、ケース内部に、レーザダイオード駆動電流に
高周波を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させること
によりレーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段を内
蔵し、前記レーザ雑音低減手段は、レーザチップ近傍の
放熱器側面に配置されていることを特徴とする。(6) In a light source unit having a semiconductor laser, a laser noise reducing means for reducing laser noise by superimposing a high frequency on a laser diode drive current to reduce coherence of laser light is built in a case. However, the laser noise reducing means is arranged on the side surface of the radiator near the laser chip.
【００１０】また、本発明の光ヘッドは、 （７）第１項記載の半導体レーザダイオードを光源に用
いたことを特徴とする。The optical head of the present invention is characterized in that (7) the semiconductor laser diode described in item 1 is used as a light source.
【００１１】（８）第２項記載の半導体レーザダイオー
ドを光源に用いたことを特徴とする。(8) The semiconductor laser diode described in item 2 is used as a light source.
【００１２】（９）第３項記載の半導体レーザダイオー
ドを光源に用いたことを特徴とする。(9) The semiconductor laser diode described in item 3 is used as a light source.
【００１３】（１０）第４項記載の半導体レーザダイオ
ードを光源に用いたことを特徴とする。(10) The semiconductor laser diode described in item 4 is used as a light source.
【００１４】（１１）第５項記載の半導体レーザダイオ
ードを光源に用いたことを特徴とする。(11) The semiconductor laser diode described in item 5 is used as a light source.
【００１５】（１２）第６項記載の半導体レーザダイオ
ードを光源に用いたことを特徴とする。(12) The semiconductor laser diode described in item 6 is used as a light source.
【００１６】また、本発明のレーザ雑音低減手段は、 （１３）半導体レーザを有する光源ユニットにおいて、
レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光
の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減さ
せるレーザ雑音低減回路であり、第１及び第２の２つの
増幅器を用いて構成され、前記第１の増幅器及び前記第
１の増幅器の出力を入力端子に正帰還する１つのコンデ
ンサからなる発振器、前記発振器の出力を増幅する前記
第２の増幅器及び低域通過手段からなることを特徴とす
る。Further, the laser noise reduction means of the present invention is (13) in a light source unit having a semiconductor laser,
A laser noise reduction circuit for reducing laser noise by superimposing a high frequency on a laser diode drive current to reduce coherence of laser light, the first and second amplifiers being used for the laser noise reduction circuit. An oscillator including one amplifier and one capacitor for positively feeding back the output of the first amplifier to an input terminal, the second amplifier for amplifying the output of the oscillator, and a low-pass means.
【００１７】（１４）半導体レーザを有する光源ユニッ
トにおいて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減回路であり、１つの増
幅器及び前記増幅器の出力を入力端子に正帰還する１つ
のコンデンサからなる発振器と、低域通過手段からなる
ことを特徴とする。(14) In a light source unit having a semiconductor laser, it is a laser noise reduction circuit for reducing laser noise by superimposing a high frequency on a laser diode drive current to reduce coherence of laser light. And an oscillator composed of one capacitor for positively feeding back the output of the amplifier to the input terminal, and a low-pass means.
【００１８】[0018]
（実施例１）以下に、本発明の実施例を図面に基づいて
説明する。尚、図面上で内容の同じものについは同じ番
号で示してある。以下、図に従って本発明の半導体レー
ザダイオードの作用を説明する。(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same numbers are used for the same contents. The operation of the semiconductor laser diode of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１９】図１と図２は、本発明の一実施例に於ける
半導体レーザダイオード構造を示す説明図である。図１
及び図２において、半導体レーザダイオードは、レーザ
チップ１、前記レーザチップ１の発熱による破壊を防止
するための放熱器２、記録媒体からの反射光から記録情
報や位置誤差信号を再生する信号検出用フォトダイオー
ド９及び前記レーザチップ１からの出射光量を検出する
ためのレーザ出力検出用フォトダイオード３及びレーザ
雑音低減回路１７及び前置増幅器を一体化して同一基板
上に構成したウエハ８、前記ウエハ８を電気的に外部回
路と接続する導線７、前記ウエハ８と前記導線７、また
は前記レーザチップ１と前記ウエハ８を接続するボンデ
ィングワイヤ１６、全体を固定する土台となるステム
４、内部の部品を物理的に保護すると同時にレーザ光を
取り出すためのキャップ５及び出射窓６から成る。1 and 2 are explanatory views showing a semiconductor laser diode structure in one embodiment of the present invention. Figure 1
In FIG. 2, a semiconductor laser diode includes a laser chip 1, a radiator 2 for preventing the laser chip 1 from being destroyed by heat generation, and a signal detecting device for reproducing recorded information and a position error signal from reflected light from a recording medium. A wafer 8 in which a photodiode 9 and a laser output detection photodiode 3 for detecting the amount of light emitted from the laser chip 1, a laser noise reduction circuit 17, and a preamplifier are integrated on the same substrate. To electrically connect an external circuit to the wafer, the wafer 8 to the conductor 7, or the bonding wire 16 to connect the laser chip 1 to the wafer 8, the stem 4 for fixing the whole, and the internal parts. It comprises a cap 5 and an emission window 6 for physically protecting and at the same time taking out laser light.
【００２０】前記レーザチップ１より出射したレーザ光
の一部は内部の前記レーザ出力検出用フォトダイオード
３に入射する。前記レーザ出力検出用フォトダイオード
３は、入射光の光エネルギーを電流に変換するので、前
記レーザ出力検出用フォトダイオード３により前記レー
ザチップ１の出射光出力を検出することができる。A part of the laser light emitted from the laser chip 1 is incident on the internal laser output detecting photodiode 3. Since the laser output detecting photodiode 3 converts the light energy of the incident light into a current, the laser output detecting photodiode 3 can detect the emitted light output of the laser chip 1.
【００２１】また、記録媒体からの反射光は、信号検出
用フォトダイオード９に入射し、前記レーザ出力検出用
フォトダイオード３同様に光エネルギーが電流に変換さ
れ、前置増幅器１４に入力される。前記前置増幅器１４
は、前記電流を電圧に変換し、信号を伝送に十分なレベ
ルまで増幅するとともに、信号の出力インピーダンスを
下げ、ノイズの混入や帯域の低下を防ぐものである。さ
らに、前記前置増幅器１４において、信号を演算処理
し、記録情報や位置誤差信号を生成する機能を持たせて
も良い。Further, the reflected light from the recording medium is incident on the signal detecting photodiode 9, and the light energy thereof is converted into a current similarly to the laser output detecting photodiode 3 and inputted to the preamplifier 14. The preamplifier 14
Is for converting the current into a voltage, amplifying the signal to a level sufficient for transmission, and lowering the output impedance of the signal to prevent mixing of noise and reduction of the band. Further, the preamplifier 14 may be provided with a function of processing signals to generate recording information and position error signals.
【００２２】レーザ雑音低減回路１７は、レーザダイオ
ード駆動電流１５に高周波を重畳し、レーザチップ１よ
り発せられるレーザ光の可干渉性を低下させ、もどり光
によるレーザ雑音を低減させるものである。前記レーザ
雑音低減回路１７は、高周波発振器と緩衝増幅器から成
り、その出力はレーザチップのホット側に接続されてい
る。前記レーザ雑音低減回路１７の働きにより、レーザ
ダイオード駆動電流１５は短い周期をもってレベルが変
動し、それに伴って前記レーザ光の波長も変動する。The laser noise reduction circuit 17 superimposes a high frequency on the laser diode drive current 15 to reduce the coherence of the laser light emitted from the laser chip 1 and reduce the laser noise caused by the return light. The laser noise reduction circuit 17 is composed of a high frequency oscillator and a buffer amplifier, and its output is connected to the hot side of the laser chip. Due to the function of the laser noise reduction circuit 17, the level of the laser diode drive current 15 fluctuates in a short cycle, and the wavelength of the laser light also fluctuates accordingly.
【００２３】ウエハ８は、前記信号検出用フォトダイオ
ード９及び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３及
び前記レーザ雑音低減回路１７及び前置増幅器１４を一
体化して、同一基板上に構成したものである。図２は、
図１に於けるウエハ８の構成を拡大して示した説明図で
ある。図に示したように、前記信号検出用フォトダイオ
ード９及び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３及
び前記レーザ雑音低減回路１７及び前置増幅器を別々に
製造する場合に比べ、はるかに小型かつ簡単な構造にな
る。また、本構成では、前記信号検出用フォトダイオー
ド９及び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３を全
て同一ウエハ上に一体形成するため、各フォトダイオー
ドの相対位置や形状寸法は、半導体集積回路と同程度の
精度にすることが可能であり、容易に高い位置精度を実
現することができる。レーザダイオード及び信号検出用
フォトダイオードを一体化した場合、相対位置精度の管
理が重要であるが、本構成では量産時も安定した品質を
維持する事が容易である。さらに、信号検出用フォトダ
イオード９及びレーザ出力検出用フォトダイオード３に
十分近い位置に前置増幅器１４を配置することができる
ため、外来ノイズに対して強い検出系を実現することが
できる。The wafer 8 is formed by integrating the signal detecting photodiode 9, the laser output detecting photodiode 3, the laser noise reduction circuit 17, and the preamplifier 14 on the same substrate. Figure 2
It is explanatory drawing which expanded and showed the structure of the wafer 8 in FIG. As shown in the figure, compared to the case where the signal detecting photodiode 9, the laser output detecting photodiode 3, the laser noise reduction circuit 17, and the preamplifier are manufactured separately, the structure is much smaller and simpler. become. Further, in this configuration, since the signal detection photodiode 9 and the laser output detection photodiode 3 are all integrally formed on the same wafer, the relative position and shape of each photodiode are similar to those of the semiconductor integrated circuit. Therefore, it is possible to easily achieve high positional accuracy. When the laser diode and the signal detection photodiode are integrated, it is important to control the relative position accuracy, but with this configuration, it is easy to maintain stable quality during mass production. Further, since the preamplifier 14 can be arranged at a position sufficiently close to the signal detection photodiode 9 and the laser output detection photodiode 3, a detection system that is strong against external noise can be realized.
【００２４】図３は、図１の半導体レーザダイオードに
於ける回路構成を示すブロック図である。図３におい
て、半導体レーザダイオードは、信号検出手段９及びレ
ーザ出力検出手段３及びレーザ雑音低減手段１７及び前
置増幅器１４及びレーザチップ１から成る。信号検出手
段９及びレーザ出力検出手段３の出力は、前置増幅器１
４で増幅され、出力される。レーザ雑音低減手段１７
は、レーザダイオード駆動電流１５に高周波を重畳し、
レーザ雑音を低減させる。これらの回路は、図２に示し
たウエハ８上に形成される。FIG. 3 is a block diagram showing a circuit configuration in the semiconductor laser diode of FIG. In FIG. 3, the semiconductor laser diode comprises a signal detecting means 9, a laser output detecting means 3, a laser noise reducing means 17, a preamplifier 14 and a laser chip 1. The outputs of the signal detecting means 9 and the laser output detecting means 3 are the preamplifier 1
It is amplified by 4 and output. Laser noise reduction means 17
Superimposes a high frequency on the laser diode drive current 15,
Reduces laser noise. These circuits are formed on the wafer 8 shown in FIG.
【００２５】図４は、図１の前記半導体レーザダイオー
ドに於ける回路を示す説明図である。前記回路は、前置
増幅器１４及びレーザ雑音低減手段１７及び信号検出手
段９及びレーザチップ１より成る。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a circuit in the semiconductor laser diode of FIG. The circuit comprises a preamplifier 14, a laser noise reduction means 17, a signal detection means 9 and a laser chip 1.
【００２６】始めに、前記前置増幅器１４の構成につい
て説明する。４つの前記信号検出手段９の出力は、演算
増幅器２１でそれぞれ電流−電圧変換される。その後、
各電圧出力は、演算処理されることによってフォーカス
位置誤差信号２３、トラック位置誤差信号２４、光磁気
信号２５、全和信号２６となる。これらの信号は、光ヘ
ッドの位置制御や、光ディスクからの情報の読み取りに
用いられる。また、前記レーザ出力検出手段３の出力
は、同じ様に電流−電圧変換され、レーザ出力検出手段
出力２７となる。前記レーザ出力検出手段出力２７は、
レーザ出力を一定にするための誤差信号として用いられ
る。First, the structure of the preamplifier 14 will be described. The outputs of the four signal detecting means 9 are converted into current-voltage by the operational amplifier 21. afterwards,
The respective voltage outputs are processed into a focus position error signal 23, a track position error signal 24, a magneto-optical signal 25, and a sum total signal 26. These signals are used to control the position of the optical head and read information from the optical disc. The output of the laser output detecting means 3 is similarly current-voltage converted to become the laser output detecting means output 27. The laser output detecting means output 27 is
It is used as an error signal to keep the laser output constant.
【００２７】次に、前記レーザ雑音低減手段１７につい
て説明する。図４の実施例では、前記レーザ雑音低減手
段１７は、２つの広帯域増幅器２２ａ及び２２ｂ、帰還
コンデンサ２９、カップリングコンデンサ３０ａ、３０
ｂ、ローパスフィルタ３１を用いて構成される。第１の
前記広帯域増幅器２２ａは、前記帰還コンデンサ２９と
共に高周波発振器として働く。即ち、第１の前記広帯域
増幅器２２ａは非反転増幅器であり、前記広帯域増幅器
２２ａの入力端子と出力端子の位相は同じである。両端
子間に前記帰還コンデンサ２９を接続することにより、
極めて単純な回路構成で高周波発振器を作る事ができ
る。尚、発振周波数は、前記広帯域増幅器２２ａ自体が
持つ時定数と、前記帰還コンデンサ２９の値により決定
されるため、目的の周波数を得るためには、前記帰還コ
ンデンサ２９の値を適当な値に選べば良い。ここで発生
した高周波信号は、前記カップリングコンデンサ３０ａ
を介して第２の前記広帯域増幅器２２ｂに入力される。
第２の前記広帯域増幅器２２ｂは、緩衝増幅器であり、
入力された前記高周波信号を増幅すると同時に、出力イ
ンピーダンスを下げることにより、第１の前記広帯域増
幅器２２ａを安定に動作させ、また効率よくレーザダイ
オード駆動電流に高周波を重畳する働きをする。第２の
前記広帯域増幅器２２ｂの出力はカップリングコンデン
サ３０ｂを介してレーザチップ１のアノード端子に印加
される。これによりレーザダイオード駆動電流は短い周
期で増減を繰り返し、前記レーザチップ１より発するレ
ーザ光の波長もそれに応じて変化するため、前記レーザ
光のコヒーレンスが適度に低下し、戻り光によるレーザ
ノイズを低減することができる。Next, the laser noise reduction means 17 will be described. In the embodiment of FIG. 4, the laser noise reduction means 17 includes two wide band amplifiers 22a and 22b, a feedback capacitor 29, and coupling capacitors 30a and 30.
b, a low pass filter 31 is used. The first broadband amplifier 22a works as a high frequency oscillator together with the feedback capacitor 29. That is, the first wideband amplifier 22a is a non-inverting amplifier, and the input terminal and the output terminal of the wideband amplifier 22a have the same phase. By connecting the feedback capacitor 29 between both terminals,
A high frequency oscillator can be made with an extremely simple circuit configuration. Since the oscillation frequency is determined by the time constant of the wide band amplifier 22a itself and the value of the feedback capacitor 29, the value of the feedback capacitor 29 can be selected to be an appropriate value in order to obtain the target frequency. Good. The high frequency signal generated here is the coupling capacitor 30a.
Is input to the second wideband amplifier 22b via.
The second wideband amplifier 22b is a buffer amplifier,
By simultaneously amplifying the input high frequency signal and lowering the output impedance, the first wide band amplifier 22a is operated stably, and the high frequency is efficiently superimposed on the laser diode drive current. The output of the second wide band amplifier 22b is applied to the anode terminal of the laser chip 1 via the coupling capacitor 30b. As a result, the laser diode drive current repeatedly increases and decreases in a short cycle, and the wavelength of the laser light emitted from the laser chip 1 also changes accordingly, so that the coherence of the laser light is appropriately reduced and the laser noise due to the return light is reduced. can do.
【００２８】ところで、主にレーザ雑音が問題になるの
は、前記レーザチップ１が低出力で動作している場合で
ある。即ち、前記レーザダイオード駆動電流１５に重畳
される高周波信号は、前記レーザチップ１の光出力の大
きさに応じて、ＯＮ／ＯＦＦされなければならない。図
４の実施例では、高周波信号のＯＮ／ＯＦＦは、第２の
前記広帯域増幅器２２ｂの電源をＯＮ／ＯＦＦすること
により行うことができる。この場合、高周波発振器であ
る前段の前記広帯域増幅器２２ａは常時動作しているた
め、立ち上がり／立ち下がりも高速であり、光ディスク
装置の記録／再生の切り替え等にも対応可能である。Incidentally, the main problem of laser noise is when the laser chip 1 operates at a low output. That is, the high frequency signal superimposed on the laser diode drive current 15 must be turned on / off according to the optical output of the laser chip 1. In the embodiment of FIG. 4, the high frequency signal can be turned on / off by turning on / off the power source of the second wide band amplifier 22b. In this case, since the preceding wideband amplifier 22a, which is a high-frequency oscillator, is always operating, the rising / falling speed is high, and it is possible to cope with recording / reproduction switching of the optical disk device.
【００２９】上記の回路により、レーザ発振及びレーザ
出力検出及び信号検出及びレーザ雑音低減の機能をあわ
せもった半導体レーザダイオードを実現することができ
る。With the above circuit, it is possible to realize a semiconductor laser diode having the functions of laser oscillation, laser output detection, signal detection, and laser noise reduction.
【００３０】図５は、図１の実施例に於ける前記レーザ
雑音低減手段１７の他の回路例を示す説明図である。図
に示した様に、広帯域増幅器２２ａが十分な出力を有し
ていれば、前記レーザ雑音低減手段１７は、さらに簡単
な構成とすることもできる。図５の実施例において、前
記レーザ雑音低減手段１７は、１つの広帯域増幅器２２
ａ、帰還コンデンサ２９、カップリングコンデンサ３０
ｂ、ローパスフィルタ３１を用いて構成される。前記広
帯域増幅器２２ａは、図４の実施例同様、前記帰還コン
デンサ２９と共に高周波発振器として働く。前記広帯域
増幅器２２ｂの出力はカップリングコンデンサ３０ｂを
介してレーザチップ１のアノード端子に印加される。こ
れによりレーザダイオード駆動電流に高周波が重畳さ
れ、戻り光によるレーザノイズが低減される。本実施例
では、高周波信号のＯＮ／ＯＦＦは、前記広帯域増幅器
２２ａの電源をＯＮ／ＯＦＦすることにより行われる。
本構成によれば、前記レーザ雑音低減手段１７をより小
規模な回路構成とすることができるため、光ヘッドを一
層小型化・低消費電力化することが可能になる。FIG. 5 is an explanatory diagram showing another circuit example of the laser noise reducing means 17 in the embodiment of FIG. As shown in the figure, if the wide band amplifier 22a has a sufficient output, the laser noise reduction means 17 can have a simpler configuration. In the embodiment of FIG. 5, the laser noise reduction means 17 includes one wide band amplifier 22.
a, feedback capacitor 29, coupling capacitor 30
b, a low pass filter 31 is used. The wide band amplifier 22a works as a high frequency oscillator together with the feedback capacitor 29 as in the embodiment of FIG. The output of the broadband amplifier 22b is applied to the anode terminal of the laser chip 1 via the coupling capacitor 30b. As a result, a high frequency is superimposed on the laser diode drive current, and the laser noise due to the returning light is reduced. In this embodiment, the high frequency signal is turned on / off by turning on / off the power source of the wide band amplifier 22a.
According to this configuration, since the laser noise reduction means 17 can be made into a smaller circuit configuration, it becomes possible to further reduce the size and power consumption of the optical head.
【００３１】（実施例２）図６は、本発明の他の一実施
例に於ける半導体レーザダイオードの構造を示す説明図
である。半導体レーザダイオードは、レーザチップ１、
前記レーザチップ１の発熱による破壊を防止するための
放熱器２、記録媒体からの反射光から記録情報や位置誤
差信号を再生する信号検出用フォトダイオード９及び前
記レーザチップ１からの出射光量を検出するためのレー
ザ出力検出用フォトダイオード３及びレーザ雑音低減回
路１７及び前置増幅器を一体化して同一基板上に構成し
たウエハ８、前記ウエハ８を電気的に外部回路と接続す
る導線７、前記ウエハ８と前記導線７、または前記レー
ザチップ１と前記ウエハ８を接続するボンディングワイ
ヤ１６、全体を固定する土台となるステム４、内部の部
品を物理的に保護すると同時にレーザ光を取り出すため
のキャップ５及び出射窓６、レーザチップ１から出射し
たレーザ光を前記ウエハ８の法線方向へ光路変換するプ
リズム１９、レーザチップ１から出射したレーザ光を前
記レーザ出力検出用フォトダイオード３へ導くためのプ
リズム２０から成る。(Embodiment 2) FIG. 6 is an explanatory view showing the structure of a semiconductor laser diode according to another embodiment of the present invention. The semiconductor laser diode is a laser chip 1,
A radiator 2 for preventing destruction of the laser chip 1 due to heat generation, a signal detecting photodiode 9 for reproducing recorded information and a position error signal from reflected light from a recording medium, and an amount of light emitted from the laser chip 1 is detected. A laser output detection photodiode 3, a laser noise reduction circuit 17, and a preamplifier, which are integrated on the same substrate, a conductive wire 7 for electrically connecting the wafer 8 to an external circuit, and the wafer. 8 and the conducting wire 7, or the bonding wire 16 that connects the laser chip 1 and the wafer 8, the stem 4 that serves as a base for fixing the whole, a cap 5 that physically protects the internal components and at the same time extracts the laser light. And an emission window 6, a prism 19 for changing the optical path of the laser light emitted from the laser chip 1 in the direction normal to the wafer 8, and a laser. Consisting prism 20 for guiding the laser beam emitted from the chip 1 to the laser output detector photodiode 3.
【００３２】レーザチップ１から出射したレーザ光のほ
とんどは、プリズム１９で進行方向を変え、前記出射窓
６へ導かれる。一方、レーザチップ１から出射したレー
ザ光の一部は、プリズム２０により前記レーザ出力検出
用フォトダイオード３に入射する。また、記録媒体から
の反射光は、信号検出用フォトダイオード９に入射し、
その出力は前置増幅器１４に入力される。レーザ雑音低
減回路１７は、レーザダイオード駆動電流１５に高周波
を重畳し、レーザ雑音を低減させるものである。これら
のフォトダイオード及び回路は、ウエハ８上に一体化し
て形成されている。また、プリズム１９、プリズム２０
及び放熱器２はウエハ８上に接着して取り付けてある。
図１では、レーザチップ１を出射窓６の中心に位置させ
る関係上、ステム４上でのスペースを有効に使う事が難
しいが、図６の構成によれば、より大きな前記ウエハ８
を実装可能となるため、図１に比べ製作が容易である。Most of the laser light emitted from the laser chip 1 changes its traveling direction by the prism 19 and is guided to the emission window 6. On the other hand, a part of the laser light emitted from the laser chip 1 is incident on the laser output detection photodiode 3 by the prism 20. Further, the reflected light from the recording medium enters the signal detection photodiode 9,
The output is input to the preamplifier 14. The laser noise reduction circuit 17 superimposes a high frequency on the laser diode drive current 15 to reduce laser noise. These photodiodes and circuits are integrally formed on the wafer 8. Also, the prism 19 and the prism 20
And the radiator 2 is attached to the wafer 8 by adhesion.
In FIG. 1, it is difficult to effectively use the space on the stem 4 because the laser chip 1 is located at the center of the emission window 6, but according to the configuration of FIG.
Since it can be mounted, it is easier to manufacture than in FIG.
【００３３】（実施例３）図６の半導体レーザダイオー
ドは、ＣＡＮ構造を有するものであるが、同様の内容の
半導体レーザダイオードを、モールドパッケージ構造を
用いて構成してもよい。(Embodiment 3) The semiconductor laser diode shown in FIG. 6 has a CAN structure, but a semiconductor laser diode having the same content may be formed by using a mold package structure.
【００３４】図７は、本発明の他の一実施例に於ける半
導体レーザダイオードの構造を示す説明図であり。半導
体レーザダイオードは、レーザチップ１、前記レーザチ
ップ１の発熱による破壊を防止するための放熱器２、記
録媒体からの反射光から記録情報や位置誤差信号を再生
する信号検出用フォトダイオード９及び前記レーザチッ
プ１からの出射光量を検出するためのレーザ出力検出用
フォトダイオード３及びレーザ雑音低減回路１７及び前
置増幅器を一体化して同一基板上に構成したウエハ８、
前記ウエハ８を電気的に外部回路と接続する導線７、前
記ウエハ８と前記導線７、または前記レーザチップ１と
前記ウエハ８を接続するボンディングワイヤ１６、前記
ウエハ８を封入し、前記導線７を機械的に固定するセラ
ミックモールドパッケージ２８、レーザチップ１から出
射したレーザ光を光ディスク１３へ導くためのプリズム
１９、レーザチップ１から出射したレーザ光を前記レー
ザ出力検出用フォトダイオード３へ導くためのプリズム
２０、出射窓６から成る。FIG. 7 is an explanatory view showing the structure of a semiconductor laser diode according to another embodiment of the present invention. The semiconductor laser diode includes a laser chip 1, a radiator 2 for preventing destruction of the laser chip 1 due to heat generation, a signal detection photodiode 9 for reproducing recording information and a position error signal from reflected light from a recording medium, and A wafer 8 in which a laser output detection photodiode 3 for detecting the amount of light emitted from the laser chip 1, a laser noise reduction circuit 17, and a preamplifier are integrated on the same substrate.
Conductive wire 7 for electrically connecting the wafer 8 to an external circuit, bonding wire 16 for connecting the wafer 8 and the conductive wire 7, or bonding wire 16 for connecting the laser chip 1 and the wafer 8, and encapsulating the wafer 8 to connect the conductive wire 7 A ceramic mold package 28 that is mechanically fixed, a prism 19 that guides the laser light emitted from the laser chip 1 to the optical disk 13, and a prism that guides the laser light emitted from the laser chip 1 to the laser output detection photodiode 3. 20 and an exit window 6.
【００３５】図６の構成によれば、光ヘッドの軽量・薄
型化を容易に実現できる。また、プリント基板との整合
性が良いため、外部回路との配線・接続が簡単になり、
回路基板上に直接実装することも可能となる。According to the structure shown in FIG. 6, the optical head can be easily made light and thin. Also, since the compatibility with the printed circuit board is good, wiring and connection with external circuits becomes easy,
It is also possible to mount it directly on the circuit board.
【００３６】（実施例４）半導体レーザダイオードに、
レーザ雑音低減手段及び信号検出手段のみを内蔵しても
よい。図８と図９は、本発明の一実施例に於ける半導体
レーザダイオード構造を示す説明図である。半導体レー
ザダイオードは、レーザチップ１、前記レーザチップ１
の発熱による破壊を防止するための放熱器２、記録媒体
からの反射光から記録情報や位置誤差信号を再生する信
号検出用フォトダイオード９及びレーザ雑音低減回路１
７を一体化して同一基板上に構成したウエハ８、前記ウ
エハ８を電気的に外部回路と接続する導線７、前記ウエ
ハ８と前記導線７、または前記レーザチップ１と前記ウ
エハ８を接続するボンディングワイヤ１６、全体を固定
する土台となるステム４、内部の部品を物理的に保護す
ると同時にレーザ光を取り出すためのキャップ５及び出
射窓６から成る。(Embodiment 4) For a semiconductor laser diode,
Only the laser noise reduction means and the signal detection means may be incorporated. 8 and 9 are explanatory views showing a semiconductor laser diode structure in one embodiment of the present invention. The semiconductor laser diode includes a laser chip 1 and the laser chip 1.
2. A radiator 2 for preventing destruction due to heat generation, a signal detecting photodiode 9 for reproducing recorded information and a position error signal from reflected light from a recording medium, and a laser noise reduction circuit 1.
Wafer 8 in which 7 is integrated on the same substrate, conductive wire 7 for electrically connecting wafer 8 to an external circuit, wafer 8 and conductive wire 7, or bonding for connecting laser chip 1 and wafer 8 It includes a wire 16, a stem 4 that serves as a base for fixing the whole, a cap 5 for physically protecting internal parts and at the same time for taking out laser light, and an emission window 6.
【００３７】図９は、図８に於けるウエハ８の構成を拡
大して示した説明図である。本構成では、図１の構成で
懸念される、レーザチップ１の放熱の影響やレーザ雑音
低減回路１７からのノイズの影響を受けることが少な
く、また図１の構成に比べて構造が簡単である。FIG. 9 is an enlarged view showing the structure of the wafer 8 in FIG. In this configuration, the influence of heat radiation of the laser chip 1 and the noise from the laser noise reduction circuit 17, which are of concern in the configuration of FIG. 1, are less likely to occur, and the structure is simpler than the configuration of FIG. .
【００３８】（実施例５）半導体レーザダイオードに、
レーザ雑音低減手段及び信号検出手段及び前記レーザ出
力検出手段のみを内蔵してもよい。図１０と図１１は、
本発明の一実施例に於ける半導体レーザダイオード構造
を示す説明図である。半導体レーザダイオードは、レー
ザチップ１、前記レーザチップ１の発熱による破壊を防
止するための放熱器２、記録媒体からの反射光から記録
情報や位置誤差信号を再生する信号検出用フォトダイオ
ード９及び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３及
びレーザ雑音低減回路１７を一体化して同一基板上に構
成したウエハ８、前記ウエハ８を電気的に外部回路と接
続する導線７、前記ウエハ８と前記導線７、または前記
レーザチップ１と前記ウエハ８を接続するボンディング
ワイヤ１６、全体を固定する土台となるステム４、内部
の部品を物理的に保護すると同時にレーザ光を取り出す
ためのキャップ５及び出射窓６から成る。(Example 5) For a semiconductor laser diode,
Only the laser noise reduction means, the signal detection means, and the laser output detection means may be incorporated. 10 and 11 show
It is explanatory drawing which shows the semiconductor laser diode structure in one Example of this invention. The semiconductor laser diode includes a laser chip 1, a radiator 2 for preventing destruction of the laser chip 1 due to heat generation, a signal detection photodiode 9 for reproducing recording information and a position error signal from reflected light from a recording medium, and Wafer 8 in which photodiode 3 for laser output detection and laser noise reduction circuit 17 are integrated on the same substrate, conductive wire 7 for electrically connecting wafer 8 to an external circuit, wafer 8 and conductive wire 7, or It comprises a bonding wire 16 for connecting the laser chip 1 and the wafer 8, a stem 4 serving as a base for fixing the whole, a cap 5 for physically protecting internal components and at the same time taking out laser light, and an emission window 6.
【００３９】図１１は、図１０に於けるウエハ８の構成
を拡大して示した説明図である。本構成では、図８の実
施例の特長に加えて、レーザ出力検出が可能となる。FIG. 11 is an enlarged view showing the structure of the wafer 8 in FIG. With this configuration, in addition to the features of the embodiment of FIG. 8, laser output detection is possible.
【００４０】（実施例６）半導体レーザダイオードに、
レーザ雑音低減手段及び信号検出手段及び前置増幅器の
みを内蔵してもよい。図１２と図１３は、本発明の一実
施例に於ける半導体レーザダイオード構造を示す説明図
である。半導体レーザダイオードは、レーザチップ１、
前記レーザチップ１の発熱による破壊を防止するための
放熱器２、記録媒体からの反射光から記録情報や位置誤
差信号を再生する信号検出用フォトダイオード９及び前
置増幅器１４及びレーザ雑音低減回路１７を一体化して
同一基板上に構成したウエハ８、前記レーザチップ１及
び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３を電気的に
外部回路と接続する導線７、前記ウエハ８と前記導線７
を接続するボンディングワイヤ１６、全体を固定する土
台となるステム４、内部の部品を物理的に保護すると同
時にレーザ光を取り出すためのキャップ５及び出射窓６
から成る。Example 6 For a semiconductor laser diode,
Only the laser noise reduction means, the signal detection means and the preamplifier may be incorporated. 12 and 13 are explanatory views showing a semiconductor laser diode structure in one embodiment of the present invention. The semiconductor laser diode is a laser chip 1,
A radiator 2 for preventing destruction of the laser chip 1 due to heat generation, a signal detection photodiode 9 for reproducing recorded information and a position error signal from reflected light from a recording medium, a preamplifier 14, and a laser noise reduction circuit 17. A wafer 8 integrally formed on the same substrate, a conductive wire 7 for electrically connecting the laser chip 1 and the laser output detecting photodiode 3 to an external circuit, the wafer 8 and the conductive wire 7
A bonding wire 16 for connecting to each other, a stem 4 serving as a base for fixing the whole, a cap 5 for physically protecting internal parts and at the same time taking out laser light, and an emission window 6.
Consists of.
【００４１】図１３は、図１２於けるウエハ８の構成を
拡大して示した説明図である。本構成では、前記信号検
出用フォトダイオード９から得られる信号の品質を損な
うことなく出力することができる。FIG. 13 is an enlarged view showing the structure of the wafer 8 in FIG. With this configuration, the signal obtained from the signal detecting photodiode 9 can be output without impairing the quality.
【００４２】（実施例７）図１４は、本発明の他の一実
施例に於ける半導体レーザダイオード構造を示す説明図
である。半導体レーザダイオードは、レーザチップ１前
記レーザチップ１の発熱による破壊を防止するための放
熱器２、記録媒体からの反射光から記録情報や位置誤差
信号を再生する信号検出用フォトダイオード９及び前記
レーザチップ１からの出射光量を検出するためのレーザ
出力検出用フォトダイオード３及び前置増幅器１４を一
体化して同一基板上に構成したウエハ８、レーザ雑音低
減回路１７、前記ウエハ８を電気的に外部回路と接続す
る導線７、前記ウエハ８と前記導線７、または前記レー
ザチップ１と前記ウエハ８を接続するボンディングワイ
ヤ１６、全体を固定する土台となるステム４、内部の部
品を物理的に保護すると同時にレーザ光を取り出すため
のキャップ５及び出射窓６から成る。(Embodiment 7) FIG. 14 is an explanatory view showing a semiconductor laser diode structure according to another embodiment of the present invention. The semiconductor laser diode includes a laser chip 1, a radiator 2 for preventing destruction of the laser chip 1 due to heat generation, a signal detection photodiode 9 for reproducing recording information and a position error signal from reflected light from a recording medium, and the laser. A wafer 8 in which a laser output detection photodiode 3 for detecting the amount of light emitted from the chip 1 and a preamplifier 14 are integrated on the same substrate, a laser noise reduction circuit 17, and the wafer 8 are electrically externally connected. A conductor wire 7 for connecting to a circuit, a bonding wire 16 for connecting the wafer 8 and the conductor wire 7 or the laser chip 1 and the wafer 8, a stem 4 serving as a base for fixing the whole, and physical protection of internal parts At the same time, it is composed of a cap 5 and an emission window 6 for taking out laser light.
【００４３】図１４の構成によれば、前記ボンディング
ワイヤ１６の引き回しが、図１の構成に比べ容易とな
る。また、前記レーザ雑音低減回路１７とレーザチップ
１との距離が近くなるため、レーザ雑音低減のためにレ
ーザダイオード駆動電流に重畳される高周波が漏洩する
ことによってもたらされる電磁波の不要放射量を低く抑
えられる利点がある。With the structure shown in FIG. 14, the bonding wire 16 can be easily routed as compared with the structure shown in FIG. Further, since the distance between the laser noise reduction circuit 17 and the laser chip 1 becomes short, the amount of unnecessary radiation of electromagnetic waves caused by leakage of high frequency superimposed on the laser diode drive current for laser noise reduction is suppressed to a low level. There is an advantage.
【００４４】（実施例８）図１５は、図１で示した半導
体レーザダイオードを用いて光ヘッドを構成した場合の
構造を示す説明図である。光ヘッドは、レーザダイオー
ド１０、回折格子１１、対物レンズ１２より構成され
る。図１の半導体レーザダイオードを用いて光ヘッドを
構成した場合、従来光ヘッド内に別個に配置していた信
号検出用フォトダイオード及びレーザ雑音低減回路及び
前置増幅器が、前記レーザダイオードに一体化されてい
ることにより、光ヘッドが極度に簡略化、小型化され
る。また、光ヘッドを構成する部品点数が減り、組立に
要する工程数も大幅に削減可能となり、生産性の向上が
期待できる。一方、レーザ出力検出用フォトダイオー
ド、信号検出用フォトダイオード及び前置増幅器を一度
に半導体プロセスで製造することが可能であるため、生
産コストの面でも大変有利となる。(Embodiment 8) FIG. 15 is an explanatory diagram showing the structure in the case where an optical head is constructed using the semiconductor laser diode shown in FIG. The optical head includes a laser diode 10, a diffraction grating 11, and an objective lens 12. When an optical head is constructed by using the semiconductor laser diode of FIG. 1, a signal detecting photodiode, a laser noise reduction circuit and a preamplifier which are conventionally separately arranged in the optical head are integrated into the laser diode. Therefore, the optical head is extremely simplified and downsized. Further, the number of parts constituting the optical head is reduced, the number of steps required for assembly can be significantly reduced, and improvement in productivity can be expected. On the other hand, the laser output detecting photodiode, the signal detecting photodiode, and the preamplifier can be manufactured at once by a semiconductor process, which is very advantageous in terms of production cost.
【００４５】（実施例９）図１６は、図８で示した半導
体レーザダイオードを用いて光ヘッドを構成した場合の
構造を示す説明図である。光ヘッドは、レーザダイオー
ド１０、回折格子１１、対物レンズ１２、プリズム１９
より構成される。図６の半導体レーザダイオードを用い
て光ヘッドを構成した場合、レーザ出力検出手段３を半
導体レーザダイオード外部に外付けしなければならない
が、一方で高精度のレーザ出力検出が可能となる。(Embodiment 9) FIG. 16 is an explanatory diagram showing the structure in the case where an optical head is constructed using the semiconductor laser diode shown in FIG. The optical head includes a laser diode 10, a diffraction grating 11, an objective lens 12, and a prism 19.
It is composed of When the optical head is constructed by using the semiconductor laser diode of FIG. 6, the laser output detecting means 3 must be externally attached to the outside of the semiconductor laser diode, but on the other hand, the laser output can be detected with high accuracy.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、次に
示す様な効果がもたらされる。As described above, according to the present invention, the following effects are brought about.
【００４７】（１）レーザ出力検出手段及び信号検出手
段及びレーザ雑音低減手段及び前置増幅器を一体化した
ことにより、半導体プロセス中で光ヘッドの主な部分を
作ることが可能となり、大きなコストダウンの効果を期
待できる。(1) By integrating the laser output detecting means, the signal detecting means, the laser noise reducing means, and the preamplifier, it becomes possible to form the main part of the optical head during the semiconductor process, which leads to a large cost reduction. The effect of can be expected.
【００４８】（２）また、同様に、１チップ化されるこ
とにより、各素子の相対位置精度が向上すると同時に、
光ヘッドが大幅に小型軽量化される。(2) Similarly, the relative position accuracy of each element is improved by forming one chip, and at the same time,
The optical head is significantly reduced in size and weight.
【図１】本発明の半導体レーザダイオードの一実施例の
構造を示す説明図。FIG. 1 is an explanatory view showing a structure of an embodiment of a semiconductor laser diode of the present invention.
【図２】図１の半導体レーザダイオードの構造の詳細を
示す説明図。FIG. 2 is an explanatory view showing details of the structure of the semiconductor laser diode of FIG.
【図３】本発明の半導体レーザダイオードの回路構成の
一実施例を示すブロック図。FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of a circuit configuration of a semiconductor laser diode of the present invention.
【図４】本発明の半導体レーザダイオードの回路の一実
施例を示す説明図。FIG. 4 is an explanatory view showing an embodiment of a circuit of a semiconductor laser diode of the present invention.
【図５】本発明の半導体レーザダイオードにおけるレー
ザ雑音低減手段の回路の他の一実施例を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory view showing another embodiment of the circuit of the laser noise reduction means in the semiconductor laser diode of the present invention.
【図６】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実施
例の構造を示す説明図。FIG. 6 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the semiconductor laser diode of the present invention.
【図７】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実施
例の構造を示す説明図。発明の半導体レーザダイオード
の他の一実施例の構造を示す説明図。FIG. 7 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the semiconductor laser diode of the present invention. Explanatory drawing which shows the structure of another Example of the semiconductor laser diode of this invention.
【図８】本発明の一実施例における半導体レーザダイオ
ードの構造を示す説明図。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a structure of a semiconductor laser diode according to an embodiment of the present invention.
【図９】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実施
例の構造を示す説明図。FIG. 9 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the semiconductor laser diode of the present invention.
【図１０】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実
施例の構造を示す説明図。FIG. 10 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the semiconductor laser diode of the present invention.
【図１１】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実
施例の構造を示す説明図。FIG. 11 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the semiconductor laser diode of the present invention.
【図１２】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実
施例の構造を示す説明図。FIG. 12 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the semiconductor laser diode of the present invention.
【図１３】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実
施例の構造を示す説明図。FIG. 13 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the semiconductor laser diode of the present invention.
【図１４】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実
施例の構造を示す説明図。FIG. 14 is an explanatory view showing the structure of another embodiment of the semiconductor laser diode of the present invention.
【図１５】本発明の半導体レーザダイオードを用いて光
ヘッドを構成した場合の一実施例の構造を示す説明図。FIG. 15 is an explanatory diagram showing the structure of an example in which an optical head is constructed using the semiconductor laser diode of the present invention.
【図１６】本発明の半導体レーザダイオードを用いて光
ヘッドを構成した場合の一実施例の構造を示す説明図。FIG. 16 is an explanatory view showing the structure of an example in which an optical head is constructed using the semiconductor laser diode of the present invention.
【図１７】従来の半導体レーザダイオードの構造を示す
説明図。FIG. 17 is an explanatory view showing the structure of a conventional semiconductor laser diode.
１ レーザチップ ２ 放熱器 ３ レーザ出力検出用フォトダイオード ４ ステム ５ キャップ ６ 出射窓 ７ 導線 ８ ウエハ ９ 信号検出用フォトダイオード １０ レーザダイオード １１ 回折格子 １２ 対物レンズ １３ 光ディスク １４ 前置増幅器 １５ レーザダイオード駆動電流 １６ ボンディングワイヤ １７ レーザ雑音低減回路 １８ ランド １９ プリズム ２０ プリズム ２１ 演算増幅器 ２２ａ 広帯域増幅器 ２２ｂ 広帯域増幅器 ２３ フォーカス位置誤差信号 ２４ トラック位置誤差信号 ２５ 光磁気信号 ２６ 全和信号 ２７ レーザ出力検出手段出力 ２８ セラミックモールドパッケージ ２９ 帰還コンデンサ ３０ａ カップリングコンデンサ ３０ｂ カップリングコンデンサ ３１ ローパスフィルタ 1 Laser Chip 2 Radiator 3 Laser Output Detection Photodiode 4 Stem 5 Cap 6 Emission Window 7 Conductor 8 Wafer 9 Signal Detection Photodiode 10 Laser Diode 11 Diffraction Grating 12 Objective Lens 13 Optical Disc 14 Preamplifier 15 Laser Diode Drive Current 16 bonding wire 17 laser noise reduction circuit 18 land 19 prism 20 prism 21 operational amplifier 22a wide band amplifier 22b wide band amplifier 23 focus position error signal 24 track position error signal 25 magneto-optical signal 26 total signal 27 laser output detection means output 28 ceramic mold Package 29 Feedback capacitor 30a Coupling capacitor 30b Coupling capacitor 31 Low-pass filter
Claims (14)
いて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レ
ーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を
低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部か
らの光信号を検出する信号検出手段を同一基板上に構成
したことを特徴とする半導体レーザダイオード。1. A light source unit having a semiconductor laser, wherein a high frequency is superimposed on a laser diode drive current to reduce laser noise by reducing coherence of laser light and light from the outside of the light source unit. A semiconductor laser diode characterized in that signal detecting means for detecting a signal is formed on the same substrate.
いて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レ
ーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を
低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部か
らの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチップか
ら出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手
段を同一基板上に構成したことを特徴とする半導体レー
ザダイオード。2. A light source unit having a semiconductor laser, wherein a high frequency is superimposed on a laser diode drive current to reduce coherence of laser light to reduce laser noise, and light from the outside of the light source unit. A semiconductor laser diode, wherein a signal detecting means for detecting a signal and a laser output detecting means for monitoring the amount of laser light emitted from a laser chip are formed on the same substrate.
いて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レ
ーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を
低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部か
らの光信号を検出する信号検出手段及び前記信号検出手
段の出力を電流−電圧変換し、増幅すると共に、必要が
あれば複数の前記信号検出手段の出力を演算処理して所
望の信号を生成する前置増幅器を同一基板上に構成した
ことを特徴とする半導体レーザダイオード。3. A light source unit having a semiconductor laser, wherein a high frequency is superposed on a laser diode drive current to reduce coherence of laser light to reduce laser noise, and light from outside the light source unit. A signal detecting means for detecting a signal and a pre-processor for current-voltage converting and amplifying the outputs of the signal detecting means and, if necessary, processing the outputs of the plurality of signal detecting means to generate a desired signal. A semiconductor laser diode having an amplifier formed on the same substrate.
いて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レ
ーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を
低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部か
らの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチップか
ら出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手
段及び前記信号検出手段とレーザ出力検出手段の出力を
電流−電圧変換し、増幅すると共に、必要があれば複数
の前記信号検出手段の出力を演算処理して所望の信号を
生成する前置増幅器を同一基板上に構成したことを特徴
とする半導体レーザダイオード。4. A light source unit having a semiconductor laser, wherein a high frequency is superimposed on a laser diode drive current to reduce coherence of laser light to reduce laser noise, and light from the outside of the light source unit. A signal detecting means for detecting a signal, a laser output detecting means for monitoring the light quantity of the laser light emitted from the laser chip, and an output of the signal detecting means and the laser output detecting means are current-voltage converted and amplified. For example, a semiconductor laser diode characterized in that a preamplifier for processing the outputs of a plurality of the signal detecting means to generate a desired signal is formed on the same substrate.
いて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レ
ーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を
低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部か
らの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチップか
ら出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手
段及び前記信号検出手段とレーザ出力検出手段の出力を
電流−電圧変換し、増幅すると共に、必要があれば複数
の前記信号検出手段の出力を演算処理して所望の信号を
生成する前置増幅器の内、少なくとも２つ以上を同一基
板上に構成し、さらにレーザチップより発せられるレー
ザ光の進行方向を所望の方向に転換する光路転換手段を
有することを特徴とする半導体レーザダイオード。5. A light source unit having a semiconductor laser, wherein a high frequency is superimposed on a laser diode drive current to reduce laser noise by reducing coherence of laser light, and light from outside the light source unit. A signal detecting means for detecting a signal, a laser output detecting means for monitoring the light quantity of the laser light emitted from the laser chip, and an output of the signal detecting means and the laser output detecting means are current-voltage converted and amplified. For example, at least two or more of the preamplifiers that perform the arithmetic processing of the outputs of the plurality of signal detecting means to generate a desired signal are formed on the same substrate, and the direction of travel of the laser light emitted from the laser chip is determined. A semiconductor laser diode having an optical path changing means for changing the light path to a desired direction.
いて、ケース内部に、レーザダイオード駆動電流に高周
波を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによ
りレーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段を内蔵
し、前記レーザ雑音低減手段は、レーザチップ近傍の放
熱器側面に配置されていることを特徴とする半導体レー
ザダイオード。6. A light source unit having a semiconductor laser, wherein a laser noise reducing means for reducing laser noise by superimposing a high frequency on a laser diode drive current to reduce coherence of laser light is built in a case. The semiconductor laser diode is characterized in that the laser noise reducing means is arranged on a side surface of a radiator near a laser chip.
を光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。7. An optical head using the semiconductor laser diode according to claim 1 as a light source.
を光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。8. An optical head using the semiconductor laser diode according to claim 2 as a light source.
を光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。9. An optical head using the semiconductor laser diode according to claim 3 as a light source.
ドを光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。10. An optical head using the semiconductor laser diode according to claim 4 as a light source.
ドを光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。11. An optical head using the semiconductor laser diode according to claim 5 as a light source.
ドを光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。12. An optical head using the semiconductor laser diode according to claim 6 as a light source.
おいて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、
レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音
を低減させるレーザ雑音低減回路は、第１及び第２の２
つの増幅器を用いて構成され、前記第１の増幅器及び前
記第１の増幅器の出力を入力端子に正帰還する１つのコ
ンデンサからなる発振器、前記発振器の出力を増幅する
前記第２の増幅器及び低域通過手段からなることを特徴
とするレーザ雑音低減手段。13. A light source unit having a semiconductor laser, wherein a high frequency is superimposed on a laser diode drive current,
A laser noise reduction circuit that reduces laser noise by reducing the coherence of laser light is provided in the first and second circuits.
An oscillator configured by using two amplifiers, the oscillator including one of the first amplifier and one capacitor that positively feeds back the output of the first amplifier to an input terminal, the second amplifier that amplifies the output of the oscillator, and a low frequency band A laser noise reduction means comprising a passage means.
おいて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、
レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音
を低減させるレーザ雑音低減回路は、１つの増幅器及び
前記増幅器の出力を入力端子に正帰還する１つのコンデ
ンサからなる発振器と、低域通過手段からなることを特
徴とするレーザ雑音低減手段。14. A light source unit having a semiconductor laser, wherein a high frequency is superimposed on a laser diode drive current,
A laser noise reduction circuit that reduces laser noise by reducing the coherence of laser light includes an oscillator including one amplifier and one capacitor that positively feeds back the output of the amplifier to an input terminal, and a low-pass means. Laser noise reduction means characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5293502A JPH06223399A (en) | 1992-11-25 | 1993-11-24 | Semiconductor laser diode, optical head and laser noise reducing means |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-315342 | 1992-11-25 | ||
| JP31534292 | 1992-11-25 | ||
| JP5293502A JPH06223399A (en) | 1992-11-25 | 1993-11-24 | Semiconductor laser diode, optical head and laser noise reducing means |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223399A true JPH06223399A (en) | 1994-08-12 |
Family
ID=26559448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5293502A Pending JPH06223399A (en) | 1992-11-25 | 1993-11-24 | Semiconductor laser diode, optical head and laser noise reducing means |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06223399A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001858A1 (en) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Zen Research N.V. | Apparatus and methods for providing non-coherent laser illumination for multi-track reading apparatus |
| JPH10126002A (en) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Matsushita Electron Corp | Optical transmission module |
| US7274648B2 (en) | 2002-01-25 | 2007-09-25 | Sony Corporation | Semiconductor laser drive circuit including a waveform generator voltage-to-current conversion circuit |
| US7388823B2 (en) | 2002-03-27 | 2008-06-17 | Rhom Co., Ltd | Optical pickup, manufacturing method thereof, and optical disk system |
-
1993
- 1993-11-24 JP JP5293502A patent/JPH06223399A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001858A1 (en) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Zen Research N.V. | Apparatus and methods for providing non-coherent laser illumination for multi-track reading apparatus |
| JPH10126002A (en) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Matsushita Electron Corp | Optical transmission module |
| US7274648B2 (en) | 2002-01-25 | 2007-09-25 | Sony Corporation | Semiconductor laser drive circuit including a waveform generator voltage-to-current conversion circuit |
| US7388823B2 (en) | 2002-03-27 | 2008-06-17 | Rhom Co., Ltd | Optical pickup, manufacturing method thereof, and optical disk system |
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