JPH06150434A - 光ヘッド装置 - Google Patents
光ヘッド装置Info
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- JPH06150434A JPH06150434A JP4316419A JP31641992A JPH06150434A JP H06150434 A JPH06150434 A JP H06150434A JP 4316419 A JP4316419 A JP 4316419A JP 31641992 A JP31641992 A JP 31641992A JP H06150434 A JPH06150434 A JP H06150434A
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- Japan
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- reflected
- recording medium
- emitting element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気ディスク6に照射する光ビームの偏光
方向と、トラック溝7の方向との配置関係の変更を容易
にできるようにする。 【構成】 半導体レーザ1より出射される垂直方向に偏
光方向を有するレーザ光を半波長板11に入射し、その
光軸方向を90度回転させ、水平方向に光軸方向を有す
るレーザ光として偏光ビームスプリッタ2に入射させ
る。偏光ビームスプリッタ2を透過したレーザ光が、コ
リメートレンズレンズ3、立ち上げミラー4、対物レン
ズ5を介して光磁気ディスク6上に集束照射される。こ
のとき、光磁気ディスク6上に照射されるレーザ光の偏
光方向は、x軸方向となり、トラック溝7の方向はy軸
方向となる。この偏光方向を、例えばy軸方向に変更す
るとき、半波長板11が除去される。
方向と、トラック溝7の方向との配置関係の変更を容易
にできるようにする。 【構成】 半導体レーザ1より出射される垂直方向に偏
光方向を有するレーザ光を半波長板11に入射し、その
光軸方向を90度回転させ、水平方向に光軸方向を有す
るレーザ光として偏光ビームスプリッタ2に入射させ
る。偏光ビームスプリッタ2を透過したレーザ光が、コ
リメートレンズレンズ3、立ち上げミラー4、対物レン
ズ5を介して光磁気ディスク6上に集束照射される。こ
のとき、光磁気ディスク6上に照射されるレーザ光の偏
光方向は、x軸方向となり、トラック溝7の方向はy軸
方向となる。この偏光方向を、例えばy軸方向に変更す
るとき、半波長板11が除去される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光ディスク装置
に用いて好適な光ヘッド装置に関する。
に用いて好適な光ヘッド装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図13は、従来の光ヘッド装置の一例の
構成を示している。半導体レーザ1より出射されたレー
ザ光は、偏光角増幅用偏光ビームスプリッタ(PBS)
2を透過し、コリメートレンズ3により集束光から平行
光に変換される。コリメートレンズ3より出射された平
行光は、立ち上げミラー4により反射され、対物レンズ
5により光ディスク6上に集束照射される。光ディスク
6は、トラック溝7を有しており、そこに光磁気的にデ
ータが記録されている。
構成を示している。半導体レーザ1より出射されたレー
ザ光は、偏光角増幅用偏光ビームスプリッタ(PBS)
2を透過し、コリメートレンズ3により集束光から平行
光に変換される。コリメートレンズ3より出射された平
行光は、立ち上げミラー4により反射され、対物レンズ
5により光ディスク6上に集束照射される。光ディスク
6は、トラック溝7を有しており、そこに光磁気的にデ
ータが記録されている。
【0003】光磁気ディスク6により反射されたレーザ
光は、対物レンズ5に入射され、そこで平行光に戻され
て立ち上げミラー4に入射される。立ち上げミラー4で
反射されたレーザ光は、コリメートレンズ3により集束
光とされ、偏光角増幅用PBS2に入射される。偏光角
増幅用PBS2は、入射されたレーザ光を反射し、偏光
分離用PBS8に入射させる。偏光分離用PBS8は、
入射されたレーザ光のうち一部の光を透過して受光素子
9の受光部20に入射させる。また、一部の光を反射し
て、受光素子9の受光部21に入射させる。
光は、対物レンズ5に入射され、そこで平行光に戻され
て立ち上げミラー4に入射される。立ち上げミラー4で
反射されたレーザ光は、コリメートレンズ3により集束
光とされ、偏光角増幅用PBS2に入射される。偏光角
増幅用PBS2は、入射されたレーザ光を反射し、偏光
分離用PBS8に入射させる。偏光分離用PBS8は、
入射されたレーザ光のうち一部の光を透過して受光素子
9の受光部20に入射させる。また、一部の光を反射し
て、受光素子9の受光部21に入射させる。
【0004】半導体レーザ1が出射するレーザ光は、図
14(a)に示すように、そのエネルギーが、断面形状
が楕円形となるように分布している。この楕円の形状
は、半導体レーザ1が出射するレーザ光の偏光方向が長
径方向と垂直になるようになる。
14(a)に示すように、そのエネルギーが、断面形状
が楕円形となるように分布している。この楕円の形状
は、半導体レーザ1が出射するレーザ光の偏光方向が長
径方向と垂直になるようになる。
【0005】そこで、この楕円形のレーザ光のうち図1
4(b)に示すように、コリメートレンズ3や対物レン
ズ5のレンズ開口により、楕円形状のうちの中央部分の
所定の範囲の真円分のみを取り込み、光磁気ディスク6
に集束照射するようにしている。
4(b)に示すように、コリメートレンズ3や対物レン
ズ5のレンズ開口により、楕円形状のうちの中央部分の
所定の範囲の真円分のみを取り込み、光磁気ディスク6
に集束照射するようにしている。
【0006】このように、楕円形状に分布する光の一部
を取り込んで光磁気ディスク6上に対物レンズ5により
集束照射すると、光磁気ディスク6に形成される光スポ
ットの形状は、図14(b)に破線で示すように、光ビ
ームの楕円形状と垂直な方向の楕円形状となる。これ
は、エネルギーが均一に分布する光の方が、より小径に
絞り込むことができるからである。即ち、図14(b)
に示すように、縦長の楕円形状のビームのうち、その中
央部分の一部をレンズにより取り込むようにすると、縦
方向の光のエネルギーの分布が横方向に較べて均一とな
る。その結果、縦方向の光が横方向に較べて、より小さ
い径に絞り込まれることになるのである。
を取り込んで光磁気ディスク6上に対物レンズ5により
集束照射すると、光磁気ディスク6に形成される光スポ
ットの形状は、図14(b)に破線で示すように、光ビ
ームの楕円形状と垂直な方向の楕円形状となる。これ
は、エネルギーが均一に分布する光の方が、より小径に
絞り込むことができるからである。即ち、図14(b)
に示すように、縦長の楕円形状のビームのうち、その中
央部分の一部をレンズにより取り込むようにすると、縦
方向の光のエネルギーの分布が横方向に較べて均一とな
る。その結果、縦方向の光が横方向に較べて、より小さ
い径に絞り込まれることになるのである。
【0007】その結果、図13に示すように、半導体レ
ーザ1の出射するレーザ光の偏光方向を水平方向に設定
すると、光磁気ディスク6上に形成される光スポットの
形状は、図15に示すように、トラック溝7の方向と平
行なy軸方向に短く、このトラック溝方向と垂直なx軸
方向に長い楕円形状となる。そして、偏光方向は、x軸
方向となる。
ーザ1の出射するレーザ光の偏光方向を水平方向に設定
すると、光磁気ディスク6上に形成される光スポットの
形状は、図15に示すように、トラック溝7の方向と平
行なy軸方向に短く、このトラック溝方向と垂直なx軸
方向に長い楕円形状となる。そして、偏光方向は、x軸
方向となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように、光磁気デ
ィスク6上に形成される光スポットの形状が楕円形状に
なるため、例えばトラックピッチを小さくして高密度化
を測る場合、トラック溝7に垂直な方向と、光スポット
の小径方向を合わせる必要がある。これに対して、トラ
ック溝7に形成される磁区(ピット)の間隔を小さくす
るのであれば、トラック溝7に平行な方向と、光スポッ
トの小径方向を合わせる必要がある。
ィスク6上に形成される光スポットの形状が楕円形状に
なるため、例えばトラックピッチを小さくして高密度化
を測る場合、トラック溝7に垂直な方向と、光スポット
の小径方向を合わせる必要がある。これに対して、トラ
ック溝7に形成される磁区(ピット)の間隔を小さくす
るのであれば、トラック溝7に平行な方向と、光スポッ
トの小径方向を合わせる必要がある。
【0009】このように光の偏光方向、光スポットの楕
円の方向およびトラック溝7の方向は、ドライブ装置の
要求により、さまざまな状態に組み合わせられるのであ
るが、光ヘッドの構成は設計上決まっているため、装置
における上記方向の組み合わせを変更する場合、光ヘッ
ド装置も設計変更しなければならない課題があった。
円の方向およびトラック溝7の方向は、ドライブ装置の
要求により、さまざまな状態に組み合わせられるのであ
るが、光ヘッドの構成は設計上決まっているため、装置
における上記方向の組み合わせを変更する場合、光ヘッ
ド装置も設計変更しなければならない課題があった。
【0010】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、光の偏光方向、光スポットの楕円の方向
およびトラック溝の方向の組み合わせを変更する場合に
おいて、基本的に変更を必要としない光ヘッド装置を実
現できるようにするものである。
たものであり、光の偏光方向、光スポットの楕円の方向
およびトラック溝の方向の組み合わせを変更する場合に
おいて、基本的に変更を必要としない光ヘッド装置を実
現できるようにするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の光ヘッ
ド装置は、光を発光する発光素子としての半導体レーザ
1と、半導体レーザ1から発光される光を記録媒体とし
ての光磁気ディスク6に集光させるとともに、光磁気デ
ィスク6からの反射光を受光する対物レンズ5と、半導
体レーザ1と対物レンズ5との間に配置され、光磁気デ
ィスク6からの反射光を反射もしくは透過させることに
より、半導体レーザ1から光磁気ディスク6に向かう入
射光から、光磁気ディスク6により反射された反射光を
分離する反射光分離素子としての偏光角増幅用偏光ビー
ムスプリッタ2と、偏光ビームスプリッタ2により分離
された光を一部反射させ、一部透過させることにより互
いに直交する2つの偏光方向の光に分離し、各偏光成分
の光の光軸のなす角度が90゜未満となるように配置さ
れた偏光分離素子としての偏光分離用偏光ビームスプリ
ッタ8と、2つの偏光成分に分離された光を、それぞれ
受光する少なくとも2つの受光部20,21を有し、受
光部20,21の受光面が、ほぼ同一方向に向けて配置
された受光素子9とを備える光ヘッド装置において、半
導体レーザ1と偏光ビームスプリッタ2との間に半波長
板11を設けたことを特徴とする。
ド装置は、光を発光する発光素子としての半導体レーザ
1と、半導体レーザ1から発光される光を記録媒体とし
ての光磁気ディスク6に集光させるとともに、光磁気デ
ィスク6からの反射光を受光する対物レンズ5と、半導
体レーザ1と対物レンズ5との間に配置され、光磁気デ
ィスク6からの反射光を反射もしくは透過させることに
より、半導体レーザ1から光磁気ディスク6に向かう入
射光から、光磁気ディスク6により反射された反射光を
分離する反射光分離素子としての偏光角増幅用偏光ビー
ムスプリッタ2と、偏光ビームスプリッタ2により分離
された光を一部反射させ、一部透過させることにより互
いに直交する2つの偏光方向の光に分離し、各偏光成分
の光の光軸のなす角度が90゜未満となるように配置さ
れた偏光分離素子としての偏光分離用偏光ビームスプリ
ッタ8と、2つの偏光成分に分離された光を、それぞれ
受光する少なくとも2つの受光部20,21を有し、受
光部20,21の受光面が、ほぼ同一方向に向けて配置
された受光素子9とを備える光ヘッド装置において、半
導体レーザ1と偏光ビームスプリッタ2との間に半波長
板11を設けたことを特徴とする。
【0012】請求項2に記載の光ヘッド装置は、偏光角
増幅用偏光ビームスプリッタ2と、対物レンズ5との間
に半波長板11を設けたことを特徴とする。
増幅用偏光ビームスプリッタ2と、対物レンズ5との間
に半波長板11を設けたことを特徴とする。
【0013】請求項3に記載の光ヘッド装置は、光を発
光する発光素子としての半導体レーザ1と、半導体レー
ザ1から発光される光を記録媒体としての光磁気ディス
ク6上に集光させるとともに、光磁気ディスク6からの
反射光を受光する対物レンズ5と、半導体レーザ1と対
物レンズ5との間に配置され、光磁気ディスク6からの
反射光を反射もしくは透過させることにより、半導体レ
ーザ1から光磁気ディスク6に向かう入射光から、光磁
気ディスク6により反射された反射光を分離する反射光
分離素子としての偏光角増幅用偏光ビームスプリッタ2
と、偏光ビームスプリッタ2により分離された光を一部
反射させ、一部透過させることにより、互いに直交する
2つの偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸の
なす角度が90゜未満となるように配置された偏光分離
素子としての偏光分離用偏光ビームスプリッタ8と、2
つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する少なく
とも2つの受光部20,21を有し、受光部20,21
が1つの基板201上に配置された受光素子9とを備え
る光ヘッド装置において、半導体レーザ1と偏光ビーム
スプリッタ2との間に半波長板11を設けたことを特徴
とする。
光する発光素子としての半導体レーザ1と、半導体レー
ザ1から発光される光を記録媒体としての光磁気ディス
ク6上に集光させるとともに、光磁気ディスク6からの
反射光を受光する対物レンズ5と、半導体レーザ1と対
物レンズ5との間に配置され、光磁気ディスク6からの
反射光を反射もしくは透過させることにより、半導体レ
ーザ1から光磁気ディスク6に向かう入射光から、光磁
気ディスク6により反射された反射光を分離する反射光
分離素子としての偏光角増幅用偏光ビームスプリッタ2
と、偏光ビームスプリッタ2により分離された光を一部
反射させ、一部透過させることにより、互いに直交する
2つの偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸の
なす角度が90゜未満となるように配置された偏光分離
素子としての偏光分離用偏光ビームスプリッタ8と、2
つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する少なく
とも2つの受光部20,21を有し、受光部20,21
が1つの基板201上に配置された受光素子9とを備え
る光ヘッド装置において、半導体レーザ1と偏光ビーム
スプリッタ2との間に半波長板11を設けたことを特徴
とする。
【0014】また、請求項4に記載の光ヘッド装置は、
偏光ビームスプリッタ2と対物レンズ5との間に半波長
板11を設けたことを特徴とする。
偏光ビームスプリッタ2と対物レンズ5との間に半波長
板11を設けたことを特徴とする。
【0015】この偏光ビームスプリッタ2は、半導体レ
ーザ1の出射する発散光路上に配置することができる。
ーザ1の出射する発散光路上に配置することができる。
【0016】
【作用】上記構成の光ヘッド装置においては、半波長板
11が半導体レーザ1と偏光ビームスプリッタ2との
間、あるいは偏光ビームスプリッタ2と対物レンズ5と
の間に配置される。従って、この半波長板11を挿入す
るか取り去るだけの変更により、レーザ光の偏光方向と
トラック溝の方向の組み合わせの変更に対する対処が可
能となる。
11が半導体レーザ1と偏光ビームスプリッタ2との
間、あるいは偏光ビームスプリッタ2と対物レンズ5と
の間に配置される。従って、この半波長板11を挿入す
るか取り去るだけの変更により、レーザ光の偏光方向と
トラック溝の方向の組み合わせの変更に対する対処が可
能となる。
【0017】
【実施例】図1は本発明の光ヘッド装置の一実施例の構
成を示す図であり、図13における場合と対応する部分
には、同一の符号を付してある。即ち、この実施例にお
いては、半波長板11が半導体レーザ1と偏光角増幅用
偏光ビームスプリッタ2との間に挿入されている。そし
て、この半波長板11により半導体レーザ1が出射する
レーザ光の偏光方向が90゜回転されるようになされて
いる。
成を示す図であり、図13における場合と対応する部分
には、同一の符号を付してある。即ち、この実施例にお
いては、半波長板11が半導体レーザ1と偏光角増幅用
偏光ビームスプリッタ2との間に挿入されている。そし
て、この半波長板11により半導体レーザ1が出射する
レーザ光の偏光方向が90゜回転されるようになされて
いる。
【0018】偏光角増幅用偏光ビームスプリッタ2は、
その反射率が水平方向より垂直方向の方が大きい特性を
有している。このため、偏光ビームスプリッタ2には、
偏光方向を水平な状態にして入射させる必要がある。
その反射率が水平方向より垂直方向の方が大きい特性を
有している。このため、偏光ビームスプリッタ2には、
偏光方向を水平な状態にして入射させる必要がある。
【0019】即ち、偏光ビームスプリッタ2に半導体レ
ーザ1が出射するレーザ光を、その偏光方向が垂直の状
態にして入射させると、その大半のレーザ光が偏光ビー
ムスプリッタ2により反射されてしまい、コリメートレ
ンズ3、立ち上げミラー4、対物レンズ5を介して光磁
気ディスク6に照射されるレーザ光が少なくなってしま
う。このため、偏光ビームスプリッタ2に対して、半導
体レーザ1が出射するレーザ光の偏光方向を水平な方向
にして、より多くのレーザ光が光磁気ディスク6に照射
されるようにするのである。このため、この実施例にお
いては、半導体レーザ1の出射するレーザ光の偏光方向
が垂直になるようになされている。その他の構成は、図
13における場合と同様である。
ーザ1が出射するレーザ光を、その偏光方向が垂直の状
態にして入射させると、その大半のレーザ光が偏光ビー
ムスプリッタ2により反射されてしまい、コリメートレ
ンズ3、立ち上げミラー4、対物レンズ5を介して光磁
気ディスク6に照射されるレーザ光が少なくなってしま
う。このため、偏光ビームスプリッタ2に対して、半導
体レーザ1が出射するレーザ光の偏光方向を水平な方向
にして、より多くのレーザ光が光磁気ディスク6に照射
されるようにするのである。このため、この実施例にお
いては、半導体レーザ1の出射するレーザ光の偏光方向
が垂直になるようになされている。その他の構成は、図
13における場合と同様である。
【0020】半導体レーザ1が出射するレーザ光は、そ
の光軸方向が垂直な方向とされるため、半波長板11を
透過するとき、この偏光方向が水平方向に90゜回転さ
れて偏光ビームスプリッタ2に入射される。偏光ビーム
スプリッタ2は、上述したように、垂直方向の偏光方向
を有するレーザ光に対する反射率が大きいが、水平方向
の偏光方向の光に対する反射率は小さい(従って透過率
が大きい)。このため、より多くのレーザ光が偏光ビー
ムスプリッタ2を透過し、コリメートレンズ3により平
行光に変換された後、立ち上げミラー4により反射さ
れ、対物レンズ5により光磁気ディスク6上に集束照射
される。
の光軸方向が垂直な方向とされるため、半波長板11を
透過するとき、この偏光方向が水平方向に90゜回転さ
れて偏光ビームスプリッタ2に入射される。偏光ビーム
スプリッタ2は、上述したように、垂直方向の偏光方向
を有するレーザ光に対する反射率が大きいが、水平方向
の偏光方向の光に対する反射率は小さい(従って透過率
が大きい)。このため、より多くのレーザ光が偏光ビー
ムスプリッタ2を透過し、コリメートレンズ3により平
行光に変換された後、立ち上げミラー4により反射さ
れ、対物レンズ5により光磁気ディスク6上に集束照射
される。
【0021】半波長板11を挿入することにより、偏光
方向が90゜回転される。その結果、光磁気ディスク6
のトラック溝7と平行な方向をy軸、このy軸と垂直な
方向をx軸とするとき、光磁気ディスク6上における光
スポットの偏光方向は、x軸方向となる。
方向が90゜回転される。その結果、光磁気ディスク6
のトラック溝7と平行な方向をy軸、このy軸と垂直な
方向をx軸とするとき、光磁気ディスク6上における光
スポットの偏光方向は、x軸方向となる。
【0022】しかしながら、半波長板11を挿入したと
しても、光ビームのエネルギーの分布状態は変化しな
い。その結果、図14に示したように、半導体レーザ1
が出射する楕円形状のエネルギー分布を有するレーザ光
のうち、中央部分の真円の断面を有する部分をコリメー
トレンズ3により取り込むようにすると、光磁気ディス
ク6上に形成される光スポットの形状は、図2に示すよ
うに、y軸方向に長い楕円形状となる。即ち、この実施
例は、光磁気ディスク6のトラックピッチを狭くするの
に好適となる。
しても、光ビームのエネルギーの分布状態は変化しな
い。その結果、図14に示したように、半導体レーザ1
が出射する楕円形状のエネルギー分布を有するレーザ光
のうち、中央部分の真円の断面を有する部分をコリメー
トレンズ3により取り込むようにすると、光磁気ディス
ク6上に形成される光スポットの形状は、図2に示すよ
うに、y軸方向に長い楕円形状となる。即ち、この実施
例は、光磁気ディスク6のトラックピッチを狭くするの
に好適となる。
【0023】偏光ビームスプリッタ2は、半導体レーザ
1が出射するP偏光成分の多くを透過する。そして、こ
のP偏光成分の光は、光磁気ディスク6上における記録
データに対応する磁区による影響を受け、若干のS偏光
成分を含むものとなって光磁気ディスク6から反射され
る。偏光ビームスプリッタ2は、P偏光成分を多く透過
し、S偏光成分を多く反射するように設計されているた
め、偏光ビームスプリッタ2により、偏光ビームスプリ
ッタ8に向けて出射されるレーザ光のうち、P偏光成分
に対するS偏光成分の割合が相対的に多くなる。従っ
て、記録データの再生が容易となる。
1が出射するP偏光成分の多くを透過する。そして、こ
のP偏光成分の光は、光磁気ディスク6上における記録
データに対応する磁区による影響を受け、若干のS偏光
成分を含むものとなって光磁気ディスク6から反射され
る。偏光ビームスプリッタ2は、P偏光成分を多く透過
し、S偏光成分を多く反射するように設計されているた
め、偏光ビームスプリッタ2により、偏光ビームスプリ
ッタ8に向けて出射されるレーザ光のうち、P偏光成分
に対するS偏光成分の割合が相対的に多くなる。従っ
て、記録データの再生が容易となる。
【0024】偏光ビームスプリッタ2より出射されたレ
ーザ光は、偏光ビームスプリッタ8におけるP偏光成分
が偏光ビームスプリッタ8を透過して受光部20へ入射
され、S偏光成分が反射されて受光部21に入射され
る。その結果、後述するようにして受光部20と21の
出力を演算して、記録データに対応する信号、その他の
信号を生成することができる。また、この偏光ビームス
プリッタ8の反射面は、透過するP偏光成分の光の光軸
と、反射するS偏光成分の光の光軸がなす角度が90゜
未満となるように、入射角が45゜以上になるように配
置されている。これにより、受光部20,21は、受光
素子9上のほぼ同一平面上に配置することが可能とな
る。
ーザ光は、偏光ビームスプリッタ8におけるP偏光成分
が偏光ビームスプリッタ8を透過して受光部20へ入射
され、S偏光成分が反射されて受光部21に入射され
る。その結果、後述するようにして受光部20と21の
出力を演算して、記録データに対応する信号、その他の
信号を生成することができる。また、この偏光ビームス
プリッタ8の反射面は、透過するP偏光成分の光の光軸
と、反射するS偏光成分の光の光軸がなす角度が90゜
未満となるように、入射角が45゜以上になるように配
置されている。これにより、受光部20,21は、受光
素子9上のほぼ同一平面上に配置することが可能とな
る。
【0025】また、この偏光ビームスプリッタ8は、光
磁気ディスク6による偏光面の回転を検出するため、偏
光ビームスプリッタ8によって分離されるそれぞれの光
の偏光方向が偏光ビームスプリッタ2の光分離面に対す
るP偏光の方向に対して、ほぼ45゜の角度を有するよ
うに傾斜されている。
磁気ディスク6による偏光面の回転を検出するため、偏
光ビームスプリッタ8によって分離されるそれぞれの光
の偏光方向が偏光ビームスプリッタ2の光分離面に対す
るP偏光の方向に対して、ほぼ45゜の角度を有するよ
うに傾斜されている。
【0026】いま、この光磁気ディスク装置において、
光磁気ディスク6に対してレーザ光の偏光方向をトラッ
ク溝7と平行な方向(y軸方向)に合わせるように設計
変更する必要が生じたとする。このとき、光学ヘッド装
置において、半波長板11が取り去られる。従って、こ
の半波長板11は他の光学部品に影響を与えずに、装着
したり取り外すことが比較的容易にできるように光ヘッ
ド装置に取り付けられている。
光磁気ディスク6に対してレーザ光の偏光方向をトラッ
ク溝7と平行な方向(y軸方向)に合わせるように設計
変更する必要が生じたとする。このとき、光学ヘッド装
置において、半波長板11が取り去られる。従って、こ
の半波長板11は他の光学部品に影響を与えずに、装着
したり取り外すことが比較的容易にできるように光ヘッ
ド装置に取り付けられている。
【0027】この半波長板11を取り去ると、光軸方向
が90゜回転されないことになるため、光磁気ディスク
6上における偏光方向は、トラック溝7と平行なy軸方
向となる。この半波長板11を取り去っても、レーザ光
のエネルギー分布自体は変化しないから、光磁気ディス
ク6上の光スポットの形状は変化しない。従って、この
場合においても、光スポットはy軸方向に長い楕円形と
なる。
が90゜回転されないことになるため、光磁気ディスク
6上における偏光方向は、トラック溝7と平行なy軸方
向となる。この半波長板11を取り去っても、レーザ光
のエネルギー分布自体は変化しないから、光磁気ディス
ク6上の光スポットの形状は変化しない。従って、この
場合においても、光スポットはy軸方向に長い楕円形と
なる。
【0028】図3は第2の実施例を示している。この実
施例においては、半導体レーザ1の出射するレーザ光の
光軸方向が水平方向とされ、そして、半波長板11が偏
光ビームスプリッタ2とコリメートレンズ3の間に挿入
されている。その他の構成は、図1における場合と同様
である。この実施例の場合、半導体レーザ1が出射する
レーザ光が、その光軸方向が水平方向とされているた
め、その大半のレーザ光は、偏光ビームスプリッタ2を
透過する。そして、この偏光ビームスプリッタ2を透過
したレーザ光が半波長板11に入射され、偏光方向が9
0゜回転される。その結果、光磁気ディスク6上におけ
る偏光方向は、図4に示すようにy軸方向となる。
施例においては、半導体レーザ1の出射するレーザ光の
光軸方向が水平方向とされ、そして、半波長板11が偏
光ビームスプリッタ2とコリメートレンズ3の間に挿入
されている。その他の構成は、図1における場合と同様
である。この実施例の場合、半導体レーザ1が出射する
レーザ光が、その光軸方向が水平方向とされているた
め、その大半のレーザ光は、偏光ビームスプリッタ2を
透過する。そして、この偏光ビームスプリッタ2を透過
したレーザ光が半波長板11に入射され、偏光方向が9
0゜回転される。その結果、光磁気ディスク6上におけ
る偏光方向は、図4に示すようにy軸方向となる。
【0029】また、半波長板11の存在によって、半導
体レーザ1が出射するレーザ光のエネルギー分布は変化
しないから、光磁気ディスク6上における光スポットの
形状は図4に示すように、x軸方向に長い楕円形とな
る。
体レーザ1が出射するレーザ光のエネルギー分布は変化
しないから、光磁気ディスク6上における光スポットの
形状は図4に示すように、x軸方向に長い楕円形とな
る。
【0030】この実施例において、例えば偏光方向をト
ラック溝7の方向と垂直なx軸方向に設計変更したい場
合においては、半波長板11が光路中から取り外され
る。これにより、偏光方向をx軸方向にすることができ
る。ただしこの場合においても、光スポットの方向は変
化せず、x軸方向に長い楕円形状のままとなる。
ラック溝7の方向と垂直なx軸方向に設計変更したい場
合においては、半波長板11が光路中から取り外され
る。これにより、偏光方向をx軸方向にすることができ
る。ただしこの場合においても、光スポットの方向は変
化せず、x軸方向に長い楕円形状のままとなる。
【0031】図5乃至図8は、受光部20,21を備え
る受光素子パッケージの具体的構成を示している。ま
た、各図の(a)及び(b)は、それぞれ受光素子パッ
ケージの側面図および斜視図を示す。
る受光素子パッケージの具体的構成を示している。ま
た、各図の(a)及び(b)は、それぞれ受光素子パッ
ケージの側面図および斜視図を示す。
【0032】図5においては、受光部20,21の受光
面のなす角度が90゜より大きくなるように受光部2
0,21を載置する基台71に斜面が形成されている。
面のなす角度が90゜より大きくなるように受光部2
0,21を載置する基台71に斜面が形成されている。
【0033】図6においては、偏光ビームスプリッタ8
によって分離された光の焦点と受光部20,21の位置
が一致するように、受光部20,21を載置する基台7
1に段差が形成されている。
によって分離された光の焦点と受光部20,21の位置
が一致するように、受光部20,21を載置する基台7
1に段差が形成されている。
【0034】図7においては、受光部20,21を載置
する基台81の受光表面上に凸状のレンズ91を設けこ
とによって光を集光している。
する基台81の受光表面上に凸状のレンズ91を設けこ
とによって光を集光している。
【0035】図8においては、受光部20,21を載置
する基台81の受光表面上に、透明な部材92を設け、
光の入射角をかえて光を集光している。
する基台81の受光表面上に、透明な部材92を設け、
光の入射角をかえて光を集光している。
【0036】図5乃至図8に示す受光素子パッケージ
は、受光部20,21の距離を小さくでき、受光素子パ
ッケージの小型化を図ることができる。
は、受光部20,21の距離を小さくでき、受光素子パ
ッケージの小型化を図ることができる。
【0037】図9は、受光部20,21が形成された半
導体チップ200の構成を示しており、同図(a)、
(b)、(c)は、それぞれ半導体チップ200の上面
図、正面図、側面図である。チップ基板201には受光
部20,21がIC化されている。また、受光部20,
21に電気的に接続している端子202が設けられてい
る。
導体チップ200の構成を示しており、同図(a)、
(b)、(c)は、それぞれ半導体チップ200の上面
図、正面図、側面図である。チップ基板201には受光
部20,21がIC化されている。また、受光部20,
21に電気的に接続している端子202が設けられてい
る。
【0038】さらに、図10は、チップ基板201の具
体的な配線パターンを示したものである。
体的な配線パターンを示したものである。
【0039】図11は、光学素子9の受光部20,21
の出力を演算して信号を再生する実施例を示している。
この実施例においては、A乃至Dの4つの領域に分割さ
れている受光部20の出力が、それぞれ増幅器41a乃
至41dにより増幅された後、ローパスフィルタ42a
乃至42dにより不要な高域成分が除去されるようにな
されている。そして、ローパスフィルタ42aと42b
の出力が加算器43により加算され、ローパスフィルタ
42bと42dの出力が加算器44により加算され、ロ
ーパスフィルタ42aと42cの出力が加算器45によ
り加算され、ローパスフィルタ42cと42dの出力が
加算器46により加算されている。
の出力を演算して信号を再生する実施例を示している。
この実施例においては、A乃至Dの4つの領域に分割さ
れている受光部20の出力が、それぞれ増幅器41a乃
至41dにより増幅された後、ローパスフィルタ42a
乃至42dにより不要な高域成分が除去されるようにな
されている。そして、ローパスフィルタ42aと42b
の出力が加算器43により加算され、ローパスフィルタ
42bと42dの出力が加算器44により加算され、ロ
ーパスフィルタ42aと42cの出力が加算器45によ
り加算され、ローパスフィルタ42cと42dの出力が
加算器46により加算されている。
【0040】加算器43の出力から加算器46の出力が
減算器47により減算され、トラッキングエラー信号
(TES=(A+B)−(C+D))が生成されてい
る。また、加算器44の出力から加算器45の出力が減
算器48において減算され、フォーカスエラー信号(F
ES=(B+D)−(A+C))が生成されている。
減算器47により減算され、トラッキングエラー信号
(TES=(A+B)−(C+D))が生成されてい
る。また、加算器44の出力から加算器45の出力が減
算器48において減算され、フォーカスエラー信号(F
ES=(B+D)−(A+C))が生成されている。
【0041】さらに、増幅器41a乃至41dの出力
は、加算器49により加算され、減算器51と加算器5
2に出力されている。また、受光部21の出力が増幅器
50により増幅され、減算器51と加算器52に供給さ
れている。減算器51は加算器49の出力から増幅器5
0の出力を減算し、光磁気ディスク6に記録されている
記録データに対応する信号RFdif(MO信号)を生成
している。また、加算器52は、加算器49と加算器5
0の出力を加算し、RFsumを生成している。
は、加算器49により加算され、減算器51と加算器5
2に出力されている。また、受光部21の出力が増幅器
50により増幅され、減算器51と加算器52に供給さ
れている。減算器51は加算器49の出力から増幅器5
0の出力を減算し、光磁気ディスク6に記録されている
記録データに対応する信号RFdif(MO信号)を生成
している。また、加算器52は、加算器49と加算器5
0の出力を加算し、RFsumを生成している。
【0042】図11の実施例においては、増幅器41a
乃至41dと加算器43乃至46の間にローパスフィル
タ42a乃至42dを配置するようにしたが、例えば図
12に示すように図11におけるローパスフィルタ42
a乃至42dを省略し、減算器47と48の出力にロー
パスフィルタ61と62を接続し、この最終的な出力段
階において不要な高域成分を除去するようにしてもよ
い。
乃至41dと加算器43乃至46の間にローパスフィル
タ42a乃至42dを配置するようにしたが、例えば図
12に示すように図11におけるローパスフィルタ42
a乃至42dを省略し、減算器47と48の出力にロー
パスフィルタ61と62を接続し、この最終的な出力段
階において不要な高域成分を除去するようにしてもよ
い。
【0043】
【発明の効果】以上の如く本発明の光ヘッド装置によれ
ば、発光素子と反射光分離素子との間あるいは、反射光
分離素子と対物レンズとの間に半波長板を設けるように
したので、記録媒体に入射される光の偏光方向と、トラ
ックの方向とを変更するような場合に対する対処が容易
となる。
ば、発光素子と反射光分離素子との間あるいは、反射光
分離素子と対物レンズとの間に半波長板を設けるように
したので、記録媒体に入射される光の偏光方向と、トラ
ックの方向とを変更するような場合に対する対処が容易
となる。
【図1】本発明の光ヘッド装置の一実施例の構成を示す
図である。
図である。
【図2】図1の実施例における光磁気ディスク6上にお
ける光スポット形状を説明する図である。
ける光スポット形状を説明する図である。
【図3】本発明の光ヘッド装置の他の実施例の構成を示
す図である。
す図である。
【図4】図3の光磁気ディスク6上におけるスポット形
状を説明する図である。
状を説明する図である。
【図5】図1および図3における受光素子9の他の構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図6】図1および図3における受光素子9の他の構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図7】図1および図3における受光素子9の他の構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図8】図1および図3における受光素子9の他の構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図9】本発明の半導体チップ200の構成を示す図で
ある。
ある。
【図10】本発明の半導体チップ200の配線パターン
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図11】図1および図3に示す受光素子9の受光部2
0,21の出力を演算する演算回路の一実施例の構成を
示すブロック図である。
0,21の出力を演算する演算回路の一実施例の構成を
示すブロック図である。
【図12】図1および図3に示す受光素子9の受光部2
0,21の出力を演算する演算回路の他の実施例の構成
を示すブロック図である。
0,21の出力を演算する演算回路の他の実施例の構成
を示すブロック図である。
【図13】従来の光ヘッド装置の構成例を示す図であ
る。
る。
【図14】半導体レーザより出射されるレーザ光のエネ
ルギーの分布状態を説明する図である。
ルギーの分布状態を説明する図である。
【図15】図13の光磁気ディスク6上におけるスポッ
トの形状を説明する図である。
トの形状を説明する図である。
1 半導体レーザ 2 偏光角増幅用偏光ビームスプリッタ 3 コリメートレンズ 4 立ち上げミラー 5 対物レンズ 6 光磁気ディスク 7 トラック溝 8 偏光分離用偏光ビームスプリッタ 9 受光素子 11 半波長板 20,21 受光部
Claims (5)
- 【請求項1】 光を発光する発光素子と、 前記発光素子から発光される光を記録媒体上に集光させ
るとともに、前記記録媒体からの反射光を受光する対物
レンズと、 前記発光素子と対物レンズとの間に配置され、前記記録
媒体からの反射光を反射もしくは透過させることによ
り、前記発光素子から前記記録媒体に向かう入射光か
ら、前記記録媒体により反射された反射光を分離する反
射光分離素子と、 前記反射光分離素子により分離された光を一部反射さ
せ、一部透過させることにより、互いに直交する2つの
偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸のなす角
度が90゜未満となるように配置された偏光分離素子
と、 前記2つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する
少なくとも2つの受光部を有し、前記受光部の受光面が
ほぼ同一方向に向けて配置された受光素子と、 を備える光ヘッド装置において、 前記発光素子と反射光分離素子との間に、半波長板を設
けたことを特徴とする光ヘッド装置。 - 【請求項2】 光を発光する発光素子と、 前記発光素子から発光される光を記録媒体上に集光させ
るとともに、前記記録媒体からの反射光を受光する対物
レンズと、 前記発光素子と対物レンズとの間に配置され、前記記録
媒体からの反射光を反射もしくは透過させることによ
り、前記発光素子から前記記録媒体に向かう入射光か
ら、前記記録媒体により反射された反射光を分離する反
射光分離素子と、 前記反射光分離素子により分離された光を一部反射さ
せ、一部透過させることにより、互いに直交する2つの
偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸のなす角
度が90゜未満となるように配置された偏光分離素子
と、 前記2つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する
少なくとも2つの受光部を有し、前記受光部の受光面が
ほぼ同一方向に向けて配置された受光素子と、 を備える光ヘッド装置において、 前駆反射光分離素子と対物レンズとの間に、半波長板を
設けたことを特徴とする光ヘッド装置。 - 【請求項3】 光を発光する発光素子と、 前記発光素子から発光される光を記録媒体上に集光させ
るとともに、前記記録媒体からの反射光を受光する対物
レンズと、 前記発光素子と対物レンズとの間に配置され、前記記録
媒体からの反射光を反射もしくは透過させることによ
り、前記発光素子から前記記録媒体に向かう入射光か
ら、前記記録媒体により反射された反射光を分離する反
射光分離素子と、 前記反射光分離素子により分離された光を一部反射さ
せ、一部透過させることにより、互いに直交する2つの
偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸のなす角
度が90゜未満となるように配置された偏光分離素子
と、 前記2つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する
少なくとも2つの受光部を有し、前記受光部が1つの基
板上に配置された受光素子と、 を備える光ヘッド装置において、 前記発光素子と反射光分離素子との間に、半波長板を設
けたことを特徴とする光ヘッド装置。 - 【請求項4】 光を発光する発光素子と、 前記発光素子から発光される光を記録媒体上に集光させ
るとともに、前記記録媒体からの反射光を受光する対物
レンズと、 前記発光素子と対物レンズとの間に配置され、前記記録
媒体からの反射光を反射もしくは透過させることによ
り、前記発光素子から前記記録媒体に向かう入射光か
ら、前記記録媒体により反射された反射光を分離する反
射光分離素子と、 前記反射光分離素子により分離された光を一部反射さ
せ、一部透過させることにより、互いに直交する2つの
偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸のなす角
度が90゜未満となるように配置された偏光分離素子
と、 前記2つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する
少なくとも2つの受光部を有し、前記受光部が1つの基
板上に配置された受光素子と、 を備える光ヘッド装置において、 前記反射光分離素子と対物レンズとの間に、半波長板を
設けたことを特徴とする光ヘッド装置。 - 【請求項5】 前記発光素子は発散光を出射し、前記反
射光分離素子は前記発光素子の出射する発散光路上に配
置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれ
かに記載の光ヘッド装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4316419A JPH06150434A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 光ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4316419A JPH06150434A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 光ヘッド装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06150434A true JPH06150434A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18076869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4316419A Withdrawn JPH06150434A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 光ヘッド装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06150434A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09212905A (ja) * | 1996-02-06 | 1997-08-15 | Nec Corp | 光ヘッド装置 |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP4316419A patent/JPH06150434A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09212905A (ja) * | 1996-02-06 | 1997-08-15 | Nec Corp | 光ヘッド装置 |
US5892749A (en) * | 1996-02-06 | 1999-04-06 | Nec Corporation | Optical head device for reading two optical disks |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |