JPH06150434A

JPH06150434A - 光ヘッド装置

Info

Publication number: JPH06150434A
Application number: JP4316419A
Authority: JP
Inventors: Hayami Hosokawa; 速美細川; Kohei Tomita; 公平富田
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 1992-10-30
Filing date: 1992-10-30
Publication date: 1994-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】光磁気ディスク６に照射する光ビームの偏光
方向と、トラック溝７の方向との配置関係の変更を容易
にできるようにする。【構成】半導体レーザ１より出射される垂直方向に偏
光方向を有するレーザ光を半波長板１１に入射し、その
光軸方向を９０度回転させ、水平方向に光軸方向を有す
るレーザ光として偏光ビームスプリッタ２に入射させ
る。偏光ビームスプリッタ２を透過したレーザ光が、コ
リメートレンズレンズ３、立ち上げミラー４、対物レン
ズ５を介して光磁気ディスク６上に集束照射される。こ
のとき、光磁気ディスク６上に照射されるレーザ光の偏
光方向は、ｘ軸方向となり、トラック溝７の方向はｙ軸
方向となる。この偏光方向を、例えばｙ軸方向に変更す
るとき、半波長板１１が除去される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光ディスク装置
に用いて好適な光ヘッド装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１３は、従来の光ヘッド装置の一例の
構成を示している。半導体レーザ１より出射されたレー
ザ光は、偏光角増幅用偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）
２を透過し、コリメートレンズ３により集束光から平行
光に変換される。コリメートレンズ３より出射された平
行光は、立ち上げミラー４により反射され、対物レンズ
５により光ディスク６上に集束照射される。光ディスク
６は、トラック溝７を有しており、そこに光磁気的にデ
ータが記録されている。

【０００３】光磁気ディスク６により反射されたレーザ
光は、対物レンズ５に入射され、そこで平行光に戻され
て立ち上げミラー４に入射される。立ち上げミラー４で
反射されたレーザ光は、コリメートレンズ３により集束
光とされ、偏光角増幅用ＰＢＳ２に入射される。偏光角
増幅用ＰＢＳ２は、入射されたレーザ光を反射し、偏光
分離用ＰＢＳ８に入射させる。偏光分離用ＰＢＳ８は、
入射されたレーザ光のうち一部の光を透過して受光素子
９の受光部２０に入射させる。また、一部の光を反射し
て、受光素子９の受光部２１に入射させる。

【０００４】半導体レーザ１が出射するレーザ光は、図
１４（ａ）に示すように、そのエネルギーが、断面形状
が楕円形となるように分布している。この楕円の形状
は、半導体レーザ１が出射するレーザ光の偏光方向が長
径方向と垂直になるようになる。

【０００５】そこで、この楕円形のレーザ光のうち図１
４（ｂ）に示すように、コリメートレンズ３や対物レン
ズ５のレンズ開口により、楕円形状のうちの中央部分の
所定の範囲の真円分のみを取り込み、光磁気ディスク６
に集束照射するようにしている。

【０００６】このように、楕円形状に分布する光の一部
を取り込んで光磁気ディスク６上に対物レンズ５により
集束照射すると、光磁気ディスク６に形成される光スポ
ットの形状は、図１４（ｂ）に破線で示すように、光ビ
ームの楕円形状と垂直な方向の楕円形状となる。これ
は、エネルギーが均一に分布する光の方が、より小径に
絞り込むことができるからである。即ち、図１４（ｂ）
に示すように、縦長の楕円形状のビームのうち、その中
央部分の一部をレンズにより取り込むようにすると、縦
方向の光のエネルギーの分布が横方向に較べて均一とな
る。その結果、縦方向の光が横方向に較べて、より小さ
い径に絞り込まれることになるのである。

【０００７】その結果、図１３に示すように、半導体レ
ーザ１の出射するレーザ光の偏光方向を水平方向に設定
すると、光磁気ディスク６上に形成される光スポットの
形状は、図１５に示すように、トラック溝７の方向と平
行なｙ軸方向に短く、このトラック溝方向と垂直なｘ軸
方向に長い楕円形状となる。そして、偏光方向は、ｘ軸
方向となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように、光磁気デ
ィスク６上に形成される光スポットの形状が楕円形状に
なるため、例えばトラックピッチを小さくして高密度化
を測る場合、トラック溝７に垂直な方向と、光スポット
の小径方向を合わせる必要がある。これに対して、トラ
ック溝７に形成される磁区（ピット）の間隔を小さくす
るのであれば、トラック溝７に平行な方向と、光スポッ
トの小径方向を合わせる必要がある。

【０００９】このように光の偏光方向、光スポットの楕
円の方向およびトラック溝７の方向は、ドライブ装置の
要求により、さまざまな状態に組み合わせられるのであ
るが、光ヘッドの構成は設計上決まっているため、装置
における上記方向の組み合わせを変更する場合、光ヘッ
ド装置も設計変更しなければならない課題があった。

【００１０】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、光の偏光方向、光スポットの楕円の方向
およびトラック溝の方向の組み合わせを変更する場合に
おいて、基本的に変更を必要としない光ヘッド装置を実
現できるようにするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の光ヘッ
ド装置は、光を発光する発光素子としての半導体レーザ
１と、半導体レーザ１から発光される光を記録媒体とし
ての光磁気ディスク６に集光させるとともに、光磁気デ
ィスク６からの反射光を受光する対物レンズ５と、半導
体レーザ１と対物レンズ５との間に配置され、光磁気デ
ィスク６からの反射光を反射もしくは透過させることに
より、半導体レーザ１から光磁気ディスク６に向かう入
射光から、光磁気ディスク６により反射された反射光を
分離する反射光分離素子としての偏光角増幅用偏光ビー
ムスプリッタ２と、偏光ビームスプリッタ２により分離
された光を一部反射させ、一部透過させることにより互
いに直交する２つの偏光方向の光に分離し、各偏光成分
の光の光軸のなす角度が９０゜未満となるように配置さ
れた偏光分離素子としての偏光分離用偏光ビームスプリ
ッタ８と、２つの偏光成分に分離された光を、それぞれ
受光する少なくとも２つの受光部２０，２１を有し、受
光部２０，２１の受光面が、ほぼ同一方向に向けて配置
された受光素子９とを備える光ヘッド装置において、半
導体レーザ１と偏光ビームスプリッタ２との間に半波長
板１１を設けたことを特徴とする。

【００１２】請求項２に記載の光ヘッド装置は、偏光角
増幅用偏光ビームスプリッタ２と、対物レンズ５との間
に半波長板１１を設けたことを特徴とする。

【００１３】請求項３に記載の光ヘッド装置は、光を発
光する発光素子としての半導体レーザ１と、半導体レー
ザ１から発光される光を記録媒体としての光磁気ディス
ク６上に集光させるとともに、光磁気ディスク６からの
反射光を受光する対物レンズ５と、半導体レーザ１と対
物レンズ５との間に配置され、光磁気ディスク６からの
反射光を反射もしくは透過させることにより、半導体レ
ーザ１から光磁気ディスク６に向かう入射光から、光磁
気ディスク６により反射された反射光を分離する反射光
分離素子としての偏光角増幅用偏光ビームスプリッタ２
と、偏光ビームスプリッタ２により分離された光を一部
反射させ、一部透過させることにより、互いに直交する
２つの偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸の
なす角度が９０゜未満となるように配置された偏光分離
素子としての偏光分離用偏光ビームスプリッタ８と、２
つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する少なく
とも２つの受光部２０，２１を有し、受光部２０，２１
が１つの基板２０１上に配置された受光素子９とを備え
る光ヘッド装置において、半導体レーザ１と偏光ビーム
スプリッタ２との間に半波長板１１を設けたことを特徴
とする。

【００１４】また、請求項４に記載の光ヘッド装置は、
偏光ビームスプリッタ２と対物レンズ５との間に半波長
板１１を設けたことを特徴とする。

【００１５】この偏光ビームスプリッタ２は、半導体レ
ーザ１の出射する発散光路上に配置することができる。

【００１６】

【作用】上記構成の光ヘッド装置においては、半波長板
１１が半導体レーザ１と偏光ビームスプリッタ２との
間、あるいは偏光ビームスプリッタ２と対物レンズ５と
の間に配置される。従って、この半波長板１１を挿入す
るか取り去るだけの変更により、レーザ光の偏光方向と
トラック溝の方向の組み合わせの変更に対する対処が可
能となる。

【００１７】

【実施例】図１は本発明の光ヘッド装置の一実施例の構
成を示す図であり、図１３における場合と対応する部分
には、同一の符号を付してある。即ち、この実施例にお
いては、半波長板１１が半導体レーザ１と偏光角増幅用
偏光ビームスプリッタ２との間に挿入されている。そし
て、この半波長板１１により半導体レーザ１が出射する
レーザ光の偏光方向が９０゜回転されるようになされて
いる。

【００１８】偏光角増幅用偏光ビームスプリッタ２は、
その反射率が水平方向より垂直方向の方が大きい特性を
有している。このため、偏光ビームスプリッタ２には、
偏光方向を水平な状態にして入射させる必要がある。

【００１９】即ち、偏光ビームスプリッタ２に半導体レ
ーザ１が出射するレーザ光を、その偏光方向が垂直の状
態にして入射させると、その大半のレーザ光が偏光ビー
ムスプリッタ２により反射されてしまい、コリメートレ
ンズ３、立ち上げミラー４、対物レンズ５を介して光磁
気ディスク６に照射されるレーザ光が少なくなってしま
う。このため、偏光ビームスプリッタ２に対して、半導
体レーザ１が出射するレーザ光の偏光方向を水平な方向
にして、より多くのレーザ光が光磁気ディスク６に照射
されるようにするのである。このため、この実施例にお
いては、半導体レーザ１の出射するレーザ光の偏光方向
が垂直になるようになされている。その他の構成は、図
１３における場合と同様である。

【００２０】半導体レーザ１が出射するレーザ光は、そ
の光軸方向が垂直な方向とされるため、半波長板１１を
透過するとき、この偏光方向が水平方向に９０゜回転さ
れて偏光ビームスプリッタ２に入射される。偏光ビーム
スプリッタ２は、上述したように、垂直方向の偏光方向
を有するレーザ光に対する反射率が大きいが、水平方向
の偏光方向の光に対する反射率は小さい（従って透過率
が大きい）。このため、より多くのレーザ光が偏光ビー
ムスプリッタ２を透過し、コリメートレンズ３により平
行光に変換された後、立ち上げミラー４により反射さ
れ、対物レンズ５により光磁気ディスク６上に集束照射
される。

【００２１】半波長板１１を挿入することにより、偏光
方向が９０゜回転される。その結果、光磁気ディスク６
のトラック溝７と平行な方向をｙ軸、このｙ軸と垂直な
方向をｘ軸とするとき、光磁気ディスク６上における光
スポットの偏光方向は、ｘ軸方向となる。

【００２２】しかしながら、半波長板１１を挿入したと
しても、光ビームのエネルギーの分布状態は変化しな
い。その結果、図１４に示したように、半導体レーザ１
が出射する楕円形状のエネルギー分布を有するレーザ光
のうち、中央部分の真円の断面を有する部分をコリメー
トレンズ３により取り込むようにすると、光磁気ディス
ク６上に形成される光スポットの形状は、図２に示すよ
うに、ｙ軸方向に長い楕円形状となる。即ち、この実施
例は、光磁気ディスク６のトラックピッチを狭くするの
に好適となる。

【００２３】偏光ビームスプリッタ２は、半導体レーザ
１が出射するＰ偏光成分の多くを透過する。そして、こ
のＰ偏光成分の光は、光磁気ディスク６上における記録
データに対応する磁区による影響を受け、若干のＳ偏光
成分を含むものとなって光磁気ディスク６から反射され
る。偏光ビームスプリッタ２は、Ｐ偏光成分を多く透過
し、Ｓ偏光成分を多く反射するように設計されているた
め、偏光ビームスプリッタ２により、偏光ビームスプリ
ッタ８に向けて出射されるレーザ光のうち、Ｐ偏光成分
に対するＳ偏光成分の割合が相対的に多くなる。従っ
て、記録データの再生が容易となる。

【００２４】偏光ビームスプリッタ２より出射されたレ
ーザ光は、偏光ビームスプリッタ８におけるＰ偏光成分
が偏光ビームスプリッタ８を透過して受光部２０へ入射
され、Ｓ偏光成分が反射されて受光部２１に入射され
る。その結果、後述するようにして受光部２０と２１の
出力を演算して、記録データに対応する信号、その他の
信号を生成することができる。また、この偏光ビームス
プリッタ８の反射面は、透過するＰ偏光成分の光の光軸
と、反射するＳ偏光成分の光の光軸がなす角度が９０゜
未満となるように、入射角が４５゜以上になるように配
置されている。これにより、受光部２０，２１は、受光
素子９上のほぼ同一平面上に配置することが可能とな
る。

【００２５】また、この偏光ビームスプリッタ８は、光
磁気ディスク６による偏光面の回転を検出するため、偏
光ビームスプリッタ８によって分離されるそれぞれの光
の偏光方向が偏光ビームスプリッタ２の光分離面に対す
るＰ偏光の方向に対して、ほぼ４５゜の角度を有するよ
うに傾斜されている。

【００２６】いま、この光磁気ディスク装置において、
光磁気ディスク６に対してレーザ光の偏光方向をトラッ
ク溝７と平行な方向（ｙ軸方向）に合わせるように設計
変更する必要が生じたとする。このとき、光学ヘッド装
置において、半波長板１１が取り去られる。従って、こ
の半波長板１１は他の光学部品に影響を与えずに、装着
したり取り外すことが比較的容易にできるように光ヘッ
ド装置に取り付けられている。

【００２７】この半波長板１１を取り去ると、光軸方向
が９０゜回転されないことになるため、光磁気ディスク
６上における偏光方向は、トラック溝７と平行なｙ軸方
向となる。この半波長板１１を取り去っても、レーザ光
のエネルギー分布自体は変化しないから、光磁気ディス
ク６上の光スポットの形状は変化しない。従って、この
場合においても、光スポットはｙ軸方向に長い楕円形と
なる。

【００２８】図３は第２の実施例を示している。この実
施例においては、半導体レーザ１の出射するレーザ光の
光軸方向が水平方向とされ、そして、半波長板１１が偏
光ビームスプリッタ２とコリメートレンズ３の間に挿入
されている。その他の構成は、図１における場合と同様
である。この実施例の場合、半導体レーザ１が出射する
レーザ光が、その光軸方向が水平方向とされているた
め、その大半のレーザ光は、偏光ビームスプリッタ２を
透過する。そして、この偏光ビームスプリッタ２を透過
したレーザ光が半波長板１１に入射され、偏光方向が９
０゜回転される。その結果、光磁気ディスク６上におけ
る偏光方向は、図４に示すようにｙ軸方向となる。

【００２９】また、半波長板１１の存在によって、半導
体レーザ１が出射するレーザ光のエネルギー分布は変化
しないから、光磁気ディスク６上における光スポットの
形状は図４に示すように、ｘ軸方向に長い楕円形とな
る。

【００３０】この実施例において、例えば偏光方向をト
ラック溝７の方向と垂直なｘ軸方向に設計変更したい場
合においては、半波長板１１が光路中から取り外され
る。これにより、偏光方向をｘ軸方向にすることができ
る。ただしこの場合においても、光スポットの方向は変
化せず、ｘ軸方向に長い楕円形状のままとなる。

【００３１】図５乃至図８は、受光部２０，２１を備え
る受光素子パッケージの具体的構成を示している。ま
た、各図の（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ受光素子パッ
ケージの側面図および斜視図を示す。

【００３２】図５においては、受光部２０，２１の受光
面のなす角度が９０゜より大きくなるように受光部２
０，２１を載置する基台７１に斜面が形成されている。

【００３３】図６においては、偏光ビームスプリッタ８
によって分離された光の焦点と受光部２０，２１の位置
が一致するように、受光部２０，２１を載置する基台７
１に段差が形成されている。

【００３４】図７においては、受光部２０，２１を載置
する基台８１の受光表面上に凸状のレンズ９１を設けこ
とによって光を集光している。

【００３５】図８においては、受光部２０，２１を載置
する基台８１の受光表面上に、透明な部材９２を設け、
光の入射角をかえて光を集光している。

【００３６】図５乃至図８に示す受光素子パッケージ
は、受光部２０，２１の距離を小さくでき、受光素子パ
ッケージの小型化を図ることができる。

【００３７】図９は、受光部２０，２１が形成された半
導体チップ２００の構成を示しており、同図（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ半導体チップ２００の上面
図、正面図、側面図である。チップ基板２０１には受光
部２０，２１がＩＣ化されている。また、受光部２０，
２１に電気的に接続している端子２０２が設けられてい
る。

【００３８】さらに、図１０は、チップ基板２０１の具
体的な配線パターンを示したものである。

【００３９】図１１は、光学素子９の受光部２０，２１
の出力を演算して信号を再生する実施例を示している。
この実施例においては、Ａ乃至Ｄの４つの領域に分割さ
れている受光部２０の出力が、それぞれ増幅器４１ａ乃
至４１ｄにより増幅された後、ローパスフィルタ４２ａ
乃至４２ｄにより不要な高域成分が除去されるようにな
されている。そして、ローパスフィルタ４２ａと４２ｂ
の出力が加算器４３により加算され、ローパスフィルタ
４２ｂと４２ｄの出力が加算器４４により加算され、ロ
ーパスフィルタ４２ａと４２ｃの出力が加算器４５によ
り加算され、ローパスフィルタ４２ｃと４２ｄの出力が
加算器４６により加算されている。

【００４０】加算器４３の出力から加算器４６の出力が
減算器４７により減算され、トラッキングエラー信号
（ＴＥＳ＝（Ａ＋Ｂ）−（Ｃ＋Ｄ））が生成されてい
る。また、加算器４４の出力から加算器４５の出力が減
算器４８において減算され、フォーカスエラー信号（Ｆ
ＥＳ＝（Ｂ＋Ｄ）−（Ａ＋Ｃ））が生成されている。

【００４１】さらに、増幅器４１ａ乃至４１ｄの出力
は、加算器４９により加算され、減算器５１と加算器５
２に出力されている。また、受光部２１の出力が増幅器
５０により増幅され、減算器５１と加算器５２に供給さ
れている。減算器５１は加算器４９の出力から増幅器５
０の出力を減算し、光磁気ディスク６に記録されている
記録データに対応する信号ＲＦ_dif（ＭＯ信号）を生成
している。また、加算器５２は、加算器４９と加算器５
０の出力を加算し、ＲＦ_sumを生成している。

【００４２】図１１の実施例においては、増幅器４１ａ
乃至４１ｄと加算器４３乃至４６の間にローパスフィル
タ４２ａ乃至４２ｄを配置するようにしたが、例えば図
１２に示すように図１１におけるローパスフィルタ４２
ａ乃至４２ｄを省略し、減算器４７と４８の出力にロー
パスフィルタ６１と６２を接続し、この最終的な出力段
階において不要な高域成分を除去するようにしてもよ
い。

【００４３】

【発明の効果】以上の如く本発明の光ヘッド装置によれ
ば、発光素子と反射光分離素子との間あるいは、反射光
分離素子と対物レンズとの間に半波長板を設けるように
したので、記録媒体に入射される光の偏光方向と、トラ
ックの方向とを変更するような場合に対する対処が容易
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ヘッド装置の一実施例の構成を示す
図である。

【図２】図１の実施例における光磁気ディスク６上にお
ける光スポット形状を説明する図である。

【図３】本発明の光ヘッド装置の他の実施例の構成を示
す図である。

【図４】図３の光磁気ディスク６上におけるスポット形
状を説明する図である。

【図５】図１および図３における受光素子９の他の構成
例を示す図である。

【図６】図１および図３における受光素子９の他の構成
例を示す図である。

【図７】図１および図３における受光素子９の他の構成
例を示す図である。

【図８】図１および図３における受光素子９の他の構成
例を示す図である。

【図９】本発明の半導体チップ２００の構成を示す図で
ある。

【図１０】本発明の半導体チップ２００の配線パターン
の構成を示す図である。

【図１１】図１および図３に示す受光素子９の受光部２
０，２１の出力を演算する演算回路の一実施例の構成を
示すブロック図である。

【図１２】図１および図３に示す受光素子９の受光部２
０，２１の出力を演算する演算回路の他の実施例の構成
を示すブロック図である。

【図１３】従来の光ヘッド装置の構成例を示す図であ
る。

【図１４】半導体レーザより出射されるレーザ光のエネ
ルギーの分布状態を説明する図である。

【図１５】図１３の光磁気ディスク６上におけるスポッ
トの形状を説明する図である。

【符号の説明】

１半導体レーザ２偏光角増幅用偏光ビームスプリッタ３コリメートレンズ４立ち上げミラー５対物レンズ６光磁気ディスク７トラック溝８偏光分離用偏光ビームスプリッタ９受光素子１１半波長板２０，２１受光部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光を発光する発光素子と、前記発光素子から発光される光を記録媒体上に集光させ
るとともに、前記記録媒体からの反射光を受光する対物
レンズと、前記発光素子と対物レンズとの間に配置され、前記記録
媒体からの反射光を反射もしくは透過させることによ
り、前記発光素子から前記記録媒体に向かう入射光か
ら、前記記録媒体により反射された反射光を分離する反
射光分離素子と、前記反射光分離素子により分離された光を一部反射さ
せ、一部透過させることにより、互いに直交する２つの
偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸のなす角
度が９０゜未満となるように配置された偏光分離素子
と、前記２つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する
少なくとも２つの受光部を有し、前記受光部の受光面が
ほぼ同一方向に向けて配置された受光素子と、を備える光ヘッド装置において、前記発光素子と反射光分離素子との間に、半波長板を設
けたことを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項２】光を発光する発光素子と、前記発光素子から発光される光を記録媒体上に集光させ
るとともに、前記記録媒体からの反射光を受光する対物
レンズと、前記発光素子と対物レンズとの間に配置され、前記記録
媒体からの反射光を反射もしくは透過させることによ
り、前記発光素子から前記記録媒体に向かう入射光か
ら、前記記録媒体により反射された反射光を分離する反
射光分離素子と、前記反射光分離素子により分離された光を一部反射さ
せ、一部透過させることにより、互いに直交する２つの
偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸のなす角
度が９０゜未満となるように配置された偏光分離素子
と、前記２つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する
少なくとも２つの受光部を有し、前記受光部の受光面が
ほぼ同一方向に向けて配置された受光素子と、を備える光ヘッド装置において、前駆反射光分離素子と対物レンズとの間に、半波長板を
設けたことを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項３】光を発光する発光素子と、前記発光素子から発光される光を記録媒体上に集光させ
るとともに、前記記録媒体からの反射光を受光する対物
レンズと、前記発光素子と対物レンズとの間に配置され、前記記録
媒体からの反射光を反射もしくは透過させることによ
り、前記発光素子から前記記録媒体に向かう入射光か
ら、前記記録媒体により反射された反射光を分離する反
射光分離素子と、前記反射光分離素子により分離された光を一部反射さ
せ、一部透過させることにより、互いに直交する２つの
偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸のなす角
度が９０゜未満となるように配置された偏光分離素子
と、前記２つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する
少なくとも２つの受光部を有し、前記受光部が１つの基
板上に配置された受光素子と、を備える光ヘッド装置において、前記発光素子と反射光分離素子との間に、半波長板を設
けたことを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項４】光を発光する発光素子と、前記発光素子から発光される光を記録媒体上に集光させ
るとともに、前記記録媒体からの反射光を受光する対物
レンズと、前記発光素子と対物レンズとの間に配置され、前記記録
媒体からの反射光を反射もしくは透過させることによ
り、前記発光素子から前記記録媒体に向かう入射光か
ら、前記記録媒体により反射された反射光を分離する反
射光分離素子と、前記反射光分離素子により分離された光を一部反射さ
せ、一部透過させることにより、互いに直交する２つの
偏光方向の光に分離し、各偏光成分の光の光軸のなす角
度が９０゜未満となるように配置された偏光分離素子
と、前記２つの偏光成分に分離された光をそれぞれ受光する
少なくとも２つの受光部を有し、前記受光部が１つの基
板上に配置された受光素子と、を備える光ヘッド装置において、前記反射光分離素子と対物レンズとの間に、半波長板を
設けたことを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項５】前記発光素子は発散光を出射し、前記反
射光分離素子は前記発光素子の出射する発散光路上に配
置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
かに記載の光ヘッド装置。