JPH058760Y2 - - Google Patents
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Description
【考案の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本考案は過電流保護装置の改良に関する。[Detailed explanation of the idea] [Field of application of the invention] The present invention relates to improvements in overcurrent protection devices.
一般に、電気回路は過電流が流れた場合、電気
機器を保護するために回路にヒユーズを設けてい
る。
Generally, an electric circuit is provided with a fuse to protect the electric equipment when an overcurrent flows.
このような電気回路において、活線作業で電気
機器を修理すると、誤つて電気回路を短絡し、過
電流が流れ、ヒユーズが溶断するが、そのたびご
とにヒユーズを交換する必要があり、非常に面倒
である。 In such electrical circuits, when repairing electrical equipment while working on live wires, the electrical circuit is accidentally shorted, an overcurrent flows, and the fuse blows, but the fuse must be replaced each time, which is very time consuming. It's a hassle.
そこで、特開昭56−157220号公報に開示してい
るように、電気回路に過電流が流れると、電気回
路に直列に挿入された開閉素子たとえばトランジ
スタにより電気的に遮断し、ある設定時間経過す
ると、再度前記トランジスタを導通させ、その時
電気回路が回復してなくて過電流が流れると、再
度遮断する。このような作用を電気回路が回復す
るまで繰り返す過電流保護装置が提案されてい
る。しかしながら、前記保護装置では、開閉素子
が導通するごとに過電流が流れるので、前記トラ
ンジスタや電気機器に電気的ストレスがかかり、
破壊するおそれがあつた。 Therefore, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-157220, when an overcurrent flows in an electric circuit, it is electrically cut off by a switching element, such as a transistor, inserted in series with the electric circuit, and after a certain set time has elapsed. Then, the transistor is made conductive again, and if the electric circuit has not recovered and an overcurrent flows, it is cut off again. An overcurrent protection device has been proposed that repeats this action until the electric circuit is restored. However, in the protection device, an overcurrent flows every time the switching element conducts, so electrical stress is applied to the transistors and electrical equipment.
There was a risk of destruction.
本考案の目的は上記の欠点をなくするため、新
規な過電流保護装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a novel overcurrent protection device to eliminate the above-mentioned drawbacks.
この目的を達成するために、本願考案は、負荷
と直列に開閉素子が接続され、この開閉素子の電
気的導通により電源から前記負荷に通電するもの
において、負荷1と直列に接続されるトランジス
タ3に流れる電流に比例した電圧信号値を検出す
る第1の検出器41と、前記トランジスタ3と並
列に接続される抵抗5と、この抵抗5に流れる電
流に比例した電圧信号値を検出する第2の検出器
42と、基準電圧を設定するダイオード91,9
2とを設け、前記ダイオード91の一端を前記第
1の検出器41に接続し、他端を抵抗11を介し
てトランジスタ7のベース71に接続するととも
に、前記ダイオード92の一端を第2の検出器4
2に接続し、他端を前記ダイオード91に接続
し、前記トランジスタ7のコレクタ72を前記ト
ランジスタ3のベース31に接続するとともに、
このトランジスタ7のコレクタ72に負荷体を接
続し、この負荷体の他端を電源に接続した構成に
してある。
In order to achieve this object, the present invention provides a transistor 3 connected in series with the load 1, in which a switching element is connected in series with the load, and current is supplied from the power source to the load by electrical continuity of the switching element. a first detector 41 that detects a voltage signal value proportional to the current flowing through the resistor 5; a resistor 5 connected in parallel with the transistor 3; and a second detector 41 that detects a voltage signal value proportional to the current flowing through the resistor 5. detector 42 and diodes 91, 9 for setting the reference voltage.
2, one end of the diode 91 is connected to the first detector 41, the other end is connected to the base 71 of the transistor 7 via the resistor 11, and one end of the diode 92 is connected to the second detector 41. Vessel 4
2, the other end is connected to the diode 91, the collector 72 of the transistor 7 is connected to the base 31 of the transistor 3,
A load body is connected to the collector 72 of this transistor 7, and the other end of this load body is connected to a power source.
このように構成した本願考案にあつては、負荷
1に過電流が流れて、第1の検出器41の電圧信
号値が増大し、この電圧信号値がダイオード91
の堰層電圧を超えると、トランジスタ7を導通さ
せ、トランジスタ3を不導通とさせ、負荷1に流
れる電流を抵抗5に側路させるとともに、第2の
検出器42に発生する電圧信号値により、ダイオ
ード92、抵抗11を介してトランジスタ7の導
通状態を継続させ、負荷1に流れる電流の減少に
伴つて、第2の検出器42の電圧信号値が減少
し、この電圧信号値がダイオード92の堰層電圧
以下になると、トランジスタ7を不導通とさせ、
トランジスタ3を導通させるようになつている。
すなわち、過電流発生時に負荷1に流れる電流を
抵抗5に側路させるようにしたことにより、各電
気機器に対する電気的ストレスを抑えることがで
きる。 In the present invention configured as described above, an overcurrent flows through the load 1, the voltage signal value of the first detector 41 increases, and this voltage signal value is transferred to the diode 91.
When the weir layer voltage exceeds the weir layer voltage of The conduction state of the transistor 7 is continued through the diode 92 and the resistor 11, and as the current flowing through the load 1 decreases, the voltage signal value of the second detector 42 decreases, and this voltage signal value becomes the voltage signal value of the diode 92. When the voltage falls below the weir layer voltage, the transistor 7 is made non-conductive,
The transistor 3 is made conductive.
That is, by bypassing the current flowing through the load 1 to the resistor 5 when an overcurrent occurs, electrical stress on each electrical device can be suppressed.
以下、本考案の一実施例を図面を用いて、詳細
に説明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は本考案になる電気回路図を示したもの
である。図において、P,Nは直流電源の正およ
び負端子、1は負荷、2は開閉素子で本実施例で
はトランジスタ3で構成し、31はトランジスタ
3のベース、32はそのコレクタ、33はそのエ
ミツタ、41はトランジスタ3に流れる電流を検
出するための第1の検出器、5は抵抗、42は抵
抗5に流れる電流を検出するための第2の検出器
で、抵抗5と第2の検出器42は直列接続され、
抵抗5とトランジスタ3とは並列接続されてい
る。なお、図では第2の検出器42の一端は電源
端子Nに接続されているが、抵抗5は高抵抗であ
るため等価的にはトランジスタ3と並列接続とみ
なされる。 FIG. 1 shows an electrical circuit diagram according to the present invention. In the figure, P and N are the positive and negative terminals of the DC power supply, 1 is the load, 2 is the switching element, which is composed of a transistor 3 in this embodiment, 31 is the base of the transistor 3, 32 is its collector, and 33 is its emitter. , 41 is a first detector for detecting the current flowing through the transistor 3, 5 is a resistor, 42 is a second detector for detecting the current flowing through the resistor 5, and the resistor 5 and the second detector 42 are connected in series,
Resistor 5 and transistor 3 are connected in parallel. Note that in the figure, one end of the second detector 42 is connected to the power supply terminal N, but since the resistor 5 has a high resistance, it is equivalently considered to be connected in parallel with the transistor 3.
6は負荷1がたとえば故障し、過電流が流れた
ときトランジスタ3を遮断するための制御回路で
ある。この制御回路6において、7はトランジス
タ、71はそのベース、72はそのコレクタ、7
3はそのエミツタであり、8は負荷体、例えばト
ランジスタ7の出力抵抗で、その一端はトランジ
スタ3のベース31に接続されている。91,9
2はダイオードで、ダイオードの堰層電圧を利用
した基準電圧と第1の検出器41と第2の検出器
42で検出した電圧信号値が干渉しないようにし
たものであり、10はダイオード91,92に接
続されたコンデンサ、11は抵抗で、トランジス
タ7のベース71に接続されている。なお、コン
デンサ10は、第1の検出器41および第2の検
出器42の電圧信号値を充電し、サージ電圧等に
よりトランジスタ7が誤動作することを防止して
いる。Reference numeral 6 denotes a control circuit for cutting off the transistor 3 when the load 1 fails, for example, and an overcurrent flows. In this control circuit 6 , 7 is a transistor, 71 is its base, 72 is its collector, 7
3 is its emitter, and 8 is a load, for example, an output resistor of the transistor 7 , one end of which is connected to the base 31 of the transistor 3 . 91,9
2 is a diode which prevents the reference voltage using the weir layer voltage of the diode from interfering with the voltage signal value detected by the first detector 41 and the second detector 42; 10 is a diode 91; A capacitor 92 is connected to the capacitor, and a resistor 11 is connected to the base 71 of the transistor 7. Note that the capacitor 10 charges the voltage signal values of the first detector 41 and the second detector 42 to prevent the transistor 7 from malfunctioning due to surge voltage or the like.
次に、本保護装置の作用を第2図を用いて説明
する。 Next, the operation of this protection device will be explained using FIG. 2.
第2図は負荷1に流れる電流の曲線図を示した
もので、横軸は時間、縦軸は電流を示し、実線は
負荷1に実際に流れる電流値を点線は過電流が流
れたと仮想したときの電流波形で、Ihは負荷1を
遮断するときの設定電流値、Ilは前記設定電流値
を遮断したとき負荷1に流れる電流値である。 Figure 2 shows a curve diagram of the current flowing through load 1, where the horizontal axis represents time and the vertical axis represents current.The solid line represents the current that actually flows through load 1, and the dotted line represents the virtual overcurrent flowing through it. In the current waveform, Ih is the set current value when the load 1 is cut off, and Il is the current value flowing through the load 1 when the set current value is cut off.
今、時刻t0において電源端子P,Nに電圧を与
えると、P−8−31−33−41−Nの回路によりト
ランジスタ3は導通し、P−1−32−33−41−N
の回路が構成され、負荷1に電流が流れる。この
時、第1の検出器41には負荷1に流れる電流に
比例した電圧信号値が発生するが、この電圧信号
値はダイオード91の堰層電圧すなわち基準電圧
値より低いため、トランジスタ7のベース71に
電流が流れないからトランジスタ7は不導通状態
を保つている。したがつて、トランジスタ3には
作用を及ぼさない。 Now, when voltage is applied to power supply terminals P and N at time t 0 , transistor 3 becomes conductive due to the circuit of P-8-31-33-41-N, and P-1-32-33-41-N
A circuit is constructed, and a current flows through the load 1. At this time, a voltage signal value proportional to the current flowing through the load 1 is generated in the first detector 41, but since this voltage signal value is lower than the weir layer voltage of the diode 91, that is, the reference voltage value, the base of the transistor 7 Since no current flows through transistor 71, transistor 7 remains non-conductive. Therefore, it has no effect on transistor 3 .
負荷1の電流が増加し、時刻t1において、前記
の電流値がIhに達すると、第1の検出器41で検
出した電圧信号値がダイオード91の堰層電圧す
なわち基準電圧値を越えるので、コンデンサ10
を充電すると同時にトランジスタ7は導通する。
その結果、トランジスタ7のコレクタ72の電圧
は0Vとなり、トランジスタ3は不導通状態とな
る。そこで、負荷1の電流はP−1−5−42−N
の回路に側路するが、抵抗5は高抵抗に設定して
いるので、負荷1に流れる電流はIlまで減少す
る。同時に、第2の検出器42で検出した電圧信
号値は前記第1の検出器41で検出した電圧信号
値と等しくなるように第2の検出器42を調整す
る。その結果、トランジスタ7は導通状態を、ト
ランジスタ3は遮断状態を継続することになる。 When the current of the load 1 increases and the current value reaches Ih at time t1 , the voltage signal value detected by the first detector 41 exceeds the weir layer voltage of the diode 91, that is, the reference voltage value. capacitor 10
At the same time as charging, transistor 7 becomes conductive.
As a result, the voltage at the collector 72 of the transistor 7 becomes 0V, and the transistor 3 becomes non-conductive. Therefore, the current of load 1 is P-1-5-42-N
However, since the resistor 5 is set to a high resistance, the current flowing to the load 1 decreases to Il. At the same time, the second detector 42 is adjusted so that the voltage signal value detected by the second detector 42 is equal to the voltage signal value detected by the first detector 41. As a result, transistor 7 continues to be in a conductive state, and transistor 3 continues to be in a cut-off state.
トランジスタ3が導通していると仮想したとき
の負荷1に流れる電流を点線のように山形と仮定
すると、実際に負荷1に流れる電流も山形とな
る。この波形のように、電流が減少し、時刻t2に
おいて、前記の電流値がIlになると、第2の検出
器42で検出した電圧信号値がダイオード92の
堰層電圧すなわち基準電圧値と等しくなり、その
結果、トランジスタ7が不導通、トランジスタ3
が導通し、負荷1の電流はP−1−3−41−Nと
正常の回路に復帰し、負荷1に流れる電流もIhと
増加し、その後は正常状態の電流が流れることに
なる。 Assuming that the current flowing through the load 1 when the transistor 3 is imaginably conductive has a mountain shape as shown by the dotted line, the current actually flowing through the load 1 also has a mountain shape. As shown in this waveform, when the current decreases and the current value reaches Il at time t2 , the voltage signal value detected by the second detector 42 becomes equal to the weir layer voltage of the diode 92, that is, the reference voltage value. As a result, transistor 7 becomes non-conductive and transistor 3 becomes non-conductive.
becomes conductive, the current in the load 1 returns to P-1-3-41-N and the normal circuit, the current flowing in the load 1 also increases to Ih, and thereafter a normal current flows.
第3図に本発明の他の実施例を示した。図にお
いて、第1図と異なるところは、トランジスタ7
の負荷である抵抗8がリレー12に、開閉素子2
のトランジスタ3が前記リレー12のb接点12
bに変更しただけであり、第1図と同一符号は同
一部品を示している。 FIG. 3 shows another embodiment of the present invention. In the figure, the difference from FIG. 1 is that the transistor 7
A resistor 8, which is a load, is connected to a relay 12, and a switching element 2
The transistor 3 is the b contact 12 of the relay 12.
b, and the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same parts.
本実施例の作用は第1図の実施例とほぼ同一で
ある。すなわち、負荷1に流れる電流値が設定電
流Ih以下であれば、トランジスタ7は遮断状態で
あるから、リレー12は消勢しているので接点1
2bは閉じている。したがつて、負荷1はP−1
−12b−41−Nの回路により電流が流れている。 The operation of this embodiment is almost the same as that of the embodiment shown in FIG. That is, if the current value flowing through the load 1 is less than the set current Ih, the transistor 7 is in the cutoff state, and the relay 12 is deenergized, so the contact 1
2b is closed. Therefore, load 1 is P-1
Current is flowing through the -12b-41-N circuit.
負荷1に流れる電流が増加し、設定電流Ihに達
すると、トランジスタ7が導通し、リレー12が
附勢され、接点12bが開き、負荷1に流れる電
流はP−1−5−42−Nと側路され、電流は抵抗
5が高抵抗であるためIlまで減少する。同時に、
第2の検出器42で検出した電圧信号値によりト
ランジスタ7は導通状態を継続する。 When the current flowing through load 1 increases and reaches the set current Ih, transistor 7 becomes conductive, relay 12 is energized, contact 12b opens, and the current flowing through load 1 becomes P-1-5-42-N. is bypassed and the current decreases to Il due to the high resistance of resistor 5. at the same time,
The transistor 7 continues to be conductive due to the voltage signal value detected by the second detector 42.
負荷1に流れる電流がIl以下となると、トラン
ジスタ7が遮断され、リレー12が消勢し、接点
12bが閉じ、負荷1の電流はP−1−12b−41
−Nとなり、正常状態に復帰する。 When the current flowing through the load 1 becomes less than Il, the transistor 7 is cut off, the relay 12 is deenergized, the contact 12b is closed, and the current of the load 1 becomes P-1-12b-41.
-N and returns to normal state.
このように、負荷に設定電流以上の電流が流れ
ると、開閉素子を遮断し、電流を抵抗に側路する
ことにより電流を抑制し、回路が正常に復帰する
と、開閉素子を導通させ正常の回路電流を流すこ
とができる。 In this way, when a current higher than the set current flows through the load, the switching element is cut off and the current is bypassed to the resistor to suppress the current, and when the circuit returns to normal, the switching element is made conductive and the normal circuit is restored. Can conduct current.
本考案によれば、負荷に過電流が流れても、負
荷に直列に挿入した開閉素子を遮断し、開閉素子
に並列に挿入した抵抗に負荷に流れる電流を側路
させ、回路が正常状態に復帰すると開閉素子を導
通させ、正常な電流が流れるような回路構成とし
たので、従来のように開閉素子を一定時間間隔で
作動するたびごとに過電流を流すことがなくなつ
たので、電気機器の信頼性を著しく向上すること
ができる。
According to this invention, even if an overcurrent flows through the load, the switching element inserted in series with the load is cut off, and the current flowing through the load is shunted to the resistor inserted in parallel with the switching element, so that the circuit returns to a normal state. The circuit is configured in such a way that when the switch returns to normal, the switching element becomes conductive and a normal current flows. This eliminates the need for overcurrent to flow every time the switching element is activated at regular intervals, which was the case in the past. reliability can be significantly improved.
第1図は本考案になる一実施例の電気結線図、
第2図は負荷に流れる電流の曲線図、第3図は本
考案になる他の実施例の電気結線図である。
P,N……電源の正および負端子、1……負
荷、2……開閉素子、3,7……トランジスタ、
41……第1の検出器、42……第2の検出器、
5……抵抗、6……制御回路、91,92……ダ
イオード、10……コンデンサ、12……リレ
ー、12b……リレー12のb接点。
Figure 1 is an electrical wiring diagram of one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a curve diagram of the current flowing through the load, and FIG. 3 is an electrical wiring diagram of another embodiment of the present invention. P, N...Positive and negative terminals of power supply, 1...Load, 2 ...Switching element, 3 , 7 ...Transistor,
41...first detector, 42...second detector,
5...Resistor, 6 ...Control circuit, 91, 92...Diode, 10...Capacitor, 12...Relay, 12b...B contact of relay 12.
Claims (1)
子の電気的導通により電源から前記負荷に通電す
るものにおいて、負荷1と直列に接続されるトラ
ンジスタ3に流れる電流に比例した電圧信号値を
検出する第1の検出器41と、前記トランジスタ
3と並列に接続される抵抗5と、この抵抗5に流
れる電流に比例した電圧信号値を検出する第2の
検出器42と、基準電圧を設定するダイオード9
1,92とを設け、前記ダイオード91の一端を
前記第1の検出器41に接続し、他端を抵抗11
を介してトランジスタ7のベース71に接続する
とともに、前記ダイオード92の一端を第2の検
出器42に接続し、他端を前記ダイオード91に
接続し、前記トランジスタ7のコレクタ72を前
記トランジスタ3のベース31に接続するととも
に、このトランジスタ7のコレクタ72に負荷体
を接続し、この負荷体の他端を電源に接続したこ
とを特徴とする過電流保護装置。 In a device in which a switching element is connected in series with a load, and current is passed from a power supply to the load by electrical continuity of the switching element, a voltage signal value proportional to the current flowing through a transistor 3 connected in series with the load 1 is detected. A first detector 41, a resistor 5 connected in parallel with the transistor 3, a second detector 42 that detects a voltage signal value proportional to the current flowing through the resistor 5, and a diode that sets a reference voltage. 9
1 and 92, one end of the diode 91 is connected to the first detector 41, and the other end is connected to the resistor 11.
, one end of the diode 92 is connected to the second detector 42 and the other end is connected to the diode 91, and the collector 72 of the transistor 7 is connected to the base 71 of the transistor 3. An overcurrent protection device characterized in that a load body is connected to the base 31, a collector 72 of the transistor 7, and the other end of the load body is connected to a power source.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985043111U JPH058760Y2 (en) | 1985-03-27 | 1985-03-27 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985043111U JPH058760Y2 (en) | 1985-03-27 | 1985-03-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6221734U JPS6221734U (en) | 1987-02-09 |
JPH058760Y2 true JPH058760Y2 (en) | 1993-03-04 |
Family
ID=30859660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985043111U Expired - Lifetime JPH058760Y2 (en) | 1985-03-27 | 1985-03-27 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH058760Y2 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS536850A (en) * | 1976-07-08 | 1978-01-21 | Nec Corp | Overcurrent protection circuit |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP1985043111U patent/JPH058760Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS536850A (en) * | 1976-07-08 | 1978-01-21 | Nec Corp | Overcurrent protection circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6221734U (en) | 1987-02-09 |
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