JPH0567937A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
- Publication number
- JPH0567937A JPH0567937A JP3225995A JP22599591A JPH0567937A JP H0567937 A JPH0567937 A JP H0567937A JP 3225995 A JP3225995 A JP 3225995A JP 22599591 A JP22599591 A JP 22599591A JP H0567937 A JPH0567937 A JP H0567937A
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- Japan
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- substrate
- acoustic wave
- protective film
- surface acoustic
- electrode fingers
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は弾性表面波素子に関し、挿入損失の
改善を実現することを目的とする。 【構成】 電極指7,8,12,13を保護する保護膜
31を、このうち隣り合う電極指の間の隙間部9,1
4,15に対向する部分を、橋絡構造部32とする。橋
絡構造部は、圧電基板4の表面4aに対して空間33を
おいて対向し、表面4aに応力を発生させないよう構成
する。
改善を実現することを目的とする。 【構成】 電極指7,8,12,13を保護する保護膜
31を、このうち隣り合う電極指の間の隙間部9,1
4,15に対向する部分を、橋絡構造部32とする。橋
絡構造部は、圧電基板4の表面4aに対して空間33を
おいて対向し、表面4aに応力を発生させないよう構成
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波装置に関す
る。
る。
【0002】弾性表面波を利用した弾性表面波素子はフ
ィルタ及び共振器等に使用されている。
ィルタ及び共振器等に使用されている。
【0003】フィルタ及び共振器の諸特性の向上は図る
ためには、弾性表面波素子としては挿入損失が小さいこ
とが望ましい。
ためには、弾性表面波素子としては挿入損失が小さいこ
とが望ましい。
【0004】
【従来の技術】図8及び図9は、従来の弾性表面波素子
(バンドパスフィルタ)1を示す。図8は、保護膜を一
部省略して示す。
(バンドパスフィルタ)1を示す。図8は、保護膜を一
部省略して示す。
【0005】2は入力電極対3は出力電極対であり圧電
基板4上に隣接して配してある。
基板4上に隣接して配してある。
【0006】入力電極対2は、一対の櫛形電極5,6よ
りなり、夫々の電極指7,8が隙間部9をおいて交互に
並んでいる。
りなり、夫々の電極指7,8が隙間部9をおいて交互に
並んでいる。
【0007】出力電極対3も、入力電極対2と同じく、
一対の櫛形電極10,11よりなり、夫々の電極指1
2,13が隙間部14をおいて交互に並んでいる。
一対の櫛形電極10,11よりなり、夫々の電極指1
2,13が隙間部14をおいて交互に並んでいる。
【0008】入力電極対2と出力電極対3とは隣接して
おり、両者の間に隙間部15を有する。
おり、両者の間に隙間部15を有する。
【0009】幅W1 は基板音速vとバントパスフィルタ
ーの中心周波数f0 で決定される。例えば、STカット
の水晶ではv=3158m/s、W1 =1μmでは
ーの中心周波数f0 で決定される。例えば、STカット
の水晶ではv=3158m/s、W1 =1μmでは
【0010】
【数1】
【0011】となる。
【0012】各電極指7,8,12,13の厚さt1 は
0.2μm、幅w1 は1μmである。また上記隙間部
9,14の幅w2 は1μmである。隙間部15の幅w3
は1μmである。
0.2μm、幅w1 は1μmである。また上記隙間部
9,14の幅w2 は1μmである。隙間部15の幅w3
は1μmである。
【0013】入力電極対2に加えられる信号によって、
圧電基板4に弾性波が発生し、これが圧電基板4の表面
を矢印16で示すように伝搬し、出力電極対3により受
信される。
圧電基板4に弾性波が発生し、これが圧電基板4の表面
を矢印16で示すように伝搬し、出力電極対3により受
信される。
【0014】圧電基板4の表面4aのうち、入力電極対
2より隙間部15を介して出力電極対3に到る符号17
で示す領域が伝搬路17を構成する。
2より隙間部15を介して出力電極対3に到る符号17
で示す領域が伝搬路17を構成する。
【0015】20はSiO2 製の保護膜であり、圧電基
板4の表面4aに形成してあり、入出力電極対2,3を
覆っている。
板4の表面4aに形成してあり、入出力電極対2,3を
覆っている。
【0016】保護膜20は、入出力電極対2,3の腐食
を防止し且つ電極指5,6の間及び電極指12,13の
間の短絡を防止するために設けてある。
を防止し且つ電極指5,6の間及び電極指12,13の
間の短絡を防止するために設けてある。
【0017】この保護膜20は、図9に示すように、隙
間部9,14,15内を埋めて基板表面4aに密着して
いる。
間部9,14,15内を埋めて基板表面4aに密着して
いる。
【0018】なお、この保護膜20は、スパッタリング
又は蒸着等によって100℃程度の温度の下で形成され
たものである。また、保護膜20と基板4との熱膨張係
数は相違する。
又は蒸着等によって100℃程度の温度の下で形成され
たものである。また、保護膜20と基板4との熱膨張係
数は相違する。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】このため、素子1が使
用される常温の状態においては、上記伝搬路17を形成
する圧電基板4の表面4aの部分には、保護膜20によ
って不要な応力が作用していることになる。
用される常温の状態においては、上記伝搬路17を形成
する圧電基板4の表面4aの部分には、保護膜20によ
って不要な応力が作用していることになる。
【0020】この応力の影響等によって、素子1の挿入
損失は図3中線Iで示すように、約−5dBと大きかっ
た。
損失は図3中線Iで示すように、約−5dBと大きかっ
た。
【0021】素子1の挿入損失が大きいと、入力電極対
2にその分高い電圧を加える必要があり、不利となる。
2にその分高い電圧を加える必要があり、不利となる。
【0022】そこで、本発明は、圧電基板の表面に不要
な応力が作用しないようにして、挿入損失の改善を図り
うる弾性表面素子を提供することを目的とする。
な応力が作用しないようにして、挿入損失の改善を図り
うる弾性表面素子を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、圧電
基板上に、複数の電極指よりなる櫛形電極を有し、保護
膜により覆われた構成の弾性表面波素子において、上記
保護膜のうち上記隣り合う電極指の間の隙間部に対向す
る部分を、上記基板の表面に対して空間をおいて橋絡す
る橋絡構造部とした構成とするものである。
基板上に、複数の電極指よりなる櫛形電極を有し、保護
膜により覆われた構成の弾性表面波素子において、上記
保護膜のうち上記隣り合う電極指の間の隙間部に対向す
る部分を、上記基板の表面に対して空間をおいて橋絡す
る橋絡構造部とした構成とするものである。
【0024】
【作用】橋絡構造部は、圧電基板の表面に応力を発生さ
せないように作用する。
せないように作用する。
【0025】
【実施例】図1及び図2は本発明の第1実施例になる弾
性表面波素子30を示す。
性表面波素子30を示す。
【0026】この素子30は、保護膜以外は、図8及び
図9の素子1と同じであり、対応する部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。
図9の素子1と同じであり、対応する部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。
【0027】31は保護膜であり、SiO2 製で、厚さ
t2 が5000Åであり、後述するように、スパッタリ
ング又は蒸着により形成される。
t2 が5000Åであり、後述するように、スパッタリ
ング又は蒸着により形成される。
【0028】この保護膜31のうち、弾性表面波の伝搬
路17の部分についてみると、各電極指7,8,12,
13の上面(表面)に密着してこれを覆っている。
路17の部分についてみると、各電極指7,8,12,
13の上面(表面)に密着してこれを覆っている。
【0029】隣り合う電極指間の隙間部9,14,15
に対向する部分は、隣り合う電極指の間を橋絡する橋絡
構造部32となっており、基板表面4aとの間に空間3
3が存在し、基板表面4aには付着していない。
に対向する部分は、隣り合う電極指の間を橋絡する橋絡
構造部32となっており、基板表面4aとの間に空間3
3が存在し、基板表面4aには付着していない。
【0030】このため、素子30のうち上記伝搬路17
の部分についてみると、基板表面4aには保護膜31に
よる応力が作用していない状態となる。
の部分についてみると、基板表面4aには保護膜31に
よる応力が作用していない状態となる。
【0031】上記構造の素子30の挿入損失−周波数特
性について測定したところ、図3中、線IIで示す結果を
得た。挿入損失は−3dB程度であり、線Iで示す従来
例のものに比べて、小さい。従って、本実施例の素子3
0は、従来例のものに比べて、挿入損失が改善されてい
る。
性について測定したところ、図3中、線IIで示す結果を
得た。挿入損失は−3dB程度であり、線Iで示す従来
例のものに比べて、小さい。従って、本実施例の素子3
0は、従来例のものに比べて、挿入損失が改善されてい
る。
【0032】このため、上記の素子30をフィルタ等に
使用することにより、フィルタは、従来例に比べて消費
電力を小さくできる。
使用することにより、フィルタは、従来例に比べて消費
電力を小さくできる。
【0033】次に、上記保護膜31、特に橋絡構造部3
2を形成する方法について、図4を参照して説明する。
2を形成する方法について、図4を参照して説明する。
【0034】まず、同図(A)に示すように、電極指
7,8,12,13が形成されている圧電基板4の表面
にレジストを塗布して、レジスト膜40を形成する。
7,8,12,13が形成されている圧電基板4の表面
にレジストを塗布して、レジスト膜40を形成する。
【0035】次に、マスクを介して露光し、現像を行っ
て、同図(B)に示すように、各電極指7,8,12,
13の上面が露光し、隙間部9,14,15を埋めたレ
ジストパターン41を形成する。
て、同図(B)に示すように、各電極指7,8,12,
13の上面が露光し、隙間部9,14,15を埋めたレ
ジストパターン41を形成する。
【0036】次いで、スパッタリング又は蒸着を行い、
同図(C)に示すように保護膜31を形成する。
同図(C)に示すように保護膜31を形成する。
【0037】この後、同図(D)に示すように、保護膜
31の表面に窓開け用のレジストパターン42を形成
し、保護膜31のうち電極対2,3を避けた部位に、窓
43(図2参照)を形成する。
31の表面に窓開け用のレジストパターン42を形成
し、保護膜31のうち電極対2,3を避けた部位に、窓
43(図2参照)を形成する。
【0038】これをアセトン槽内に浸漬し、レジストパ
ターン41,42を溶かして除去する。
ターン41,42を溶かして除去する。
【0039】隙間部9,14,15は、平面図上図2に
示すようにジグザグ状につながっている。
示すようにジグザグ状につながっている。
【0040】このため、隙間部9,14,15内のレジ
ストパターン42がアセトンによって徐々に溶解され
て、窓43を通して外部に抜け出す。
ストパターン42がアセトンによって徐々に溶解され
て、窓43を通して外部に抜け出す。
【0041】これにより、図1に示すように空間33が
形成されて、橋絡構造部42が形成される。
形成されて、橋絡構造部42が形成される。
【0042】最後に図1に示すように窓43を塞ぐ。
【0043】44は塞ぎ部である。
【0044】図5は本発明の第2の実施例の弾性表面波
素子50を示す。
素子50を示す。
【0045】この素子50も、保護膜以外は、図の素子
1と同じであり、対応する部分には同一符号を付し、そ
の説明は省略する。
1と同じであり、対応する部分には同一符号を付し、そ
の説明は省略する。
【0046】51は保護膜であり、SiO2 製で、厚さ
t2 が5000Åであり、後述するように、蒸着により
形成される。
t2 が5000Åであり、後述するように、蒸着により
形成される。
【0047】52は橋絡構造部であり、隣り合う電極指
の間を橋絡しており、基板表面4aとの間に空間53が
存在し、基板表面4aには付着していない。
の間を橋絡しており、基板表面4aとの間に空間53が
存在し、基板表面4aには付着していない。
【0048】このため、この素子50も前記の素子30
と同様な挿入損失−周波数特性を有し、従来に比べて挿
入損失が小さい。
と同様な挿入損失−周波数特性を有し、従来に比べて挿
入損失が小さい。
【0049】次に、上記保護膜51の形成方法について
説明する。
説明する。
【0050】まず、電極対が形成された圧電基板4と蒸
着源であるSiO2体60とを、図6(A),(B)に
示す位置関係に配置する。
着源であるSiO2体60とを、図6(A),(B)に
示す位置関係に配置する。
【0051】即ち、SiO2 体60を、平面図上は、電
極指7の長手方向61に対して直角をなす方向で、立面
図上は、基板表面4aに対して所定角度θをなす方向に
配置する。
極指7の長手方向61に対して直角をなす方向で、立面
図上は、基板表面4aに対して所定角度θをなす方向に
配置する。
【0052】角度θは、電極指7の厚さt1 と、隙間部
9の幅w2 とによって決まり、 θ≦tan-1(t1 /w2 ) で求まる。t1 =0.2μm、w2 =1μmであり、角
度θは、11.3度以下となる。この状態で蒸着を行う
と、図7(A)に示すように隙間部9の基板表面4a
は、SiO2 体60から飛び出した分子61にとって
は、電極指7,8の影の部分となり、上記分子61は、
基板表面4aには付着せず、各電極指7,8の上面7
a,8a及び一方の側面7b,8b上に付着して、Si
O2 膜が符号62で示すように成長する。
9の幅w2 とによって決まり、 θ≦tan-1(t1 /w2 ) で求まる。t1 =0.2μm、w2 =1μmであり、角
度θは、11.3度以下となる。この状態で蒸着を行う
と、図7(A)に示すように隙間部9の基板表面4a
は、SiO2 体60から飛び出した分子61にとって
は、電極指7,8の影の部分となり、上記分子61は、
基板表面4aには付着せず、各電極指7,8の上面7
a,8a及び一方の側面7b,8b上に付着して、Si
O2 膜が符号62で示すように成長する。
【0053】ある程度成長させた後、基板4を180度
回転させ、図7(B)に示すように、SiO2 膜を、電
極指7,8の他方の側面7c,8c上に、符号63で示
すように斜めに成長させる。
回転させ、図7(B)に示すように、SiO2 膜を、電
極指7,8の他方の側面7c,8c上に、符号63で示
すように斜めに成長させる。
【0054】これを繰り返すことによって、斜めに成長
した部分62,63が、図7(C)に示すようにつなが
り、橋絡部52が形成される。
した部分62,63が、図7(C)に示すようにつなが
り、橋絡部52が形成される。
【0055】また、SiO2 体を基板に対してこの両側
に配設して蒸着を行ってもよい。この場合には途中で、
基板の向きを変える必要がない。
に配設して蒸着を行ってもよい。この場合には途中で、
基板の向きを変える必要がない。
【0056】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項1の発明によ
れば、圧電基板の表面に不要な応力が作用しないように
することが出来、これによって、挿入損失を従来のもの
に比べて小さくすることが出来る。
れば、圧電基板の表面に不要な応力が作用しないように
することが出来、これによって、挿入損失を従来のもの
に比べて小さくすることが出来る。
【図1】本発明の弾性表面波素子の第1実施例を示す、
図2中、I−I線に沿う断面図である。
図2中、I−I線に沿う断面図である。
【図2】本発明の弾性表面波素子の第1実施例の平面図
である。
である。
【図3】図1の弾性表面波素子の挿入損失−周波数特性
を示す図である。
を示す図である。
【図4】図1中の保護膜の形成方法を説明する図であ
る。
る。
【図5】本発明き弾性表面素子の第2実施例の断面図で
ある。
ある。
【図6】図5中の保護膜を形成する方法を説明する図で
ある。
ある。
【図7】図5中の保護膜を成長させて形成する過程を説
明する図である。
明する図である。
【図8】従来の弾性表面波素子の1例の平面図である。
【図9】図8中、IX−IX線に沿う断面図である。
2 入力電極対 3 出力電極対 4 圧電基板 4a 表面 5,6,10,11 櫛形電極 7,8,12,13 電極指 9,14,15 隙間部 30,50 弾性表面波素子 31,51 保護膜 32,52 橋絡構造部 33,53 空間
Claims (1)
- 【請求項1】 圧電基板(4)上に、複数の電極指
(7,8,12,13)よりなる櫛形電極(5,6,1
0,11)を有し、保護膜(20)により覆われた構成
の弾性表面波素子において、 上記保護膜のうち上記隣り合う電極指(7,8,12,
13)の間の隙間部(9,14,15)に対向する部分
を、上記基板(4)の表面(4a)に対して空間(3
3,35)をおいて橋絡する橋絡構造部(32,35)
としたことを特徴とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3225995A JPH0567937A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3225995A JPH0567937A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0567937A true JPH0567937A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16838146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3225995A Withdrawn JPH0567937A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0567937A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006041589A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
JP2006279874A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 弾性波素子及び電子機器 |
JP2008072316A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス、共振器およびフィルタ |
JP2008236588A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP3225995A patent/JPH0567937A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006041589A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
JP2006279874A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 弾性波素子及び電子機器 |
JP2008072316A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス、共振器およびフィルタ |
JP2008236588A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |