JPH0567937A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
- Publication number
- JPH0567937A JPH0567937A JP3225995A JP22599591A JPH0567937A JP H0567937 A JPH0567937 A JP H0567937A JP 3225995 A JP3225995 A JP 3225995A JP 22599591 A JP22599591 A JP 22599591A JP H0567937 A JPH0567937 A JP H0567937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- acoustic wave
- protective film
- surface acoustic
- electrode fingers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は弾性表面波素子に関し、挿入損失の
改善を実現することを目的とする。 【構成】 電極指７，８，１２，１３を保護する保護膜
３１を、このうち隣り合う電極指の間の隙間部９，１
４，１５に対向する部分を、橋絡構造部３２とする。橋
絡構造部は、圧電基板４の表面４ａに対して空間３３を
おいて対向し、表面４ａに応力を発生させないよう構成
する。
改善を実現することを目的とする。 【構成】 電極指７，８，１２，１３を保護する保護膜
３１を、このうち隣り合う電極指の間の隙間部９，１
４，１５に対向する部分を、橋絡構造部３２とする。橋
絡構造部は、圧電基板４の表面４ａに対して空間３３を
おいて対向し、表面４ａに応力を発生させないよう構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波装置に関す
る。
る。
【０００２】弾性表面波を利用した弾性表面波素子はフ
ィルタ及び共振器等に使用されている。
ィルタ及び共振器等に使用されている。
【０００３】フィルタ及び共振器の諸特性の向上は図る
ためには、弾性表面波素子としては挿入損失が小さいこ
とが望ましい。
ためには、弾性表面波素子としては挿入損失が小さいこ
とが望ましい。
【０００４】
【従来の技術】図８及び図９は、従来の弾性表面波素子
（バンドパスフィルタ）１を示す。図８は、保護膜を一
部省略して示す。
（バンドパスフィルタ）１を示す。図８は、保護膜を一
部省略して示す。
【０００５】２は入力電極対３は出力電極対であり圧電
基板４上に隣接して配してある。
基板４上に隣接して配してある。
【０００６】入力電極対２は、一対の櫛形電極５，６よ
りなり、夫々の電極指７，８が隙間部９をおいて交互に
並んでいる。
りなり、夫々の電極指７，８が隙間部９をおいて交互に
並んでいる。
【０００７】出力電極対３も、入力電極対２と同じく、
一対の櫛形電極１０，１１よりなり、夫々の電極指１
２，１３が隙間部１４をおいて交互に並んでいる。
一対の櫛形電極１０，１１よりなり、夫々の電極指１
２，１３が隙間部１４をおいて交互に並んでいる。
【０００８】入力電極対２と出力電極対３とは隣接して
おり、両者の間に隙間部１５を有する。
おり、両者の間に隙間部１５を有する。
【０００９】幅Ｗ1 は基板音速ｖとバントパスフィルタ
ーの中心周波数ｆ0 で決定される。例えば、ＳＴカット
の水晶ではｖ＝３１５８ｍ／ｓ、Ｗ1 ＝１μｍでは
ーの中心周波数ｆ0 で決定される。例えば、ＳＴカット
の水晶ではｖ＝３１５８ｍ／ｓ、Ｗ1 ＝１μｍでは
【００１０】
【数１】
【００１１】となる。
【００１２】各電極指７，８，１２，１３の厚さｔ1 は
０．２μｍ、幅ｗ1 は１μｍである。また上記隙間部
９，１４の幅ｗ2 は１μｍである。隙間部１５の幅ｗ3
は１μｍである。
０．２μｍ、幅ｗ1 は１μｍである。また上記隙間部
９，１４の幅ｗ2 は１μｍである。隙間部１５の幅ｗ3
は１μｍである。
【００１３】入力電極対２に加えられる信号によって、
圧電基板４に弾性波が発生し、これが圧電基板４の表面
を矢印１６で示すように伝搬し、出力電極対３により受
信される。
圧電基板４に弾性波が発生し、これが圧電基板４の表面
を矢印１６で示すように伝搬し、出力電極対３により受
信される。
【００１４】圧電基板４の表面４ａのうち、入力電極対
２より隙間部１５を介して出力電極対３に到る符号１７
で示す領域が伝搬路１７を構成する。
２より隙間部１５を介して出力電極対３に到る符号１７
で示す領域が伝搬路１７を構成する。
【００１５】２０はＳｉＯ2 製の保護膜であり、圧電基
板４の表面４ａに形成してあり、入出力電極対２，３を
覆っている。
板４の表面４ａに形成してあり、入出力電極対２，３を
覆っている。
【００１６】保護膜２０は、入出力電極対２，３の腐食
を防止し且つ電極指５，６の間及び電極指１２，１３の
間の短絡を防止するために設けてある。
を防止し且つ電極指５，６の間及び電極指１２，１３の
間の短絡を防止するために設けてある。
【００１７】この保護膜２０は、図９に示すように、隙
間部９，１４，１５内を埋めて基板表面４ａに密着して
いる。
間部９，１４，１５内を埋めて基板表面４ａに密着して
いる。
【００１８】なお、この保護膜２０は、スパッタリング
又は蒸着等によって１００℃程度の温度の下で形成され
たものである。また、保護膜２０と基板４との熱膨張係
数は相違する。
又は蒸着等によって１００℃程度の温度の下で形成され
たものである。また、保護膜２０と基板４との熱膨張係
数は相違する。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】このため、素子１が使
用される常温の状態においては、上記伝搬路１７を形成
する圧電基板４の表面４ａの部分には、保護膜２０によ
って不要な応力が作用していることになる。
用される常温の状態においては、上記伝搬路１７を形成
する圧電基板４の表面４ａの部分には、保護膜２０によ
って不要な応力が作用していることになる。
【００２０】この応力の影響等によって、素子１の挿入
損失は図３中線Ｉで示すように、約−５ｄＢと大きかっ
た。
損失は図３中線Ｉで示すように、約−５ｄＢと大きかっ
た。
【００２１】素子１の挿入損失が大きいと、入力電極対
２にその分高い電圧を加える必要があり、不利となる。
２にその分高い電圧を加える必要があり、不利となる。
【００２２】そこで、本発明は、圧電基板の表面に不要
な応力が作用しないようにして、挿入損失の改善を図り
うる弾性表面素子を提供することを目的とする。
な応力が作用しないようにして、挿入損失の改善を図り
うる弾性表面素子を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、圧電
基板上に、複数の電極指よりなる櫛形電極を有し、保護
膜により覆われた構成の弾性表面波素子において、上記
保護膜のうち上記隣り合う電極指の間の隙間部に対向す
る部分を、上記基板の表面に対して空間をおいて橋絡す
る橋絡構造部とした構成とするものである。
基板上に、複数の電極指よりなる櫛形電極を有し、保護
膜により覆われた構成の弾性表面波素子において、上記
保護膜のうち上記隣り合う電極指の間の隙間部に対向す
る部分を、上記基板の表面に対して空間をおいて橋絡す
る橋絡構造部とした構成とするものである。
【００２４】
【作用】橋絡構造部は、圧電基板の表面に応力を発生さ
せないように作用する。
せないように作用する。
【００２５】
【実施例】図１及び図２は本発明の第１実施例になる弾
性表面波素子３０を示す。
性表面波素子３０を示す。
【００２６】この素子３０は、保護膜以外は、図８及び
図９の素子１と同じであり、対応する部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。
図９の素子１と同じであり、対応する部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。
【００２７】３１は保護膜であり、ＳｉＯ2 製で、厚さ
ｔ2 が５０００Åであり、後述するように、スパッタリ
ング又は蒸着により形成される。
ｔ2 が５０００Åであり、後述するように、スパッタリ
ング又は蒸着により形成される。
【００２８】この保護膜３１のうち、弾性表面波の伝搬
路１７の部分についてみると、各電極指７，８，１２，
１３の上面（表面）に密着してこれを覆っている。
路１７の部分についてみると、各電極指７，８，１２，
１３の上面（表面）に密着してこれを覆っている。
【００２９】隣り合う電極指間の隙間部９，１４，１５
に対向する部分は、隣り合う電極指の間を橋絡する橋絡
構造部３２となっており、基板表面４ａとの間に空間３
３が存在し、基板表面４ａには付着していない。
に対向する部分は、隣り合う電極指の間を橋絡する橋絡
構造部３２となっており、基板表面４ａとの間に空間３
３が存在し、基板表面４ａには付着していない。
【００３０】このため、素子３０のうち上記伝搬路１７
の部分についてみると、基板表面４ａには保護膜３１に
よる応力が作用していない状態となる。
の部分についてみると、基板表面４ａには保護膜３１に
よる応力が作用していない状態となる。
【００３１】上記構造の素子３０の挿入損失−周波数特
性について測定したところ、図３中、線IIで示す結果を
得た。挿入損失は−３ｄＢ程度であり、線Ｉで示す従来
例のものに比べて、小さい。従って、本実施例の素子３
０は、従来例のものに比べて、挿入損失が改善されてい
る。
性について測定したところ、図３中、線IIで示す結果を
得た。挿入損失は−３ｄＢ程度であり、線Ｉで示す従来
例のものに比べて、小さい。従って、本実施例の素子３
０は、従来例のものに比べて、挿入損失が改善されてい
る。
【００３２】このため、上記の素子３０をフィルタ等に
使用することにより、フィルタは、従来例に比べて消費
電力を小さくできる。
使用することにより、フィルタは、従来例に比べて消費
電力を小さくできる。
【００３３】次に、上記保護膜３１、特に橋絡構造部３
２を形成する方法について、図４を参照して説明する。
２を形成する方法について、図４を参照して説明する。
【００３４】まず、同図（Ａ）に示すように、電極指
７，８，１２，１３が形成されている圧電基板４の表面
にレジストを塗布して、レジスト膜４０を形成する。
７，８，１２，１３が形成されている圧電基板４の表面
にレジストを塗布して、レジスト膜４０を形成する。
【００３５】次に、マスクを介して露光し、現像を行っ
て、同図（Ｂ）に示すように、各電極指７，８，１２，
１３の上面が露光し、隙間部９，１４，１５を埋めたレ
ジストパターン４１を形成する。
て、同図（Ｂ）に示すように、各電極指７，８，１２，
１３の上面が露光し、隙間部９，１４，１５を埋めたレ
ジストパターン４１を形成する。
【００３６】次いで、スパッタリング又は蒸着を行い、
同図（Ｃ）に示すように保護膜３１を形成する。
同図（Ｃ）に示すように保護膜３１を形成する。
【００３７】この後、同図（Ｄ）に示すように、保護膜
３１の表面に窓開け用のレジストパターン４２を形成
し、保護膜３１のうち電極対２，３を避けた部位に、窓
４３（図２参照）を形成する。
３１の表面に窓開け用のレジストパターン４２を形成
し、保護膜３１のうち電極対２，３を避けた部位に、窓
４３（図２参照）を形成する。
【００３８】これをアセトン槽内に浸漬し、レジストパ
ターン４１，４２を溶かして除去する。
ターン４１，４２を溶かして除去する。
【００３９】隙間部９，１４，１５は、平面図上図２に
示すようにジグザグ状につながっている。
示すようにジグザグ状につながっている。
【００４０】このため、隙間部９，１４，１５内のレジ
ストパターン４２がアセトンによって徐々に溶解され
て、窓４３を通して外部に抜け出す。
ストパターン４２がアセトンによって徐々に溶解され
て、窓４３を通して外部に抜け出す。
【００４１】これにより、図１に示すように空間３３が
形成されて、橋絡構造部４２が形成される。
形成されて、橋絡構造部４２が形成される。
【００４２】最後に図１に示すように窓４３を塞ぐ。
【００４３】４４は塞ぎ部である。
【００４４】図５は本発明の第２の実施例の弾性表面波
素子５０を示す。
素子５０を示す。
【００４５】この素子５０も、保護膜以外は、図の素子
１と同じであり、対応する部分には同一符号を付し、そ
の説明は省略する。
１と同じであり、対応する部分には同一符号を付し、そ
の説明は省略する。
【００４６】５１は保護膜であり、ＳｉＯ2 製で、厚さ
ｔ2 が５０００Åであり、後述するように、蒸着により
形成される。
ｔ2 が５０００Åであり、後述するように、蒸着により
形成される。
【００４７】５２は橋絡構造部であり、隣り合う電極指
の間を橋絡しており、基板表面４ａとの間に空間５３が
存在し、基板表面４ａには付着していない。
の間を橋絡しており、基板表面４ａとの間に空間５３が
存在し、基板表面４ａには付着していない。
【００４８】このため、この素子５０も前記の素子３０
と同様な挿入損失−周波数特性を有し、従来に比べて挿
入損失が小さい。
と同様な挿入損失−周波数特性を有し、従来に比べて挿
入損失が小さい。
【００４９】次に、上記保護膜５１の形成方法について
説明する。
説明する。
【００５０】まず、電極対が形成された圧電基板４と蒸
着源であるＳｉＯ2体６０とを、図６（Ａ），（Ｂ）に
示す位置関係に配置する。
着源であるＳｉＯ2体６０とを、図６（Ａ），（Ｂ）に
示す位置関係に配置する。
【００５１】即ち、ＳｉＯ2 体６０を、平面図上は、電
極指７の長手方向６１に対して直角をなす方向で、立面
図上は、基板表面４ａに対して所定角度θをなす方向に
配置する。
極指７の長手方向６１に対して直角をなす方向で、立面
図上は、基板表面４ａに対して所定角度θをなす方向に
配置する。
【００５２】角度θは、電極指７の厚さｔ1 と、隙間部
９の幅ｗ2 とによって決まり、 θ≦ｔａｎ-1（ｔ1 ／ｗ2 ） で求まる。ｔ1 ＝０．２μｍ、ｗ2 ＝１μｍであり、角
度θは、１１．３度以下となる。この状態で蒸着を行う
と、図７（Ａ）に示すように隙間部９の基板表面４ａ
は、ＳｉＯ2 体６０から飛び出した分子６１にとって
は、電極指７，８の影の部分となり、上記分子６１は、
基板表面４ａには付着せず、各電極指７，８の上面７
ａ，８ａ及び一方の側面７ｂ，８ｂ上に付着して、Ｓｉ
Ｏ2 膜が符号６２で示すように成長する。
９の幅ｗ2 とによって決まり、 θ≦ｔａｎ-1（ｔ1 ／ｗ2 ） で求まる。ｔ1 ＝０．２μｍ、ｗ2 ＝１μｍであり、角
度θは、１１．３度以下となる。この状態で蒸着を行う
と、図７（Ａ）に示すように隙間部９の基板表面４ａ
は、ＳｉＯ2 体６０から飛び出した分子６１にとって
は、電極指７，８の影の部分となり、上記分子６１は、
基板表面４ａには付着せず、各電極指７，８の上面７
ａ，８ａ及び一方の側面７ｂ，８ｂ上に付着して、Ｓｉ
Ｏ2 膜が符号６２で示すように成長する。
【００５３】ある程度成長させた後、基板４を１８０度
回転させ、図７（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 膜を、電
極指７，８の他方の側面７ｃ，８ｃ上に、符号６３で示
すように斜めに成長させる。
回転させ、図７（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ2 膜を、電
極指７，８の他方の側面７ｃ，８ｃ上に、符号６３で示
すように斜めに成長させる。
【００５４】これを繰り返すことによって、斜めに成長
した部分６２，６３が、図７（Ｃ）に示すようにつなが
り、橋絡部５２が形成される。
した部分６２，６３が、図７（Ｃ）に示すようにつなが
り、橋絡部５２が形成される。
【００５５】また、ＳｉＯ2 体を基板に対してこの両側
に配設して蒸着を行ってもよい。この場合には途中で、
基板の向きを変える必要がない。
に配設して蒸着を行ってもよい。この場合には途中で、
基板の向きを変える必要がない。
【００５６】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、圧電基板の表面に不要な応力が作用しないように
することが出来、これによって、挿入損失を従来のもの
に比べて小さくすることが出来る。
れば、圧電基板の表面に不要な応力が作用しないように
することが出来、これによって、挿入損失を従来のもの
に比べて小さくすることが出来る。
【図１】本発明の弾性表面波素子の第１実施例を示す、
図２中、Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
図２中、Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図２】本発明の弾性表面波素子の第１実施例の平面図
である。
である。
【図３】図１の弾性表面波素子の挿入損失−周波数特性
を示す図である。
を示す図である。
【図４】図１中の保護膜の形成方法を説明する図であ
る。
る。
【図５】本発明き弾性表面素子の第２実施例の断面図で
ある。
ある。
【図６】図５中の保護膜を形成する方法を説明する図で
ある。
ある。
【図７】図５中の保護膜を成長させて形成する過程を説
明する図である。
明する図である。
【図８】従来の弾性表面波素子の１例の平面図である。
【図９】図８中、IX−IX線に沿う断面図である。
２ 入力電極対 ３ 出力電極対 ４ 圧電基板 ４ａ 表面 ５，６，１０，１１ 櫛形電極 ７，８，１２，１３ 電極指 ９，１４，１５ 隙間部 ３０，５０ 弾性表面波素子 ３１，５１ 保護膜 ３２，５２ 橋絡構造部 ３３，５３ 空間
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板（４）上に、複数の電極指
（７，８，１２，１３）よりなる櫛形電極（５，６，１
０，１１）を有し、保護膜（２０）により覆われた構成
の弾性表面波素子において、 上記保護膜のうち上記隣り合う電極指（７，８，１２，
１３）の間の隙間部（９，１４，１５）に対向する部分
を、上記基板（４）の表面（４ａ）に対して空間（３
３，３５）をおいて橋絡する橋絡構造部（３２，３５）
としたことを特徴とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3225995A JPH0567937A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3225995A JPH0567937A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567937A true JPH0567937A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16838146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3225995A Withdrawn JPH0567937A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567937A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041589A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
| JP2006279874A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 弾性波素子及び電子機器 |
| JP2008072316A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス、共振器およびフィルタ |
| JP2008236588A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP3225995A patent/JPH0567937A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041589A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
| JP2006279874A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 弾性波素子及び電子機器 |
| JP2008072316A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス、共振器およびフィルタ |
| JP2008236588A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4569699B2 (ja) | 弾性表面波共振器並びにそれを用いた弾性表面波フィルタ及びアンテナ共用器 | |
| KR100312001B1 (ko) | 탄성표면파장치 | |
| CN111510106A (zh) | 一种声表面波谐振结构滤波器 | |
| JPH0590872A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH09298446A (ja) | 弾性表面波装置及びその設計方法 | |
| US6163099A (en) | Surface acoustic wave device having a langasite single crystal substrate | |
| KR0175201B1 (ko) | 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법 | |
| JPH02295211A (ja) | エネルギー閉じ込め型弾性表面波素子 | |
| JPH03284009A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPH0567937A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP4339974B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP7519902B2 (ja) | Ｓａｗフィルタデバイスにおける発生源抑制のための変換器構造 | |
| JP3341596B2 (ja) | 表面波装置 | |
| JP2615020B2 (ja) | 超音波トランスジューサ及び表面波デバイス | |
| JP3480626B2 (ja) | 弾性表面波素子の電極形成方法 | |
| GB2328815A (en) | Surface acoustic wave device having a langasite single crystal substrate | |
| JPH11205071A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4395228B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS6346605B2 (ja) | ||
| JPS63238708A (ja) | リ−キ−ｓａｗ共振子 | |
| JPH02198211A (ja) | 表面弾性波共振子 | |
| JPH11112274A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| KR100239992B1 (ko) | 표면파 장치(surface wave device) | |
| JPH0217709A (ja) | 弾性表面波共振子 | |
| WO2020038667A1 (en) | Tf-saw transducer with improved suppression of unwanted modes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |