JPH055183A - 光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法Info
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- JPH055183A JPH055183A JP18172391A JP18172391A JPH055183A JP H055183 A JPH055183 A JP H055183A JP 18172391 A JP18172391 A JP 18172391A JP 18172391 A JP18172391 A JP 18172391A JP H055183 A JPH055183 A JP H055183A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光源手段からの光束を入射させる光透過窓の
曇りを防止し高精度で均一の照度分布の照射が可能な光
励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製
造方法を得ること。 【構成】 原料ガスが封入される反応室に、該反応室の
一部に設けた光透過窓より光源手段からの光束を照射
し、該原料ガスを励起させるようにした光励起プロセス
装置において、該反応室内の該光透過窓と該反応室内に
載置する基体との間に少なくとも一方の面が拡散面で、
かつ複数の孔を形成した該光束に対して透明な多孔透明
拡散板を設けたこと。
曇りを防止し高精度で均一の照度分布の照射が可能な光
励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製
造方法を得ること。 【構成】 原料ガスが封入される反応室に、該反応室の
一部に設けた光透過窓より光源手段からの光束を照射
し、該原料ガスを励起させるようにした光励起プロセス
装置において、該反応室内の該光透過窓と該反応室内に
載置する基体との間に少なくとも一方の面が拡散面で、
かつ複数の孔を形成した該光束に対して透明な多孔透明
拡散板を設けたこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子（半導体デ
バイス）や電子回路等の製造に用いられる光励起プロセ
ス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法に関
し、特に光透過窓の曇りによる光源手段からの光束によ
る照度の低下を少なくし、かつ均一な照度分布が容易に
得られるようにしたものである。
バイス）や電子回路等の製造に用いられる光励起プロセ
ス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法に関
し、特に光透過窓の曇りによる光源手段からの光束によ
る照度の低下を少なくし、かつ均一な照度分布が容易に
得られるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体素子や電子回路、特に超Ｌ
ＳＩの製造プロセスにおいて、光励起プロセス装置が原
理的に低温で低損傷の処理が可能になる為、種々の目的
で使用されている。例えばクリーニングやアニーリング
へ応用されはじめ、成膜やエッチングなどへの応用が種
々と提案されている。
ＳＩの製造プロセスにおいて、光励起プロセス装置が原
理的に低温で低損傷の処理が可能になる為、種々の目的
で使用されている。例えばクリーニングやアニーリング
へ応用されはじめ、成膜やエッチングなどへの応用が種
々と提案されている。
【０００３】このうち反応室に封入した原料ガスに光束
を入射させ、原料ガスに光エネルギーを吸収させ、光分
解したときに生じる所謂光励起を利用して反応室内に載
置したウエハ等の基体面上に薄膜を形成するようにした
ことが行なわれている。
を入射させ、原料ガスに光エネルギーを吸収させ、光分
解したときに生じる所謂光励起を利用して反応室内に載
置したウエハ等の基体面上に薄膜を形成するようにした
ことが行なわれている。
【０００４】このとき光束入射用の光透過窓にも薄膜が
形成してしまい、光透過窓の曇りとなり、反応室中への
入射光量が次第に低下してくるという問題点があった。
この為、従来より種々の方法により光透過窓に曇りが発
生しないようにしている。
形成してしまい、光透過窓の曇りとなり、反応室中への
入射光量が次第に低下してくるという問題点があった。
この為、従来より種々の方法により光透過窓に曇りが発
生しないようにしている。
【０００５】図３、図４は各々従来の光透過窓の曇り防
止を行なった光励起プロセス装置の要部概略図である。
止を行なった光励起プロセス装置の要部概略図である。
【０００６】図３はガスパージ法と言われるものであ
る。図中３１は光源手段であり、紙面に垂直方向に長い
発光面を有する複数の棒状ランプ（３１ａ1，３１ａ
2 ，…）を１次元方向に配列した光源部３１ａと光源部
３１ａからの光束を光源部３１ａの発光線に曲率中心を
有する複数の円筒形ミラー（３１ｂ1 ，３１ｂ2 ，…）
より成る反射部３１ｂより成っている。２は光透過窓、
４は反応室であり、原料ガスが封入されている。５ａは
パージガス、５ｂは反応ガスである。６は排気、７は被
覆基体としての例えばウエハであり、支持体８に支持し
ている。９は加熱手段としてのヒータであり、基体７を
加熱している。３４は分離板であり、反応室４の一部に
設けている。
る。図中３１は光源手段であり、紙面に垂直方向に長い
発光面を有する複数の棒状ランプ（３１ａ1，３１ａ
2 ，…）を１次元方向に配列した光源部３１ａと光源部
３１ａからの光束を光源部３１ａの発光線に曲率中心を
有する複数の円筒形ミラー（３１ｂ1 ，３１ｂ2 ，…）
より成る反射部３１ｂより成っている。２は光透過窓、
４は反応室であり、原料ガスが封入されている。５ａは
パージガス、５ｂは反応ガスである。６は排気、７は被
覆基体としての例えばウエハであり、支持体８に支持し
ている。９は加熱手段としてのヒータであり、基体７を
加熱している。３４は分離板であり、反応室４の一部に
設けている。
【０００７】同図においては反応ガス５ｂは光源手段３
１からの光束を吸収して反応し、基体７や壁に付着し薄
膜を形成するが、パージガス５ａや分離板３４によって
光透過窓３２付近への拡散が抑えられ、これにより光透
過窓３２の表面３３へのガスの付着を抑制している。
１からの光束を吸収して反応し、基体７や壁に付着し薄
膜を形成するが、パージガス５ａや分離板３４によって
光透過窓３２付近への拡散が抑えられ、これにより光透
過窓３２の表面３３へのガスの付着を抑制している。
【０００８】図４は光励起プロセス装置の光源手段４１
近傍のみを示している。同図ではグリース塗布法と呼ば
れる方法により薄膜を形成する際の光透過窓４２の曇り
を防止している。
近傍のみを示している。同図ではグリース塗布法と呼ば
れる方法により薄膜を形成する際の光透過窓４２の曇り
を防止している。
【０００９】光源手段４１の構成は図３の光源手段３１
と同じである。光透過窓４２の反応室４４側の面４３に
はグリースを塗布している。一般に半導体素子に用いる
無機薄膜はグリース上には付着しにくく、同図ではこれ
により薄膜の形成時の曇りを防止している。
と同じである。光透過窓４２の反応室４４側の面４３に
はグリースを塗布している。一般に半導体素子に用いる
無機薄膜はグリース上には付着しにくく、同図ではこれ
により薄膜の形成時の曇りを防止している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】光透過窓の薄膜形成時
の曇りを防止する方法のうち図３のガスパージ法では、
圧力によってはパージが不完全となり、分離板が例え透
明であっても薄膜が付着し曇ることにより照度の低下や
不均一化の原因になるなどの問題があった。
の曇りを防止する方法のうち図３のガスパージ法では、
圧力によってはパージが不完全となり、分離板が例え透
明であっても薄膜が付着し曇ることにより照度の低下や
不均一化の原因になるなどの問題があった。
【００１１】又、図４のグリース塗布法では、光照射等
により蒸発したグリースの成分が薄膜中に混入し易くな
り、高照度を得ようとするとグリース自体が曇りの原因
となるという問題があった。
により蒸発したグリースの成分が薄膜中に混入し易くな
り、高照度を得ようとするとグリース自体が曇りの原因
となるという問題があった。
【００１２】本発明は反応室中に適切な構成の多孔透明
拡散板を設けることにより、光透過窓の曇りが少なく、
基体面上に高照度で均一な照度分布の光束を照射するこ
とができ、例えば良好なる薄膜の形成が可能な光励起プ
ロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
の提供を目的とする。
拡散板を設けることにより、光透過窓の曇りが少なく、
基体面上に高照度で均一な照度分布の光束を照射するこ
とができ、例えば良好なる薄膜の形成が可能な光励起プ
ロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
の提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の光励起プロセス
装置としては、原料ガスが封入される反応室に、該反応
室の一部に設けた光透過窓より光源手段からの光束を照
射し、該原料ガスを励起させるようにした光励起プロセ
ス装置において、該反応室内の該光透過窓と該反応室内
に載置する基体との間に少なくとも一方の面が拡散面
で、かつ複数の孔を形成した該光束に対して透明な多孔
透明拡散板を設けたことを特徴としている。
装置としては、原料ガスが封入される反応室に、該反応
室の一部に設けた光透過窓より光源手段からの光束を照
射し、該原料ガスを励起させるようにした光励起プロセ
ス装置において、該反応室内の該光透過窓と該反応室内
に載置する基体との間に少なくとも一方の面が拡散面
で、かつ複数の孔を形成した該光束に対して透明な多孔
透明拡散板を設けたことを特徴としている。
【００１４】又半導体デバイスの製造方法としては、光
源手段からの光束を原料ガスが封入されている反応室
に、該反応室の一部に設けた光透過窓より照射し、該原
料ガスを励起させることにより、該反応室内の一部に設
けたウエハ面上に薄膜を形成する際、該光透過窓と該ウ
エハとの間に少なくとも一方の面が拡散面で、かつ複数
の孔を形成した該光束に対して透明な多孔透明拡散板を
設け、該多孔透明拡散板を介して該光源手段からの光束
で該原料ガスの励起を行う工程を経て半導体デバイスを
製造するようにしたことを特徴としている。
源手段からの光束を原料ガスが封入されている反応室
に、該反応室の一部に設けた光透過窓より照射し、該原
料ガスを励起させることにより、該反応室内の一部に設
けたウエハ面上に薄膜を形成する際、該光透過窓と該ウ
エハとの間に少なくとも一方の面が拡散面で、かつ複数
の孔を形成した該光束に対して透明な多孔透明拡散板を
設け、該多孔透明拡散板を介して該光源手段からの光束
で該原料ガスの励起を行う工程を経て半導体デバイスを
製造するようにしたことを特徴としている。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の光励起プロセス装置の実施例
１の要部概略図である。同図において１は光源手段であ
る。光源手段１は紙面に垂直方向に長い発光面を有する
複数の棒状ランプ（１ａ１，１ａ２，…）を１次元方向
に配列した光源部１ａと光源部１ａからの光束を光源部
１ａの発光線に曲率中心を有するように複数の円筒系ミ
ラー（１ｂ１，１ｂ２，…）を配列した反射部１ｂより
成っている。
１の要部概略図である。同図において１は光源手段であ
る。光源手段１は紙面に垂直方向に長い発光面を有する
複数の棒状ランプ（１ａ１，１ａ２，…）を１次元方向
に配列した光源部１ａと光源部１ａからの光束を光源部
１ａの発光線に曲率中心を有するように複数の円筒系ミ
ラー（１ｂ１，１ｂ２，…）を配列した反射部１ｂより
成っている。
【００１６】２は光透過窓であり、反応室４の一部に設
けている。反応室４には原料ガスが封入されている。こ
こで５ａはパージガス、５ｂは反応ガスである。
けている。反応室４には原料ガスが封入されている。こ
こで５ａはパージガス、５ｂは反応ガスである。
【００１７】６は排気、７は被覆基体としての例えばウ
エハであり、支持体８に支持している。９は加熱手段と
してのヒータであり、基体７を加熱している。１０は多
孔透明拡散板であり、光透過窓２と基体７との間に設け
ている。
エハであり、支持体８に支持している。９は加熱手段と
してのヒータであり、基体７を加熱している。１０は多
孔透明拡散板であり、光透過窓２と基体７との間に設け
ている。
【００１８】多孔透明拡散板１０は少なくとも一方の面
が拡散面で、かつ複数の孔を形成しており、又光源手段
１からの光束に対して透明な基板より成っている。この
ときの多孔透明拡散板１０に設けた複数の孔の有効面に
対する開口率は１０〜６０％の範囲内とし、これにより
後述するように光透過窓２の曇りを効果的に防止してい
る。
が拡散面で、かつ複数の孔を形成しており、又光源手段
１からの光束に対して透明な基板より成っている。この
ときの多孔透明拡散板１０に設けた複数の孔の有効面に
対する開口率は１０〜６０％の範囲内とし、これにより
後述するように光透過窓２の曇りを効果的に防止してい
る。
【００１９】本実施例では光源手段１から放射され光透
過窓２を通過してきた光束は多孔透明拡散板１０で拡散
され、これにより基体７上での照度の均一性が向上す
る。又反応ガス５ｂは光源手段１からの光を吸収して反
応し、基体７や壁に付着するが、パージガス５ａや多孔
透明拡散板１０によって光透過窓２付近への拡散が抑え
られ、光透過窓の表面３への付着は抑制される。多孔透
明拡散板１０上に膜が付着し膜の凹凸による光の散乱が
新たに発生しても、予め拡散面により散乱しているの
で、照度の変化は少なくなるといった特長を有してい
る。
過窓２を通過してきた光束は多孔透明拡散板１０で拡散
され、これにより基体７上での照度の均一性が向上す
る。又反応ガス５ｂは光源手段１からの光を吸収して反
応し、基体７や壁に付着するが、パージガス５ａや多孔
透明拡散板１０によって光透過窓２付近への拡散が抑え
られ、光透過窓の表面３への付着は抑制される。多孔透
明拡散板１０上に膜が付着し膜の凹凸による光の散乱が
新たに発生しても、予め拡散面により散乱しているの
で、照度の変化は少なくなるといった特長を有してい
る。
【００２０】次に本実施例の光励起プロセス装置を光Ｃ
ＶＤ装置として用い半導体デバイスを製造する工程の一
実施例について説明する。
ＶＤ装置として用い半導体デバイスを製造する工程の一
実施例について説明する。
【００２１】光源手段として定圧水銀ランプを用いた、
多孔透明拡散板１０としてφ２ｍｍの孔が開口率３０％
で形成された合成石英板を用いた。φ６”の基体７上で
の照度の均一性は±２％であり、拡散面を持たない従来
の多孔透明平板の分離板を用いた場合（±５％）よりも
向上する。パージガス５ａとしてＮ2 を１００ｓｃｃ
ｍ、反応ガス５ｂとしてＳｉＨ4 ４０ｓｃｃｍとＮＨ3
２００ｓｃｃｍの混合ガスを用いた。各５分間の成膜を
６０回行なった後、光透過窓の透過率を測定したところ
２５４ｎｍで約９２％であり成膜前と殆ど変わらなかっ
た。
多孔透明拡散板１０としてφ２ｍｍの孔が開口率３０％
で形成された合成石英板を用いた。φ６”の基体７上で
の照度の均一性は±２％であり、拡散面を持たない従来
の多孔透明平板の分離板を用いた場合（±５％）よりも
向上する。パージガス５ａとしてＮ2 を１００ｓｃｃ
ｍ、反応ガス５ｂとしてＳｉＨ4 ４０ｓｃｃｍとＮＨ3
２００ｓｃｃｍの混合ガスを用いた。各５分間の成膜を
６０回行なった後、光透過窓の透過率を測定したところ
２５４ｎｍで約９２％であり成膜前と殆ど変わらなかっ
た。
【００２２】多孔透明拡散板１０の中心から５０ｍｍ離
れた位置における垂直透過率は５３％であり、成膜前
（５５％）からの変化は小さかった。多孔透明拡散板１
０の代わりに、拡散面を持たない従来の多孔透明平板の
分離板を用いた場合、成膜前８６％と高かった透過率が
成膜後５６％に低下し、照度の変化は大きかった。多孔
透明拡散板１０を用いた方が従来の多孔透明平板の分離
板を用いた場合に比べ絶対照度は低いが、照度の均一性
が向上し、成膜前後の照度変化も少なくなり、実用的に
優れている。
れた位置における垂直透過率は５３％であり、成膜前
（５５％）からの変化は小さかった。多孔透明拡散板１
０の代わりに、拡散面を持たない従来の多孔透明平板の
分離板を用いた場合、成膜前８６％と高かった透過率が
成膜後５６％に低下し、照度の変化は大きかった。多孔
透明拡散板１０を用いた方が従来の多孔透明平板の分離
板を用いた場合に比べ絶対照度は低いが、照度の均一性
が向上し、成膜前後の照度変化も少なくなり、実用的に
優れている。
【００２３】本実施例では以上の方法により基体（ウエ
ハ）７に薄膜（レジスト）を形成する工程を経て、その
後ウエハ７面上に電子回路パターンを形成し、その後は
公知の方法により半導体デバイスを製造している。
ハ）７に薄膜（レジスト）を形成する工程を経て、その
後ウエハ７面上に電子回路パターンを形成し、その後は
公知の方法により半導体デバイスを製造している。
【００２４】図２は本発明の光励起プロセス装置の他の
実施例の要部概略図である。本実施例では光アシストプ
ラズマＣＶＤ装置として用いた場合を示している。図２
において図１で示した要素と同一要素には同符番を付し
ている。
実施例の要部概略図である。本実施例では光アシストプ
ラズマＣＶＤ装置として用いた場合を示している。図２
において図１で示した要素と同一要素には同符番を付し
ている。
【００２５】図２において１０１は照明系であり、１４
は石英管、１５は高周波電極、１６は高周波電源で高周
波電極１５に電力を供給している。１７は磁石であり、
高周波電極１５近傍に電界に垂直な磁界を発生させてい
る。
は石英管、１５は高周波電極、１６は高周波電源で高周
波電極１５に電力を供給している。１７は磁石であり、
高周波電極１５近傍に電界に垂直な磁界を発生させてい
る。
【００２６】本実施例では光源手段１からの光束は微少
レンズを２次元的に配置したハエノ眼レンズ２１の入射
面２１ａに入射する。このときハエノ眼レンズ２１の射
出面２１ｂは均一輝度の２次光源面となっている。そし
て射出面２１ｂからの光束はコリメーターレンズ２２に
より平行光束とし、光励起プロセス装置の原料ガスが封
入されている反応室４へ光透過窓２を介して入射してい
る。
レンズを２次元的に配置したハエノ眼レンズ２１の入射
面２１ａに入射する。このときハエノ眼レンズ２１の射
出面２１ｂは均一輝度の２次光源面となっている。そし
て射出面２１ｂからの光束はコリメーターレンズ２２に
より平行光束とし、光励起プロセス装置の原料ガスが封
入されている反応室４へ光透過窓２を介して入射してい
る。
【００２７】本実施例では光源手段１としてＸｅランプ
を用いた。多孔透明拡散板１０としてφ２ｍｍの孔が開
口率５０％で形成された溶融石英板を用いた。φ６”基
体７上での照度の均一性は±２％であり、拡散面を持た
ない従来の多孔透明平板の分離板を用いた場合（±５
％）よりも向上する。パージガス５ａとして、反応ガス
でもあるＯ2 を２ｓｌｍ、反応ガス５ｂとして、ＴＥＯ
Ｓを２００ｓｃｃｍ反応室４へ供給し、高周波電極１５
に高周波を１ｋＷ供給することによりプラズマを発生さ
せ成膜を行なった。
を用いた。多孔透明拡散板１０としてφ２ｍｍの孔が開
口率５０％で形成された溶融石英板を用いた。φ６”基
体７上での照度の均一性は±２％であり、拡散面を持た
ない従来の多孔透明平板の分離板を用いた場合（±５
％）よりも向上する。パージガス５ａとして、反応ガス
でもあるＯ2 を２ｓｌｍ、反応ガス５ｂとして、ＴＥＯ
Ｓを２００ｓｃｃｍ反応室４へ供給し、高周波電極１５
に高周波を１ｋＷ供給することによりプラズマを発生さ
せ成膜を行なった。
【００２８】各２分間の成膜を１００回行なった後、光
透過窓２の透過率を測定したところ３６５ｎｍで約９２
％であり、成膜前と殆ど変わらなかった。多孔透明拡散
板１０の中心から５０ｍｍ離れた位置における垂直透過
率は６１％であり、成膜前（６４％）からの変化は小さ
かった。多孔透明拡散板１０の代わりに、拡散面を持た
ない従来の多孔透明平板の分離板を用いた場合、成膜前
８９％と高かった透過率が成膜後６３％に低下し、照度
の変化は大きかった。多孔透明拡散板１０を用いた方が
従来の多孔透明平板の分離板を用いた場合に比べ、絶対
照度が低くなるが照度の均一性が向上し、成膜前後の照
度変化も少なくなり、実用的に優れている。
透過窓２の透過率を測定したところ３６５ｎｍで約９２
％であり、成膜前と殆ど変わらなかった。多孔透明拡散
板１０の中心から５０ｍｍ離れた位置における垂直透過
率は６１％であり、成膜前（６４％）からの変化は小さ
かった。多孔透明拡散板１０の代わりに、拡散面を持た
ない従来の多孔透明平板の分離板を用いた場合、成膜前
８９％と高かった透過率が成膜後６３％に低下し、照度
の変化は大きかった。多孔透明拡散板１０を用いた方が
従来の多孔透明平板の分離板を用いた場合に比べ、絶対
照度が低くなるが照度の均一性が向上し、成膜前後の照
度変化も少なくなり、実用的に優れている。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば前述の如く反応室中に適
切な構成の多孔透明拡散板を設けることにより、光透過
窓の曇りが少なく、基体面上に高照度で均一な照度分布
の光束を照射することができ、例えば良好なる薄膜の形
成が可能な光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体
デバイスの製造方法を達成することができる。
切な構成の多孔透明拡散板を設けることにより、光透過
窓の曇りが少なく、基体面上に高照度で均一な照度分布
の光束を照射することができ、例えば良好なる薄膜の形
成が可能な光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体
デバイスの製造方法を達成することができる。
【図１】 本発明の光励起プロセス装置の要部概略図
【図２】 本発明を光アシストプラズマＣＶＤ装置とし
て用いたときの要部概略図
て用いたときの要部概略図
【図３】 従来の光励起プロセス装置の要部概略図
【図４】 従来の光励起プロセス装置の光源手段の概略
図
図
１０１ 照明系 １ 光源手段 ２ 光透過窓 ４ 反応室 ５ａ パージガス ５ｂ 反応ガス ６ 排気 ７ 被覆基体（ウエハ） ８ 支持体 ９ 加熱手段 １０ 多孔透明拡散板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 原料ガスが封入される反応室に、該反応
室の一部に設けた光透過窓より光源手段からの光束を照
射し、該原料ガスを励起させるようにした光励起プロセ
ス装置において、該反応室内の該光透過窓と該反応室内
に載置する基体との間に少なくとも一方の面が拡散面
で、かつ複数の孔を形成した該光束に対して透明な多孔
透明拡散板を設けたことを特徴とする光励起プロセス装
置。 【請求項２】 前記多孔透明拡散板に設けた複数の孔の
有効面に対する開口率が１０〜６０％の範囲内となるよ
うに設定したことを特徴とする請求項１の光励起プロセ
ス装置。 【請求項３】 光源手段からの光束を原料ガスが封入さ
れている反応室に、該反応室の一部に設けた光透過窓よ
り照射し、該原料ガスを励起させることにより、該反応
室内の一部に設けたウエハ面上に薄膜を形成する際、該
光透過窓と該ウエハとの間に少なくとも一方の面が拡散
面で、かつ複数の孔を形成した該光束に対して透明な多
孔透明拡散板を設け、該多孔透明拡散板を介して該光源
手段からの光束で該原料ガスの励起を行う工程を経て半
導体デバイスを製造するようにしたことを特徴とする半
導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03181723A JP3139058B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| US08/110,838 US5681394A (en) | 1991-06-26 | 1993-08-24 | Photo-excited processing apparatus and method for manufacturing a semiconductor device by using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03181723A JP3139058B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055183A true JPH055183A (ja) | 1993-01-14 |
| JP3139058B2 JP3139058B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=16105755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03181723A Expired - Fee Related JP3139058B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3139058B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5364667A (en) * | 1992-01-17 | 1994-11-15 | Amtech Systems, Inc. | Photo-assisted chemical vapor deposition method |
| JP2003045862A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 光励起成膜装置及び光励起成膜方法 |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP03181723A patent/JP3139058B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5364667A (en) * | 1992-01-17 | 1994-11-15 | Amtech Systems, Inc. | Photo-assisted chemical vapor deposition method |
| JP2003045862A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 光励起成膜装置及び光励起成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3139058B2 (ja) | 2001-02-26 |
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