JPH05315913A - 出力電流駆動回路 - Google Patents
出力電流駆動回路Info
- Publication number
- JPH05315913A JPH05315913A JP11719692A JP11719692A JPH05315913A JP H05315913 A JPH05315913 A JP H05315913A JP 11719692 A JP11719692 A JP 11719692A JP 11719692 A JP11719692 A JP 11719692A JP H05315913 A JPH05315913 A JP H05315913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- voltage
- output
- output current
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スイッチング時の電圧変化速度を抑え、不要
輻射を低減させる。 【構成】 トランジスタTr1のゲートに対して、トラ
ンジスタTr3,Tr4によって構成されるトランスフ
ァーゲートの出力を接続し、さらにそのトランスファー
ゲートの入力Viに電源電圧以下の適当な電圧を印加す
ることにより、トランジスタTr1のドレイン電流に制
限を加え、この回路の出力Voutの変化速度を低下さ
せた。
輻射を低減させる。 【構成】 トランジスタTr1のゲートに対して、トラ
ンジスタTr3,Tr4によって構成されるトランスフ
ァーゲートの出力を接続し、さらにそのトランスファー
ゲートの入力Viに電源電圧以下の適当な電圧を印加す
ることにより、トランジスタTr1のドレイン電流に制
限を加え、この回路の出力Voutの変化速度を低下さ
せた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置における出力
電流駆動回路に関するものである。
電流駆動回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のMOS型トランジスタによる電流
駆動回路は、トランジスタのゲートに入力端子を接続
し、ドレインに出力端子を接続する単純な構成である。
図2にオープンドレイン型の電流駆動回路の回路図を示
し、これを参照して説明する。
駆動回路は、トランジスタのゲートに入力端子を接続
し、ドレインに出力端子を接続する単純な構成である。
図2にオープンドレイン型の電流駆動回路の回路図を示
し、これを参照して説明する。
【0003】従来の回路では、Viがローレベルからハ
イレベルに変化しトランジスタがオン状態となると、以
下のようなドレイン電流IDSがトランジスタのドレイン
に流れる。
イレベルに変化しトランジスタがオン状態となると、以
下のようなドレイン電流IDSがトランジスタのドレイン
に流れる。
【0004】Vout<Vi−VTの時は、 IDS=β/2/(Vi−VT)2 ……………… (1) Vout>Vi−VTの時は、 IDS=β{(Vi−VT)Vout−Vout2/2} …… (2) ただし β=με(W/L)/tOX ここで、VTはこのトランジスタのスレッショルド電
圧、μは電子の移動度、εはゲート絶縁膜の誘電率、t
OXはゲート酸化膜の厚さ、Wはチャネル幅、Lはチャネ
ル長である。
圧、μは電子の移動度、εはゲート絶縁膜の誘電率、t
OXはゲート酸化膜の厚さ、Wはチャネル幅、Lはチャネ
ル長である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、デバイ
ス外部に対してTTL規格のような電流駆動を行なおう
とすると、Voutが低いときに大電流を駆動できるよ
うに設計しておかなければならない。すると前記式
(1),(2)よりわかるように、回路が電流駆動を開
始した直後でVoutがまだハイレベルにあるときはさ
らに大きな電流が流れることになる。特にバスドライバ
のように複数の回路が同時に変化するような場合には、
駆動トランジスタのスイッチング時に瞬間的に大電流が
流れるため、このことが不要輻射の問題を引き起こして
いる。本発明は上記課題を解決しようとするものであ
り、電流駆動能力は確保しながら不要輻射を低減できる
出力電流駆動装置を提供することを目的とする。
ス外部に対してTTL規格のような電流駆動を行なおう
とすると、Voutが低いときに大電流を駆動できるよ
うに設計しておかなければならない。すると前記式
(1),(2)よりわかるように、回路が電流駆動を開
始した直後でVoutがまだハイレベルにあるときはさ
らに大きな電流が流れることになる。特にバスドライバ
のように複数の回路が同時に変化するような場合には、
駆動トランジスタのスイッチング時に瞬間的に大電流が
流れるため、このことが不要輻射の問題を引き起こして
いる。本発明は上記課題を解決しようとするものであ
り、電流駆動能力は確保しながら不要輻射を低減できる
出力電流駆動装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、トランジスタのゲート電圧を電源電圧以下
にすることによりトランジスタの電圧変化速度を抑える
ものである。
に本発明は、トランジスタのゲート電圧を電源電圧以下
にすることによりトランジスタの電圧変化速度を抑える
ものである。
【0007】
【作用】前記回路によれば、トランジスタのゲート電圧
を電源電圧以下にし、スイッチング時の電圧変化速度を
抑えることにより、不要輻射を低減できる。
を電源電圧以下にし、スイッチング時の電圧変化速度を
抑えることにより、不要輻射を低減できる。
【0008】
【実施例】本発明の電流駆動回路の一実施例を図を用い
て説明する。
て説明する。
【0009】図1は本実施例のオープンドレイン型電流
駆動回路の構成を示す。入力信号INはトランジスタT
r3,Tr4、及びインバータI1に接続される。Tr
3,Tr4,I1はトランスファーゲートを構成し、V
i<VDDなる電圧Viをそのトランスファーゲートに
入力し出力を電流駆動トランジスタTr1のゲートに入
力すると共に、I1の出力をゲートとするトランジスタ
Tr2のドレインをTr1のゲート接続する。ここでV
DDは回路の電源電圧である。Tr1のゲートに入力さ
れる電圧が前記のような値を持つとすると前記式よりT
r1のドレイン−ソース電流IDSが小さくなり、結果と
して出力Voutの電圧変化は遅くなる。本実施例にお
いて入力信号INがローレベルからハイレベルに変化す
るとTr3,Tr4がオン状態となりTr2はオフ状態
となり前記ViがTr1のゲートに印加され、出力Vo
utにおいて電流を引き込む。INがローレベルとなる
とTr3,Tr4はオフ状態となりTr2がオン状態と
なってTr1のゲートをローレベルに固定するのでVo
utに変化は起きない。Tr1のサイズと電圧Viを適
切に選ぶことにより電流駆動能力において規格を満足
し、さらにTr1での電圧変化速度を低速にした電流駆
動回路を得ることができる。
駆動回路の構成を示す。入力信号INはトランジスタT
r3,Tr4、及びインバータI1に接続される。Tr
3,Tr4,I1はトランスファーゲートを構成し、V
i<VDDなる電圧Viをそのトランスファーゲートに
入力し出力を電流駆動トランジスタTr1のゲートに入
力すると共に、I1の出力をゲートとするトランジスタ
Tr2のドレインをTr1のゲート接続する。ここでV
DDは回路の電源電圧である。Tr1のゲートに入力さ
れる電圧が前記のような値を持つとすると前記式よりT
r1のドレイン−ソース電流IDSが小さくなり、結果と
して出力Voutの電圧変化は遅くなる。本実施例にお
いて入力信号INがローレベルからハイレベルに変化す
るとTr3,Tr4がオン状態となりTr2はオフ状態
となり前記ViがTr1のゲートに印加され、出力Vo
utにおいて電流を引き込む。INがローレベルとなる
とTr3,Tr4はオフ状態となりTr2がオン状態と
なってTr1のゲートをローレベルに固定するのでVo
utに変化は起きない。Tr1のサイズと電圧Viを適
切に選ぶことにより電流駆動能力において規格を満足
し、さらにTr1での電圧変化速度を低速にした電流駆
動回路を得ることができる。
【0010】
【発明の効果】以上のように、本発明の電流駆動回路に
よれば電流駆動を行うトランジスタのゲートを電源電圧
以下の電圧でオンさせることにより、従来の回路よりも
スイッチング時の電圧変化を遅くでき不要輻射を低減さ
せることができる。
よれば電流駆動を行うトランジスタのゲートを電源電圧
以下の電圧でオンさせることにより、従来の回路よりも
スイッチング時の電圧変化を遅くでき不要輻射を低減さ
せることができる。
【図1】本発明の電流駆動回路の一実施例を示す回路図
【図2】従来例の電流駆動回路の回路図
Tr1 N型MOSトランジスタ Tr2 N型MOSトランジスタ Tr3 N型MOSトランジスタ Tr4 P型MOSトランジスタ I1 インバータ
Claims (1)
- 【請求項1】MOS型トランジスタのゲートに電源電圧
より低い電圧を印加することにより出力電流を制御する
ことを特徴とする出力電流駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11719692A JPH05315913A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 出力電流駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11719692A JPH05315913A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 出力電流駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05315913A true JPH05315913A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14705777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11719692A Pending JPH05315913A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | 出力電流駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05315913A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6633285B1 (en) | 1999-11-09 | 2003-10-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Driving circuit and display |
JP2006033222A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Sony Corp | 電流出力型駆動回路 |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP11719692A patent/JPH05315913A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6633285B1 (en) | 1999-11-09 | 2003-10-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Driving circuit and display |
US7138988B2 (en) | 1999-11-09 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Driving circuit and display device |
US7142202B2 (en) | 1999-11-09 | 2006-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Driving circuit and display device |
US7375722B2 (en) | 1999-11-09 | 2008-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Driving circuit and display device |
JP2006033222A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Sony Corp | 電流出力型駆動回路 |
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