JPH05314549A - 記録再生装置 - Google Patents
記録再生装置Info
- Publication number
- JPH05314549A JPH05314549A JP4114959A JP11495992A JPH05314549A JP H05314549 A JPH05314549 A JP H05314549A JP 4114959 A JP4114959 A JP 4114959A JP 11495992 A JP11495992 A JP 11495992A JP H05314549 A JPH05314549 A JP H05314549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- recording medium
- probe
- block
- blocks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1418—Disposition or mounting of heads or record carriers
- G11B9/1427—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement
- G11B9/1436—Disposition or mounting of heads or record carriers with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other or for access to indexed parts without effectively imparting a relative movement with provision for moving the heads or record carriers relatively to each other
- G11B9/1454—Positioning the head or record carrier into or out of operative position or across information tracks; Alignment of the head relative to the surface of the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1463—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
- G11B9/1472—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means characterised by the form
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q70/00—General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
- G01Q70/06—Probe tip arrays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q80/00—Applications, other than SPM, of scanning-probe techniques
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/874—Probe tip array
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
価で信頼性の高い記録再生装置を実現すること。 【構成】 情報を記録するための記録媒体と、前記記録
媒体に対向する複数のプローブが設けられたプローブ支
持板とを具備する記録再生装置において、前記プローブ
支持板が複数のブロックに分割されており、前記プロー
ブ支持板を分割した各ブロックには、各ブロックを独立
に駆動制御するための駆動手段がそれぞれ設けられてい
ることを特徴とする記録再生装置。
Description
の原理を応用し、例えば、高密度かつ大容量を有する記
録再生装置に関するものである。
ステムの用途は、コンピューターおよびその関連機器で
ある、ビデオディスク、デジタルオーディオディスク等
の多岐に渡るものとなり、エレクトロニクス産業の中核
をなしている。
や半導体メモリが主流であったが、最近のレーザー技術
の進展に伴い、安価で高密度な記録媒体を用いた光メモ
リ素子などが登場している。しかし、今後のホームユー
スでのコンピューター利用や画像を中心とした情報産業
化が進む中、さらに記憶容量を大きく、かつ容積を小さ
くしたメモリ装置あるいは記録再生装置の具現化が望ま
れている。
子構造を直接観察できる走査型トンネル顕微鏡(以下S
TMと呼ぶ)が開発され、単結晶、非晶質を問わず実空
間で高い分解能の測定ができるようになっている。ST
Mは微小電流を検知する方法を用いているため、測定材
料に損傷を与えずに、かつ低電力で観察できる利点を有
する。また、超高真空中のみならず大気中、溶液中でも
動作し、種々の材料に対して用いることができるため、
広範囲な応用が期待されている。
報を書き込む記録装置、また試料中に書き込まれた情報
を高分解能で読みだす再生装置としての研究が進められ
ていて、例えば特開昭63−161552公報、特開昭
63−161553公報等に記載されたものがある。
プローブと記録媒体間にパルス電圧を印加して局所的に
導電率を変化させて記録を行うもので、記録媒体として
電圧−電流特性においてメモリ性のあるスイッチング特
性を示す材料、例えばカルコゲン化合物類、π電子系有
機化合物の薄膜層を用いている。再生は、係る記録を行
った領域とそうでない領域のトンネル抵抗の変化により
行っている。この記録方式の記録媒体としては、プロー
ブに印加する電圧により記録媒体の表面形状が変化する
ものでも記録再生が可能である。
は、プローブ電極と記録媒体とを約1nm程度まで近付
けて観察を行うものであるため、プローブと記録媒体と
の距離をÅオーダーで制御することが必要となり、さら
に、2次元に配列した情報を記録再生するためにはプロ
ーブの2次元走査を数10Åオーダーで制御することが
必要となる。
観点から多数のプローブを同時に駆動すること(プロー
ブのマルチ化)が提案されている。このような構成とす
る場合には、多数のプローブが配置された面積内で上記
の精度でプローブと記録媒体の相対位置を3次元的に制
御しなければならない。従来、この制御には、プローブ
側、あるいは記録媒体側に取り付けられた積層型圧電素
子、円筒型圧電素子等を用いている。しかし、これらの
素子は変位量は大きくとれるものの集積化には適してお
らず、マルチプローブ型の記録再生装置に使用するのに
は問題がある。ものような問題点を解決するための一つ
の形態として特開昭62−281138号公報に開示さ
れるもののように、プローブを長さ数100μm程度の
カンチレバー(片持ち梁)上に取り付け、このカンチレ
バーを圧電体、あるいは静電力で駆動する方法が考えら
れている。
プローブ電極を有するSTM構成の記録再生装置におい
ては、各プローブ電極と記録媒体との距離をÅオーダー
で精密に制御する必要があるうえに、さらに複数のプロ
ーブ電極の先端を連ねた面と記録媒体表面との面合わせ
機構が必要になるために熱膨張による熱ドリフトが大き
な問題となる。
置を作製、使用する際に特に大きな障害となる。例えば
1cm角の面上に複数のプローブを設けた場合、プロー
ブ側と記録媒体との温度差が1℃あるとすると、プロー
ブと記録媒体の2次元平面上の相対位置は0.1μm程
度変化してしまう。このような位置変化は、記録再生装
置として使用したときには、トラッキングエラー、読み
出しエラー等を引き起こすため、致命的な欠陥となる。
このような熱ドリフトの発生を防ぐためには、ペルチェ
素子等を用いて精密な温度制御を行うことが考えられて
いるが、このような構成とした場合には製造される装置
が複雑かつ高価なものになってしまうという問題点があ
る。
る問題点に鑑みてなされたものであって、熱ドリフトの
影響を低減することができ、安価で信頼性の高い記録再
生装置を実現することを目的とする。
は、情報を記録するための記録媒体と、前記記録媒体に
対向して設けられた複数のプローブを具備するプローブ
支持板とを有する記録再生装置において、前記プローブ
支持板が複数のブロックに分割されており、前記プロー
ブ支持板を分割した各ブロックには、各ブロックを独立
に駆動制御するための駆動手段がそれぞれ設けられてい
る。
割して駆動手段を設けるものとしてもよく、また、プロ
ーブ支持板および記録媒体のそれぞれを複数のブロック
に分割して駆動手段をそれぞれ設けるものとしてもよ
い。
手段が設けられた複数ブロックに分割されているので、
熱膨張による熱ドリフトが発生し、プローブ支持板や記
録媒体の相対位置が変化しても各ブロックを独立に移動
させることによって確実な読み出し動作および書き込み
動作を行うことができる。
面内での記録媒体とプローブとの相対位置を変化させる
ことが重要であり、記録媒体に垂直な方向での記録媒体
とプローブとの相対位置の移動手段は有していてもいな
くてもよい。また、該垂直移動手段を有する場合、駆動
力としては、静電力、圧電力、磁気力などいかなる力を
用いてもよく、上記のように記録媒体、プローブのいず
れかまたは両方を動かしてもよい。
によって、前記記録媒体に関する物理量を変化、または
検出することによって情報の記録または再生を行うが、
該物理量としては、トンネル電流、表面電子状態、形状
などのようなものでよい。つまり、走査型トンネル顕微
鏡、原子間力顕微鏡、磁気力顕微鏡等プローブを走査す
る形態を応用したものならばよい。
て説明する。
例の基本構成を示す図である。
の構成を応用したものである。図中、101はXY走査
機構、102はZ軸制御機構、103は基板、104は
電極、105は記録媒体、106はプローブ、107は
プローブ支持板、108は複数のプローブからの信号を
切り替えるマルチプレクサ、109はXYドライバ、1
10はZ軸ドライバ、111はバイアス電源、112は
トンネル電流信号増幅部である。また、108はマルチ
プレクサ、109はXYドライバ、110はZ軸ドライ
バ、111はバイアス電源、112は信号増幅部であ
り、これらはコントローラ113によって一括制御され
る。
図である。
上に、該Si基板201に対して2次元に駆動される3
×3に配列された計9個のブロックが作製されている。
ここでは、そのうちの1つであるブロック202のみが
示されている。各ブロックの大きさは500μm×50
0μmである。ブロック202はブロック202の周囲
に配設されたヒンジ203,204,205,206と
各ヒンジ203,204,205,206の略中央部か
らブロック202に向けて形成されたヒンジ207,2
08,209,210によって支持されている。
に形成されている電極211とSi基板201側の溝の
側面に形成されている電極212とともに駆動手段を構
成するもので、ブロック202は各電極211,212
の間(間隔10μm)に電圧を印加することにより、静
電力で変形するものである。他のヒンジ204,20
5,206における変形動作もヒンジ203と同様であ
り、これらの変形動作はコントローラ113によって行
われる。ヒンジ203,204,205,206の寸法
は長さ800μm、幅15μm、厚さ0.5mmであ
り、ヒンジ207,208,209,210の寸法は長
さ200μm、幅15μm、厚さ1μmである。電極2
11,212間に0〜50Vの電圧を印加することによ
り、各ヒンジを変位させてブロック202を±0.5μ
m移動させることができた。なお、各ヒンジを変位させ
てブロック202を移動させる際には、ブロック202
に歪みが発生することを防止するために、ブロック20
2を挟んで対向するヒンジを同方向に変位させることが
望ましく、各ヒンジの電極に印加する電圧値はこのこと
を考慮して決定すればよい。
が6本形成されており、その上部にはトンネル電流検出
用のプローブ106が設けられている。カンチレバー2
13の長さは220μm、幅80μm、厚さ1μmであ
る。
ーブ106で検出されたトンネル電流は、マルチプレク
サ回路108に送られ、読み出しを行うブロックのトン
ネル電流信号のみが選択されて配線216を通じてコン
トローラ113(図1参照)へ送られ、読み出した情報
が確認される。
にフォトリソグラフィー、Si単結晶の異方性エッチン
グ等のSiICの作製プロセスが用いられている。この
ため、高精度のものを生産性よく作製することができ
た。
のであり、その上面に形成されるSiN膜304,30
5はCVD法により厚さ1μmに成膜されてSi基板2
01とされている。カンチレバー213の先端にはAg
を堆積させることによりトンネル電流検出用のプローブ
106が形成されている。プローブ106はSiウエハ
ー301上に作製されたマルチプレクサ回路108と配
線216によって接続されている。Si基板201のヒ
ンジとなる部分には、Si基板201の上面と略垂直な
側面に静電駆動用の電極211,212が対向して形成
されている。なお、ここで述べたカンチレバー213は
アクチュエート部分を有しておらず、カンチレバー21
3の弾性を利用して記録媒体に接触させる。
な変位について述べると、Z方向、つまり記録媒体10
5(図1参照)に対して垂直な方向への変位は、粗動に
ついては図1に示したZ軸制御機構102を用いて行わ
れる。具体的には図1中のXY走査機構101の上部に
設置された円筒型圧電素子(不図示)により記録媒体1
05を駆動し、微動についてははカンチレバー213の
弾性によるパッシブ駆動を行っている。
査およびトラッキングは図1中のXY走査機構101を
用いて行われる。具体的には記録媒体105を載置する
ステンレス製のフレームを積層型圧電素子(不図示)に
より駆動している。
ては、ガラス基板上にAuを蒸着し、さらにその上部に
ポリイミドLB膜を4層(約15Å)成膜したものを用
いた。この構成においてカンチレバー213上のプロー
ブ216と記録媒体105の下地のAuとの間にパルス
電圧を印加することにより、記録媒体の電気抵抗率が2
桁程度変化し、この状態が保持されることによって、情
報を記録することができた。なお、その領域の大きさは
100Å×100Åと非常に小さく、超高密度の記録を
行うことができた。
を用いて再生動作を行った。該プローブ106と上記の
記録媒体105を構成するAuとの間に記録時のパルス
電圧よりも低い電圧値のバイアス電圧を印加し、プロー
ブ−Au間のトンネル電流の変化を読み取ることによ
り、記録媒体105上で電気抵抗率の異なる部分を検出
することができ、同一プローブで情報の記録、再生を行
えることを確認した。
去できるかどうかをチェックするために以下のような実
験を行った。まず、環境温度20℃のもとで、Si基板
201上の54本のプローブを並列に操作し、上述の方
法で情報を記録ビット列として書き込んだ。
05に形成された記録ビット列の様子を模式的に示す図
である。
4,405,406等は各ブロックごとの記録エリアで
ある。続いて、環境温度を25℃に設定し、上述の方法
で記録ビットの読み出しを行った。このとき、54本の
プローブのうち、左上部のブロックの中の1本のプロー
ブを規準とし、XY走査機構101によってプローブ支
持板107を一体駆動して記録媒体105−プローブ1
06間の2次元的な位置合わせを行った。その結果、記
録エリア403内での温度ドリフトによるずれ量は記録
ビット列の間隔以内(約20nm)におさまっており、
記録情報を正しく読み出すことができた。他のブロック
は温度ドリフトのためにプローブの先端位置と書き込み
時の記録ビット位置がずれてしまい、読み出しができな
かった。そこで、9個のブロックを独立に静電力によっ
て変位させ記録ビットの読み出し位置を調整したとこ
ろ、正確な記録情報の再生を行うことができた。
について説明する。
ブ側を3×3のブロックに分割したうえで、各ブロック
を圧電力で変位させる形態としたものである。
の部分平面図である。
上に、該Si基板501に対して2次元に駆動される3
×3に配列された計9個のブロックが作製されている。
ここでは、そのうちの1つであるブロック502のみが
示されている。
μmである。ブロック502はブロック502の周囲に
配設されたヒンジ503,504,505,506と各
ヒンジ503,504,505,506の略中央部から
ブロック502に向けて形成されたヒンジ507,50
8,509,510によって支持されており、ヒンジ5
03,504,505,506のそれぞれには分割され
た圧電体層511が設けられている。
2、トンネル電流検出用のプローブ513、マルチプレ
クサ514、配線515のそれぞれは第1の実施例を示
した図1および図2中のカンチレバー213、トンネル
電流検出用のプローブ106、マルチプレクサ108、
配線216と同様である。
602が形成されてSi基板501とされている。ヒン
ジを構成する部分においてはSiウエハー601はエッ
チング除去されてSiN膜603のみとされ、該SiN
膜603の上部にはAu膜にて形成された電極604が
形成されている。電極604の上部には、厚さ1μmの
ZnO膜である圧電体層5111,5112が図5に示し
た圧電体層511として分離した形状にて形成され、該
圧電体層5111,5112の上部にはAu膜である電極
607,608がそれぞれ形成されている。電極604
−607間と、電極604−608間とに符号の異なる
電界を印加することにより、ヒンジ503,504,5
05,506(図5参照)は変形する。実際には、0〜
10Vの電圧を印加することにより、ブロック502は
±0.2μm変位する。
を用い、環境温度20℃で記録ビットの書き込みを行
い、環境温度22℃で記録ビットの読み出しを行ったと
ころ、各ブロックを独立に制御することにより、第1の
実施例と同様に正確な情報の記録/再生を行うことがで
きた。
施例と同様なものを使用し、記録媒体としてはSiウエ
ハー上にAuを蒸着し、さらにその上部にポリイミドL
B膜を4層(約15Å)成膜したものを用いた。情報の
記録/再生方法は第1の実施例および第2の実施例と同
様である。
平面図である。
記録されるブロック702、該ブロック702を支持す
るヒンジ703,704,705,706,707,7
08,709,710の各構成および寸法は第1の実施
例に示したSi基板201、情報を記録するプローブが
形成されたブロック202、該ブロック202を支持す
るヒンジ203,204,205,206,207,2
08,209,210と同様である。
フォトリソグラフィーにより櫛形電極712が形成され
ており、該櫛形電極711に対向する部分のSi基板2
01側にも同様の櫛形電極711が形成されている。7
13は配線部である。ヒンジ704,705,706に
ついても同様の櫛形電極がそれぞれ形成されているが、
説明を簡単にするために図示省略する。
プを約1μmとし、櫛の寸法が10μm×50μmの歯
を0.5mmにわたって形成したものであり、櫛の対の
数は10〜20である。上記櫛形電極711,712間
に0〜50Vの電圧を印加することによってヒンジ70
3等は変形し、ブロック702を±0.3μm変位させ
ることができた。
て、環境温度20℃で記録ビットの書き込み、環境温度
30℃で記録ビットの読み出しを行ったところ、プロー
ブ側、記録媒体側の各ブロックを独立に制御することに
より、第1の実施例と同様に正確な情報の記録/再生を
行うことができた。
1の実施例および第2の実施例のときよりも高くしたに
も関わらず、各実施例と同様に正確な読み出しを行うこ
とができた。これは、プローブ、記録媒体の基体がとも
にSiであり、プローブおよび記録媒体がともにブロッ
ク化されたことにより、発生する熱ドリフトの量自体が
少なくなるとともに調整範囲が広がって、より広範囲な
温度領域で使用可能となったことを示している。
手段を第1の実施例および第2の実施例においては、静
電力によって駆動し、第2の実施例においては圧電力に
よって駆動するものとして説明したが、これらは特に限
定されるものではなく、記録再生装置の形状や配置によ
って使いわければよい。
ブロックの制御を行う場合について説明したが、記録位
置が定められている記録媒体については、書き込み時お
よび読み込み時のそれぞれにおいて各ブロックを制御す
ることにより、さらに正確な情報の記録/再生を行うこ
とができる。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いては、熱膨張により発生した熱ドリフトに応じて、記
録媒体もしくはプローブを移動させることにより、熱ド
リフトの影響が軽減され、情報の記録ビットサイズを小
さくでき、高密度大容量の記録再生装置を達成すること
ができる効果がある。
電気制御系の負担が小さなものとなり、安価で信頼性の
高い記録再生装置とするとともに、記録媒体面内に変位
させる部分の寸法が大きくとれるために、動作マージン
を大きくし、信頼性および耐久性の高い記録再生装置と
することができる効果がある。
プローブ、記録媒体および基板を選択することができる
ので、記録媒体として、記録再生特性の優れた材料を用
いることができ、この点からも信頼性の高い記録再生装
置とすることができる効果がある。
により発生した熱ドリフトに応じて、記録媒体とプロー
ブの双方を移動させることができるため、上記各効果が
一層向上された記録再生装置とすることができる効果が
ある。
る。
ある。
れる記録ビット列の様子を示す図である。
持板の部分平面図である。
部分平面図である。
電極 105 記録媒体 106,513 プローブ 107,514 プローブ支持板 108 マルチプレクサ 109 XYドライバ 110 Z軸ドライバ 111 バイアス電源 112 トンネル電流信号増幅部 113 コントローラ 201,501,701 Si基板 202,502 ブロック 203〜210,503〜510,703〜710
ヒンジ 213,512 カンチレバー 216,515,713 配線 301,601 Siウエハー 304,305,602,603 SiN膜 402 記録ビット 403〜406 記録エリア 511,5111,5112 圧電体層 711,712 櫛形電極
Claims (3)
- 【請求項1】 情報を記録するための記録媒体と、 前記記録媒体に対向する複数のプローブが設けられたプ
ローブ支持板とを具備する記録再生装置において、 前記プローブ支持板が複数のブロックに分割されてお
り、 前記プローブ支持板を分割した各ブロックには、各ブロ
ックを独立に駆動制御するための駆動手段がそれぞれ設
けられていることを特徴とする記録再生装置。 - 【請求項2】 情報を記録するための記録媒体と、 前記記録媒体に対向する複数のプローブが設けられたプ
ローブ支持板とを具備する記録再生装置において、 前記記録媒体が複数のブロックに分割されており、 前記記録媒体を分割した各ブロックには、各ブロックを
独立に駆動制御するための駆動手段がそれぞれ設けられ
ていることを特徴とする記録再生装置。 - 【請求項3】 情報を記録するための記録媒体と、 前記記録媒体に対向する複数のプローブが設けられたプ
ローブ支持板とを具備する記録再生装置において、 前記プローブ支持板および記録媒体が複数のブロックに
分割されており、 前記プローブ支持板および記録媒体を分割した各ブロッ
クには、各ブロックを独立に駆動制御するための駆動手
段がそれぞれ設けられていることを特徴とする記録再生
装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4114959A JP3029499B2 (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 記録再生装置 |
US08/055,088 US5412641A (en) | 1992-05-07 | 1993-05-03 | Information recording/reproducing apparatus for recording/reproducing information with probes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4114959A JP3029499B2 (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05314549A true JPH05314549A (ja) | 1993-11-26 |
JP3029499B2 JP3029499B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=14650878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4114959A Expired - Fee Related JP3029499B2 (ja) | 1992-05-07 | 1992-05-07 | 記録再生装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5412641A (ja) |
JP (1) | JP3029499B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006503399A (ja) * | 2002-10-15 | 2006-01-26 | ナノチップ インコーポレイテッド | 非振動カンチレバーを用いた分子メモリ集積回路 |
KR100603244B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2006-07-20 | 전자부품연구원 | 탐침형 정보저장장치 |
KR100745756B1 (ko) * | 2006-01-04 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 액츄에이터 및 이를 채용한 정보저장장치 |
WO2008114386A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Pioneer Corporation | 情報記録再生装置及び方法 |
WO2008126244A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Pioneer Corporation | 駆動装置 |
JPWO2008105071A1 (ja) * | 2007-02-27 | 2010-06-03 | パイオニア株式会社 | 情報記録再生装置及び方法 |
JP4493057B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-06-30 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP4493058B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-06-30 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126233A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126247A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126234A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126235A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126243A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126232A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126248A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP2012212907A (ja) * | 2005-02-10 | 2012-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH041948A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Canon Inc | 情報記録装置及び情報再生装置及び情報記録再生装置 |
ES2137167T3 (es) * | 1991-07-17 | 1999-12-16 | Canon Kk | Aparato para la grabacion/reproduccion de informaciones, para la grabacion y/o reproduccion de informaciones sobre un soporte para grabacion de informaciones por medio de un electrodo sonda. |
JP3135779B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2001-02-19 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置 |
US6339217B1 (en) * | 1995-07-28 | 2002-01-15 | General Nanotechnology Llc | Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements |
US6337479B1 (en) * | 1994-07-28 | 2002-01-08 | Victor B. Kley | Object inspection and/or modification system and method |
US5751683A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | General Nanotechnology, L.L.C. | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
JP3581475B2 (ja) * | 1995-02-13 | 2004-10-27 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置 |
US6507553B2 (en) | 1995-07-24 | 2003-01-14 | General Nanotechnology Llc | Nanometer scale data storage device and associated positioning system |
JP3679525B2 (ja) * | 1996-10-07 | 2005-08-03 | キヤノン株式会社 | 情報記録再生装置、および情報記録再生方法 |
JP3827105B2 (ja) * | 1997-02-12 | 2006-09-27 | 株式会社モリタユージー | 天井裏設置型自動消火装置 |
US7196328B1 (en) | 2001-03-08 | 2007-03-27 | General Nanotechnology Llc | Nanomachining method and apparatus |
US6752008B1 (en) | 2001-03-08 | 2004-06-22 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for scanning in scanning probe microscopy and presenting results |
US6802646B1 (en) * | 2001-04-30 | 2004-10-12 | General Nanotechnology Llc | Low-friction moving interfaces in micromachines and nanomachines |
US6923044B1 (en) | 2001-03-08 | 2005-08-02 | General Nanotechnology Llc | Active cantilever for nanomachining and metrology |
US6787768B1 (en) | 2001-03-08 | 2004-09-07 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for tool and tip design for nanomachining and measurement |
US6411589B1 (en) * | 1998-07-29 | 2002-06-25 | Hewlett-Packard Company | System and method for forming electrostatically actuated data storage mechanisms |
JP4378029B2 (ja) | 1999-04-27 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | データ処理方法及び装置及び記憶媒体 |
EP1196939A4 (en) * | 1999-07-01 | 2002-09-18 | Gen Nanotechnology Llc | DEVICE AND METHOD FOR EXAMINING AND / OR CHANGING OBJECT |
EP1227496A1 (en) * | 2001-01-17 | 2002-07-31 | Cavendish Kinetics Limited | Non-volatile memory |
US6931710B2 (en) | 2001-01-30 | 2005-08-23 | General Nanotechnology Llc | Manufacturing of micro-objects such as miniature diamond tool tips |
US7253407B1 (en) | 2001-03-08 | 2007-08-07 | General Nanotechnology Llc | Active cantilever for nanomachining and metrology |
US7053369B1 (en) | 2001-10-19 | 2006-05-30 | Rave Llc | Scan data collection for better overall data accuracy |
US6813937B2 (en) | 2001-11-28 | 2004-11-09 | General Nanotechnology Llc | Method and apparatus for micromachines, microstructures, nanomachines and nanostructures |
KR100499125B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 커패시턴스 변화를 이용하는 정보 재생 장치 및 방법 |
US6996051B2 (en) * | 2002-04-29 | 2006-02-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage module suspension system having primary and secondary flexures |
JP4017104B2 (ja) * | 2002-07-09 | 2007-12-05 | パイオニア株式会社 | 誘電体記録再生ヘッド及びトラッキング方法 |
WO2004023490A2 (en) * | 2002-09-09 | 2004-03-18 | General Nanotechnology Llc | Fluid delivery for scanning probe microscopy |
CN1784729A (zh) * | 2003-05-01 | 2006-06-07 | 長康雄 | 记录/重放头和记录/重放装置 |
JP2005004890A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Yasuo Cho | 針状部材を用いたデータ記録再生装置およびデータ記録再生方法 |
JP2005038263A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Canon Inc | 画像処理装置、画像処理方法、記録媒体及びプログラム |
DK1647529T3 (da) * | 2003-08-22 | 2015-12-21 | Peroxychem Spain S L U | Fremgangsmåde til oprensing af spildevand |
JP4326007B2 (ja) | 2003-08-25 | 2009-09-02 | 康雄 長 | 信号検出方法及び装置、並びに情報再生装置及び方法 |
JP4145773B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2008-09-03 | パイオニア株式会社 | 情報記録再生装置および記録媒体 |
US20050128927A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-16 | Hewlett-Packard Development Co., L.P. | Electrostatic actuator for contact probe storage device |
US7436753B2 (en) | 2003-12-17 | 2008-10-14 | Mejia Robert G | Contact probe storage FET sensor |
US7423954B2 (en) * | 2003-12-17 | 2008-09-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Contact probe storage sensor pod |
US7212487B2 (en) * | 2004-01-07 | 2007-05-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data readout arrangement |
US7212488B2 (en) | 2005-03-21 | 2007-05-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and device enabling capacitive probe-based data storage readout |
US7533561B2 (en) * | 2005-08-19 | 2009-05-19 | Arthur Beyder | Oscillator for atomic force microscope and other applications |
JP4448099B2 (ja) * | 2006-02-01 | 2010-04-07 | キヤノン株式会社 | 走査型プローブ装置 |
US7945963B2 (en) * | 2006-03-30 | 2011-05-17 | Pioneer Corporation | Information memory apparatus using probe |
US7550747B2 (en) * | 2006-04-03 | 2009-06-23 | Blaise Laurent Mouttet | Parallel electron beam lithography stamp (PEBLS) |
US7425715B2 (en) * | 2006-05-05 | 2008-09-16 | Blaise Laurent Mouttet | Digital parallel electron beam lithography stamp |
US7629694B2 (en) * | 2006-08-16 | 2009-12-08 | Blaise Laurent Mouttet | Interconnections for crosswire arrays |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0194323B1 (en) * | 1985-03-07 | 1989-08-02 | International Business Machines Corporation | Scanning tunneling microscope |
EP0247219B1 (en) * | 1986-05-27 | 1991-05-15 | International Business Machines Corporation | Direct access storage unit |
JP2556492B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 再生装置及び再生法 |
JP2556491B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 記録装置及び記録法 |
-
1992
- 1992-05-07 JP JP4114959A patent/JP3029499B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-05-03 US US08/055,088 patent/US5412641A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006503399A (ja) * | 2002-10-15 | 2006-01-26 | ナノチップ インコーポレイテッド | 非振動カンチレバーを用いた分子メモリ集積回路 |
KR100603244B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2006-07-20 | 전자부품연구원 | 탐침형 정보저장장치 |
US8604547B2 (en) | 2005-02-10 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device |
JP2012212907A (ja) * | 2005-02-10 | 2012-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR100745756B1 (ko) * | 2006-01-04 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 액츄에이터 및 이를 채용한 정보저장장치 |
US7889626B2 (en) | 2006-01-04 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro actuator and data storage apparatus employing the same |
JPWO2008105071A1 (ja) * | 2007-02-27 | 2010-06-03 | パイオニア株式会社 | 情報記録再生装置及び方法 |
JP4538087B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2010-09-08 | パイオニア株式会社 | 情報記録再生装置及び方法 |
WO2008114386A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Pioneer Corporation | 情報記録再生装置及び方法 |
JPWO2008114386A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2010-07-01 | パイオニア株式会社 | 情報記録再生装置及び方法 |
JP4614372B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2011-01-19 | パイオニア株式会社 | 情報記録再生装置及び方法 |
JPWO2008126248A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP4542616B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126234A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126246A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126235A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126243A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126232A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126244A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126247A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP4542619B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP4542613B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP4542615B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP4542620B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JPWO2008126241A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP4542614B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP4542618B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
US7843108B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-11-30 | Pioneer Corporation | Driving apparatus |
US7843109B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-11-30 | Pioneer Corporation | Driving apparatus |
US7843110B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-11-30 | Pioneer Corporation | Driving apparatus |
JPWO2008126233A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
US7884526B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-02-08 | Pioneer Corporation | Driving apparatus |
JP4493058B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-06-30 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
US7893642B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-02-22 | Pioneer Corporation | Driving apparatus |
US7952983B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-05-31 | Pioneer Corporation | Driver unit |
US8022597B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-09-20 | Pioneer Corporation | Driver |
JP4493057B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-06-30 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
WO2008126244A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Pioneer Corporation | 駆動装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5412641A (en) | 1995-05-02 |
JP3029499B2 (ja) | 2000-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3029499B2 (ja) | 記録再生装置 | |
JP3198355B2 (ja) | 微小変位素子及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 | |
JP3109861B2 (ja) | 情報の記録及び/又は再生装置 | |
JP3450349B2 (ja) | カンチレバー型プローブ | |
JP2741629B2 (ja) | カンチレバー型プローブ、それを用いた走査型トンネル顕微鏡及び情報処理装置 | |
JP2961452B2 (ja) | 情報処理装置 | |
JP3135779B2 (ja) | 情報処理装置 | |
JPH0518741A (ja) | 微小変位型情報検知探針素子及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡、情報処理装置 | |
JPH0721598A (ja) | プローブユニット及びこれを用いた情報処理装置 | |
JP3086987B2 (ja) | プローブユニットの製造方法、及びプローブユニット、及びそのプローブユニットを用いた情報処理装置 | |
US7903533B2 (en) | Probe head with narrow read element | |
JP3053971B2 (ja) | トンネル電流発生用三次元変位素子、該トンネル電流発生用三次元変位素子を用いたマルチ探針ユニット、および情報処理装置 | |
JP3015974B2 (ja) | マルチプローブユニット、情報処理装置、走査型トンネル顕微鏡、カンチレバー型プローブ | |
JP3023728B2 (ja) | プローブ構造体、記録装置、情報検出装置、再生装置及び記録再生装置 | |
JP2942013B2 (ja) | 記録及び/又は再生装置 | |
JP3234722B2 (ja) | 円弧状反りレバー型アクチュエータ、該アクチュエータの駆動方法及び情報入出力用プローブを用いた情報処理装置 | |
JP3023901B2 (ja) | 情報記録再生装置 | |
JP3095915B2 (ja) | 情報処理装置 | |
JPH07110969A (ja) | 面合わせ方法,位置制御機構および該機構を有する情報処理装置 | |
JPH04206536A (ja) | 探針駆動機構、該機構を備えたトンネル電流検出装置及び記録再生装置 | |
JP2942011B2 (ja) | 情報記憶装置 | |
JP2995126B2 (ja) | 情報処理装置 | |
JP2997133B2 (ja) | マルチプローブヘッド | |
JPH04115103A (ja) | カンチレバー型プローブ及び該プローブを用いた走査型トンネル顕微鏡、精密位置決め装置、情報処理装置 | |
JPH05307778A (ja) | 記録再生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080204 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090204 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100204 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100204 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110204 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120204 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |