JPH0517889Y2 - - Google Patents
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- JPH0517889Y2 JPH0517889Y2 JP1986041914U JP4191486U JPH0517889Y2 JP H0517889 Y2 JPH0517889 Y2 JP H0517889Y2 JP 1986041914 U JP1986041914 U JP 1986041914U JP 4191486 U JP4191486 U JP 4191486U JP H0517889 Y2 JPH0517889 Y2 JP H0517889Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、発光ダイオード、ホトトランジスタ
等の光半導体素子の基板への取付け構造、特に例
えば、光検出方式の座標入力装置の如く光半導体
素子が列状に多数個且つ正しい取付け位置精度を
もつて配設されるべきような装置に用いて好適
な、光半導体素子の取付け構造に関する。
等の光半導体素子の基板への取付け構造、特に例
えば、光検出方式の座標入力装置の如く光半導体
素子が列状に多数個且つ正しい取付け位置精度を
もつて配設されるべきような装置に用いて好適
な、光半導体素子の取付け構造に関する。
コンピユータに手入力する座標入力装置のう
ち、単に指などで表示装置の前面の任意個所を押
さえることにより座標位置を特定できる光検出方
式のものが、信頼性および操作性の面から注目を
浴びている。
ち、単に指などで表示装置の前面の任意個所を押
さえることにより座標位置を特定できる光検出方
式のものが、信頼性および操作性の面から注目を
浴びている。
この種の光検出方式の座標入力装置としては、
従来、第6図ないし第8図に示す如きものが知ら
れている。ここで、第6図は座標入力装置を表示
装置の前面に装着した例を示す斜視図、第7図は
その受光素子側の要部断面図、第8図は裏板を取
り外して座標入力装置の内部構造を示す背面図で
ある。
従来、第6図ないし第8図に示す如きものが知ら
れている。ここで、第6図は座標入力装置を表示
装置の前面に装着した例を示す斜視図、第7図は
その受光素子側の要部断面図、第8図は裏板を取
り外して座標入力装置の内部構造を示す背面図で
ある。
この座標入力装置は、略長方形状に成形されて
中央部に開口部2を有する枠体1と、該枠体1の
裏面側すなわちCRT(Cathode・Ray・Tube)等
を用いた表示装置3の表示面3a側のそれぞれ対
向する辺に複数個並設された、LEDなどの発光
素子4とフオトトランジスタなどの受光素子5の
組と、これら発光素子4および受光素子5の組み
合わせの中から光路11が遮断された位置を検出
し、その座標位置をホストコンピユータ側に入力
する演算部6とから主に構成されている。なお、
前記発光素子4と受光素子5は、前者の本体4a
の先端の発光部と後者の本体5aの先端の受光部
とが組ごとに対向するように、それぞれの本体4
a,5aの底面から突出している端子4b,5b
が、枠体1に取り付けられた基板7に半田付けさ
れている。
中央部に開口部2を有する枠体1と、該枠体1の
裏面側すなわちCRT(Cathode・Ray・Tube)等
を用いた表示装置3の表示面3a側のそれぞれ対
向する辺に複数個並設された、LEDなどの発光
素子4とフオトトランジスタなどの受光素子5の
組と、これら発光素子4および受光素子5の組み
合わせの中から光路11が遮断された位置を検出
し、その座標位置をホストコンピユータ側に入力
する演算部6とから主に構成されている。なお、
前記発光素子4と受光素子5は、前者の本体4a
の先端の発光部と後者の本体5aの先端の受光部
とが組ごとに対向するように、それぞれの本体4
a,5aの底面から突出している端子4b,5b
が、枠体1に取り付けられた基板7に半田付けさ
れている。
前記開口部2にはVDT(Visual・Display・
Terminal)フイルタからなる操作パネル2aが
設けられ、表示装置3の表示面3aの前面にこれ
を配置することにより該表示面3aへの汚れや塵
埃類の付着を防止している。また、前記受光素子
5の本体5aの前側には、対となる発光素子4か
らの入射光のみ受光可能なように所定の面積と深
さを有する光透過孔8aが形成された遮光板8が
配設されている。さらに、この遮光板8の前面の
開口縁および発光素子4の前面の開口縁には、可
視光カツトフイルタとして赤外線フイルタ9が全
周にわたつて装着されている。したがつて、操作
パネル2aの前面つまり表示面3aと対向しない
側の面には、赤外線フイルタ9を介して目に見え
ない光路11が形成されることになる。
Terminal)フイルタからなる操作パネル2aが
設けられ、表示装置3の表示面3aの前面にこれ
を配置することにより該表示面3aへの汚れや塵
埃類の付着を防止している。また、前記受光素子
5の本体5aの前側には、対となる発光素子4か
らの入射光のみ受光可能なように所定の面積と深
さを有する光透過孔8aが形成された遮光板8が
配設されている。さらに、この遮光板8の前面の
開口縁および発光素子4の前面の開口縁には、可
視光カツトフイルタとして赤外線フイルタ9が全
周にわたつて装着されている。したがつて、操作
パネル2aの前面つまり表示面3aと対向しない
側の面には、赤外線フイルタ9を介して目に見え
ない光路11が形成されることになる。
座標位置を検出する場合には、例えば第6〜8
図に示すように、表示面3aの入力したい位置を
操作パネル2a上から指10で押さえると、該操
作パネル2aの表面に沿つて形成される光路11
のうち指10の位置を通過するはずのものはそこ
で遮られるので、発光素子4を順に発光せしめて
スキヤンさせることにより、x方向、y方向のそ
れぞれにおいて、遮光された光路11を受光素子
5によつて検出することができる。そして、この
遮光された光路11を前記演算部6によつて特定
し、図示しないホストコンピユータへその座標位
置を出力するようになつている。
図に示すように、表示面3aの入力したい位置を
操作パネル2a上から指10で押さえると、該操
作パネル2aの表面に沿つて形成される光路11
のうち指10の位置を通過するはずのものはそこ
で遮られるので、発光素子4を順に発光せしめて
スキヤンさせることにより、x方向、y方向のそ
れぞれにおいて、遮光された光路11を受光素子
5によつて検出することができる。そして、この
遮光された光路11を前記演算部6によつて特定
し、図示しないホストコンピユータへその座標位
置を出力するようになつている。
ところで、かかる光検出方式の座標入力装置に
あつては、誤動作防止のため、発光素子4や受光
素子5を基板7に対して直角に、かつ所定の高さ
に保つ必要があるが、上述した従来例におけるこ
れら光半導体素子4,5の取付構造は、位置決め
精度が出しにくいという問題があった。すなわ
ち、これら光半導体素子4,5は、端子4b,5
bの一部を基板7に片持ち状態で半田付け固定さ
せているだけなので取付時に本体4a,5aが傾
きやすく、よつて発光部あるいは受光部が所定の
向きからずれやすく、また、本体4a,5aの底
面はポツテイングにより非平坦面となつているの
で基板7に対する高さ精度が出しにくかつた。そ
の結果、発光素子4から出射された光が所定の光
路11からずれたり、受光素子5が受光すべきで
ない光、つまり対になつていない発光素子4から
の光や、対になつている発光素子が光源となつて
いる反射光、例えば可視光カツトフイルタ面での
反射光を検出して、誤動作を生じやすく、信頼性
に支障をきたしてしまつた。さらに、位置決め精
度を出しにくいこれら光半導体素子4,5を多数
配設するということは、作業性の低下を招き、組
立作業を煩雑なものにしてしまつた。
あつては、誤動作防止のため、発光素子4や受光
素子5を基板7に対して直角に、かつ所定の高さ
に保つ必要があるが、上述した従来例におけるこ
れら光半導体素子4,5の取付構造は、位置決め
精度が出しにくいという問題があった。すなわ
ち、これら光半導体素子4,5は、端子4b,5
bの一部を基板7に片持ち状態で半田付け固定さ
せているだけなので取付時に本体4a,5aが傾
きやすく、よつて発光部あるいは受光部が所定の
向きからずれやすく、また、本体4a,5aの底
面はポツテイングにより非平坦面となつているの
で基板7に対する高さ精度が出しにくかつた。そ
の結果、発光素子4から出射された光が所定の光
路11からずれたり、受光素子5が受光すべきで
ない光、つまり対になつていない発光素子4から
の光や、対になつている発光素子が光源となつて
いる反射光、例えば可視光カツトフイルタ面での
反射光を検出して、誤動作を生じやすく、信頼性
に支障をきたしてしまつた。さらに、位置決め精
度を出しにくいこれら光半導体素子4,5を多数
配設するということは、作業性の低下を招き、組
立作業を煩雑なものにしてしまつた。
本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、光半導体素子の基板に対する位置決め
精度が容易に確保できて、誤動作の防止ならびに
作業性の向上を図ることができる、遮光用のホル
ダを用いた光半導体素子の取付け構造を提供する
ことにある。また、本考案の他の目的とするとこ
ろは、光半導体素子の端子部を基板に半田付けす
るに際し、上記ホルダ内に半田付け時の熱が籠つ
て光半導体素子の信頼性を低下させることのな
い、光半導体素子の取付け構造を提供するにあ
る。
の目的は、光半導体素子の基板に対する位置決め
精度が容易に確保できて、誤動作の防止ならびに
作業性の向上を図ることができる、遮光用のホル
ダを用いた光半導体素子の取付け構造を提供する
ことにある。また、本考案の他の目的とするとこ
ろは、光半導体素子の端子部を基板に半田付けす
るに際し、上記ホルダ内に半田付け時の熱が籠つ
て光半導体素子の信頼性を低下させることのな
い、光半導体素子の取付け構造を提供するにあ
る。
本考案の上記した目的は、本体の前面部に発光
もしくは受光機能を有する光電変換面が形成さ
れ、前記本体の後面部に端子が延出された光半導
体素子を、前記端子を半田付けすることにより基
板に取付ける構成において、前記基板に密着して
前記光半導体素子の基板に対する位置決めを行う
ホルダを備え、該ホルダに、前記光半導体素子の
本体を収納するための収納部と、前記光半導体素
子の光電変換面に対向する光透過孔と、前記収納
部に連通し前記本体の側面に対向する放熱用の窓
とを形成することによつて達成される。
もしくは受光機能を有する光電変換面が形成さ
れ、前記本体の後面部に端子が延出された光半導
体素子を、前記端子を半田付けすることにより基
板に取付ける構成において、前記基板に密着して
前記光半導体素子の基板に対する位置決めを行う
ホルダを備え、該ホルダに、前記光半導体素子の
本体を収納するための収納部と、前記光半導体素
子の光電変換面に対向する光透過孔と、前記収納
部に連通し前記本体の側面に対向する放熱用の窓
とを形成することによつて達成される。
即ち、本考案においては上記ホルダーを採用す
ることによつて、従来の座標入力装置に用いられ
ていた遮光板の機能と、光半導体素子を基板に対
して位置決めする機能とを具備させ得、光半導体
素子の基板への正確な位置決めと、遮光体の光透
過孔に対する光半導体素子の光電変換面(発光面
もしくは受孔面)の正確な位置合せとを同時に達
成できる。よつて位置決め精度が容易・確実に得
られる上、作業性も良い。また、ホルダには放熱
用の窓が形成されているので、デイツプ半田時の
熱がホルダ内に籠つて光半導体素子の特性を劣化
させる虞れもない。
ることによつて、従来の座標入力装置に用いられ
ていた遮光板の機能と、光半導体素子を基板に対
して位置決めする機能とを具備させ得、光半導体
素子の基板への正確な位置決めと、遮光体の光透
過孔に対する光半導体素子の光電変換面(発光面
もしくは受孔面)の正確な位置合せとを同時に達
成できる。よつて位置決め精度が容易・確実に得
られる上、作業性も良い。また、ホルダには放熱
用の窓が形成されているので、デイツプ半田時の
熱がホルダ内に籠つて光半導体素子の特性を劣化
させる虞れもない。
以下、本考案の第1実施例を第1図および第2
図に基づいて説明する。
図に基づいて説明する。
第1図は該実施例による光半導体素子の取付け
状態を示す断面図、第2図はホルダの一部を取除
いた部分斜視図であつて、符号5は受光素子、7
は基板、12は遮光用のホルダの全体、13はそ
の下型、14はその上型、15は半田である。
状態を示す断面図、第2図はホルダの一部を取除
いた部分斜視図であつて、符号5は受光素子、7
は基板、12は遮光用のホルダの全体、13はそ
の下型、14はその上型、15は半田である。
これらの図において、ポリアセタル等の成形品
であるホルダ12は、列状に配設される受光素子
5の列方向(第2図の矢印A方向)に延設された
下型13と上型14とを組み合わせてなるもの
で、第2図に示す如く下型13の後部に複数の受
光素子5を列状に収納した後、下型13側の段差
13aに上型14側の突部14aを強嵌合させる
ことによつて、遮光性を確保しつつこれら列状の
受光素子5を一体に嵌装可能となつている。そし
て、こうして受光素子5を嵌装した状態におい
て、該ホルダ12の先端には光透過孔12aが、
また該光透過孔12aの後方には光透過孔12a
の入口部の口径よりも大径に形成された拡大部と
しての入射方向規制室12bが、さらに該入射方
向規制室12bの後方には収納部12cがそれぞ
れ画成され、受光素子5の本体5aは該収納部1
2c内に収納されるとともに、下型13に突設さ
れた押圧部13bが該本体5aの底面に弾接する
ようになつている。つまり、ホルダ12に嵌装さ
れた受光素子5は、その本体5aの底面が押圧部
13bに弾圧されるため、端子5bを基板7に半
田15付けする際に、ホルダ12の下端部12f
を基板7に密着させるだけで該基板7に対する高
さ精度が確保され、かつ基板7との直角性が保た
れている収納部12c内に嵌め込まれるため本体
5aの基板7に対する直角性も必然的に確保され
て、位置決め精度が著しく向上している。また、
受光素子5の本体5aの前方に位置する光透過孔
12aは、所定の面積と深さを有し、従来の座標
入力装置に用いられていた遮光板の光透過孔と同
等に機能するものであるから、該遮光板を不要と
なすことができる。
であるホルダ12は、列状に配設される受光素子
5の列方向(第2図の矢印A方向)に延設された
下型13と上型14とを組み合わせてなるもの
で、第2図に示す如く下型13の後部に複数の受
光素子5を列状に収納した後、下型13側の段差
13aに上型14側の突部14aを強嵌合させる
ことによつて、遮光性を確保しつつこれら列状の
受光素子5を一体に嵌装可能となつている。そし
て、こうして受光素子5を嵌装した状態におい
て、該ホルダ12の先端には光透過孔12aが、
また該光透過孔12aの後方には光透過孔12a
の入口部の口径よりも大径に形成された拡大部と
しての入射方向規制室12bが、さらに該入射方
向規制室12bの後方には収納部12cがそれぞ
れ画成され、受光素子5の本体5aは該収納部1
2c内に収納されるとともに、下型13に突設さ
れた押圧部13bが該本体5aの底面に弾接する
ようになつている。つまり、ホルダ12に嵌装さ
れた受光素子5は、その本体5aの底面が押圧部
13bに弾圧されるため、端子5bを基板7に半
田15付けする際に、ホルダ12の下端部12f
を基板7に密着させるだけで該基板7に対する高
さ精度が確保され、かつ基板7との直角性が保た
れている収納部12c内に嵌め込まれるため本体
5aの基板7に対する直角性も必然的に確保され
て、位置決め精度が著しく向上している。また、
受光素子5の本体5aの前方に位置する光透過孔
12aは、所定の面積と深さを有し、従来の座標
入力装置に用いられていた遮光板の光透過孔と同
等に機能するものであるから、該遮光板を不要と
なすことができる。
12d,12dは、ホルダ12の収納部12c
の上下面(即ち、下型13と上型14)に設けら
れた窓で、この窓12d,12dは、受光素子5
の端子5bと基板7の導電パターンとをデイツプ
半田等によつて半田付けする際に、収納部12c
内に籠る熱を外部に放出するように作用する。即
ち、上述の半田付け工程時において相当の熱が基
板7の半田付け面から受光素子5の本体5aおよ
び収納部12cに伝わるが、窓12d,12dの
存在によつてこの熱は速やかに外部に放出され、
半田付け時の加熱によつて受光素子5(光半導体
素子)の信頼性が損なわれる虞れは全くない。
の上下面(即ち、下型13と上型14)に設けら
れた窓で、この窓12d,12dは、受光素子5
の端子5bと基板7の導電パターンとをデイツプ
半田等によつて半田付けする際に、収納部12c
内に籠る熱を外部に放出するように作用する。即
ち、上述の半田付け工程時において相当の熱が基
板7の半田付け面から受光素子5の本体5aおよ
び収納部12cに伝わるが、窓12d,12dの
存在によつてこの熱は速やかに外部に放出され、
半田付け時の加熱によつて受光素子5(光半導体
素子)の信頼性が損なわれる虞れは全くない。
よつて、組立てに際しては、受光素子5はホル
ダに嵌挿し、この状態で各受光素子5の端子5b
を基板7にそれぞれ挿通すると共に、ホルダ12
の下端部12fを基板7に密着させた後、デイツ
プ半田等によつて半田付けするだけで、列状に配
設される各受光素子5の基板7に対する位置決め
精度が自動的に確保され、誤動作が確実に防止で
きるのみならず、組立作業の簡略化も図れる上、
半田付け時の熱で受光素子の特性を劣化させる虞
れもない。
ダに嵌挿し、この状態で各受光素子5の端子5b
を基板7にそれぞれ挿通すると共に、ホルダ12
の下端部12fを基板7に密着させた後、デイツ
プ半田等によつて半田付けするだけで、列状に配
設される各受光素子5の基板7に対する位置決め
精度が自動的に確保され、誤動作が確実に防止で
きるのみならず、組立作業の簡略化も図れる上、
半田付け時の熱で受光素子の特性を劣化させる虞
れもない。
なお、光透過孔12aと収納部12cとの間に
拡大部として形成された入射方向規制室12b
は、該光透過孔12aよりも広い空間を画成して
なるものであつて、この入射方向規制室12bに
より、光透過孔12aに入射する光のうち不所望
なもの、つまり収納部12c内の受光素子5と対
になつている発光素子以外から入射してくる光
が、該受光素子5の本体5a先端の受光部に到達
しないようになつている。したがつて、受光素子
5の受光部にて受光される光はその入射方向に厳
しい制約を受けて、所望の発光素子からの入射光
のみが受光可能となり、誤動作を一層確実に防止
することができる。また、この入射方向規制室1
2bの壁面につや消し加工が施されていれば、不
所望な入射光を除去する効果がさらに増大する。
拡大部として形成された入射方向規制室12b
は、該光透過孔12aよりも広い空間を画成して
なるものであつて、この入射方向規制室12bに
より、光透過孔12aに入射する光のうち不所望
なもの、つまり収納部12c内の受光素子5と対
になつている発光素子以外から入射してくる光
が、該受光素子5の本体5a先端の受光部に到達
しないようになつている。したがつて、受光素子
5の受光部にて受光される光はその入射方向に厳
しい制約を受けて、所望の発光素子からの入射光
のみが受光可能となり、誤動作を一層確実に防止
することができる。また、この入射方向規制室1
2bの壁面につや消し加工が施されていれば、不
所望な入射光を除去する効果がさらに増大する。
また、上記実施例にあつては、ホルダ12の下
型13にのみ押圧部13bに設けた場合について
述べたが、かかる押圧部は上型14に設けてもよ
い。
型13にのみ押圧部13bに設けた場合について
述べたが、かかる押圧部は上型14に設けてもよ
い。
また、上記実施例にあつては、ホルダ12を、
下型13と上型14に二分割し別体に形成して一
対となしているが、例えば光透過孔12a形にヒ
ンジ部を形成し、このヒンジ部を介して下型13
と上型14を一体に形成し、光素子を所定の位置
に装着した後、該ヒンジ部を介して折曲し、一対
となつた下型部と上型部を嵌合せしめて前記光素
子を収納したホルダを形成してもよい。また、入
射方向規制12bを備えた光透過孔12a形成部
をアダプタとして別体に成形し、上記一対の型体
によつて形成したホルダの前面、すなわち、受光
素子5の受光部前面に配設することもできる。
下型13と上型14に二分割し別体に形成して一
対となしているが、例えば光透過孔12a形にヒ
ンジ部を形成し、このヒンジ部を介して下型13
と上型14を一体に形成し、光素子を所定の位置
に装着した後、該ヒンジ部を介して折曲し、一対
となつた下型部と上型部を嵌合せしめて前記光素
子を収納したホルダを形成してもよい。また、入
射方向規制12bを備えた光透過孔12a形成部
をアダプタとして別体に成形し、上記一対の型体
によつて形成したホルダの前面、すなわち、受光
素子5の受光部前面に配設することもできる。
なお、この第1,2図示の実施例においては、
光半導体素子として受光素子5を示しているが、
発光素子であつても略同等の構成を採ることがで
き、これは以下の実施例においても同様である。
光半導体素子として受光素子5を示しているが、
発光素子であつても略同等の構成を採ることがで
き、これは以下の実施例においても同様である。
第3図および第4図は本考案の第2実施例に係
り、第3図は取付け状態を示す断正面図、第4図
aはホルダの断正面図、第4図bは要部断側面図
である。
り、第3図は取付け状態を示す断正面図、第4図
aはホルダの断正面図、第4図bは要部断側面図
である。
この実施例のホルダ20は、受光素子5を個々
に1個づつ保持するようになつた構造を採つてお
り、該ホルダ20の上面部には受光素子5の光電
変換面と対向する光透過孔20aが設けられてお
り、また受光素子5の本体5aの側面を挟持する
ホルダ20の側面部には、放熱用の窓20b,2
0cが設けられている。20dはホルダ20の側
面部内面に設けた段部、20eはホルダ20の側
面部内面下部に設けた突起で、受光素子5をホル
ダ20の下面開放部から突起20e部分を外方に
撓わませ挿入することにより、受光素子5の本体
5aは、所謂スナツプイン嵌合でその上下面をホ
ルダ20の段部20dと突起20eとに当接され
てホルダ20に対して位置決め・保持されるよう
になつている。
に1個づつ保持するようになつた構造を採つてお
り、該ホルダ20の上面部には受光素子5の光電
変換面と対向する光透過孔20aが設けられてお
り、また受光素子5の本体5aの側面を挟持する
ホルダ20の側面部には、放熱用の窓20b,2
0cが設けられている。20dはホルダ20の側
面部内面に設けた段部、20eはホルダ20の側
面部内面下部に設けた突起で、受光素子5をホル
ダ20の下面開放部から突起20e部分を外方に
撓わませ挿入することにより、受光素子5の本体
5aは、所謂スナツプイン嵌合でその上下面をホ
ルダ20の段部20dと突起20eとに当接され
てホルダ20に対して位置決め・保持されるよう
になつている。
そして、受光素子5をホルダ20に収納・保持
させた状態で、受光素子5の端子5bを基板7に
挿通し、ホルダ20の下端20f,20fを前述
の実施例と同様に基板7に密着させて、端子5と
基板7の導電パターンとを半田付けすれば、受光
素子5は基板7に対して所期の高さ精度、直角度
をもつて正確に固着・接続されると共に、窓20
b,20cの存在によつて半田付け時の熱は速や
かに外部に放出されることとなる。なお、該実施
例においてはホルダ20の4面に窓20b,20
cが形成されているので、一層放熱効果が高い。
させた状態で、受光素子5の端子5bを基板7に
挿通し、ホルダ20の下端20f,20fを前述
の実施例と同様に基板7に密着させて、端子5と
基板7の導電パターンとを半田付けすれば、受光
素子5は基板7に対して所期の高さ精度、直角度
をもつて正確に固着・接続されると共に、窓20
b,20cの存在によつて半田付け時の熱は速や
かに外部に放出されることとなる。なお、該実施
例においてはホルダ20の4面に窓20b,20
cが形成されているので、一層放熱効果が高い。
第5図は本考案の第3実施例に係り、該実施例
においては、ホルダ20′の光透過孔20′aの凹
部20′a-1と突起20′eとによつて、受光素子
5の突部5cと本体5a下面とを挟持させて、受
光素子5をホルダ20′に保持・位置決めさせて
おり、他の構成は上記第2実施例と同等の構成を
採つている。該実施例においても前述した実施例
と同等の効果が期待できる。
においては、ホルダ20′の光透過孔20′aの凹
部20′a-1と突起20′eとによつて、受光素子
5の突部5cと本体5a下面とを挟持させて、受
光素子5をホルダ20′に保持・位置決めさせて
おり、他の構成は上記第2実施例と同等の構成を
採つている。該実施例においても前述した実施例
と同等の効果が期待できる。
以上のように本考案によれば、光半導体素子の
基板に対する位置決め精度並びに遮光体の光透過
孔に対する位置決め精度が容易・確実に確保で
き、作業性が著しく向上できる上、半田付け時の
熱を光半導体素子に及ぼすことなく放熱できると
いう実用上顕著な効果を奏する。
基板に対する位置決め精度並びに遮光体の光透過
孔に対する位置決め精度が容易・確実に確保で
き、作業性が著しく向上できる上、半田付け時の
熱を光半導体素子に及ぼすことなく放熱できると
いう実用上顕著な効果を奏する。
第1図および第2図は本考案の第1実施例によ
る光半導体素子の取付け構造に係り、第1図は取
付け状態を示す要部断面図、第2図はホルダの一
部を取除いた部分斜視図、第3図および第4図は
本考案の第2実施例に係り、第3図は取付け状態
を示す断正面図、第4図aはホルダの断正面図、
第4図bはホルダの断側面図、第5図は本考案の
第3実施例に係る要部断面図、第6〜8図は従来
の光検出方式の座標入力装置を説明するためのも
ので、第6図は表示面の前面に装着した状態を示
す説明図、第7図は受光素子側の要部断面図、第
8図は内部構造の概略を示す背面図である。 4……発光素子、4a……本体、4b……端
子、5……受光素子、5a……本体、5b……端
子、5c……突部、12……ホルダ、12a……
光透過孔、12b……入射方向規制室、12c…
…収納部、12d……窓、13……下型、14…
…上型、15……半田、20,20′……ホルダ、
20a,20′a……光透過孔、20b,20′
b,20c……窓。
る光半導体素子の取付け構造に係り、第1図は取
付け状態を示す要部断面図、第2図はホルダの一
部を取除いた部分斜視図、第3図および第4図は
本考案の第2実施例に係り、第3図は取付け状態
を示す断正面図、第4図aはホルダの断正面図、
第4図bはホルダの断側面図、第5図は本考案の
第3実施例に係る要部断面図、第6〜8図は従来
の光検出方式の座標入力装置を説明するためのも
ので、第6図は表示面の前面に装着した状態を示
す説明図、第7図は受光素子側の要部断面図、第
8図は内部構造の概略を示す背面図である。 4……発光素子、4a……本体、4b……端
子、5……受光素子、5a……本体、5b……端
子、5c……突部、12……ホルダ、12a……
光透過孔、12b……入射方向規制室、12c…
…収納部、12d……窓、13……下型、14…
…上型、15……半田、20,20′……ホルダ、
20a,20′a……光透過孔、20b,20′
b,20c……窓。
Claims (1)
- 本体の前面部に発光もしくは受光機能を有する
光電変換面が形成され、前記本体の後面部に端子
が延出された光半導体素子を、前記端子を半田付
けすることにより基板に取付ける構成において、
前記基板に密着して前記光半導体素子の基板に対
する位置決めを行うホルダを備え、該ホルダに、
前記光半導体素子の本体を収納するための収納部
と、前記光半導体素子の光電変換面に対向する光
透過孔と、前記収納部に連通し前記本体の側面に
対向する放熱用の窓とを形成したことを特徴とす
る光半導体素子の取付け構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986041914U JPH0517889Y2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986041914U JPH0517889Y2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62154660U JPS62154660U (ja) | 1987-10-01 |
JPH0517889Y2 true JPH0517889Y2 (ja) | 1993-05-13 |
Family
ID=30857348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1986041914U Expired - Lifetime JPH0517889Y2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0517889Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5175518A (en) * | 1991-10-15 | 1992-12-29 | Watkins-Johnson Company | Wide percentage bandwidth microwave filter network and method of manufacturing same |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP1986041914U patent/JPH0517889Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62154660U (ja) | 1987-10-01 |
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