JPH05136128A - Ｉｃチツプ - Google Patents
ＩｃチツプInfo
- Publication number
- JPH05136128A JPH05136128A JP32527091A JP32527091A JPH05136128A JP H05136128 A JPH05136128 A JP H05136128A JP 32527091 A JP32527091 A JP 32527091A JP 32527091 A JP32527091 A JP 32527091A JP H05136128 A JPH05136128 A JP H05136128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- ultrafine particle
- circuit wiring
- particle film
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトマスクを用いることなく回路配線を形
成する。さらに、配線パターンの変更にもフレキシブル
に対応することができるＩＣチップの回路配線方式を提
供する。 【構成】 回路配線のうち共通部分や汎用部分（１５）
のみを有する未完成ないし半完成のＩＣチップ１ａに、
ガスデポジション法を用いて超微粒子膜からなる回路配
線の付加部分（１７）を描画配線し、特定用途向けのＩ
Ｃチップ１ｂを完成する。
成する。さらに、配線パターンの変更にもフレキシブル
に対応することができるＩＣチップの回路配線方式を提
供する。 【構成】 回路配線のうち共通部分や汎用部分（１５）
のみを有する未完成ないし半完成のＩＣチップ１ａに、
ガスデポジション法を用いて超微粒子膜からなる回路配
線の付加部分（１７）を描画配線し、特定用途向けのＩ
Ｃチップ１ｂを完成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣチップに関する。具
体的にいうと、超微粒子膜による回路配線を備えたＩＣ
チップに関する。
体的にいうと、超微粒子膜による回路配線を備えたＩＣ
チップに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来にあっては、ＩＣチップに回路配線
を形成する場合には、ウエハの表面にＡｌ等の電極材料
を蒸着させた後、Ａｌ蒸着膜の全面にレジストインキを
印刷し、レジストインキの上にフォトマスクを重ねて露
光し、現像することによって所定パターンのレジスト膜
を形成し、このレジスト膜を通してＡｌ蒸着膜をエッチ
ングすることにより所定パターンの回路配線を形成して
いた。
を形成する場合には、ウエハの表面にＡｌ等の電極材料
を蒸着させた後、Ａｌ蒸着膜の全面にレジストインキを
印刷し、レジストインキの上にフォトマスクを重ねて露
光し、現像することによって所定パターンのレジスト膜
を形成し、このレジスト膜を通してＡｌ蒸着膜をエッチ
ングすることにより所定パターンの回路配線を形成して
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来の方
法でＩＣチップに回路配線を形成するためには、フォト
マスクが必要であり、ＩＣチップを受注しても、まずフ
ォトマスクを製作しなければならず、受注から納期まで
の期間が長くならざるを得なかった。
法でＩＣチップに回路配線を形成するためには、フォト
マスクが必要であり、ＩＣチップを受注しても、まずフ
ォトマスクを製作しなければならず、受注から納期まで
の期間が長くならざるを得なかった。
【０００４】また、１つのフォトマスクからは１種類の
ＩＣチップしか製造することができず、回路配線のパタ
ーンが１箇所でも変更になると、フォトマスクを作り直
す必要があり、フレキシブルに回路配線のパターン変更
に対応することができなかった。
ＩＣチップしか製造することができず、回路配線のパタ
ーンが１箇所でも変更になると、フォトマスクを作り直
す必要があり、フレキシブルに回路配線のパターン変更
に対応することができなかった。
【０００５】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、フォトマス
クを用いることなく回路配線を形成することができ、さ
らに、配線パターンの変更にもフレキシブルに対応する
ことができるＩＣチップを提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、フォトマス
クを用いることなく回路配線を形成することができ、さ
らに、配線パターンの変更にもフレキシブルに対応する
ことができるＩＣチップを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による第１のＩＣ
チップは、ガスデポジション法により成膜された導電体
超微粒子膜によって表面に回路配線を形成したことを特
徴としている。
チップは、ガスデポジション法により成膜された導電体
超微粒子膜によって表面に回路配線を形成したことを特
徴としている。
【０００７】また、本発明による第２のＩＣチップは、
未完成ないし半完成の回路配線と、ガスデポジション法
により成膜された導電体超微粒子膜からなる付加回路配
線とによって回路配線を完成させたことを特徴としてい
る。
未完成ないし半完成の回路配線と、ガスデポジション法
により成膜された導電体超微粒子膜からなる付加回路配
線とによって回路配線を完成させたことを特徴としてい
る。
【０００８】
【作用】本発明にあっては、ウエハに超微粒子を吹き付
けるためのノズル等をウエハに対して相対的に移動させ
ることにより所望のパターンの回路配線を形成すること
ができる。したがって、フォトマスクが不要で、エッチ
ングを行なう必要もなく、描画法によってドライ雰囲気
中で所望パターンの回路配線を形成することができる。
けるためのノズル等をウエハに対して相対的に移動させ
ることにより所望のパターンの回路配線を形成すること
ができる。したがって、フォトマスクが不要で、エッチ
ングを行なう必要もなく、描画法によってドライ雰囲気
中で所望パターンの回路配線を形成することができる。
【０００９】また、フォトマスクを作製する必要がな
く、エッチングやエッチング後の洗浄等を行なう必要も
ないので、ＩＣチップの製造期間や納期を短縮すること
ができる。
く、エッチングやエッチング後の洗浄等を行なう必要も
ないので、ＩＣチップの製造期間や納期を短縮すること
ができる。
【００１０】また、汎用性の高い共通部分のみを未完成
ないし半完成の回路配線として形成しておき、用途に応
じて超微粒子膜の回路配線を付加するようにすれば、１
種の未完成ないし半完成回路配線から複数種類の回路配
線を得ることができ、ＩＣチップのカスタム化にも対応
できる。
ないし半完成の回路配線として形成しておき、用途に応
じて超微粒子膜の回路配線を付加するようにすれば、１
種の未完成ないし半完成回路配線から複数種類の回路配
線を得ることができ、ＩＣチップのカスタム化にも対応
できる。
【００１１】さらに、レーザ光を用いた回路配線の溶断
法と組合せれば、容易に回路配線を修正することもでき
る。
法と組合せれば、容易に回路配線を修正することもでき
る。
【００１２】さらに、ウエハの状態に限らず、チップの
状態や基板等に実装された後でも回路配線を形成した
り、修正したり、付加したりできる。
状態や基板等に実装された後でも回路配線を形成した
り、修正したり、付加したりできる。
【００１３】
【実施例】図１は導電体超微粒子膜２を形成するための
超微粒子膜形成装置３を示す概略構成図である。これ
は、ガスデポジション法（第９０回ニューセラミクス懇
話会研究会資料に掲載されている。）を利用して超微粒
子膜２を直接に描画する装置であって、超微粒子生成室
４と膜形成室５を有し、両室４，５は搬送管６によって
結ばれている。また、超微粒子生成室４内と膜形成室５
内は真空ポンプ７によって減圧できるようになってい
る。超微粒子生成室４には流量調整弁８を介してＨｅガ
ス等のガス９が供給されている。この超微粒子生成室４
には、抵抗加熱法を熱源とする蒸発槽１０が設けられて
おり、蒸発槽１０内には超微粒子膜２を形成するための
導電体原料１１が入れられている。一方、膜形成室５内
には、ＩＣチップ１を保持して移動させるためのマニピ
ュレータ１２が設けられており、搬送管６からマニピュ
レータ１２側へ向けてノズル１３が突出している。
超微粒子膜形成装置３を示す概略構成図である。これ
は、ガスデポジション法（第９０回ニューセラミクス懇
話会研究会資料に掲載されている。）を利用して超微粒
子膜２を直接に描画する装置であって、超微粒子生成室
４と膜形成室５を有し、両室４，５は搬送管６によって
結ばれている。また、超微粒子生成室４内と膜形成室５
内は真空ポンプ７によって減圧できるようになってい
る。超微粒子生成室４には流量調整弁８を介してＨｅガ
ス等のガス９が供給されている。この超微粒子生成室４
には、抵抗加熱法を熱源とする蒸発槽１０が設けられて
おり、蒸発槽１０内には超微粒子膜２を形成するための
導電体原料１１が入れられている。一方、膜形成室５内
には、ＩＣチップ１を保持して移動させるためのマニピ
ュレータ１２が設けられており、搬送管６からマニピュ
レータ１２側へ向けてノズル１３が突出している。
【００１４】しかして、ＩＣチップ１をマニピュレータ
１２に保持させ、真空ポンプ７により膜形成室５を減圧
すると共に超微粒子生成室４にガス９を送り込んで加圧
しながら、蒸発槽１０で導電体原料１１を加熱して蒸発
させると、蒸発原子は空中で凝集して超微粒子となり、
超微粒子生成室４と膜形成室５との差圧によりＨｅガス
等のガス９と共に搬送管６を通って膜形成室５へ送ら
れ、ノズル１３から高速でＩＣチップ１の表面へ噴射さ
れ、図２に示すように超微粒子膜２を形成される。この
ときＩＣチップ１を移動させて走査することにより、マ
スクを用いることなく所望パターンの超微粒子膜２を形
成することができる。
１２に保持させ、真空ポンプ７により膜形成室５を減圧
すると共に超微粒子生成室４にガス９を送り込んで加圧
しながら、蒸発槽１０で導電体原料１１を加熱して蒸発
させると、蒸発原子は空中で凝集して超微粒子となり、
超微粒子生成室４と膜形成室５との差圧によりＨｅガス
等のガス９と共に搬送管６を通って膜形成室５へ送ら
れ、ノズル１３から高速でＩＣチップ１の表面へ噴射さ
れ、図２に示すように超微粒子膜２を形成される。この
ときＩＣチップ１を移動させて走査することにより、マ
スクを用いることなく所望パターンの超微粒子膜２を形
成することができる。
【００１５】例えば、マニピュレータ１２によってＩＣ
チップ１を直線的に移動させながら超微粒子膜２を形成
すれば、図３（ａ）に示すように直線状パターンの超微
粒子膜２を形成することができる。この直線状の超微粒
子膜２の幅はノズル１３の先端径によって決まる。ま
た、そのときシャッターによりノズル１３を開閉すれ
ば、図３（ｂ）に示すように断続的な（あるいは、点状
の）パターンの超微粒子膜２を得ることができる。さら
に、マニピュレータ１２によってＩＣチップ１を回転さ
せれば、図３（ｃ）に示すように、環状パターンの超微
粒子膜２を形成することができる。また、ＩＣチップ１
を２次元的に走査させれば、面状の超微粒子膜２を形成
することもできる。
チップ１を直線的に移動させながら超微粒子膜２を形成
すれば、図３（ａ）に示すように直線状パターンの超微
粒子膜２を形成することができる。この直線状の超微粒
子膜２の幅はノズル１３の先端径によって決まる。ま
た、そのときシャッターによりノズル１３を開閉すれ
ば、図３（ｂ）に示すように断続的な（あるいは、点状
の）パターンの超微粒子膜２を得ることができる。さら
に、マニピュレータ１２によってＩＣチップ１を回転さ
せれば、図３（ｃ）に示すように、環状パターンの超微
粒子膜２を形成することができる。また、ＩＣチップ１
を２次元的に走査させれば、面状の超微粒子膜２を形成
することもできる。
【００１６】こうして、ＩＣチップ１の上にガスデポジ
ション法によって超微粒子膜２を形成すれば、マスク等
を用いることなくインラインで超微粒子膜２からなる回
路配線を形成することができ、量産化にも適する。しか
も、回路配線として用いることができる導電体原料１１
の材質の選択範囲も広くなる。また、ＩＣチップ１は加
熱されないので、耐熱性のないＩＣチップや耐熱性の低
いＩＣチップも用いることが可能になる。さらに、超微
粒子生成室４と膜形成室５との差圧、ＩＣチップ１の温
度、超微粒子の温度、噴射速度及び流量等によって超微
粒子膜２の密度や粒径、結晶粒界等を変化させることが
でき、またＩＣチップ１の移動速度や超微粒子の噴射量
や超微粒子膜の重ね塗り等によって超微粒子膜２の膜厚
を変えることができるので、これらをコントロールする
ことにより超微粒子膜２の抵抗値等を調整できる。
ション法によって超微粒子膜２を形成すれば、マスク等
を用いることなくインラインで超微粒子膜２からなる回
路配線を形成することができ、量産化にも適する。しか
も、回路配線として用いることができる導電体原料１１
の材質の選択範囲も広くなる。また、ＩＣチップ１は加
熱されないので、耐熱性のないＩＣチップや耐熱性の低
いＩＣチップも用いることが可能になる。さらに、超微
粒子生成室４と膜形成室５との差圧、ＩＣチップ１の温
度、超微粒子の温度、噴射速度及び流量等によって超微
粒子膜２の密度や粒径、結晶粒界等を変化させることが
でき、またＩＣチップ１の移動速度や超微粒子の噴射量
や超微粒子膜の重ね塗り等によって超微粒子膜２の膜厚
を変えることができるので、これらをコントロールする
ことにより超微粒子膜２の抵抗値等を調整できる。
【００１７】超微粒子膜２を形成するための材質として
は、種々のものを用いることができ、例えば、Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｃｕ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｓｎ，Ａｇ−Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｔ
ａ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｐｂ，Ｉｎ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｓｒ，Ｐ
ｄ，Ｙ，Ｎｂ，Ｌｉ，Ｂａ，Ｃ，Ｂｉ，Ｃａ，その他の
金属及び合金系などを用いることができる。
は、種々のものを用いることができ、例えば、Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｃｕ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｓｎ，Ａｇ−Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｔ
ａ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｐｂ，Ｉｎ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｓｒ，Ｐ
ｄ，Ｙ，Ｎｂ，Ｌｉ，Ｂａ，Ｃ，Ｂｉ，Ｃａ，その他の
金属及び合金系などを用いることができる。
【００１８】また、蒸発槽１０内に沸点温度の等しい金
属の合金を入れておけば、合金の超微粒子膜２を形成す
ることもできる。さらに、超微粒子生成室５内に２つ以
上の蒸発槽１０を設けて異なる金属材料を入れておけ
ば、両金属材料の沸点温度が異なる場合でも、２元系合
金（共晶合金）等の超微粒子膜２を形成できる。例え
ば、このような合金作製法によれば、超微粒子膜２のオ
ーミック接触性を良好にしたり、適当なドーパントを母
材金属に入れたりすることができる。
属の合金を入れておけば、合金の超微粒子膜２を形成す
ることもできる。さらに、超微粒子生成室５内に２つ以
上の蒸発槽１０を設けて異なる金属材料を入れておけ
ば、両金属材料の沸点温度が異なる場合でも、２元系合
金（共晶合金）等の超微粒子膜２を形成できる。例え
ば、このような合金作製法によれば、超微粒子膜２のオ
ーミック接触性を良好にしたり、適当なドーパントを母
材金属に入れたりすることができる。
【００１９】図４は別な超微粒子膜形成装置１４を示す
概略構成図である。これは、２つの超微粒子生成室４
ａ，４ｂと膜形成室５を有し、両超微粒子生成室４ａ，
４ｂと膜形成室５とはそれぞれ搬送管６ａ，６ｂによっ
て結ばれている。各超微粒子生成室４ａ，４ｂには、抵
抗加熱法を熱源とする蒸発槽１０ａ，１０ｂが設けられ
ており、各蒸発槽１０ａ，１０ｂ内には超微粒子膜２を
形成するための異なる原料１１ａ，１１ｂ（少なくとも
一方は導電体原料である。）が入れられている。一方、
膜形成室５内には、ＩＣチップ１を保持し移動させるた
めのマニピュレータ１２が設けられており、隣接して配
置された各搬送管６ａ，６ｂからマニピュレータ１２側
へ向けてそれぞれノズル１３ａ，１３ｂが突出してい
る。
概略構成図である。これは、２つの超微粒子生成室４
ａ，４ｂと膜形成室５を有し、両超微粒子生成室４ａ，
４ｂと膜形成室５とはそれぞれ搬送管６ａ，６ｂによっ
て結ばれている。各超微粒子生成室４ａ，４ｂには、抵
抗加熱法を熱源とする蒸発槽１０ａ，１０ｂが設けられ
ており、各蒸発槽１０ａ，１０ｂ内には超微粒子膜２を
形成するための異なる原料１１ａ，１１ｂ（少なくとも
一方は導電体原料である。）が入れられている。一方、
膜形成室５内には、ＩＣチップ１を保持し移動させるた
めのマニピュレータ１２が設けられており、隣接して配
置された各搬送管６ａ，６ｂからマニピュレータ１２側
へ向けてそれぞれノズル１３ａ，１３ｂが突出してい
る。
【００２０】しかして、マニピュレータ１２によってＩ
Ｃチップ１を移動させながら、第１の原料１１ａからな
る超微粒子をノズル１３ａから高速でＩＣチップ１へ噴
射し、下側超微粒子膜２ａを形成し、第二の原料１１ｂ
からなる超微粒子をノズル１３ｂから噴射して下側超微
粒子膜２ａの上に上側超微粒子膜２ｂを形成する。この
結果、下側超微粒子膜２ａと上側超微粒子膜２ｂとから
なる図５のような傾斜複合組成の超微粒子膜２が得られ
る。
Ｃチップ１を移動させながら、第１の原料１１ａからな
る超微粒子をノズル１３ａから高速でＩＣチップ１へ噴
射し、下側超微粒子膜２ａを形成し、第二の原料１１ｂ
からなる超微粒子をノズル１３ｂから噴射して下側超微
粒子膜２ａの上に上側超微粒子膜２ｂを形成する。この
結果、下側超微粒子膜２ａと上側超微粒子膜２ｂとから
なる図５のような傾斜複合組成の超微粒子膜２が得られ
る。
【００２１】したがって、上記のような装置を用いてガ
スデポジション法により超微粒子膜からなる回路配線を
形成すれば、マスクを用いることなく描画法によりドラ
イ雰囲気中でＩＣチップ１に回路配線を形成することが
できる。また、ＩＣチップ１の回路配線は、ガスデポジ
ション法による超微粒子膜で全体を形成してもよく、一
部をガスデポジション法による超微粒子膜としてもよ
く、カスタムＩＣ等に適している。そこで、以下に具体
的な回路配線の構成について説明する。
スデポジション法により超微粒子膜からなる回路配線を
形成すれば、マスクを用いることなく描画法によりドラ
イ雰囲気中でＩＣチップ１に回路配線を形成することが
できる。また、ＩＣチップ１の回路配線は、ガスデポジ
ション法による超微粒子膜で全体を形成してもよく、一
部をガスデポジション法による超微粒子膜としてもよ
く、カスタムＩＣ等に適している。そこで、以下に具体
的な回路配線の構成について説明する。
【００２２】図６（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例によ
る半完成品のＩＣチップ（カスタムＩＣチップ）１ａ及
び完成品のＩＣチップ１ｂを示す平面図である。半完成
品のＩＣチップ１ａは、所定の半導体構造を完成された
ウエハの表面に回路配線のうち共通部分の回路配線１５
のみを設け、その上にパッシベーション膜１６を形成し
たものである。この共通部分の（半完成）回路配線１５
は、ウエハの表面にＡｌ等の電極用金属材料を蒸着さ
せ、これをエッチングすることによって形成されたもの
であって、後から用途に応じて必要な配線を施すことが
できるよう配線パッド１５ａをパッシベーション膜１６
から露出させられている。
る半完成品のＩＣチップ（カスタムＩＣチップ）１ａ及
び完成品のＩＣチップ１ｂを示す平面図である。半完成
品のＩＣチップ１ａは、所定の半導体構造を完成された
ウエハの表面に回路配線のうち共通部分の回路配線１５
のみを設け、その上にパッシベーション膜１６を形成し
たものである。この共通部分の（半完成）回路配線１５
は、ウエハの表面にＡｌ等の電極用金属材料を蒸着さ
せ、これをエッチングすることによって形成されたもの
であって、後から用途に応じて必要な配線を施すことが
できるよう配線パッド１５ａをパッシベーション膜１６
から露出させられている。
【００２３】しかして、半完成品（汎用品）のＩＣチッ
プ１ａを特定用途向けの完成品とするには、出荷時や組
み立て時等に、上記超微粒子膜形成装置を用いてガスデ
ポジション法により接続の必要のある配線パッド１５ａ
間に超微粒子膜からなる回路配線１７を図６（ｂ）のよ
うに対角状に描画配線し、ＩＣチップ１ｂ及びその回路
配線を完成する。
プ１ａを特定用途向けの完成品とするには、出荷時や組
み立て時等に、上記超微粒子膜形成装置を用いてガスデ
ポジション法により接続の必要のある配線パッド１５ａ
間に超微粒子膜からなる回路配線１７を図６（ｂ）のよ
うに対角状に描画配線し、ＩＣチップ１ｂ及びその回路
配線を完成する。
【００２４】また、用途が異なる場合には、その用途に
応じて、例えば図７（ａ）に示すように対向している各
配線パッド１５ａ同志を超微粒子膜の回路配線１７で接
続したり、図７（ｂ）に示すように配線パッド１５ａに
直列に回路配線１７を配線したり、図７（ｃ）に示すよ
うに配線したりして、異なる用途向けのＩＣチップ１ｂ
を製作することができる。なお、ガスデポジション法に
よって超微粒子膜からなる回路配線１７を付加すること
に加え、レーザ光によって半完成品のＩＣチップ１ａの
回路配線を断線させれば、より多種のＩＣチップを製作
することができる。
応じて、例えば図７（ａ）に示すように対向している各
配線パッド１５ａ同志を超微粒子膜の回路配線１７で接
続したり、図７（ｂ）に示すように配線パッド１５ａに
直列に回路配線１７を配線したり、図７（ｃ）に示すよ
うに配線したりして、異なる用途向けのＩＣチップ１ｂ
を製作することができる。なお、ガスデポジション法に
よって超微粒子膜からなる回路配線１７を付加すること
に加え、レーザ光によって半完成品のＩＣチップ１ａの
回路配線を断線させれば、より多種のＩＣチップを製作
することができる。
【００２５】図８（ａ）は本発明の別な実施例による半
完成品のＩＣチップ１ａの回路配線１５の別なパターン
であって、必要に応じて接続される回路配線１５の端部
同志を接近させて対向させてある。したがって、この回
路配線１５同志を接続する必要がある場合には、図８
（ｂ）に示すように、ガスデポジション法により超微粒
子膜による回路配線１７を点状に形成して配線パッド１
５ａ同志を電気的に接続するだけでよく、回路配線１７
の描画効率が向上する。また、回路配線１７の露出長な
いし露出面積が小さくなるので、ＩＣチップ１ｂの信頼
性が損われにくい。
完成品のＩＣチップ１ａの回路配線１５の別なパターン
であって、必要に応じて接続される回路配線１５の端部
同志を接近させて対向させてある。したがって、この回
路配線１５同志を接続する必要がある場合には、図８
（ｂ）に示すように、ガスデポジション法により超微粒
子膜による回路配線１７を点状に形成して配線パッド１
５ａ同志を電気的に接続するだけでよく、回路配線１７
の描画効率が向上する。また、回路配線１７の露出長な
いし露出面積が小さくなるので、ＩＣチップ１ｂの信頼
性が損われにくい。
【００２６】図９（ａ）（ｂ）は本発明のさらに別な実
施例によるＩＣチップの回路配線方法を示している。図
９（ａ）に示すものは、ＣＰＵ（マイクロプロセッサ）
１８やメモリ１９等のスタンダードセルを未配線で設け
られた未完成品のＩＣチップ１ａであって、このＩＣチ
ップ１ａは、図９（ｂ）に示すように、用途に応じてＣ
ＰＵ１８の電極とメモリ１９の電極間をガスデポジショ
ン法によって超微粒子膜からなる回路配線１７で結び、
ユーザの要求する仕様に合わせた特定用途向けのＩＣチ
ップ１ｂを製作される。
施例によるＩＣチップの回路配線方法を示している。図
９（ａ）に示すものは、ＣＰＵ（マイクロプロセッサ）
１８やメモリ１９等のスタンダードセルを未配線で設け
られた未完成品のＩＣチップ１ａであって、このＩＣチ
ップ１ａは、図９（ｂ）に示すように、用途に応じてＣ
ＰＵ１８の電極とメモリ１９の電極間をガスデポジショ
ン法によって超微粒子膜からなる回路配線１７で結び、
ユーザの要求する仕様に合わせた特定用途向けのＩＣチ
ップ１ｂを製作される。
【００２７】図１０（ａ）（ｂ）は本発明のさらに別な
実施例によるＩＣチップのさらに別な回路配線方法を示
す。図１０（ａ）は図９（ａ）のＩＣチップ１ａを基板
２０の上に実装し、ＩＣチップ１ａと基板２０の間をワ
イヤー２１でボンディングした状態を示している。この
ＩＣチップ１ａの回路配線は、基板２０への実装後にも
可能であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のようにＩ
Ｃチップ１ａを基板２０に実装した状態でガスデポジシ
ョン法によりＣＰＵ１８とメモリ１９との間に超微粒子
膜からなる回路配線１７を施した状態を示している。
実施例によるＩＣチップのさらに別な回路配線方法を示
す。図１０（ａ）は図９（ａ）のＩＣチップ１ａを基板
２０の上に実装し、ＩＣチップ１ａと基板２０の間をワ
イヤー２１でボンディングした状態を示している。この
ＩＣチップ１ａの回路配線は、基板２０への実装後にも
可能であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のようにＩ
Ｃチップ１ａを基板２０に実装した状態でガスデポジシ
ョン法によりＣＰＵ１８とメモリ１９との間に超微粒子
膜からなる回路配線１７を施した状態を示している。
【００２８】図１１は本発明のさらに別な実施例による
ＩＣチップ１ｂを示す断面図である。この実施例にあっ
ては、ウエハ２２の上にガスデポジション法により超微
粒子膜からなる回路配線１７ａ，１７ｂを形成した後、
この回路配線の上にガスデポジション法によってパッシ
ベーション膜２３を形成し、ＩＣチップ１ｂの耐湿性及
び耐マイグレーション特性を向上させてもいる。また、
回路配線１７ａ，１７ｂをパッシベーション膜２３によ
って覆うことにより、回路配線１７ａ，１７ｂを交差さ
せてクロスオーバ配線している。
ＩＣチップ１ｂを示す断面図である。この実施例にあっ
ては、ウエハ２２の上にガスデポジション法により超微
粒子膜からなる回路配線１７ａ，１７ｂを形成した後、
この回路配線の上にガスデポジション法によってパッシ
ベーション膜２３を形成し、ＩＣチップ１ｂの耐湿性及
び耐マイグレーション特性を向上させてもいる。また、
回路配線１７ａ，１７ｂをパッシベーション膜２３によ
って覆うことにより、回路配線１７ａ，１７ｂを交差さ
せてクロスオーバ配線している。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、超微粒子流またはＩＣ
チップを走査させることにより所望のパターンの超微粒
子膜を得ることができ、フォトマスク等を用いることな
くドライ法によって簡単な工程で回路配線を形成するこ
とができる。したがって、ＩＣチップの製造期間や納期
を短縮することができる。
チップを走査させることにより所望のパターンの超微粒
子膜を得ることができ、フォトマスク等を用いることな
くドライ法によって簡単な工程で回路配線を形成するこ
とができる。したがって、ＩＣチップの製造期間や納期
を短縮することができる。
【００３０】しかも、ガスデポジション法によれば超微
粒子膜の材質も限定されず、配線用材料の選択の幅も広
くなる。また、ＩＣチップに熱ストレスを与える恐れも
少なくなる。
粒子膜の材質も限定されず、配線用材料の選択の幅も広
くなる。また、ＩＣチップに熱ストレスを与える恐れも
少なくなる。
【００３１】また、汎用性の高い共通部分のみを未完成
の回路配線として形成しておき、用途に応じて超微粒子
膜の回路配線を付加するようにすれば、１種の未完成回
路配線から複数種類の回路配線を得ることができ、ＩＣ
チップのカスタム化にも対応できる。
の回路配線として形成しておき、用途に応じて超微粒子
膜の回路配線を付加するようにすれば、１種の未完成回
路配線から複数種類の回路配線を得ることができ、ＩＣ
チップのカスタム化にも対応できる。
【００３２】さらに、ウエハの状態に限らず、チップの
状態や基板等に実装された後でも回路配線を形成した
り、修正したり、付加したりできる。
状態や基板等に実装された後でも回路配線を形成した
り、修正したり、付加したりできる。
【図１】本発明の一実施例にかかる超微粒子膜形成装置
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図２】同上の装置によってＩＣチップの上に形成され
た超微粒子膜を示す一部破断した正面図である。
た超微粒子膜を示す一部破断した正面図である。
【図３】（ａ）（ｂ）（ｃ）は上記超微粒子膜形成装置
によって形成される超微粒子膜のパターンの数例を示す
図である。
によって形成される超微粒子膜のパターンの数例を示す
図である。
【図４】本発明の別な実施例にかかる超微粒子膜形成装
置を示す概略構成図である。
置を示す概略構成図である。
【図５】同上の装置によってＩＣチップの上に形成され
た超微粒子膜を示す一部破断した正面図である。
た超微粒子膜を示す一部破断した正面図である。
【図６】本発明の一実施例であって、（ａ）は半完成品
のＩＣチップを示す平面図、（ｂ）は完成品のＩＣチッ
プを示す平面図である。
のＩＣチップを示す平面図、（ｂ）は完成品のＩＣチッ
プを示す平面図である。
【図７】（ａ）（ｂ）（ｃ）は同上の別な配線例を示す
平面図である。
平面図である。
【図８】本発明の別な実施例であって、（ａ）は半完成
品のＩＣチップの回路配線を示す平面図、（ｂ）は完成
品のＩＣチップの回路配線を示す平面図である。
品のＩＣチップの回路配線を示す平面図、（ｂ）は完成
品のＩＣチップの回路配線を示す平面図である。
【図９】本発明のさらに別な実施例であって、（ａ）は
未完成品のＩＣチップを示す平面図、（ｂ）は完成品の
ＩＣチップの回路配線を示す平面図である。
未完成品のＩＣチップを示す平面図、（ｂ）は完成品の
ＩＣチップの回路配線を示す平面図である。
【図１０】本発明のさらに別な実施例であって、（ａ）
は基板に実装された未完成品のＩＣチップを示す斜視
図、（ｂ）は基板に実装された完成品のＩＣチップを示
す斜視図である。
は基板に実装された未完成品のＩＣチップを示す斜視
図、（ｂ）は基板に実装された完成品のＩＣチップを示
す斜視図である。
【図１１】本発明のさらに別な実施例を示す断面図であ
る。
る。
１ａ，１ｂ ＩＣチップ １５ 回路配線 １７，１７ａ，１７ｂ 超微粒子膜からなる回路配線
Claims (2)
- 【請求項１】 ガスデポジション法により成膜された導
電体超微粒子膜によって表面に回路配線を形成したＩＣ
チップ。 - 【請求項２】 未完成ないし半完成の回路配線と、ガス
デポジション法により成膜された導電体超微粒子膜から
なる付加回路配線とによって回路配線を完成させたＩＣ
チップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32527091A JPH05136128A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | Ｉｃチツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32527091A JPH05136128A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | Ｉｃチツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136128A true JPH05136128A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=18174939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32527091A Pending JPH05136128A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | Ｉｃチツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136128A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746868A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
| US6803075B2 (en) | 2002-04-23 | 2004-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method employing plurality of particles and pressure differentials to deposit film |
| JP2014039056A (ja) * | 2013-10-09 | 2014-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP32527091A patent/JPH05136128A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746868A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
| US5976393A (en) * | 1994-07-21 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
| US6803075B2 (en) | 2002-04-23 | 2004-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method employing plurality of particles and pressure differentials to deposit film |
| JP2014039056A (ja) * | 2013-10-09 | 2014-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5892287A (en) | Semiconductor device including stacked chips having metal patterned on circuit surface and on edge side of chip | |
| CN109385618A (zh) | 用于在反应室内分配气体的淋喷头组件和用于控制所利用的淋喷头组件的温度均匀度的方法 | |
| US7721423B2 (en) | Method of manufacturing alloy circuit board | |
| EP0147576B1 (en) | Process for forming elongated solder connections between a semiconductor device and a supporting substrate | |
| US6076723A (en) | Metal jet deposition system | |
| US20040232109A1 (en) | Mask unit and film deposition apparatus using the same | |
| US6331681B1 (en) | Electrical connection device for forming and semiconductor device having metal bump electrical connection | |
| JP2024012570A (ja) | センサ素子及びセンサ素子を製造する方法 | |
| US6069026A (en) | Semiconductor device and method of fabrication | |
| JPH05136128A (ja) | Ｉｃチツプ | |
| US4685030A (en) | Surface mounted circuits including hybrid circuits, having CVD interconnects, and method of preparing the circuits | |
| JPH1131577A (ja) | 薄膜型発熱ヒーター及びその製造方法 | |
| US3768986A (en) | Laminated lead frame and method of producing same | |
| JPH0548235A (ja) | 回路基板 | |
| US6338973B1 (en) | Semiconductor device and method of fabrication | |
| US6372623B1 (en) | Semiconductor device and method of fabrication | |
| CN1983495B (zh) | 制备薄膜的方法和制造电子发射器件的方法 | |
| JPH05132756A (ja) | メツキ被膜形成方法 | |
| US6432207B1 (en) | Method and structure for baking a wafer | |
| JP2023519499A (ja) | 温度センサアセンブリ及び温度センサアセンブリを製造する方法 | |
| US3066053A (en) | Method for producing semiconductor devices | |
| JP2001297977A (ja) | 急速加熱・冷却板 | |
| KR101993425B1 (ko) | 반도체 제조에 사용되는 면상 발열체 및 이의 제조방법 | |
| JP3463790B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH0637209A (ja) | 半導体装置 |