JPH046197A - シリコン単結晶引上げ用黒鉛るつぼ - Google Patents
シリコン単結晶引上げ用黒鉛るつぼInfo
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
しくは、チョクラルスキー法(以下、02法という)に
よるシリコンtsi)引上げ用゛黒鉛るつぼの寿命延長
等の効果を有するSi単結晶引上げ用黒鉛るつぼに係る
。
般的に用いられている。このCZ法は石英るつぼを黒鉛
発熱体で囲んだ黒鉛るつぼ内に収容し、これを雰囲気が
不活性ガスである収納ケース中に設置した装置を用いる
方法である。
い大型サイズのものが製造されるようになったが、その
製造装置の一部である黒鉛るつぼも大型化したものが用
いられると共に、その材料もaili密度、高強度のも
のが用いられるようになった。
が大きくなり割損が発生する確寧が高く、また、その寿
命が短くなるため、その寿命延長する口とが求められて
いる。このような問題の解決方法としては例えば黒鉛る
つぼを複数個に分割すること、また、特開昭58−19
0892号公報に記載の如く、黒鉛るつぼの外周面およ
び、!または内周面に切り馬を設けることが提案されて
いる。
する利点がある。
いる。すなわち、 (1)黒鉛るつぼは大型化するために高密度、高強度量
となり、外壁表面の仕上げ加工面が良好であるため、か
えって黒鉛るつぼの外壁表面にシリコン滴が早いFJ8
期に発生し成長すること、 (2)成長した81滴が垂れ落ち、るつぼ分割合せ面や
黒鉛るつぼとその受は皿との間隙に浸入すること、 (3)この浸入したSlは黒鉛るつぼがその受は皿の黒
鉛と反応してSiCを生成し、それぞれの寸法を変える
こと、 (4)使用毎に以上の現象が繰返し行なわれ、5iCl
iが増加するために、黒鉛るつぼの分割合せ面や黒鉛る
つぼと受は皿の間に形成される゛ひらき°°が大きくな
ったり、また、黒鉛の酸化消耗によるーくわれパを助長
し使用ができな(なるいわゆるライフエンドとなること
、という問題があった。
度、高強度黒鉛るつぼの外壁表面の濡れやすさを表面粗
さで補い、黒鉛るつぼの寿命延長効果を有するシリコン
単結晶引上げ用黒鉛るつぼを提案することを目的とする
。
溝状凹凸を円周方向に指向させて設けたことを特徴とす
る。
図面に従い詳しく説明すると、次の通りである。
の黒鉛るつぼの一つの実施例を示し、(alは縦断面図
、(blはその側壁部の一部拡大断面図であり、第2図
(al、(b)ならびにfclはそれぞれ本発明の実施
例と比較例の黒鉛るつぼの側壁部の外壁に51屑の付着
状態を示し、ta)は比較例、(blならびにIcIは
それぞれ実施例の一例の一部拡大縦断面図であり、第3
図(a)、tb+ならびに(C1はそれぞれ第2図(a
l、(blならびにtc)の正面図であり、第4図(a
l、(b)ならびに(C1はそれぞれ第2図(al、(
blならびにtc)の時間経過後の状態を示す一部拡大
縦断面図であり、第5図(a)、tb〕ならびにtel
はそれぞれ第4図tal、tillならびに(C1の正
面図であり、第6図は従来例の黒鉛るつぼを示す斜視図
である。
bは内壁、4は81滴を示す。
つほは黒鉛るつは本体1と、このるつぼ本体1の下部に
接するように受は皿2とを設けたものから構成されてい
る。この黒鉛るつぼ本体1の側壁外周面は、第6図の従
来例のように切り′l/46を形成させたものではなく
、黒鉛るつぼ本体1の外’IJ3aの外周面全面に横溝
状の凹凸を形成仕上げ加工する一方、内13bの内周面
は従来例とほぼ同様の仕上げ加工をしたものである。
旋盤のバイト加工によりるつぼ上面に対し垂直方向に横
渦状の凹凸が形成されるようにネジ切削と同様に行なえ
ばよいが、この場合の外壁3aの横渦状の凹凸の深さは
JIS B 0601に規定された表面粗さRIlaX
50〜150μI、好ましくは100〜150μ麟、ま
た、内13bの内周面の表面粗さはRmax25〜30
μmとする。
に<<、いわゆる81発生遅れとなること、また、凝集
し成長して出来たSl滴は、横渦状の凹面にキャッチさ
れかつ拡がるため下方に垂れに(くなり、いわゆるダム
効果を与えるようになる。
し高密度、高強度量となるように構成すると、微粒配合
である高密度、高強度黒鉛製品でありながら、表面を粗
くすることにより、罵れに(いという粗粒配合の良さを
兼ね備えることができるという効果がある。この微粒配
合する場合の微粒としては例えば水銀ポロシメータによ
り測定した黒鉛の開口部のみの平均気孔率が3μ霞以下
程度のものが好ましく用いられる。
するるつぼ、その他従来から用いられているどのような
形状のるつぼであっても、本発明の黒鉛るつぼ側壁の外
周面全面を横溝状の凹凸を円周方向に指向させて形成さ
せれば上記のようなすぐれた効果を有する黒鉛るつぼが
得られる。
度黒鉛るつぼの側壁の外周面全面を横溝状凹凸を円周方
向に指向させて形成するようにネジ切りと同様のバイト
深さで旋盤により第1表に示すように仕上げ加工した。
造装置によってシリコン単結晶を繰返し製造した。比較
のために黒鉛るつばを第1表に示す外壁外周面のものを
用いた以外は実施例と同様なものを用いた。これらの条
件ならひにその結果を第1表に示した。
さメタにて測定する方法によった。
、第3図falに示すように外壁の外周面仕上げ加工面
がRmax20μmとしたため、蒸着したS+はすぐ垂
れる状態となり、第4図+alならひに第5図(alに
示す如く、時間経過とともに下方に垂れ下り、その使用
回数は18バツチであった。
(b)ならびに第3図(b)に示すように外壁面の横溝
状凹凸の深さがR■a×50μ園と比較例のものに比べ
て粗いため、Si滴の発生が遅く、また、蒸着した81
滴が第4図(b)ならびに第5図+b)に示すように時
間経過とともに外周面全面に沿って形成された横溝状凹
面に拡がって下方に垂れにくくなり、その繰返し使用回
数は20バツチであった。実施例2の黒鉛るつぼを用い
たものは第2図tclならびに第3図(C)に示すよう
に外壁面の横溝状凹凸の深さがRw+ax100μmと
粗いため、実施例1のものを用いたものに比べSiJの
発生が遅(、また、蒸着したSi屑が時間経過とともに
第4図telならびに第5図telに示すように横溝状
凹面に拡がり下方に垂れにくくダム状態となり、その繰
返し使用回数は25バツチであった。
の外周面全面に横溝状凹凸を円周方向に指向させて設け
たことを特徴とする。
凸を円周方向に指向させて設けたため、これをC7法S
1単結晶製造装置の81単結晶の引上げに用いると、蒸
着したSiの凝集がしにく(なり、81屑の発生成長を
遅らせ、また、凝集成長して出来たSi摘が表面に形成
された横溝状凹面にキャッチされて拡がり、下方に垂れ
落ちるのを防止でき、黒鉛るつぼの寿命が従来例の方法
に比べて著しく優れたものである。また、黒鉛るつぼの
側壁外周面の横溝状凹凸は旋盤のバイト加工により簡単
に行なうことができるという効果を有する。
つぼの一つの実施例を示し、ta+はWi断面図、tb
)はその側壁部の一部拡大断面図、第2図ial、fb
lならびにtelはそれぞれ本発明の実施例と比較例の
黒鉛るつぼの側壁部の外壁に5iW4の付着状態を示し
、+alは比較例、fblならびに+C1はそれぞれ実
施例の一例の一部拡大縦断面図、第3図(a)、Fbl
ならびにtc+はそれぞれ第2図tal、(blならび
に(C1の正面図、第4図fat、tblならびに(C
1はそれぞれ第2図(aJ、(b)ならひにtC)の時
間経過後の状態を示す一部拡大縦断面図、第5図(al
、(blならびにt、C1はそれぞれ第4図tal、F
blならびにtc+の正面図、第6図は従来例の黒鉛る
つぼを示す斜視図である。 符号1・・・・・・黒鉛るつぼ本体 2・・・・・・受は皿 3a・・・・・・外壁3
b・・・・・・内!14・・・・・・Si滴特許出願人
日本カーボン株式会社 代 理 人 弁理士 松 下 l! 勝
弁護士 副 島 文 雄 第4図 (&、) (C) (しン (Q) (L) 第3図 81!6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)黒鉛るつぼ側壁の外周面全面に横溝状凹凸を円周方
向に指向させて設けたことを特徴とするシリコン単結晶
引上げ用黒鉛るつぼ。 2)前記横溝状凹凸の深さがJISB0601で規定さ
れるRmax50〜150μmである請求項1記載のシ
リコン単結晶引上げ用黒鉛るつぼ。 3)前記横溝状凹凸の深さがJISB0601で規定さ
れるRmax100〜150μmである請求項1記載の
シリコン単結晶引上げ用黒鉛るつぼ。
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---|---|---|---|---|
JPS58140392A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-20 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | シリコン単結晶引上方法およびその装置 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2104697A patent/JP2742534B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2742534B2 (ja) | 1998-04-22 |
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