JPH04372150A - Wafer sealing ring attaching/detaching device - Google Patents
Wafer sealing ring attaching/detaching deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に関するもので、特にウェーハ表面処理工程において、
ウェーハ外周縁を処理しないようにするため外周縁をマ
スクするウェーハシールリングを、被処理ウェーハに、
着脱するために使用する装置である。[Industrial Field of Application] The present invention relates to an apparatus for manufacturing semiconductor devices, and particularly in a wafer surface treatment process.
In order to prevent the outer periphery of the wafer from being processed, a wafer seal ring that masks the outer periphery of the wafer is attached to the wafer to be processed.
This is a device used for attaching and detaching.
【０００２】0002
【従来の技術】ウェーハ表面処理工程のうち、例えば液
相成長法による酸化膜形成等においては、ウェーハ外周
縁に酸化膜を堆積したくない場合がある。このようにウ
ェーハ表面処理工程で、ウェーハの外周縁を処理しない
ようにする場合には、従来技術では例えば図６に示すウ
ェーハシールリング１が使用される。2. Description of the Related Art Among wafer surface treatment processes, for example, in forming an oxide film by liquid phase growth, it is sometimes desirable not to deposit an oxide film on the outer periphery of the wafer. In this way, when the outer peripheral edge of the wafer is not to be treated in the wafer surface treatment process, in the prior art, for example, a wafer seal ring 1 shown in FIG. 6 is used.
【０００３】同図（ａ）は従来のウェーハシールリング
１の平面図、同図（ｂ）は断面図である。該リング１は
、ゴム製の円形のリング本体１ａと、内周壁に設けられ
た円環状の溝１ｂとからなる。ウェーハ表面処理に際し
ては、被処理ウェーハの外周縁を、ウェーハシールリン
グ１の環状溝１ｂ内に嵌め込み、ウェーハ外周縁をシー
ルした状態で、例えば処理液等に浸漬して、ウェーハ表
面処理が行なわれる。FIG. 1A is a plan view of a conventional wafer seal ring 1, and FIG. 1B is a cross-sectional view. The ring 1 consists of a circular ring body 1a made of rubber and an annular groove 1b provided in the inner peripheral wall. During wafer surface treatment, the outer periphery of the wafer to be processed is fitted into the annular groove 1b of the wafer seal ring 1, and with the wafer outer periphery sealed, the wafer is immersed in, for example, a processing solution, and the wafer surface treatment is performed. .
【０００４】しかしながら従来技術では、ウェーハシー
ルリングの内周壁の溝にウェーハを着脱するのに、人間
の手作業によりこれを行なっている。このため内周壁の
溝にウェーハを嵌め込むには、人間の手によってリング
の全周を引っ張って内径Ｄをウェーハの外径より大きく
拡げて嵌め込まなければならない。しかし引っ張られる
ことによって溝の開口幅Ｗ（図６（ｂ）参照）を閉じて
しまうので、溝も拡げないとウェーハを容易には、嵌め
込めない。人間が手によって行なうとすると、リングを
拡げながら溝も拡げるのは手間がかかる上、人間の手で
長い時間、ウェーハを取り扱っていると、ウェーハが汚
れるおそれがある。However, in the prior art, the wafer is manually attached to and removed from the groove in the inner circumferential wall of the wafer seal ring. Therefore, in order to fit the wafer into the groove of the inner circumferential wall, it is necessary to manually pull the entire circumference of the ring to make the inner diameter D larger than the outer diameter of the wafer. However, since the opening width W of the groove (see FIG. 6(b)) is closed by the pulling, the wafer cannot be easily fitted unless the groove is also widened. If a person were to do this by hand, it would be time-consuming to widen the groove while expanding the ring, and if the wafer is handled by hand for a long time, there is a risk that the wafer will get dirty.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ウェー
ハ表面処理工程で、ウェーハの外周縁を処理しないよう
にするためには、外周縁をシール（またはマスク）する
ウェーハシールリングをウェーハに着脱する必要がある
。従来この作業は、人間の手作業により行なわれている
ので作業に手間がかかり、かつウェーハを汚染するおそ
れがある。[Problems to be Solved by the Invention] As mentioned above, in order to avoid processing the outer periphery of the wafer in the wafer surface treatment process, it is necessary to attach and detach a wafer seal ring that seals (or masks) the outer periphery to the wafer. There is a need to. Conventionally, this work has been done manually, which is time-consuming and may contaminate the wafer.
【０００６】本発明の目的は、ウェーハにウェーハシー
ルリングを着脱する作業において、人手作業をできるだ
け減少し、ほぼ自動で簡単にかつ素早く着脱でき、また
ウェーハを汚染するおそれが少ないウェーハシールリン
グの着脱装置を提供することである。It is an object of the present invention to reduce manual labor as much as possible in the work of attaching and detaching a wafer seal ring to and from a wafer, to allow attachment and detachment of the wafer seal ring almost automatically, easily and quickly, and to attach and detach the wafer seal ring with less risk of contaminating the wafer. The purpose is to provide equipment.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハシール
リング着脱装置は、（ａ）ゴム製のリングから成り、該
リングの内周壁の全周にわたり掘られた半導体ウェーハ
の外周縁を挟みかつシールするための環状溝と、該リン
グに埋設または付設され、前記溝の開口幅を温度変化に
より増減させる構造物、例えばＵ字型形状記憶合金ワイ
ヤ１２（図３ないし図５参照）と、該リングに埋設また
は付設され該リングの内径を温度変化により前記ウェー
ハの外径より大きくしたり小さくしたりすることのでき
る構造物、例えばギャザー状形状記憶合金リングワイヤ
１３（図３ないし図５参照）とを有するウェーハシール
リングを、前記半導体ウェーハに着脱する装置であって
、（ｂ）ウェーハシールリングを載置する面と、該リン
グの温度を変化して前記溝の開口幅及び該リング内径を
増減する温度調節手段と、ウェーハ載置台が通過できる
中空部とを有する環状の温度調節板（例えば図１の符号
２５）と、（ｃ）ウェーハシールリングを装着または非
装着のウェーハを載置するウェーハ外径より小さい外径
のウェーハ載置台（例えば図１の符号２６）と、前記温
度調節板の中空部を通過して上下動する昇降機構（例え
ば図１の符号２７）とを有するエレベータ（例えば図１
の符号２８）と、（ｄ）前記温度調節板上に載置された
前記ウェーハシールリングを上部より覆うシールリング
ガイド（例えば図１の符号２９）とを、具備することを
特徴とするウェーハシールリング着脱装置である。[Means for Solving the Problems] The wafer seal ring attaching/detaching device of the present invention comprises (a) a rubber ring, which pinches the outer circumferential edge of a semiconductor wafer dug all around the inner circumferential wall of the ring, and seals the ring. a structure embedded in or attached to the ring to increase or decrease the opening width of the groove according to temperature changes, such as a U-shaped shape memory alloy wire 12 (see FIGS. 3 to 5), and the ring. A structure embedded in or attached to the wafer that allows the inner diameter of the ring to be made larger or smaller than the outer diameter of the wafer due to temperature changes, such as the gathered shape memory alloy ring wire 13 (see FIGS. 3 to 5). (b) changing the surface on which the wafer seal ring is placed and the temperature of the ring to increase or decrease the opening width of the groove and the inner diameter of the ring; (c) a wafer on which a wafer with or without a wafer seal ring is placed; An elevator (for example, Figure 1
28); and (d) a seal ring guide (for example, 29 in FIG. 1) that covers the wafer seal ring placed on the temperature control plate from above. This is a ring attachment/detachment device.
【０００８】[0008]
【作用】上記ウェーハシールリングは、例えば形状記憶
合金ワイヤから成る構造物を埋設または付設しているの
で、加熱・冷却で２つの異なる第１及び第２の形状を繰
り返して持たせることができる。すなわち本発明におけ
るウェーハシールリングの第１の形状は、該リング内径
がウェーハ外径より大きく、該リング内周壁の溝の開口
幅がウェーハ外周縁を容易に挿入できる幅を持ち、該リ
ングをウェーハに着脱する作業時に必要とする形状であ
る。ウェーハシールリングの第２の形状は、該リング内
径がウェーハ外径より小さく、該リング内周壁の溝の開
口幅がウェーハ外周縁と溝とが密着する幅を持ち、該リ
ングの着脱作業以外の時に必要とする形状である。[Operation] Since the wafer seal ring has a structure made of, for example, a shape memory alloy wire embedded therein or attached thereto, it can be repeatedly given two different first and second shapes by heating and cooling. That is, the first shape of the wafer seal ring in the present invention is such that the inner diameter of the ring is larger than the outer diameter of the wafer, and the opening width of the groove in the inner peripheral wall of the ring is wide enough to easily insert the outer peripheral edge of the wafer. This is the shape required when attaching and detaching the product. The second shape of the wafer seal ring is such that the inner diameter of the ring is smaller than the outer diameter of the wafer, the opening width of the groove in the inner circumferential wall of the ring is such that the outer circumferential edge of the wafer and the groove are in close contact with each other, and operations other than attachment and detachment of the ring are possible. This is the shape you need at times.
【０００９】上記（ｂ）記載の環状の温度調節板は、載
置された上記ウェーハシールリングの温度を変化し、該
リングをウェーハに着脱する都度、該リングの形状を第
１の形状または第２の形状にする作用を持つ。The annular temperature control plate described in (b) above changes the temperature of the wafer seal ring placed thereon, and changes the shape of the ring to the first shape or the first shape each time the ring is attached to or removed from the wafer. It has the effect of forming the shape of 2.
【００１０】上記（ｃ）記載のエレベータの載置台にお
いては、ウェーハ外周縁を載置台から外方に突出させて
、ウェーハシールリングの着脱操作を載置台が妨げない
ようにするため、載置台の外径は、搭載するウェーハの
外径より十分小さくする。エレベータの昇降機構は、ウ
ェーハシールリングの着脱操作時に、該リング内周壁の
環状溝とウェーハ載置台より外方に突出するウェーハ外
周縁とが、該リングの形状変化により、対向する位置ま
たは溝にウェーハが挟まる位置すなわちシールリングを
着脱する位置にウェーハを配置する作用と、ウェーハを
載置台にロード・アンロードする位置に昇降する動作を
行なう。[0010] In the elevator platform described in (c) above, the outer peripheral edge of the wafer protrudes outward from the platform so that the platform does not interfere with the attachment/detachment operation of the wafer seal ring. The outer diameter is made sufficiently smaller than the outer diameter of the wafer to be mounted. The lift mechanism of the elevator is such that when the wafer seal ring is attached or removed, the annular groove on the inner circumferential wall of the ring and the outer circumferential edge of the wafer protruding outward from the wafer mounting table move to opposing positions or grooves due to a change in the shape of the ring. The wafer is placed in a position where the wafer is sandwiched, that is, the seal ring is attached and removed, and the wafer is moved up and down to a position where the wafer is loaded onto and unloaded from the mounting table.
【００１１】上記（ｄ）記載のシールリングガイドは、
温度調節板面に載置されたウェーハシールリングの中心
位置が、温度変化により該リングが変形しても、ずれな
いようにガイドする作用を持つ。The seal ring guide described in (d) above has the following features:
The center position of the wafer seal ring placed on the surface of the temperature control plate has the effect of guiding the ring so that it does not shift even if the ring is deformed due to temperature changes.
【００１２】0012
【実施例】以下本発明の一実施例について図面を参照し
て説明する。図３は、本発明に使用するウェーハシール
リングの前記第２の形状（低温時）を示す模式的な平面
図である。図４は、図３に示すウェーハシールリングの
第１の形状（高温時）を示す模式的な平面図である。ま
た図５は、ウェーハシールリングの部分拡大断面図で、
実線で第２の形状、破線で第１の形状を示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 is a schematic plan view showing the second shape (at low temperature) of the wafer seal ring used in the present invention. FIG. 4 is a schematic plan view showing the first shape (at high temperature) of the wafer seal ring shown in FIG. 3. FIG. FIG. 5 is a partially enlarged sectional view of the wafer seal ring.
The solid line indicates the second shape, and the broken line indicates the first shape.
【００１３】このウェーハシールリング１１は、シリコ
ーンゴム等のゴム製のリングから成り、該リング１１の
内周壁１６の全周にわたり環状の溝１５が形成されてい
る。溝１５は、半導体ウェーハ１４（便宜上露出面に斜
線を施す）の外周縁を挟み、この部分をマスクするため
に設けられる。また該リング１１には、溝１５の開口幅
Ｗを温度変化により増減させる構造物、すなわち複数の
Ｕ字型の形状記憶合金ワイヤ１２が埋設されている。Ｕ
字型ワイヤ１２は、図３または図４に示すように放射状
に、しかも図５に示すように内周壁面の溝１５を囲むよ
うに埋め込まれている。また該リング１１には、その内
径を、温度変化により、ウェーハの外径より大きくした
り小さくしたりすることのできる構造物、すなわちギャ
ザー状（円周にひだをつけた形）の形状記憶合金リング
ワイヤ１３が埋め込まれている。The wafer seal ring 11 is made of a rubber ring such as silicone rubber, and has an annular groove 15 formed all around the inner peripheral wall 16 of the ring 11 . The groove 15 is provided to sandwich the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 14 (the exposed surface is shaded for convenience) and to mask this portion. Further, a structure that increases or decreases the opening width W of the groove 15 depending on temperature changes, that is, a plurality of U-shaped shape memory alloy wires 12 is embedded in the ring 11. U
The character-shaped wires 12 are embedded radially as shown in FIG. 3 or 4, and furthermore, as shown in FIG. 5, so as to surround the groove 15 in the inner peripheral wall surface. The ring 11 also has a structure that allows the inner diameter to be made larger or smaller than the outer diameter of the wafer depending on temperature changes, that is, a shape memory alloy in a gathered shape (having pleats on the circumference). A ring wire 13 is embedded.
【００１４】本実施例においては、形状記憶合金として
は、Ｎｉ４９％〜５１％、残Ｔｉの組成のＴｉ−Ｎｉ系
合金を使用し、ギャザー状リングワイヤ１３の変態温度
を約７０℃〜８０℃とし、Ｕ字型ワイヤ１２の変態温度
は、ギャザー状リングワイヤ１３の変態温度より５℃〜
１０℃ほど下に設定しておく（例えばＮｉの組成比を０
．１％増加すると変態温度は約３〜４％高くなる）。
Ｕ字型ワイヤ１２は、図５の破線で示す形（第１の形状
）に記憶させ、埋め込む時は実線で示す形（第２の形状
）にする。またギャザー状のリングワイヤ１３は、図４
に示す状態（第１の形状）に記憶させ、埋め込む時は、
ひだのピッチを短縮した図３に示す形（第２の形状）に
加工しておく。In this embodiment, a Ti-Ni alloy having a composition of 49% to 51% Ni and the remainder Ti is used as the shape memory alloy, and the transformation temperature of the gathered ring wire 13 is set to about 70°C to 80°C. The transformation temperature of the U-shaped wire 12 is 5 degrees Celsius or more than the transformation temperature of the gathered ring wire 13.
Set the temperature approximately 10°C below (for example, set the Ni composition ratio to 0).
．． A 1% increase increases the transformation temperature by about 3-4%). The U-shaped wire 12 is stored in the shape shown by the broken line in FIG. 5 (first shape), and when embedded, it is made into the shape shown by the solid line (second shape). Further, the gathered ring wire 13 is shown in FIG.
When storing and embedding in the state shown in (first shape),
It is processed into the shape shown in FIG. 3 (second shape) in which the pleat pitch is shortened.
【００１５】以上のような実施例のウェーハシールリン
グ１１を装着したウェーハから該リング１１を離脱する
には次のようにする。ウェーハを嵌め込んだ状態のまま
ウェーハシールリング１１の温度を上昇する。まず変態
温度の低いＵ字型のワイヤ１２が図５の破線で示すよう
に変形して溝１５を開く。さらに温度が上がるとギャザ
ー状のリングワイヤ１３が、図４に示すようにひだのピ
ッチが拡大し、リング１１を押し開き、リング１１の内
径はウェーハの外径より大きくなり、リングはウェーハ
から離れる。To remove the wafer seal ring 11 of the above-described embodiment from the wafer on which the ring 11 is mounted, the following procedure is performed. The temperature of the wafer seal ring 11 is increased while the wafer is still fitted. First, the U-shaped wire 12 having a low transformation temperature is deformed as shown by the broken line in FIG. 5 to open the groove 15. As the temperature rises further, the gathered ring wire 13 expands the pitch of the pleats as shown in FIG. 4, pushes the ring 11 open, the inner diameter of the ring 11 becomes larger than the outer diameter of the wafer, and the ring separates from the wafer. .
【００１６】リング１１をウェーハに嵌め込む場合は、
これとまったく逆でリング１１を加熱し、ギャザー状の
リングワイヤ１３の変態温度以上に温度を上げ、図４に
示すようにリング１１の内径をウェーハ１４の外径より
大きくすると共に、リング１１の内周壁の溝１５の開口
幅Ｗを図５の破線で示すように拡げる。次にリング１１
の中空部に、これと同芯になるようにウェーハ１４を置
く。この状態でリング１１を冷やしてゆく。温度がギャ
ザー状リングワイヤ１３の変態温度以下になると、まず
リングワイヤ１３が変形して、図３に示すように、収縮
して、ウェーハ外周縁を嵌め込む。この時、Ｕ字型のワ
イヤ１２の形状は変わらないので溝は開いているから、
ウェーハ外周縁を容易に嵌め込むことができる。そして
、さらに冷えて、温度がＵ字型のワイヤ１２の変態温度
より下がると、ワイヤが変形して溝が閉まり、ゴムの力
でリング１１の溝１５は、ウェーハの外周縁に密着する
。When fitting the ring 11 into the wafer,
In exactly the opposite way, the ring 11 is heated to a temperature higher than the transformation temperature of the gathered ring wire 13, and the inner diameter of the ring 11 is made larger than the outer diameter of the wafer 14 as shown in FIG. The opening width W of the groove 15 in the inner peripheral wall is widened as shown by the broken line in FIG. Next, ring 11
The wafer 14 is placed in the hollow part of the wafer 14 so as to be concentric with the hollow part of the wafer 14. In this state, the ring 11 is cooled down. When the temperature falls below the transformation temperature of the gathered ring wire 13, the ring wire 13 first deforms and contracts, as shown in FIG. 3, to fit the outer periphery of the wafer. At this time, the shape of the U-shaped wire 12 does not change, so the groove is open.
The outer peripheral edge of the wafer can be easily fitted. Then, when it cools further and the temperature drops below the transformation temperature of the U-shaped wire 12, the wire deforms and the groove closes, and the groove 15 of the ring 11 comes into close contact with the outer peripheral edge of the wafer due to the force of the rubber.
【００１７】図１及び図２は、本発明のウェーハシール
リング着脱装置の構成例とその動作の概要を説明するた
めの模式図である。FIGS. 1 and 2 are schematic diagrams for explaining an example of the configuration of a wafer seal ring attaching/detaching device of the present invention and an overview of its operation.
【００１８】ウェーハシールリング着脱装置は大別して
、温度調節板２５、エレベータ２８、シールリングガイ
ド２９及びこれらを搭載するフレーム３０等により構成
される。The wafer seal ring attaching/detaching device is broadly divided into a temperature control plate 25, an elevator 28, a seal ring guide 29, a frame 30 on which these are mounted, and the like.
【００１９】温度調節板２５は、その主面上にそれぞれ
図１に示すようにウェーハ１４に装着されていないウェ
ーハシールリング１１または図２のようにウェーハ１４
に装着されたウェーハシールリング１１を載置する。又
温度調節板２５は、その内部に図示してないが温度調節
手段を内蔵し、載置するウェーハシールリング１１の温
度を変化して、リング１１の溝の開口幅及びリング内径
を増減する。また中央部にウェーハ載置台２６が通過で
きる中空部を持っている。The temperature control plate 25 has a wafer seal ring 11 on its main surface that is not attached to the wafer 14 as shown in FIG.
The wafer seal ring 11 attached to the wafer is placed. The temperature control plate 25 has a built-in temperature control means (not shown) therein, and changes the temperature of the wafer seal ring 11 placed thereon to increase or decrease the opening width of the groove of the ring 11 and the ring inner diameter. It also has a hollow part in the center through which the wafer mounting table 26 can pass.
【００２０】エレベータ２８は、ウェーハシールリング
１１を装着したウェーハ１４（図２）または装着しない
ウェーハ１４（図１）を載置し、かつウェーハ外径より
小さい外径を有するウェーハ載置台２６と、載置台２６
を保持するシャフト２７ｂ及び載置台２６を上下に移動
できるシリンダー２７ａとを持つ昇降機構２７等とから
成っている。The elevator 28 includes a wafer mounting table 26 on which the wafer 14 (FIG. 2) with the wafer seal ring 11 mounted or the wafer 14 (FIG. 1) without the wafer seal ring 11 is mounted, and which has an outer diameter smaller than the outer diameter of the wafer. Mounting table 26
It consists of an elevating mechanism 27 having a shaft 27b that holds the mounting table 26, and a cylinder 27a that can move the mounting table 26 up and down.
【００２１】シールリングガイド２９は、温度調節板２
５上に載置されたウェーハシールリング１１を上部より
覆うように複数箇所に設けられる。シールリングガイド
２９は、ウェーハシールリング１１の中心軸が温度調節
板２５の中心軸とほぼ一致するように載置されると共に
、リング１１が温度変化により変形しても中心軸がずれ
ないように、リング１１の載置位置をガイドする。また
シールリングガイド２９は、リング１１を上から圧接し
、リング１１を温度調節板２５に密着し、熱伝導を良く
する作用もある。The seal ring guide 29 is connected to the temperature control plate 2.
They are provided at a plurality of locations so as to cover the wafer seal ring 11 placed on the wafer seal ring 5 from above. The seal ring guide 29 is placed so that the center axis of the wafer seal ring 11 substantially coincides with the center axis of the temperature control plate 25, and also so that the center axis does not shift even if the ring 11 is deformed due to temperature changes. , guide the placement position of the ring 11. The seal ring guide 29 also has the function of pressing the ring 11 from above, bringing the ring 11 into close contact with the temperature control plate 25, and improving heat conduction.
【００２２】次に上記構成のウェーハシールリング着脱
装置の動作について説明する。まずウェーハ１４にウェ
ーハシールリング１１を装着する動作について説明する
。図１において、エレベータ２８を上昇させ、ウェーハ
をロード・アンロードする位置（以下ウェーハセットポ
ジションと呼ぶ）３２につけると、図示してないがロー
ダーによりウェーハ１４がウェーハ載置台２６に置かれ
る。あらかじめウェーハシールリング１１を、温度調節
板２５上に載置し、上からシールリングガイド２９で押
さえ、温度調節板２５により加熱し、第１の形状として
おく。次にエレベータ２８は下降してシールリング１１
を着脱する位置（以下シールリング着脱ポジションと呼
ぶ）３１につく。図２において、温度調節板２５により
ウェーハシールリング１１は冷却され、リング１１は収
縮して、その溝はウェーハ外周縁を挟み、さらに冷却す
ると溝は閉じ、ウェーハシールリング１１はウェーハ１
４に装着される。シールリングガイド２９をはずし、エ
レベータ２８を上昇し、ウェーハセットポジション３２
につけ、図示してないがアンローダーにより、ウェーハ
載置台２６より、リング１１を装着したウェーハ１４を
取り上げ、次工程へ送る。Next, the operation of the wafer seal ring attaching/detaching device having the above structure will be explained. First, the operation of attaching the wafer seal ring 11 to the wafer 14 will be explained. In FIG. 1, when the elevator 28 is raised to a wafer loading/unloading position 32 (hereinafter referred to as a wafer set position), the wafer 14 is placed on the wafer mounting table 26 by a loader (not shown). The wafer seal ring 11 is placed on the temperature control plate 25 in advance, pressed from above by the seal ring guide 29, and heated by the temperature control plate 25 to form the first shape. Next, the elevator 28 descends and the seal ring 11
31 (hereinafter referred to as the seal ring attachment/detachment position). In FIG. 2, the wafer seal ring 11 is cooled by the temperature control plate 25, the ring 11 contracts, and its grooves sandwich the outer periphery of the wafer, and when it is further cooled, the grooves close, and the wafer seal ring 11
It is installed on 4. Remove the seal ring guide 29, ascend the elevator 28, and return to the wafer set position 32.
At this time, the wafer 14 with the ring 11 attached thereto is picked up from the wafer mounting table 26 by an unloader (not shown) and sent to the next process.
【００２３】次にウェーハに装着されたウェーハシール
リング１１をウェーハ１４から離脱する動作について説
明する。図２において、エレベータ２８が上昇してウェ
ーハセットポジション３２につくと、ウェーハシールリ
ング１１を装着したウェーハ１４がセットされ、再び下
降してシールリング着脱ポジション３１につく。この時
ウェーハシールリング１１は温度調節板２５に接し上か
らシールリングガイド２９によって押さえられる。．次
に図１において、温度調節板２５がウェーハシールリン
グ１１を温めることにより、ウェーハシールリング１１
が変形してウェーハ１４から離脱する。分離したウェー
ハ１４はエレベータ２８によって上昇し、ウェーハセッ
トポジション３２にセットされ、次工程へ搬送される。Next, the operation of removing the wafer seal ring 11 attached to the wafer from the wafer 14 will be explained. In FIG. 2, when the elevator 28 ascends and reaches the wafer setting position 32, the wafer 14 with the wafer seal ring 11 attached thereto is set, and then descends again to reach the seal ring attachment/detachment position 31. At this time, the wafer seal ring 11 comes into contact with the temperature control plate 25 and is pressed down by the seal ring guide 29 from above. ．． Next, in FIG. 1, the temperature control plate 25 warms the wafer seal ring 11 so that the wafer seal ring 11
is deformed and detached from the wafer 14. The separated wafer 14 is raised by the elevator 28, set at a wafer set position 32, and transported to the next process.
【００２４】上記実施例においては、ウェーハシールリ
ングの形状を温度変化により変形させる構造物としてＴ
ｉ・Ｎｉ系の形状記憶合金から成るＵ字型のワイヤ及び
ギャザー状のリングワイヤを使用したが、形状記憶合金
の種類や構造物の形状は、上記実施例に限定されない。
例えば熱膨張係数の異なる２種類の金属板を接着加工し
たバイメタル等の使用も考えられる。In the above embodiment, T is used as a structure that deforms the shape of the wafer seal ring due to temperature changes.
Although a U-shaped wire and a gathered ring wire made of an i-Ni type shape memory alloy were used, the type of shape memory alloy and the shape of the structure are not limited to the above embodiments. For example, it is possible to use a bimetal made by bonding two types of metal plates with different coefficients of thermal expansion.
【００２５】上記実施例のウェーハシールリング着脱装
置は、温度調節板によってウェーハシールリングを加熱
、冷却して着脱するので、人間が手によって着脱させる
よりも素早く確実に着脱でき、またウェーハが汚染され
るおそれも少ないという効果が得られた。The wafer seal ring attachment/detachment device of the above embodiment heats and cools the wafer seal ring using the temperature control plate to attach/detach it, so it can be attached/detached more quickly and reliably than if a person were to attach/detach it by hand, and the wafer is not contaminated. This has the effect of reducing the risk of nuisance.
【００２６】[0026]
【発明の効果】これまで詳述したように、本発明により
ウェーハにウェーハシールリングを着脱する作業におい
て、人手作業を減少し、ほぼ自動で、簡単にかつ素早く
着脱でき、またウェーハを汚染するおそれが少ないウェ
ーハシールリング着脱装置を提供することができた。[Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention, in the work of attaching and detaching a wafer seal ring to and from a wafer, manual labor can be reduced, the attachment and detachment can be done almost automatically, easily and quickly, and there is no risk of contaminating the wafer. We were able to provide a wafer seal ring attachment/detachment device with less wafer seal ring attachment/detachment.
【図１】本発明のウェーハシールリング着脱装置の構成
の概要と着脱動作の一部を説明するための模式図である
。FIG. 1 is a schematic diagram for explaining the outline of the configuration of a wafer seal ring attachment/detachment device of the present invention and a part of the attachment/detachment operation.
【図２】本発明のウェーハシールリング着脱装置の着脱
動作の他の部分を説明するための模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram for explaining another part of the attachment/detachment operation of the wafer seal ring attachment/detachment device of the present invention.
【図３】本発明で使用するウェーハシールリングの第２
の形状を示す模式的な平面図である。．．[Figure 3] Second wafer seal ring used in the present invention
FIG. 2 is a schematic plan view showing the shape of FIG. ．． ．．
【図４】本発
明で使用するウェーハシールリングの第１の形状を示す
模式的な平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view showing a first shape of a wafer seal ring used in the present invention.
【図５】図３または図４で示すウェーハシールリングの
部分拡大断面図である。FIG. 5 is a partially enlarged sectional view of the wafer seal ring shown in FIG. 3 or 4. FIG.
【図６】従来のウェーハシールリングを示す図で、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図である。FIG. 6 is a diagram showing a conventional wafer seal ring; FIG. 6(a) is a plan view, and FIG. 6(b) is a sectional view.
１１ 本発明のウェーハシールリング１２ Ｕ字型
形状記憶合金ワイヤ
１３ ギャザー状形状記憶合金リングワイヤ１４
半導体ウェーハ
１５ ウェーハシールリング内周壁の環状溝２５
温度調節板
２６ ウェーハ載置台
２７ 昇降機構
２８ エレベータ
２９ シールリングガイド11 Wafer seal ring of the present invention 12 U-shaped shape memory alloy wire 13 Gathered shape memory alloy ring wire 14
Semiconductor wafer 15 Annular groove 25 on inner peripheral wall of wafer seal ring
Temperature control plate 26 Wafer mounting table 27 Lifting mechanism 28 Elevator 29 Seal ring guide
Claims (1)
の内周壁全周にわたって掘られた半導体ウェーハの外周
縁を挟むための環状溝と、該リングに埋設または付設さ
れ前記溝の開口幅を温度変化により増減させる構造物と
、該リングに埋設または付設され該リングの内径を温度
変化により前記ウェーハの外径より大きくしたり小さく
したりすることのできる構造物とを有するウェーハシー
ルリングを、前記ウェーハに着脱する装置であって、（
ｂ）ウェーハシールリングを載置する面と、該リングの
温度を変化して前記溝の開口幅及び該リング内径を増減
する温度調節手段と、ウェーハ載置台が通過できる中空
部とを有する環状の温度調節板と、（ｃ）ウェーハシー
ルリングを装着または非装着のウェーハを載置するウェ
ーハ外径より小さい外径のウェーハ載置台と、前記温度
調節板の中空部を通過して上下動する昇降機構とを有す
るエレベータと、（ｄ）前記温度調節板上に載置された
前記ウェーハシールリングを上部より覆うシールリング
ガイドとを、具備することを特徴とするウェーハシール
リング着脱装置。Claim 1: (a) consisting of a rubber ring, an annular groove for sandwiching the outer peripheral edge of a semiconductor wafer, which is dug around the entire inner peripheral wall of the ring, and an opening in the groove embedded or attached to the ring; A wafer seal ring having a structure whose width can be increased or decreased according to temperature changes, and a structure embedded or attached to the ring and whose inner diameter can be made larger or smaller than the outer diameter of the wafer according to temperature changes. An apparatus for attaching and detaching a wafer to and from the wafer,
b) An annular ring having a surface on which a wafer seal ring is placed, a temperature control means for increasing or decreasing the opening width of the groove and the inner diameter of the ring by changing the temperature of the ring, and a hollow portion through which a wafer mounting table can pass. (c) a wafer mounting table having an outer diameter smaller than the outer diameter of the wafer on which a wafer with or without a wafer seal ring is placed; and an elevator that moves up and down through the hollow part of the temperature adjustment plate. and (d) a seal ring guide that covers the wafer seal ring placed on the temperature control plate from above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3176142A JPH04372150A (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Wafer sealing ring attaching/detaching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3176142A JPH04372150A (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Wafer sealing ring attaching/detaching device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372150A true JPH04372150A (en) | 1992-12-25 |
Family
ID=16008397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3176142A Withdrawn JPH04372150A (en) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | Wafer sealing ring attaching/detaching device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04372150A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5772773A (en) * | 1996-05-20 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Co-axial motorized wafer lift |
| JP2004503769A (en) * | 2000-06-09 | 2004-02-05 | ブルックス オートメーション ゲーエムベーハー | Positioning device for disk-shaped objects |
| CN109887877A (en) * | 2019-01-02 | 2019-06-14 | 长江存储科技有限责任公司 | A kind of wafer fixed station and wafer bonding equipment |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP3176142A patent/JPH04372150A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5772773A (en) * | 1996-05-20 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Co-axial motorized wafer lift |
| JP2004503769A (en) * | 2000-06-09 | 2004-02-05 | ブルックス オートメーション ゲーエムベーハー | Positioning device for disk-shaped objects |
| CN109887877A (en) * | 2019-01-02 | 2019-06-14 | 长江存储科技有限责任公司 | A kind of wafer fixed station and wafer bonding equipment |
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